JP2011181690A - 発光装置およびそれを用いた光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】放熱性を高めることが可能な発光装置およびそれを用いた光装置を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓよりなる第２の基板３１にＡｌＧａＡｓ系半導体層よりなるレーザ発振部６０と、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体層よりなるレーザ発振部７０とを設ける。第２の基板３１のレーザ発振部６０，７０以外の周辺部９０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４を削除する。周辺部９０には、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層９１を設ける。第１の発光素子２０で発生した熱は、熱伝導率の高い埋込層９１を介して支持基体１１に伝わり、放熱性が良くなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、複数の発光素子を備えた発光装置およびそれを用いた光装置に関する。
近年、発光装置の分野においては、同一基板（または基体）上に発光波長が異なる複数の発光部が形成されてなる半導体レーザ（ＬＤ；laser diode ）（以下、多波長レーザという。）が活発に開発されている。このような多波長レーザの一例としては、例えば、１チップ内に発光波長が異なる複数の発光部を作り込んだもの（いわゆる、モノリシック型の多波長レーザ）がある。この多波長レーザは、例えば、気相成長法を用いてＡｌＧａＡｓ系の半導体材料を成長させることにより形成された第１のレーザ発振部と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を成長させることにより形成された第２のレーザ発振部とが、分離溝を介してＧａＡｓ（ガリウムヒ素）よりなる基板の一面側に並列配置されたものである。この場合、第１のレーザ発振部の発振波長は７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）であり、第２のレーザ発振部の発振波長は６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）である。
また、例えば、配設用の基体の上に、発光波長が異なる複数の半導体レーザが並列に実装されたもの（いわゆる、ハイブリッド型の多波長レーザ）も提案されている。しかし、上述したいわゆるモノリシック型のものの方が、発光点間隔を高精度に制御することができる点で有効である。
これらの多波長レーザは、例えば光ディスク装置のレーザ光源として用いられる。現在、一般に光ディスク装置では、７００ｎｍ帯の半導体レーザ光がＣＤ（Compact Disk）の再生に用いられると共に、ＣＤ−Ｒ（CD recordable ），ＣＤ−ＲＷ（CD Rewritable ）あるいはＭＤ（Mini Disk ）などの記録可能な光ディスクの記録・再生に用いられている。また、６００ｎｍ帯の半導体レーザ光がＤＶＤ（Digital Versatile Disk）の記録・再生に用いられている。従って、上述したような多波長レーザを光ディスク装置に搭載することにより、既存の複数種類の光ディスクのいずれに関しても、記録または再生が可能となる。しかも、第１および第２のレーザ発振部は、同一基板上（いわゆるハイブリッド型の各半導体レーザにおいては同一の配設用基体上）に並列に配置されているので、レーザ光源用のパッケージが１つで済み、種々の光ディスクを記録・再生するための対物レンズやビームスプリッタなどの光学系の部品点数を減らして光学系の構成を簡素化し、光ディスク装置の小型化および低コスト化を実現することができる。
ところで、近年、更に短波長の光を発する半導体レーザを用いて更に光ディスクの高密度化を図ることが要請されている。このような要請に応える半導体レーザの構成材料としては、ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶およびＧａＩｎＮ混晶に代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（以下、ＧａＮ系の半導体ともいう。）が知られている。このＧａＮ系の半導体を用いた半導体レーザは、既存の光学系を使用して記録・再生が可能な光ディスクの限界波長とされている４００ｎｍ前後の発振波長が得られることから、次世代の光ディスク用の記録・再生装置の光源として大いに注目されている。また、ＲＧＢ三原色を用いたフルカラーのディスプレイの光源としても期待されている。そこで、ＧａＮ系のレーザ発振部を備えた多波長レーザの開発が望まれている。
従来、ＧａＮ系のレーザ発振部を有する多波長レーザとしては、例えば、ＧａＮ系のレーザ発振部を有する第１の発光素子と、ＡｌＧａＡｓ系の第１のレーザ発振部およびＡｌＧａＩｎＰ系の第２のレーザ発振部を基板の一面側に並列配置したモノリシック型の第２の発光素子とを、支持基体上にこの順に積層した多波長レーザが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００１−２３０５０２号公報
このような従来の多波長レーザでは、低コスト化の観点から、ＧａＡｓよりなる基板を用いた第２の発光素子を土台として、その上にＧａＮ系のレーザ発振部を有する第１の発光素子を積み重ねることが望ましい。なぜなら、土台となる半導体レーザチップは、電極配線などを形成するためにより広い面積を必要とし、寸法を大きくする必要があるので、安価なＧａＡｓよりなる基板を土台のチップとして用いるほうが低コスト化に有利となるからである。しかしながら、その場合には、第２の発光素子の熱伝導率の低いＡｌＧａＡｓ系およびＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層により、ＧａＮ系のレーザ発振部で発生した熱が支持基体に伝わる際の放熱経路が妨げられることになり、なお改善の余地があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、放熱性を高めることが可能な発光装置およびそれを用いた光装置を提供することにある。
本発明による発光装置は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）支持基体
（Ｂ）支持基体の一面側に設けられ、第１の基板を有する第１の発光素子
（Ｃ）第１の発光素子および支持基体の間に設けられると共に第２の基板を有し、第２の基板の第１の発光素子側に半導体層よりなる発光部および発光部以外の周辺部を有し、周辺部に半導体層よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層を有する第２の発光素子
本発明による光装置は、上記本発明による発光装置を備えたものである。
本発明による発光装置、または本発明による光装置では、第２の基板の発光部以外の周辺部に、半導体層よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層が設けられているので、第１の発光素子で発生した熱は、熱伝導率の高い埋込層を介して支持基体に伝わる。よって、放熱性が良くなる。
本発明の発光装置、または本発明の光装置によれば、第２の基板の発光部以外の周辺部に、半導体層よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層を設けるようにしたので、放熱性を高めることが可能となる。特に、複数の発光素子のうち熱伝導率の低いものを土台とした場合に好適である。
本発明の一実施の形態に係る発光装置の構成を表す断面図である。 図１に示した第２の発光素子の構成を表す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。 図２に示した第２の発光素子の発光部を拡大して表す断面図である。 ＦＦＰの、埋込層の端の位置に対する依存性を表す図である。 図１に示した発光装置の製造方法を説明するための断面図である。 図６に続く製造工程を説明するための断面図である。 図７に続く製造工程を説明するための断面図である。 図８に続く製造工程を説明するための断面図である。 図９に続く製造工程を説明するための断面図である。 図１０に続く製造工程を説明するための断面図である。 図１１に続く製造工程を説明するための断面図である。 図１２に続く製造工程を説明するための断面図である。 図１に示した発光装置の作用を説明するための断面図である。 従来の発光装置の作用を説明するための断面図である。 図１に示した発光装置を用いた光ディスク記録再生装置を表す構成図である。 図１に示した発光装置の変形例を表す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．適用例（光ディスク記録再生装置）
図１は、本発明の一実施の形態に係る発光装置１０Ａの断面構造を概略的に表すものである。この発光装置１０Ａは、光ディスク記録再生装置などに用いられるものであり、支持基体１１に、第２の発光素子３０および第１の発光素子２０を順に重ねて配設したものである。第１の発光素子２０と第２の発光素子３０とは溶着層４０により接合されている。
支持基体１１は、ヒートシンク１２とサブマウント１３とを接着層１４を間にして接合した構成を有している。第２の発光素子３０は接着層１５によりサブマウント１３に接合されている。
ヒートシンク１２は、第１の発光素子２０および第２の発光素子３０において発生した熱を放散する放熱部材としての機能を有しており、銅（Ｃｕ）などの金属により構成されている。このヒートシンク１２は、また、図示しない外部電源に対して電気的に接続されており、第２の発光素子３０を外部電源に対して電気的に接続する役割も有している。
サブマウント１３は、ヒートシンク１２への熱伝導性を確保して駆動時のチップ温度上昇を防ぎ、長寿命を得るためのものであり、例えばシリコン（Ｓｉ）により構成されているが、より放熱性能を高めるためＡｌＮにより構成されていてもよい。
サブマウント１３の上面および下面には、接着層１４，１５との接合のための導電性接着層１３Ａ，１３Ｂが設けられている。導電性接着層１３Ａ，１３Ｂは、例えばはんだにより構成されていることが好ましい。熱伝導性を高めることができるからである。具体的には、スズ（Ｓｎ），金（Ａｕ）とスズ（Ｓｎ）との合金，スズ（Ｓｎ）と亜鉛（Ｚｎ）との合金または銀（Ａｇ）と（Ｓｎ）との合金が挙げられる。また、導電性接着層１３Ａ，１３Ｂは、例えば銀（Ａｇ）ペーストにより構成されていてもよい。
接着層１４，１５は、放熱性を確保できる材料により構成されていることが好ましく、例えば銀（Ａｇ）ペーストまたははんだにより構成されていることが好ましい。特に、銀ペーストは製造能力を高めることができ、はんだは熱伝導性が良くなるという利点がある。例えば再生用の光ディスク装置には、駆動電流が低いために発熱量も小さいので、銀ペーストが好ましい。
第１の発光素子２０は、例えば、４００ｎｍ前後の波長の光を出射可能な半導体レーザである。この第１の発光素子２０は、例えば窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる第１の基板２１の支持基体１１側に、例えば窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなるｎ型クラッド層２２，活性層２３，劣化防止層２４，ｐ型クラッド層２５およびｐ側コンタクト層２６が第１の基板２１の側からこの順に積層されたレーザ発振部を有している。ここにおいて、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体とは、短周期型周期率表における３Ｂ族元素群のうちの少なくとも１種と、短周期型周期率表における５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含むもののことを指す。
具体的には、第１の基板２１は、例えば、ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）が添加されたｎ型ＧａＮにより構成されており、その積層方向における厚さ（以下、単に厚さという。）は例えば８０〜１００μｍである。
ｎ型クラッド層２２は、例えば、厚さが１μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型ＡｌＧａＮ（例えば、Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ）混晶により構成されている。活性層２３は、例えば、厚さが３０ｎｍであり、組成の異なるＧａｘ Ｉｎ１−ｘ Ｎ（但し、ｘ≧０）混晶によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有している。なお、この活性層２３は発光層として機能するものである。
劣化防止層２４は、例えば、厚さが２０ｎｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が添加されたｐ型ＡｌＧａＮ（例えば、Ａｌ０．２ Ｇａ０．８ Ｎ）混晶により構成されている。ｐ型クラッド層２５は、例えば、厚さが０．７μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウムが添加されたｐ型ＡｌＧａＮ（例えば、Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ）混晶により構成されている。ｐ側コンタクト層２６は、例えば、厚さが０．１μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウムが添加されたｐ型ＧａＮにより構成されている。
ｐ型クラッド層２５の一部およびｐ側コンタクト層２６は、共振器方向（図１においては紙面に対して垂直な方向）に延長された細い帯状の突条部２０Ａとされており、いわゆるレーザストライプを構成することにより電流狭窄を行うようになっている。ｐ側コンタクト層２６に対応する活性層２３の領域が発光領域となっている。ｐ側コンタクト層２６の側面およびｐ型クラッド層２５の下面は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）などよりなる絶縁層２７により覆われている。
ｐ側コンタクト層２６の下面および絶縁層２７の下面には、ｐ側電極２８が形成されている。このｐ側電極２８は、例えば、ｐ側コンタクト層２６の側からパラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）を順次積層したものであり、ｐ側コンタクト層２６と電気的に接続されている。このｐ側電極２８は、また、溶着層４０を介して第２の発光素子３０上の第１配線層５１および第１パッド５１Ａと電気的に接続されている。溶着層４０は、例えば、金（Ａｕ）とスズ（Ｓｎ）との合金あるいはスズにより構成されている。
また、第１の基板２１の上面には、ｎ側電極２９が設けられている。ｎ側電極２９は、例えば、第１の基板２１の側から、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウムを順次積層して熱処理によりを合金化したものであり、第１の基板２１と電気的に接続されている。
更に、第１の発光素子２０は共振器方向の端部に位置する一対の側面が共振器端面となっており、この一対の共振器端面には図示しない一対の反射鏡膜がそれぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜のうち、一方は活性層２３において発生した光を高い反射率で反射するように設定され、他の一方はこれよりも低い反射率で反射するように設定されており、他の一方の側から光が出射するようになっている。
図２および図３は、第２の発光素子３０の平面構成および断面構成をそれぞれ表したものである。第２の発光素子３０は、例えば、第２の基板３１を有している。第２の基板３１の第１の発光素子２０側には、７００ｎｍ帯（例えば７８０ｎｍ）の光を出射可能なレーザ発振部６０と、６００ｎｍ帯（例えば６５０ｎｍ）の光を出射可能なレーザ発振部７０とが設けられている。第２の基板３１は、例えば、厚さが１００μｍ程度であり、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型ＧａＡｓにより構成されている。レーザ発振部６０およびレーザ発振部７０は、例えば２００μｍ程度以下の間を隔て、共振器方向を第１の発光素子２０と揃えて、レーザ発振部７０の上方（例えば図１では直上）に第１の発光素子２０のｐ側コンタクト層２６が位置するように配置されている。具体的には、レーザ発振部６０の後述する発光領域とレーザ発振部７０の後述する発光領域との間隔は約１２０μｍとなっており、レーザ発振部７０の後述する発光領域のちょうど真上に第１の発光素子２０の発光領域が位置している。
レーザ発振部６０は、例えば、短周期型周期表における３Ｂ族元素のうちの少なくともガリウム（Ｇａ）と短周期型周期表における５Ｂ族元素のうちの少なくともヒ素（Ａｓ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりそれぞれなるｎ型クラッド層６１，活性層６２，ｐ型下部クラッド層６３，エッチングストップ層６４，ｐ型上部クラッド層６５およびｐ側コンタクト層６６が第２の基板３１の側からこの順に積層された構成を有している。
具体的には、ｎ型クラッド層６１は、例えば、厚さが１．５μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶により構成されている。活性層６２は、例えば、厚さが４０ｎｍであり、組成の異なるＡｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ（但し、ｘ≧０）混晶によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有している。なお、この活性層６２は、発光層として機能するものであり、その発光波長は例えば７００ｎｍ帯である。ｐ型下部クラッド層６３およびｐ型上部クラッド層６５は、例えば、合計厚さが１．５μｍであり、ｐ型不純物として亜鉛が添加されたｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶により構成されている。エッチングストップ層６４は、例えば、厚さが３０ｎｍ程度であり、ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶により構成されている。ｐ側コンタクト層６６は、例えば、厚さが０．５μｍであり、ｐ型不純物として亜鉛が添加されたｐ型ＧａＡｓにより構成されている。
ｐ型上部クラッド層６５およびｐ側コンタクト層６６は、共振器方向に延長された細い帯状の突条部６０Ａとされており、電流狭窄をするようになっている。ｐ側コンタクト層６６に対応する活性層６２の領域が発光領域となっている。ｐ側コンタクト層６６の側面，ｐ型上部クラッド層６５の側面およびエッチングストップ層６４の上面には、絶縁層８１が設けられている。この絶縁層８１は、エッチングストップ層６４ないしｎ型クラッド層６１の側面を覆い、更に、レーザ発振部７０およびそれ以外の領域の第２の基板３１の表面とを覆っている。絶縁層８１は、例えば、厚みが１００ｎｍ程度であり、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等により構成されている。
ｐ側コンタクト層６６の上には、ｐ側電極６７が形成されている。このｐ側電極６７は、例えば、ｐ側コンタクト層６６の側から、厚み５０ｎｍのチタン層，厚み１００ｎｍの白金層および厚み３００ｎｍの金層を順次積層して熱処理により合金化したものであり、ｐ側コンタクト層６６と電気的に接続されている。このｐ側電極６７には、第２配線層５２および第２パッド５２Ａが連続して設けられている。
レーザ発振部７０は、例えば、ｎ型クラッド層７１，活性層７２，ｐ型下部クラッド層７３，エッチングストップ層７４，ｐ型上部クラッド層７５およびｐ側コンタクト層７６が第２の基板３１の側からこの順に積層された構成を有している。これらの各層は、例えば、短周期型周期表における３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）と短周期型周期表における５Ｂ族元素のうちの少なくともリン（Ｐ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によりそれぞれ構成されている。
具体的には、ｎ型クラッド層７１は、例えば、厚さが１．５μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶により構成されている。活性層７２は、例えば、例えば、厚さが３５ｎｍであり、組成の異なるＡｌｘ Ｇａｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｐ（但し、ｘ≧０かつｙ≧０）混晶によりそれぞれ形成された井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有している。なお、この活性層７２は、発光層として機能するものである。ｐ型下部クラッド層７３およびｐ型上部クラッド層７５は、例えば、厚さが１．０μｍであり、ｐ型不純物として亜鉛が添加されたｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶により構成されている。エッチングストップ層７４は、例えば、厚さが２０ｎｍ程度であり、ｐ型ＧａＩｎＰ混晶により構成されている。ｐ側コンタクト層７６は、例えば、厚さが０．５μｍであり、ｐ型不純物として亜鉛が添加されたｐ型ＧａＡｓにより構成されている。
ｐ型上部クラッド層７５およびｐ側コンタクト層７６は、共振器方向に延長された細い帯状の突条部７０Ａとされており、電流狭窄をするようになっている。ｐ側コンタクト層７６に対応する活性層７２の領域が発光領域となっている。ｐ側コンタクト層７６ないしｎ型クラッド層７１の側面には、レーザ発振部６０と共通の絶縁層８１が設けられている。
ｐ側コンタクト層７６の上には、ｐ側コンタクト層７６と電気的に接続され、例えばｐ側電極６７と同様の構成を有するｐ側電極７７が設けられている。このｐ側電極７７は、また、第３配線層５３および第３パッド５３（図１，図３には図示せず、図２参照。）と連続して設けられている。
また、第２の基板３１の下面（支持基体１１側）には、レーザ発振部６０，７０のｎ側電極３２が形成されている。このｎ側電極３２は、例えば、第２の基板３１の側から金とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金，ニッケルおよび金を順次積層して熱処理により合金化したものである。
更に、第２の発光素子３０は、共振器方向の端部に位置する一対の側面がそれぞれ共振器端面となっており、各レーザ発振部６０，７０それぞれにおいてこの一対の共振器端面に図示しない一対の反射鏡膜がそれぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜では、反射率の高低が第１の発光素子２０に設けられた図示しない一対の反射鏡膜と対応するようにそれぞれ設定されており、第１の発光素子２０および第２の発光素子３０のレーザ発振部６０，７０は、それぞれ同一の側から光が出射するようになっている。
レーザ発振部７０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４は、突条部７０Ａ近傍、つまり発光に寄与する領域のみに設けられており、レーザ発振部６０，７０以外の周辺部９０では削除されている。この周辺部９０には、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高い材料、例えば金（Ａｕ）よりなる埋込層９１（放熱層）が設けられている。これにより、この発光装置１０Ａでは、放熱性を高めることが可能となっている。
埋込層９１が金（Ａｕ）により構成されている場合には、埋込層９１は、例えば、ｐ側電極７７および第３配線層５３の上に設けられている。埋込層９１の厚みは、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４の合計厚さと同等、例えば１μｍないし３μｍ程度であることが望ましい。
更に、埋込層９１は、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高いことに加えて、熱膨張率（線膨張係数）がｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４に近い、ヤング率が低いことが好ましい。これにより、レーザ発振部７０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４への応力の影響を小さくすることが可能となる。
埋込層９１は、また、溶着層４０と共に、第１の発光素子２０の支持土台としての機能も有している。そのため、埋込層９１の幅（共振器方向に直交する方向の寸法）および長さ（共振器方向の寸法）は、第１の発光素子２０の寸法に合わせて適宜設定することが望ましい。なお、埋込層９１の寸法を大きくするほど放熱性を高めることが可能となる。
埋込層９１の上には、絶縁層８２を間にして、第１配線層５１および溶着層４０が設けられている。絶縁層８２は、例えば、厚みが３００ｎｍ程度であり、窒化ケイ素（ＳｉＮ）により構成されている。第１配線層５１は、例えば、埋込層９１の側から、厚み５０ｎｍのチタン層，厚み１００ｎｍの白金層および厚み１００ｎｍの金層を順次積層して熱処理により合金化したものであり、溶着層４０と電気的に接続されている。この第１配線層５１には、第１パッド５１Ａが設けられている。
溶着層４０は、例えば、第１の発光素子２０の突条部２０Ａを回避して、埋込層９１と第１の発光素子２０との間に設けられているが、第１の発光素子２０の突条部２０Ａを含む全面に設けられていてもよい。第１配線層５１は、第１パッド５１Ａおよび溶着層４０が設けられている部分を除いて、絶縁層８３により覆われている。絶縁層８３は、例えば、厚みが１００ｎｍ程度であり、窒化ケイ素（ＳｉＮ）により構成されている。が、第１の発光素子２０の突条部２０Ａを含む全面に設けられていてもよい。
埋込層９１の突条部７０Ａ側の端９１Ａは、突条部７０Ａの端７０Ｂ（図５参照）から２μｍ以上３０μｍ未満の範囲に位置していることが好ましい。２μｍ未満の場合には、レーザ光の光分布、放射形状（ＦＦＰ）、光吸収ロスなどの影響が生じるおそれがあるからである。また、３０μｍ以上の場合には、埋込層９１がレーザ発振部７０から離れすぎて放熱性を高める効果が十分に得られないからである。
図４は、レーザ発振部７０のＦＦＰの、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４の削除寸法に対する依存性を調べたシミュレーション結果を表したものである。ここで、削除寸法は、図５に示したように、突条部７０Ａの端７０Ｂと、レーザ発振部７０の端７０Ｃ（ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４の削除位置、すなわち埋込層９１の端９１Ａの位置）との距離である。図４から分かるように、削除寸法が２μｍ未満になると、半値全幅（ＦＷＨＭ）すなわちビーム拡がり角度が増大する。すなわち、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４の削除寸法が２μｍ以上であれば、ＦＦＰに対する影響を抑えることが可能となることが分かる。
また、埋込層９１は、突条部７０Ａの端７０Ｂから３０μｍ以内の範囲に設けられていることが好ましい。埋込層９１が突条部７０Ａまたはレーザ発振部７０から離れすぎると放熱性を高める効果が十分に得られなくなるからである。
この発光装置１０Ａは、例えば、次のようにして製造することができる。
図６ないし図１３は、発光装置１０Ａの製造方法を工程順に表したものである。なお、第１の発光素子２０の製造工程については図１を参照して説明する。
まず、図１に示した第１の発光素子２０を形成する。すなわち、例えば、厚さ４００μｍ程度のｎ型ＧａＮよりなる第１の基板２１を用意し、この第１の基板２１の表面に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型クラッド層２２，ＩｎＧａＮ混晶よりなる活性層２３，ｐ型ＡｌＧａＮ混晶よりなる劣化防止層２４，ｐ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型クラッド層２５およびｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２６を順次成長させる。なお、これらの各層を成長させる際には、第１の基板２１の温度を例えば７５０℃〜１１００℃にそれぞれ調節する。
次いで、ｐ側コンタクト層２６の上に図示しないマスクを形成し、ｐ側コンタクト層２６およびｐ型クラッド層２５の上層部を選択的にエッチングしてこれらを細い帯状の突条部２０Ａとし、ｐ型クラッド層２５を表面に露出させる。続いて、ｐ側コンタクト層２６上の図示しないマスクを利用して、ｐ型クラッド層２５の表面およびｐ側コンタクト層２６の側面を覆うように絶縁層２７を形成する。
絶縁層２７を形成したのち、ｐ側コンタクト層２６の表面およびその近傍に、例えば、パラジウム，白金および金を順次蒸着し、ｐ側電極２８を形成する。更に、後述する工程において第１の基板２１の劈開を容易に行うために、第１の基板２１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして第１の基板２１の厚さを例えば１００μｍ程度とする。
続いて、第１の基板２１の裏面側に、例えばチタンおよびアルミニウムを順次蒸着し、ｎ側電極２９を形成する。ｎ側電極２９を形成したのち、加熱処理を行い、ｎ側電極２９を合金化する。そののち、ここでは図示しないが、第１の基板２１を例えばｐ側電極２８の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開し、その劈開面に一対の反射鏡膜を形成する。これにより、図１に示した第１の発光素子２０が作製される。
また一方、例えば、厚さ３５０μｍ程度のｎ型ＧａＡｓよりなる第２の基板３１を用意し、この第２の基板３１の表面にＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｎ型クラッド層６１，Ａｌｘ Ｇａ１−ｘ Ａｓ（但し、ｘ≧０）混晶よりなる活性層６２，ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型下部クラッド層６３，ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるエッチングストップ層６４，ｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型上部クラッド層６５およびｐ型ＧａＡｓよりなるｐ側コンタクト層６６を順次成長させる。なお、これらの各層を成長させる際には、第２の基板３１の温度を例えば７５０℃〜８００℃にそれぞれ調節する。
次いで、ｐ型キャップ層４４の上にレーザ発振部６０の形成予定領域に対応してレジスト膜（図示せず）を形成する。そののち、このレジスト膜（図示せず）をマスクとして、例えば、硫酸系のエッチング液を用いてｐ側コンタクト層６６を選択的に除去し、フッ酸系のエッチング液を用いてｐ側コンタクト層６６，ｐ型上部クラッド層６５，エッチングストップ層６４，ｐ型下部クラッド層６３，活性層６３およびｎ型クラッド層６１のレジスト膜（図示せず）に覆われていない部分をそれぞれ選択的に除去する。そののち、レジスト膜（図示せず）を除去する。
続いて、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなるｎ型クラッド層７１，Ａｌｘ Ｇａｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｐ（但し、ｘ≧０かつｙ≧０）混晶よりなる活性層７２，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなるｐ型下部クラッド層７３，ｐ型ＧａＩｎＰ混晶よりなるエッチングストップ層７４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ混晶よりなるｐ型上部クラッド層７５およびｐ型ＧａＡｓよりなるｐ側コンタクト層７６を順次成長させる。なお、これらの各層を成長させる際には、第２の基板３１の温度を例えば６８０℃程度にそれぞれ調節する。
そののち、ｐ側コンタクト層７６の上にレーザ発振部７０の形成予定領域に対応してレジスト膜（図示せず）を形成する。続いて、このレジスト膜（図示せず）をマスクとして、例えば、硫酸系のエッチング液を用いてｐ側コンタクト層７６を選択的に除去し、リン酸系および塩酸系のエッチング液を用いてｐ型上部クラッド層７５，エッチングストップ層７４，ｐ型下部クラッド層７３，活性層７２およびｎ型クラッド層７１をそれぞれ選択的に除去する。そののち、レジスト膜（図示せず）を除去する。
レジスト膜（図示せず）を除去したのち、図６（Ａ）に示したように、例えば、ｐ側コンタクト層７６，６６の上に図示しない細い帯状のマスクを形成し、ｐ側コンタクト層６６，７６およびｐ型上部クラッド層６５，７５をエッチングストップ層６４，７４に達するまで選択的に除去し、突条部６０Ａ，７０Ａを形成する。突条部６０Ａ，７０Ａ間の間隔は、例えば１１０μｍ程度とする。
突条部６０Ａ，７０Ａを形成したのち、第２の基板３１の全面に絶縁膜（図示せず）を形成し、この絶縁膜（図示せず）をフォトリソグラフィおよびエッチングにより選択的に除去する。これにより、図６（Ｂ）に示したように、突条部６０Ａ，７０Ａの上面および側面にマスクＭ６０，Ｍ７０を形成する。マスクＭ６０，Ｍ７０は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの絶縁膜により構成することが好ましい。
マスクＭ６０，Ｍ７０を形成したのち、図７（Ａ）に示したように、例えばアンモニアおよび過酸化水素水をエッチング液として用いたウェットエッチングにより、突条部６０Ａ，７０Ａ以外のｐ側コンタクト層６６，７６を選択的に除去する。これにより、ｐ側コンタクト層６６，７６は突条部６０Ａ，７０Ａのみに残存し、ｐ側コンタクト層６６，７６を介した電流リークが抑制される。アンモニアと過酸化水素水との混合比としては、例えば、４℃でアンモニア：過酸化水素水＝１：３０とする。
続いて、図７（Ｂ）に示したように、例えば塩酸および水をエッチング液として用いたウェットエッチングにより、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４のマスクＭで覆われていない領域を選択的に除去して、レーザ発振部７０を形成する。このとき、ｎ型クラッド層６１ないしｐ側コンタクト層６６よりなるレーザ発振部６０は除去されない。これにより、レーザ発振部６０，７０以外の領域に、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４が削除された周辺部９０が形成される。
このように、マスクＭ７０は、突条部７０Ａ近傍以外のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４を除去して周辺部９０を形成するためのマスクとしても用いるものである。そのため、マスクＭ７０の幅Ｗ７０は、レーザ発振部７０の出来上がり幅を考慮して適切な寸法に設定することが望ましい。
周辺部９０を形成したのち、図８（Ａ）に示したように、マスクＭ６０，Ｍ７０を除去する。
マスクＭ６０，Ｍ７０を除去したのち、図８（Ｂ）に示したように、第２の基板３１の全面に、ＳｉＯ2等よりなる絶縁膜８１を、例えば１００ｎｍの厚みで形成する。続いて、図９（Ａ）に示したように、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、絶縁膜８１を選択的に除去し、絶縁膜８１に、突条部６０Ａ，７０Ａの上面に開口を設ける。
絶縁膜８１に開口を設けたのち、図９（Ｂ）に示したように、絶縁膜８１上に、例えばフォトリソグラフィにより、フォトレジストよりなるマスクＲ１を形成する。このマスクＲ１は、ｐ側電極６７，７７を形成するためのものであり、レーザ発振部６０，７０の境界となるｎ型クラッド層６１ないしｐ型上部クラッド層６５の側面およびその近傍に形成する。
マスクＲ１を形成したのち、第２の基板３１の全面に、例えば蒸着法により、ｐ側コンタクト層６６，７６の側から、厚み５０ｎｍのチタン層，厚み１００ｎｍの白金層および厚み３００ｎｍの金層を順次積層する。そののち、図１０（Ａ）に示したように、マスクＲ１を用いたリフトオフ法により、レーザ発振部６０，７０の上にｐ側電極６７，７７を形成すると共に、ｐ側電極６７に連続して第２配線層５２を設け、ｐ側電極７７に連続して第３配線層５３を設ける。
ｐ側電極６７，７７等を形成したのち、図１０（Ｂ）に示したように、レーザ発振部６０，７０および第３配線層５３上に、例えばフォトリソグラフィにより、埋込層９１を形成するためのフォトレジストよりなるマスクＲ２を形成する。
マスクＲ２を形成したのち、第２の基板３１の全面に、例えば電気めっき、蒸着またはスパッタ法により、金（Ａｕ）層を、例えば３μｍの厚さで形成する。そののち、図１１（Ａ）に示したように、マスクＲ２を用いたリフトオフ法により、周辺部９０に埋込層９１を形成する。なお、金層の成膜方法により埋込層９１の応力を調整することが可能である。特に電気めっき法は応力を小さくすることが可能である。
埋込層９１を形成したのち、図１１（Ｂ）に示したように、第２の基板３１の全面に、ＳｉＮ等よりなる絶縁膜８２を、例えば３００ｎｍの厚みで形成する。絶縁膜８２は、例えばスパッタ法により形成することが好ましい。埋込層９１の側面の段差を絶縁膜８２により確実に被覆することが可能となるので、第１配線層５１が埋込層９１の側面で途切れてしまうおそれが小さくなるからである。
絶縁膜８２を形成したのち、図１２（Ａ）に示したように、絶縁膜８２上に、例えばフォトリソグラフィにより、フォトレジストよりなるマスクＲ３を形成する。このマスクＲ３は、第１配線層５１を形成するためのものであり、レーザ発振部６０，７０の表面に形成する。
マスクＲ３を形成したのち、第２の基板３１の全面に、例えば蒸着法により、埋込層９１の側から、厚み５０ｎｍのチタン層，厚み１００ｎｍの白金層および厚み１００ｎｍの金層を順次積層する。そののち、図１２（Ｂ）にしたように、マスクＲ３を用いたリフトオフ法により、埋込層９１上およびその近傍に第１配線層５１を形成する。
第１配線層５１を形成したのち、第２の基板３１の全面に、上述した厚みおよび材料よりなる絶縁層８３を形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、絶縁層８３を選択的に除去し、図１３（Ａ）に示したように、埋込層９１の上面に開口を設けると共に、第１配線層５１に第１パッド５１Ａを設ける。更に、絶縁層８２を選択的に除去することにより、第２配線層５２に第２パッド５２Ａ，５２Ｂを設けると共に、第３配線層５３に第３パッド５３Ａを設ける。
絶縁層８３に開口を設けたのち、図１３（Ｂ）に示したように、絶縁膜８３の開口内に、上述した材料よりなる溶着層４０を形成する。
更に、第２の基板３１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングすることにより、第２の基板３１の厚さを例えば１００μｍ程度とする。続いて、この第２の基板３１の裏面側に、例えば、金とゲルマニウムとの合金，ニッケルおよび金を順次蒸着し、各レーザ発振部６０，７０に共通のｎ側電極３２を形成する。そののち、加熱処理を行い、ｐ側電極６７，７７およびｎ側電極３２をそれぞれ合金化する。更に、ここでは図示しないが、第２の基板３１を例えばｐ側電極６７，７７の長さ方向に対して垂直に所定の幅で劈開し、その劈開面に一対の反射鏡膜を形成する。これにより、第２の発光素子３０が作製される。
このようにして第１の発光素子２０および第２の発光素子３０をそれぞれ作製したのち、
、ヒートシンク１２の上面に接着層１４を形成する一方、サブマウント１３の上面および下面に導電性接着層１３Ａ，１３Ｂをそれぞれ形成する。続いて、ヒートシンク１２およびサブマウント１２を、接着層１４および導電性接着層１３Ｂを用いて接合し、支持基体１１を形成する。
支持基体１１を形成したのち、例えば接着層１５および導電性接着層１３Ａにより第２の発光素子３０のｎ側電極３２と支持基体１１とを接着する。また、例えば溶着層４０により第１配線層５１と第１の発光素子２０のｐ側電極２８とを接着する。これにより、図１に示した発光装置１０Ａが完成する。
この発光装置１０Ａでは、第１の発光素子２０のｎ側電極２９とｐ側電極２８との間に電圧が印加されると、活性層２３に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が起こり、第１の発光素子２０から４００ｎｍ前後の波長の光が出射される。また、第２の発光素子３０のｎ側電極３２とｐ側電極６７との間に所定の電圧が印加されると、活性層６２に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が起こり、レーザ発振部６０から７００ｎｍ帯の波長の光が出射される。更に、第２の発光素子３０のｎ側電極３２とｐ側電極７７との間に所定の電圧が印加されると、活性層７２に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が起こり、レーザ発振部７０から６００ｎｍ帯の波長の光が出射される。
なお、発光の際には熱も発生するが、ここでは、第２の基板３１のレーザ発振部６０，７０以外の周辺部９０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４が削除されており、その周辺部９０に、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層９１が設けられているので、第１の発光素子２０で発生した熱は、図１４に示したように、熱伝導率の高い埋込層９１を介して支持基体１１に伝わる。よって、放熱性が良くなる。一方、レーザ発振部６０またはレーザ発振部７０において発生した熱は、支持基体１１を介して放散される。
これに対して、埋込層９１を設けない場合には、第１の発光素子２０で発生した熱は、図１５に示したように、熱伝導率の低いＡｌＧａＡｓ系化合物半導体よりなるｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４により、放熱経路が遮られ、放熱性が低下する。
このように本実施の形態では、第２の基板３１のレーザ発振部６０，７０以外の周辺部９０に、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層９１を設けるようにしたので、放熱性を高めることが可能となる。よって、発光装置１０Ａの高温信頼性、長期信頼性を向上させることが可能となる。また、熱伝導率の低いＧａＡｓよりなる第２の基板３１を有する第２の発光素子３０を、より広い面積を必要とする土台のチップとして用いることが可能となり、多波長レーザのコスト削減に極めて有利である。
（適用例）
この発光装置１０Ａは、例えば光装置としての光ディスク記録再生装置に用いられる。図１６は、その光ディスク記録再生装置の構成を模式的に表すものである。この光ディスク記録再生装置は、波長の異なる光を用いて光ディスクに記録されている情報をそれぞれ再生し、また光ディスクに情報を記録するためのものである。この光ディスク記録再生装置は、本実施の形態に係る発光装置１０Ａ、および制御部１１１の制御に基づき発光装置１０Ａから出射させた所定の発光波長の出射光Ｌｏｕｔ を光ディスクＤへ導くと共に、光ディスクＤからの信号光（反射光Ｌｒｅｆ ）読み取るための光学系、すなわち、ビームスプリッタ１１２，コリメータレンズ１１３，ミラー１１４，開口制限アパーチャ１１５，対物レンズ１１６，信号光検出用レンズ１１７，信号光検出用受光素子１１８および信号光再生回路１１９を備えている。
この光ディスク記録再生装置では、発光装置１０から出射した例えば強度の大きい出射光Ｌｏｕｔ は、ビームスプリッタ１３２で反射し、コリメータレンズ１３３で平行光にされ、ミラー１３４で反射する。このミラー１３４で反射した出射光Ｌｏｕｔ は、開口制限アパーチャ１１５を通過したのち、対物レンズ１１６により集光されて光ディスクＤに入射する。これにより、光ディスクＤに情報が書き込まれる。また、発光装置１０から出射した例えば微弱な出射光Ｌｏｕｔ は、上述したように各光学系を経て光ディスクＤに入射したのち、光ディスクＤで反射する。この反射光Ｌｒｅｆ は、対物レンズ１１６，開口制限アパーチャ１１５，ミラー１１４，コリメータレンズ１１３およびビームスプリッタ１１２を経て、信号光検出用レンズ１１７を通過し、信号光検出用受光素子１１８に入射し、ここで電気信号に変換された後、信号光再生回路１１９において光ディスクＤに書き込まれた情報の再生が行われる。
なお、本実施の形態に係る発光装置１０Ａは、１つのパッケージ内に収納され得ると共に、間隔が精確に規定された複数の発光領域から出射光Ｌｏｕｔ を発するようになっている。よって、この発光装置１０Ａを用いれば、波長の異なる複数の出射光Ｌｏｕｔ を共通の光学系を利用して所定の箇所に導くことができる。よって、光ディスク記録再生装置の簡略化，小型化および低コスト化を実現することができる。また発光点間隔の誤差が極めて小さいので、受光部（信号光検出用受光素子１１８）に結像する反射光Ｌｒｅｆ の位置が各光ディスク記録再生装置によって異なってしまうことを防止できる。すなわち、光学系の設計を容易に行うことができ、かつ光ディスク記録再生装置の歩留まりを向上させることができる。
また、本実施の形態の発光装置１０Ａは、４００ｎｍ前後，６００ｎｍ帯および７００ｎｍ帯の３波長の発光を得ることができるので、ＣＤ−ＲＯＭ（Read Onry Memory），ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＭＤ，ＤＶＤ−ＲＯＭなどの既存の各種光ディスクは勿論のこと、現在書き換え可能な大容量ディスクとして提唱されているいわゆるＤＶＤ−ＲＡＭ（Random Access Memory），ＤＶＤ＋ＲＷあるいはＤＶＤ−Ｒ／ＲＷなどのほか、更に高い面記録密度（例えば２０Ｇバイト以上）を有する次世代の記録可能な光ディスク（例えば、次世代の光ディスク装置として提唱されているＤＶＲ（Digital Video Recorder）またはＶＤＲ（Video Disk Recorder ）に用いる光ディスク）についても、記録・再生を行うことが可能となる。このような次世代の記録可能な大容量ディスクを利用することができれば、映像データを録画することができると共に、録画したデータ（画像）を良好な画質で操作性よく再生することができる。
なお、ここでは、発光装置１０Ａを光ディスク記録再生装置に適用した例について説明したが、光ディスク再生装置，光ディスク記録装置，光磁気ディスク （ＭＯ；Magneto-optical disk）などの記録・再生を行うための光磁気ディスク装置あるいは光通信装置などの光装置全般に適用できることは勿論、高温で動作する必要のある車載用の半導体レーザ装置を備えた機器などにも適用可能である。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、周辺部９０のｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４を削除した場合について説明したが、ｎ型クラッド層７１ないしエッチングストップ層７４を削除すると共に第２の基板３１の厚み方向の一部を削除し、第２の基板３１に凹部を形成するようにしてもよい。第２の基板３１の凹部の深さは、例えば１００ｎｍ程度とすることができる。
また、例えば、上記実施の形態では、埋込層９１および溶着層４０を第２の発光素子３０側に設けた場合について説明したが、埋込層９１および溶着層４０は、第１の発光素子２０側に設けることも可能である。
更に、例えば、上記実施の形態では、支持基体１１，第１の発光素子２０および第２の発光素子３０について、具体的な積層構造の一例を挙げて説明したが、本発明は支持基体１１，第１の発光素子２０または第２の発光素子３０が他の構造を有している場合についても同様に適用することができる。例えば、支持基体１１はサブマウント１３を有さず、ヒートシンク１２のみを有していてもよい。
加えて、上記実施の形態では、第１の発光素子２０と第２の発光素子３０とが互いに異なる波長の光を出射するように構成した場合について説明したが、支持基体１１の一面側に第１の発光素子２０を複数積層することも可能である。更に、特性あるいは構造が異なる複数の発光素子を積層することも可能である。その場合、発光波長は同一であってもよいし、異なっていてもよい。特性が異なる複数の発光素子を積層する場合には、例えば低出力のものと高出力のものとを混載することができる。
更にまた、上記実施の形態では、第１の発光素子２０の発光部が１つである場合について説明したが、第１の発光素子２０は複数の発光部を有していてもよい。具体的には、第２の発光素子３０と同様に複数のレーザ発振部を有するように構成してもよい。その場合には、各レーザ発振部の発光波長は同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、特性あるいは構造についても同一であってもよいし、異なっていてもよい。
加えてまた、上記実施の形態では、第２の発光素子３０が２つのレーザ発振部を有する場合を例に挙げて説明したが、第２の発光素子のレーザ発振部の数は、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。例えば図１７に示したように、発光装置１０Ａは、第２の発光素子３０がレーザ発振部７０のみを有する２波長レーザであってもよい。これらの各レーザ発振部の発光波長，特性および構造については、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
更にまた、上記実施の形態では、第２の発光素子３０がいわゆるモノリシック型の多波長レーザよりなる場合について説明したが、本発明は、第２の発光素子がいわゆるハイブリッド型の多波長レーザである場合にも適用することができる。
加えてまた、上記実施の形態では、支持基体１１を構成する材料について具体例を挙げて説明したが、他の材料により構成するようにしてもよい。但し、高い熱伝導性を有する材料であることが好ましい。例えば上記実施の形態では、金属によりヒートシンク１２を構成するようにしたが、絶縁性を有する材料によりヒートシンク１２を構成し、その上に配線を設けるようにしてもよい。
更にまた、上記実施の形態では、発光素子として半導体レーザを具体例に挙げて説明したが、本発明は、発光ダイオード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの他の発光素子を備えた発光装置についても適用することができる。
１０Ａ…発光装置、１１…支持基体、１２…ヒートシンク、１３…サブマウント、１３Ａ，１３Ｂ…導電性接着層、１４，１５…接着層、２０…第１の発光素子、２１…第１の基板、２２，６１，７１…ｎ型クラッド層、２３，６２，７２…活性層、２４…劣化防止層、２５…ｐ型クラッド層、２６，６６，７６…ｐ側コンタクト層、２７，８１〜８３…絶縁層、２８，６７，７７…ｐ側電極、２９，３２…ｎ側電極、３０…第２の発光素子、３１…第２の基板、３２…ｎ側電極、４０…溶着層、５１…第１配線層、５１Ａ…第１パッド、５２…第２配線層、５２Ａ…第２パッド、５３…第３配線層、５３Ａ…第３パッド、６０，７０…レーザ発振部、６３，７３…ｐ型下部クラッド層、６４，７４…エッチングストップ層、６５，７５…ｐ型上部クラッド層、６６，７６…ｐ側コンタクト層、９０…周辺部、９１…埋込層

Claims (13)

  1. 支持基体と、
    前記支持基体の一面側に設けられ、第１の基板を有する第１の発光素子と、
    前記第１の発光素子および前記支持基体の間に設けられると共に第２の基板を有し、前記第２の基板の前記第１の発光素子側に半導体層よりなる発光部および前記発光部以外の周辺部を有し、前記周辺部に前記半導体層よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層を有する第２の発光素子と
    を備えた発光装置。
  2. 前記発光部は突条部を有し、
    前記埋込層の端が、前記突条部の端から２μｍ以上３０μｍ未満の範囲に位置している
    請求項１記載の発光装置。
  3. 前記埋込層は、前記突条部の端から３０μｍ以内の範囲に設けられている
    請求項２記載の発光装置。
  4. 前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とを接合する溶着層を有し、前記溶着層は前記埋込層と前記第１の発光素子との間に設けられている
    請求項３記載の発光装置。
  5. 前記第１の発光素子と前記第２の発光素子とは、互いに波長が異なる光を出射可能である
    請求項１記載の発光装置。
  6. 前記第１の発光素子は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む半導体層を有する
    請求項１記載の発光装置。
  7. 前記第１の基板は、３Ｂ族元素のうちの少なくとも１種と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる
    請求項６記載の発光装置。
  8. 前記第１の発光素子は、前記第１の基板の前記支持基体側に発光部を有する
    請求項１記載の発光装置。
  9. 前記第２の発光素子は、互いに発光波長が異なる複数の発光部を有する
    請求項１記載の発光装置。
  10. 前記第２の基板は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）よりなる
    請求項１記載の発光装置。
  11. 前記第２の発光素子は、３Ｂ族元素のうちの少なくともガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくともヒ素（Ａｓ）とを含む半導体層を有する
    請求項１記載の発光装置。
  12. 前記第２の発光素子は、３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）と５Ｂ族元素のうちの少なくともリン（Ｐ）とを含む半導体層を有する
    請求項１記載の発光装置。
  13. 発光装置を有し、前記発光装置は、
    支持基体と、
    前記支持基体の一面側に設けられ、第１の基板を有する第１の発光素子と、
    前記第１の発光素子および前記支持基体の間に設けられると共に第２の基板を有し、前記第２の基板の前記第１の発光素子側に半導体層よりなる発光部および前記発光部以外の周辺部を有し、前記周辺部に前記半導体層よりも熱伝導率の高い材料よりなる埋込層を有する第２の発光素子と
    を備えた光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6928199B1 (ja) * 2020-10-01 2021-09-01 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
WO2021210348A1 (ja) * 2020-04-15 2021-10-21 日亜化学工業株式会社 光源装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4930322B2 (ja) 2006-11-10 2012-05-16 ソニー株式会社 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置
US10193301B2 (en) * 2017-03-31 2019-01-29 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting device and light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11340587A (ja) * 1998-05-06 1999-12-10 Xerox Corp フリップチップ接合で製作した多重波長レ―ザアレ―
JP2005317896A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2007048909A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3486900B2 (ja) * 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2004103839A (ja) * 2002-09-10 2004-04-02 Canon Inc 半導体マルチビームレーザ装置及び画像形成装置
JP2004207480A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP3916584B2 (ja) * 2003-04-24 2007-05-16 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ装置
JP4930322B2 (ja) * 2006-11-10 2012-05-16 ソニー株式会社 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11340587A (ja) * 1998-05-06 1999-12-10 Xerox Corp フリップチップ接合で製作した多重波長レ―ザアレ―
JP2005317896A (ja) * 2004-03-30 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2007048909A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021210348A1 (ja) * 2020-04-15 2021-10-21 日亜化学工業株式会社 光源装置
US12000567B2 (en) 2020-04-15 2024-06-04 Nichia Corporation Light source device including first substrate supporting first and second laser diodes and second substrate supporting third laser diode
JP6928199B1 (ja) * 2020-10-01 2021-09-01 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
WO2022070388A1 (ja) * 2020-10-01 2022-04-07 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置

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