JP2001267687A - 多波長半導体発光装置 - Google Patents
多波長半導体発光装置Info
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- JP2001267687A JP2001267687A JP2000077211A JP2000077211A JP2001267687A JP 2001267687 A JP2001267687 A JP 2001267687A JP 2000077211 A JP2000077211 A JP 2000077211A JP 2000077211 A JP2000077211 A JP 2000077211A JP 2001267687 A JP2001267687 A JP 2001267687A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の波長に対応する光ディスク用光学ピッ
クアップの小型化。 【解決手段】 少なくとも窒素を含む半導体発光層によ
り複数の半導体発光素子を構成する。
クアップの小型化。 【解決手段】 少なくとも窒素を含む半導体発光層によ
り複数の半導体発光素子を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、多波長半導体発
光装置に関し、特に、互いに発光波長が異なる複数種類
の半導体発光素子が同一基板上に集積された多波長半導
体発光装置に関する。
光装置に関し、特に、互いに発光波長が異なる複数種類
の半導体発光素子が同一基板上に集積された多波長半導
体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光ディスクメモリとして、コンパ
クトディスク（ＣＤ）、デジタルバーサタイルディスク
（ＤＶＤ）などが実用に供しており、さらに更なる記録
密度向上を可能とする高密度ＤＶＤ（ＨＤ−ＤＶＤ）、
超高密度ＤＶＤ（ＵＤ−ＤＶＤ）が検討されている。こ
れらの光ディスクでは、従来のＣＤやＤＶＤに対し、大
容量の記録が可能であり、コンピュータの補助記録、ゲ
ーム機はもちろん、ＶＴＲを代替する応用なども期待さ
れている。
クトディスク（ＣＤ）、デジタルバーサタイルディスク
（ＤＶＤ）などが実用に供しており、さらに更なる記録
密度向上を可能とする高密度ＤＶＤ（ＨＤ−ＤＶＤ）、
超高密度ＤＶＤ（ＵＤ−ＤＶＤ）が検討されている。こ
れらの光ディスクでは、従来のＣＤやＤＶＤに対し、大
容量の記録が可能であり、コンピュータの補助記録、ゲ
ーム機はもちろん、ＶＴＲを代替する応用なども期待さ
れている。
【０００３】ＨＤ−ＤＶＤやＵＤ−ＤＶＤでは４００ｎ
ｍ帯またはそれより短波長で発振する半導体レーザが再
生、書き込み用に用いられる。従来のＣＤに用いられる
光学ピックアップでは、発光波長７８０ｎｍ程度のＡｌ
ＧａＡｓ系赤外半導体レーザが、ＤＶＤに用いられる光
学ピックアップでは、発光波長６５０ｎｍ程度のＩｎＧ
ａＡｌＰ系赤色半導体レーザが用いられており、ＨＤ−
ＤＶＤ、ＵＤ−ＤＶＤ用光学ピックアップでは再生が困
難であるという問題があった。すなわち、従来の記録方
式で記録された光ディスクはＨＤ−ＤＶＤ，ＵＤ−ＤＶ
Ｄでは読み出すことができず、貴重なソフトウエア資産
を活かすことができないという問題が有った。
ｍ帯またはそれより短波長で発振する半導体レーザが再
生、書き込み用に用いられる。従来のＣＤに用いられる
光学ピックアップでは、発光波長７８０ｎｍ程度のＡｌ
ＧａＡｓ系赤外半導体レーザが、ＤＶＤに用いられる光
学ピックアップでは、発光波長６５０ｎｍ程度のＩｎＧ
ａＡｌＰ系赤色半導体レーザが用いられており、ＨＤ−
ＤＶＤ、ＵＤ−ＤＶＤ用光学ピックアップでは再生が困
難であるという問題があった。すなわち、従来の記録方
式で記録された光ディスクはＨＤ−ＤＶＤ，ＵＤ−ＤＶ
Ｄでは読み出すことができず、貴重なソフトウエア資産
を活かすことができないという問題が有った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これを解決するには、
ＨＤ−ＤＶＤ、ＵＤ−ＤＶＤに用いられるピックアップ
のほかに、ＣＤやＤＶＤを読み出す事ができるピックア
ップを更に搭載することで解決されるが、サイズが大き
くなってしまうという問題があった。また、波長の異な
るピックアップを駆動するため、位置精度の高い組み立
てが必要となるといった問題もあった。
ＨＤ−ＤＶＤ、ＵＤ−ＤＶＤに用いられるピックアップ
のほかに、ＣＤやＤＶＤを読み出す事ができるピックア
ップを更に搭載することで解決されるが、サイズが大き
くなってしまうという問題があった。また、波長の異な
るピックアップを駆動するため、位置精度の高い組み立
てが必要となるといった問題もあった。
【０００５】この発明の目的は、ＨＤ−ＤＶＤやＵＤ−
ＤＶＤの他に、ＣＤやＤＶＤ用の光を取り扱うことので
き、光学ピックアップの小型化を図ることができる多波
長半導体発光装置を提供することにある。
ＤＶＤの他に、ＣＤやＤＶＤ用の光を取り扱うことので
き、光学ピックアップの小型化を図ることができる多波
長半導体発光装置を提供することにある。
【０００６】より一般的には、この発明の目的は、互い
に波長が異なる光を取り扱うことができ、かつ、光学ピ
ックアップを小型に構成することができる多波長半導体
発光装置を提供することにある。
に波長が異なる光を取り扱うことができ、かつ、光学ピ
ックアップを小型に構成することができる多波長半導体
発光装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、少なくとも窒素を含む半導体発光層か
らの発光波長が互いに異なる複数の半導体発光素子から
なる多波長半導体発光装置を提供するものである。
に、本発明では、少なくとも窒素を含む半導体発光層か
らの発光波長が互いに異なる複数の半導体発光素子から
なる多波長半導体発光装置を提供するものである。
【０００８】かかる発明において、以下の態様が好まし
いものである。
いものである。
【０００９】（１）上記少なくとも窒素を含む発光層は
Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｂのうち少なくとも一つの３族元素
と、窒素のみまたは窒素の他にＰ，Ａｓ、Ｓｂのうち少
なくとも一つを含む５族元素とからなる化合物半導体で
あること。
Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｂのうち少なくとも一つの３族元素
と、窒素のみまたは窒素の他にＰ，Ａｓ、Ｓｂのうち少
なくとも一つを含む５族元素とからなる化合物半導体で
あること。
【００１０】（２）上記複数の半導体発光素子の発光波
長は、６００ｎｍないし７００ｎｍの赤色光、および７
００ｎｍないし９００ｎｍの赤外光のいずれか、または
その両方を少なくとも含むことを特徴とする請求項１記
載の多波長半導体発光装置。
長は、６００ｎｍないし７００ｎｍの赤色光、および７
００ｎｍないし９００ｎｍの赤外光のいずれか、または
その両方を少なくとも含むことを特徴とする請求項１記
載の多波長半導体発光装置。
【００１１】（３）上記複数の半導体発光素子は半導体
レーザであること。
レーザであること。
【００１２】（４）上記複数の半導体発光素子は互いに
独立に駆動できるように構成されていること。
独立に駆動できるように構成されていること。
【００１３】（５）上記複数の半導体発光素子は同一基
板上に形成されてなること。
板上に形成されてなること。
【００１４】（６）上記複数の半導体発光素子は基板法
線方向へ光を出射すること。
線方向へ光を出射すること。
【００１５】（７）上記複数の半導体発光素子から出射
される光ビームを同一のビームに統合する機構を有する
こと。
される光ビームを同一のビームに統合する機構を有する
こと。
【００１６】（８）上記複数の半導体発光素子から出射
される光強度を制御するための光強度モニタ機構と制御
機構とを有すること。
される光強度を制御するための光強度モニタ機構と制御
機構とを有すること。
【００１７】本発明においては、典型的には、多波長半
導体発光装置が有する複数の半導体発光素子は、少なく
とも窒素を含む半導体層にＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｂのうち
少なくとも一つの３族元素と、窒素のみまたは窒素の他
にＰ，Ａｓ、Ｓｂのうち少なくとも一つを含む５族元素
とからなる化合物半導体となるようにしてなる。
導体発光装置が有する複数の半導体発光素子は、少なく
とも窒素を含む半導体層にＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｂのうち
少なくとも一つの３族元素と、窒素のみまたは窒素の他
にＰ，Ａｓ、Ｓｂのうち少なくとも一つを含む５族元素
とからなる化合物半導体となるようにしてなる。
【００１８】上述のように構成された本発明による多波
長半導体発光装置によれば、互いに発光波長が異なる複
数の半導体発光素子を有することにより、互いに波長が
異なる光を取り出すことができる。また、これらの半導
体発光素子は、同一基板上に発光素子構造が形成されて
いるので、光学ピックアップを簡単な構造で構成し、小
型にすることができるとともに、精密な位置合わせを必
要とすることなく、ピックアップを構成することができ
る。
長半導体発光装置によれば、互いに発光波長が異なる複
数の半導体発光素子を有することにより、互いに波長が
異なる光を取り出すことができる。また、これらの半導
体発光素子は、同一基板上に発光素子構造が形成されて
いるので、光学ピックアップを簡単な構造で構成し、小
型にすることができるとともに、精密な位置合わせを必
要とすることなく、ピックアップを構成することができ
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００２０】図１はこの発明の第１の実施形態による２
波長半導体レーザ装置を示す。
波長半導体レーザ装置を示す。
【００２１】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる２波長半導体レーザ装置においては、同一のＧａＮ
基板１０１上に、ＩｎＧａＮを発光層とし、発光波長が
４００ｎｍ帯（例えば、４２０ｎｍ）の半導体レーザＬ
Ｄ１と、ＩｎＧａＮを発光層とし、発光波長が６００ｎ
ｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の半導体レーザＬＤ２と
が、互いに独立して駆動できるような状態で集積化され
ている。
よる２波長半導体レーザ装置においては、同一のＧａＮ
基板１０１上に、ＩｎＧａＮを発光層とし、発光波長が
４００ｎｍ帯（例えば、４２０ｎｍ）の半導体レーザＬ
Ｄ１と、ＩｎＧａＮを発光層とし、発光波長が６００ｎ
ｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の半導体レーザＬＤ２と
が、互いに独立して駆動できるような状態で集積化され
ている。
【００２２】４００ｎｍ帯の半導体レーザＬＤ１におい
ては、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に、ｎ型ＧａＮバッファ
層１１２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３、ＩｎＧａ
Ｎからなる単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造の活性層１１４、ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層１１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１６が
順次積層されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１５
の上部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１６はリッジス
トライプ形状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜１０７の開口
部でｐ型ＧａＮコンタクト層１１５と接触するようにＰ
ｔ／Ａｕなどからなるｐ側電極１１８が形成されてい
る。
ては、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に、ｎ型ＧａＮバッファ
層１１２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１１３、ＩｎＧａ
Ｎからなる単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造の活性層１１４、ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層１１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１６が
順次積層されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１１５
の上部およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１６はリッジス
トライプ形状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜１０７の開口
部でｐ型ＧａＮコンタクト層１１５と接触するようにＰ
ｔ／Ａｕなどからなるｐ側電極１１８が形成されてい
る。
【００２３】６００ｎｍ帯の半導体レーザＬＤ２におい
ては、ＬＤ１と共通のｎ型ＧａＮ基板１０１上に、ｎ型
ＧａＮバッファ層１２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１
２３、ＬＤ１の活性層１１４を構成するものよりＩｎの
含有比率の高いＩｎＧａＮからなる単一量子井戸（ＳＱ
Ｗ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層１
２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２５およびｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１２６が順次積層されている。ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１２５の上部およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層１２６はリッジストライプ形状に加工され、Ｓｉ
Ｏ２絶縁膜１０７の開口部でｐ型ＧａＮコンタクト層１
２６と接触するようにＰｔ／Ａｕなどからなるｐ側電極
１２８が形成されている。
ては、ＬＤ１と共通のｎ型ＧａＮ基板１０１上に、ｎ型
ＧａＮバッファ層１２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１
２３、ＬＤ１の活性層１１４を構成するものよりＩｎの
含有比率の高いＩｎＧａＮからなる単一量子井戸（ＳＱ
Ｗ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の活性層１
２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１２５およびｐ型Ｇａ
Ｎコンタクト層１２６が順次積層されている。ｐ型Ａｌ
ＧａＮクラッド層１２５の上部およびｐ型ＧａＮコンタ
クト層１２６はリッジストライプ形状に加工され、Ｓｉ
Ｏ２絶縁膜１０７の開口部でｐ型ＧａＮコンタクト層１
２６と接触するようにＰｔ／Ａｕなどからなるｐ側電極
１２８が形成されている。
【００２４】ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面には、ＬＤ
１、ＬＤ２に共通になるように、Ｔｉ／Ａｕなどからな
るｎ側電極１０９が形成されている。また、ＬＤ１、Ｌ
Ｄ２の電流注入部となるリッジストライプの間は、少な
くともＬＤ１、ＬＤ２それぞれのｐ型ＧａＮコンタクト
層１１６、１２６が除去されてなるように分離溝が形成
されてなる。分離溝は、望ましくはＬＤ１、ＬＤ２それ
ぞれの活性層１１４、１２４を少なくとも除去し、ｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層１１３、１２３、ないしｎ型Ｇａ
Ｎ基板１０１に達するようにすることで、注入電流を意
図する素子にのみ流し込み、２つの素子を独立に駆動す
ることが容易になる。
１、ＬＤ２に共通になるように、Ｔｉ／Ａｕなどからな
るｎ側電極１０９が形成されている。また、ＬＤ１、Ｌ
Ｄ２の電流注入部となるリッジストライプの間は、少な
くともＬＤ１、ＬＤ２それぞれのｐ型ＧａＮコンタクト
層１１６、１２６が除去されてなるように分離溝が形成
されてなる。分離溝は、望ましくはＬＤ１、ＬＤ２それ
ぞれの活性層１１４、１２４を少なくとも除去し、ｎ型
ＡｌＧａＮクラッド層１１３、１２３、ないしｎ型Ｇａ
Ｎ基板１０１に達するようにすることで、注入電流を意
図する素子にのみ流し込み、２つの素子を独立に駆動す
ることが容易になる。
【００２５】上述のように構成されたこの第１の実施形
態による２波長半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１１８とｎ側電極１０９との間に電流を流すことにより
４００ｎｍ帯ＬＤ１を駆動することができ、ｐ側電極１
２８とｎ側電極１０９との間に電流を流すことにより６
００ｎｍ帯半導体レーザＬＤ２を駆動することができる
ようになっている。
態による２波長半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１１８とｎ側電極１０９との間に電流を流すことにより
４００ｎｍ帯ＬＤ１を駆動することができ、ｐ側電極１
２８とｎ側電極１０９との間に電流を流すことにより６
００ｎｍ帯半導体レーザＬＤ２を駆動することができる
ようになっている。
【００２６】この第１の実施形態による２波長半導体レ
ーザ装置によれば、発光波長が４００ｎｍ帯の半導体レ
ーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の半導体レーザＬ
Ｄ２とを有することにより、ＨＤ−ＤＶＤ用のレーザ光
とＤＶＤ用のレーザ光とを互いに独立に取り出すことが
できる。このため、この２波長半導体レーザ装置を搭載
した光学ピックアップにより、ＨＤ−ＤＶＤおよびＤＶ
Ｄのいずれの再生、記録が可能となる。しかも、これら
の半導体レーザＬＤ１およびＬＤ２は、同一のｎ型Ｇａ
Ｎ基板１０１上に半導体層によりレーザ構造が形成され
ていることにより、２つの光ビームの発光点を互いに高
い位置精度で配置することが可能であり、またその距離
間隔も５０μｍ程度と小さくできることから、２つの波
長のビームに対して共通の光学系を用いることができ、
ピックアップ全体を小型化することができる。さらに、
２つの波長に対する光出力のモニタ機構を、ビーム出射
側または反対側に設け、光出力の安定化を個別に行うこ
とで、雑音に強く、ダイナミックレンジの広い信号再生
が可能となる。
ーザ装置によれば、発光波長が４００ｎｍ帯の半導体レ
ーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の半導体レーザＬ
Ｄ２とを有することにより、ＨＤ−ＤＶＤ用のレーザ光
とＤＶＤ用のレーザ光とを互いに独立に取り出すことが
できる。このため、この２波長半導体レーザ装置を搭載
した光学ピックアップにより、ＨＤ−ＤＶＤおよびＤＶ
Ｄのいずれの再生、記録が可能となる。しかも、これら
の半導体レーザＬＤ１およびＬＤ２は、同一のｎ型Ｇａ
Ｎ基板１０１上に半導体層によりレーザ構造が形成され
ていることにより、２つの光ビームの発光点を互いに高
い位置精度で配置することが可能であり、またその距離
間隔も５０μｍ程度と小さくできることから、２つの波
長のビームに対して共通の光学系を用いることができ、
ピックアップ全体を小型化することができる。さらに、
２つの波長に対する光出力のモニタ機構を、ビーム出射
側または反対側に設け、光出力の安定化を個別に行うこ
とで、雑音に強く、ダイナミックレンジの広い信号再生
が可能となる。
【００２７】上述したように、これらの半導体レーザＬ
Ｄ１およびＬＤ２は、同一のｎ型ＧａＮ基板１０１上に
成長された少なくとも窒素を含む半導体発光層からな
る。これは従来、６００ｎｍ帯の半導体レーザに用いら
れる材料であるＩｎＧａＡｌＰ系材料と異なり、４００
ｎｍ帯の半導体レーザと同じ材料系とすることではじめ
て実現し得たものである。すなわち、４００ｎｍ帯の半
導体レーザが六方晶系であるのに対し、従来のＩｎＧａ
ＡｌＰ系による６００ｎｍ帯の半導体レーザは立方晶系
であるため結晶系が異なり、また格子定数も異なるた
め、同一基板上に結晶欠陥の少ない良好な結晶を形成す
ることが困難であり、上述したような２つの波長の半導
体レーザを同一基板上に形成する利点は得られなかっ
た。しかるに、本実施形態に有る窒化物化合物半導体を
用いることによって、いずれの波長においても、六方晶
系の格子定数の等しい基板を用いることができ、同一基
板上に結晶欠陥の少ない良好な結晶を形成でき、複数ビ
ームを出射できるコンパクトで安価な光ピックアップを
構成できることの本質に繋がっている。
Ｄ１およびＬＤ２は、同一のｎ型ＧａＮ基板１０１上に
成長された少なくとも窒素を含む半導体発光層からな
る。これは従来、６００ｎｍ帯の半導体レーザに用いら
れる材料であるＩｎＧａＡｌＰ系材料と異なり、４００
ｎｍ帯の半導体レーザと同じ材料系とすることではじめ
て実現し得たものである。すなわち、４００ｎｍ帯の半
導体レーザが六方晶系であるのに対し、従来のＩｎＧａ
ＡｌＰ系による６００ｎｍ帯の半導体レーザは立方晶系
であるため結晶系が異なり、また格子定数も異なるた
め、同一基板上に結晶欠陥の少ない良好な結晶を形成す
ることが困難であり、上述したような２つの波長の半導
体レーザを同一基板上に形成する利点は得られなかっ
た。しかるに、本実施形態に有る窒化物化合物半導体を
用いることによって、いずれの波長においても、六方晶
系の格子定数の等しい基板を用いることができ、同一基
板上に結晶欠陥の少ない良好な結晶を形成でき、複数ビ
ームを出射できるコンパクトで安価な光ピックアップを
構成できることの本質に繋がっている。
【００２８】上述の実施形態では基板としてｎ型ＧａＮ
を用いたものについて示したが、これについては図２に
示す変形例のように、サファイア上にＧａＮ層を形成し
たものを基板として用いても構わない。図中２０１はサ
ファイア基板であり、サファイア基板２０１上には、ｎ
型ＧａＮコンタクト層２０２が形成されてなり、ｎ型コ
ンタクト層上のＬＤ構造の構成は上述の実施形態と同様
である。ただし、ｎ型ＧａＮコンタクト層に対しｎ側電
極２０９が形成されている点が上述の実施形態と異な
る。
を用いたものについて示したが、これについては図２に
示す変形例のように、サファイア上にＧａＮ層を形成し
たものを基板として用いても構わない。図中２０１はサ
ファイア基板であり、サファイア基板２０１上には、ｎ
型ＧａＮコンタクト層２０２が形成されてなり、ｎ型コ
ンタクト層上のＬＤ構造の構成は上述の実施形態と同様
である。ただし、ｎ型ＧａＮコンタクト層に対しｎ側電
極２０９が形成されている点が上述の実施形態と異な
る。
【００２９】上述の実施形態では活性層としてＩｎＧａ
Ｎを用いた４００ｎｍ帯と６００ｎｍ帯の発振波長をも
つ半導体レーザについて示したが、少なくとも窒素を含
みＩｎＧａＡｌＢＮＰＡｓＳｂからなる２つの波長を出
射する２種類の活性層とするものであればよいことは言
うまでもない。また、その時の発振波長は４００ｎｍ帯
（ＨＤ−ＤＶＤ）と６００ｎｍ帯（ＤＶＤ）のみなら
ず、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と４００ｎｍ帯（Ｈ
Ｄ−ＤＶＤ）、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と６００
ｎｍ帯（ＤＶＤ）、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と７
００ｎｍ帯（ＣＤ）、４００ｎｍ帯（ＨＤ−ＤＶＤ）と
７００ｎｍ帯（ＣＤ）、６００ｎｍ帯（ＤＶＤ）と７０
０ｎｍ帯（ＣＤ）、あるいは他の２つの波長からなるも
のであってもよい。
Ｎを用いた４００ｎｍ帯と６００ｎｍ帯の発振波長をも
つ半導体レーザについて示したが、少なくとも窒素を含
みＩｎＧａＡｌＢＮＰＡｓＳｂからなる２つの波長を出
射する２種類の活性層とするものであればよいことは言
うまでもない。また、その時の発振波長は４００ｎｍ帯
（ＨＤ−ＤＶＤ）と６００ｎｍ帯（ＤＶＤ）のみなら
ず、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と４００ｎｍ帯（Ｈ
Ｄ−ＤＶＤ）、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と６００
ｎｍ帯（ＤＶＤ）、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と７
００ｎｍ帯（ＣＤ）、４００ｎｍ帯（ＨＤ−ＤＶＤ）と
７００ｎｍ帯（ＣＤ）、６００ｎｍ帯（ＤＶＤ）と７０
０ｎｍ帯（ＣＤ）、あるいは他の２つの波長からなるも
のであってもよい。
【００３０】図３はこの発明の第２の実施形態による３
波長半導体レーザ装置を示す。
波長半導体レーザ装置を示す。
【００３１】図３に示すように、この第２の実施形態に
よる３波長半導体レーザ装置においては、同一のＧａＮ
基板３０１上に、ＩｎＧａＡｌＮを発光層とし、発光波
長が４００ｎｍ帯（例えば、４２０ｎｍ）の半導体レー
ザＬＤ１と、ＩｎＧａＡｌＮＰを発光層とし、発光波長
が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の半導体レーザ
ＬＤ２と、ＩｎＧａＡｌＮＰを発光層とし、発光波長が
７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）の半導体レーザＬ
Ｄ３とが、互いに独立して駆動できるような状態で集積
化されている。
よる３波長半導体レーザ装置においては、同一のＧａＮ
基板３０１上に、ＩｎＧａＡｌＮを発光層とし、発光波
長が４００ｎｍ帯（例えば、４２０ｎｍ）の半導体レー
ザＬＤ１と、ＩｎＧａＡｌＮＰを発光層とし、発光波長
が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）の半導体レーザ
ＬＤ２と、ＩｎＧａＡｌＮＰを発光層とし、発光波長が
７００ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）の半導体レーザＬ
Ｄ３とが、互いに独立して駆動できるような状態で集積
化されている。
【００３２】４００ｎｍ帯の半導体レーザＬＤ１におい
ては、ｎ型ＧａＮ基板３０１上に、ｎ型ＧａＮバッファ
層３１２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３１３、ＩｎＧａ
Ｎからなる単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造の活性層３１４、ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層３１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層３１６が
順次積層されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３１５
の上部およびｐ型ＧａＮコンタクト層３１６はリッジス
トライプ形状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜３０７の開口
部でｐ型ＧａＮコンタクト層３１６と接触するようにＰ
ｔ／Ａｕなどからなるｐ側電極３１８が形成されてい
る。
ては、ｎ型ＧａＮ基板３０１上に、ｎ型ＧａＮバッファ
層３１２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３１３、ＩｎＧａ
Ｎからなる単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造の活性層３１４、ｐ型ＡｌＧａＮク
ラッド層３１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層３１６が
順次積層されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３１５
の上部およびｐ型ＧａＮコンタクト層３１６はリッジス
トライプ形状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜３０７の開口
部でｐ型ＧａＮコンタクト層３１６と接触するようにＰ
ｔ／Ａｕなどからなるｐ側電極３１８が形成されてい
る。
【００３３】６００ｎｍ帯の半導体レーザＬＤ２におい
ては、ＬＤ１と共通のｎ型ＧａＮ基板３０１上に、ｎ型
ＧａＮバッファ層３２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３
２３、ＬＤ１の活性層３１４を構成するものよりバンド
ギャップエネルギーの小さいＩｎＧａＡｌＮＰからなる
単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）構造の活性層３２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３
２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層３２６が順次積層さ
れている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２５の上部およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層３２６はリッジストライプ形
状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜３０７の開口部でｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層３２６と接触するようにＰｔ／Ａｕな
どからなるｐ側電極３２８が形成されている。
ては、ＬＤ１と共通のｎ型ＧａＮ基板３０１上に、ｎ型
ＧａＮバッファ層３２２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３
２３、ＬＤ１の活性層３１４を構成するものよりバンド
ギャップエネルギーの小さいＩｎＧａＡｌＮＰからなる
単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）構造の活性層３２４、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３
２５およびｐ型ＧａＮコンタクト層３２６が順次積層さ
れている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３２５の上部およ
びｐ型ＧａＮコンタクト層３２６はリッジストライプ形
状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜３０７の開口部でｐ型Ｇ
ａＮコンタクト層３２６と接触するようにＰｔ／Ａｕな
どからなるｐ側電極３２８が形成されている。
【００３４】７００ｎｍ帯の半導体レーザＬＤ３におい
ては、ＬＤ１、ＬＤ２と共通のｎ型ＧａＮ基板３０１上
に、ｎ型ＧａＮバッファ層３３２、ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層３３３、ＬＤ２の活性層３２４を構成するものよ
りバンドギャップエネルギーの小さいＩｎＧａＡｌＮＰ
からなる単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井
戸（ＭＱＷ）構造の活性層３３４、ｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層３３５およびｐ型ＧａＮコンタクト層３３６が順
次積層されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３３５の
上部およびｐ型ＧａＮコンタクト層３３６はリッジスト
ライプ形状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜３０７の開口部
でｐ型ＧａＮコンタクト層３３６と接触するようにＰｔ
／Ａｕなどからなるｐ側電極３３８が形成されている。
ては、ＬＤ１、ＬＤ２と共通のｎ型ＧａＮ基板３０１上
に、ｎ型ＧａＮバッファ層３３２、ｎ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層３３３、ＬＤ２の活性層３２４を構成するものよ
りバンドギャップエネルギーの小さいＩｎＧａＡｌＮＰ
からなる単一量子井戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井
戸（ＭＱＷ）構造の活性層３３４、ｐ型ＡｌＧａＮクラ
ッド層３３５およびｐ型ＧａＮコンタクト層３３６が順
次積層されている。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３３５の
上部およびｐ型ＧａＮコンタクト層３３６はリッジスト
ライプ形状に加工され、ＳｉＯ２絶縁膜３０７の開口部
でｐ型ＧａＮコンタクト層３３６と接触するようにＰｔ
／Ａｕなどからなるｐ側電極３３８が形成されている。
【００３５】ｎ型ＧａＮ基板３０１の裏面には、ＬＤ
１、ＬＤ２、ＬＤ３に共通になるように、Ｔｉ／Ａｕな
どからなるｎ側電極３０９が形成されている。また、Ｌ
Ｄ１、ＬＤ２、ＬＤ３の電流注入部となるリッジストラ
イプの間は、少なくともＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３それぞ
れのｐ型ＧａＮコンタクト層３１６、３２６、３３６が
除去されてなるように分離溝が形成されてなる。分離溝
は、望ましくはＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３それぞれの活性
層３１４、３２４、３３４を少なくとも除去し、ｎ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層３１３、３２３、３３３ないしｎ型
ＧａＮ基板３０１に達するようにすることで、注入電流
を意図する素子にのみ流し込み、２つの素子を独立に駆
動することが容易になる。
１、ＬＤ２、ＬＤ３に共通になるように、Ｔｉ／Ａｕな
どからなるｎ側電極３０９が形成されている。また、Ｌ
Ｄ１、ＬＤ２、ＬＤ３の電流注入部となるリッジストラ
イプの間は、少なくともＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３それぞ
れのｐ型ＧａＮコンタクト層３１６、３２６、３３６が
除去されてなるように分離溝が形成されてなる。分離溝
は、望ましくはＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３それぞれの活性
層３１４、３２４、３３４を少なくとも除去し、ｎ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層３１３、３２３、３３３ないしｎ型
ＧａＮ基板３０１に達するようにすることで、注入電流
を意図する素子にのみ流し込み、２つの素子を独立に駆
動することが容易になる。
【００３６】上述のように構成されたこの第２の実施形
態による３波長半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
３１８とｎ側電極３０９との間に電流を流すことにより
４００ｎｍ帯ＬＤ１を駆動することができ、ｐ側電極３
２８とｎ側電極３０９との間に電流を流すことにより６
００ｎｍ帯半導体レーザＬＤ２を駆動することができ、
ｐ側電極３３８とｎ側電極３０９との間に電流を流すこ
とにより７００ｎｍ帯半導体レーザＬＤ３を駆動するこ
とができるようになっている。
態による３波長半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
３１８とｎ側電極３０９との間に電流を流すことにより
４００ｎｍ帯ＬＤ１を駆動することができ、ｐ側電極３
２８とｎ側電極３０９との間に電流を流すことにより６
００ｎｍ帯半導体レーザＬＤ２を駆動することができ、
ｐ側電極３３８とｎ側電極３０９との間に電流を流すこ
とにより７００ｎｍ帯半導体レーザＬＤ３を駆動するこ
とができるようになっている。
【００３７】この第２の実施形態による３波長半導体レ
ーザ装置によれば、発光波長が４００ｎｍ帯の半導体レ
ーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の半導体レーザＬ
Ｄ２と発光波長が７００ｎｍ帯の半導体レーザＬＤ３と
を有することにより、ＨＤ−ＤＶＤ用のレーザ光とＤＶ
Ｄ用のレーザ光とＣＤ用のレーザ光とを互いに独立に取
り出すことができる。このため、この３波長半導体レー
ザ装置を搭載した光学ピックアップにより、ＨＤ−ＤＶ
Ｄ、ＤＶＤおよびＣＤのいずれの再生、記録が可能とな
る。しかも、これらの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２およ
びＬＤ３は、同一のｎ型ＧａＮ基板３０１上に半導体層
によりレーザ構造が形成されていることにより、３つの
光ビームの発光点を互いに高い位置精度で配置すること
が可能であり、またその距離間隔も３００μｍ程度と小
さくできることから、３つの波長のビームに対して共通
の光学系を用いることができ、ピックアップ全体を小型
化することができる。
ーザ装置によれば、発光波長が４００ｎｍ帯の半導体レ
ーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の半導体レーザＬ
Ｄ２と発光波長が７００ｎｍ帯の半導体レーザＬＤ３と
を有することにより、ＨＤ−ＤＶＤ用のレーザ光とＤＶ
Ｄ用のレーザ光とＣＤ用のレーザ光とを互いに独立に取
り出すことができる。このため、この３波長半導体レー
ザ装置を搭載した光学ピックアップにより、ＨＤ−ＤＶ
Ｄ、ＤＶＤおよびＣＤのいずれの再生、記録が可能とな
る。しかも、これらの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２およ
びＬＤ３は、同一のｎ型ＧａＮ基板３０１上に半導体層
によりレーザ構造が形成されていることにより、３つの
光ビームの発光点を互いに高い位置精度で配置すること
が可能であり、またその距離間隔も３００μｍ程度と小
さくできることから、３つの波長のビームに対して共通
の光学系を用いることができ、ピックアップ全体を小型
化することができる。
【００３８】上述したように、これらの半導体レーザＬ
Ｄ１、ＬＤ２およびＬＤ３は、同一のｎ型ＧａＮ基板３
０１上に成長された少なくとも窒素を含む半導体発光層
からなる。これは従来、６００ｎｍ帯の半導体レーザに
用いられる材料であるＩｎＧａＡｌＰ系材料や７００ｎ
ｍ帯の半導体レーザに用いられる材料であるＧａＡｌＡ
ｓ系材料と異なり、４００ｎｍ帯の半導体レーザと同じ
材料系とすることではじめて実現し得たものである。す
なわち、４００ｎｍ帯の半導体レーザが六方晶系である
のに対し、従来のＩｎＧａＡｌＰ系による６００ｎｍ帯
の半導体レーザやＧａＡｌＡｓ系による７００ｎｍ帯の
半導体レーザは立方晶系であるため結晶系が異なり、ま
た格子定数も異なるため、同一基板上に結晶欠陥の少な
い良好な結晶を形成することが困難であり、上述したよ
うな３つの波長の半導体レーザを同一基板上に形成する
利点は得られなかった。しかるに、本実施形態に有る窒
化物化合物半導体を用いることによって、いずれの波長
においても、六方晶系の格子定数の等しい基板を用いる
ことができ、同一基板上に結晶欠陥の少ない良好な結晶
を形成でき、複数ビームを出射できるコンパクトで安価
な光ピックアップを構成できることの本質に繋がってい
る。
Ｄ１、ＬＤ２およびＬＤ３は、同一のｎ型ＧａＮ基板３
０１上に成長された少なくとも窒素を含む半導体発光層
からなる。これは従来、６００ｎｍ帯の半導体レーザに
用いられる材料であるＩｎＧａＡｌＰ系材料や７００ｎ
ｍ帯の半導体レーザに用いられる材料であるＧａＡｌＡ
ｓ系材料と異なり、４００ｎｍ帯の半導体レーザと同じ
材料系とすることではじめて実現し得たものである。す
なわち、４００ｎｍ帯の半導体レーザが六方晶系である
のに対し、従来のＩｎＧａＡｌＰ系による６００ｎｍ帯
の半導体レーザやＧａＡｌＡｓ系による７００ｎｍ帯の
半導体レーザは立方晶系であるため結晶系が異なり、ま
た格子定数も異なるため、同一基板上に結晶欠陥の少な
い良好な結晶を形成することが困難であり、上述したよ
うな３つの波長の半導体レーザを同一基板上に形成する
利点は得られなかった。しかるに、本実施形態に有る窒
化物化合物半導体を用いることによって、いずれの波長
においても、六方晶系の格子定数の等しい基板を用いる
ことができ、同一基板上に結晶欠陥の少ない良好な結晶
を形成でき、複数ビームを出射できるコンパクトで安価
な光ピックアップを構成できることの本質に繋がってい
る。
【００３９】上述の実施形態では基板としてｎ型ＧａＮ
を用いたものについて示したが、これについては第一の
実施形態の変形例と同様、サファイア上にＧａＮ層を形
成したものを基板として用いても構わない。
を用いたものについて示したが、これについては第一の
実施形態の変形例と同様、サファイア上にＧａＮ層を形
成したものを基板として用いても構わない。
【００４０】上述の実施形態では活性層としてＩｎＧａ
ＡｌＮを用いた４００ｎｍ帯とＩｎＧａＡｌＮＰを用い
た６００ｎｍ帯および７００ｎｍ帯の発振波長をもつ半
導体レーザについて示したが、少なくとも窒素を含みＩ
ｎＧａＡｌＢＮＰＡｓＳｂからなる３つの波長を出射す
る３種類の活性層とするものであればよいことは言うま
でもない。また、その時の発振波長は４００ｎｍ帯（Ｈ
Ｄ−ＤＶＤ）、６００ｎｍ帯（ＤＶＤ）と７００ｎｍ帯
（ＣＤ）のみならず、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）、
４００ｎｍ帯（ＨＤ−ＤＶＤ）と６００ｎｍ帯（ＤＶ
Ｄ）、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と６００ｎｍ帯
（ＤＶＤ）と７００ｎｍ帯（ＣＤ）、あるいは他の３つ
の波長からなるものであってもよい。
ＡｌＮを用いた４００ｎｍ帯とＩｎＧａＡｌＮＰを用い
た６００ｎｍ帯および７００ｎｍ帯の発振波長をもつ半
導体レーザについて示したが、少なくとも窒素を含みＩ
ｎＧａＡｌＢＮＰＡｓＳｂからなる３つの波長を出射す
る３種類の活性層とするものであればよいことは言うま
でもない。また、その時の発振波長は４００ｎｍ帯（Ｈ
Ｄ−ＤＶＤ）、６００ｎｍ帯（ＤＶＤ）と７００ｎｍ帯
（ＣＤ）のみならず、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）、
４００ｎｍ帯（ＨＤ−ＤＶＤ）と６００ｎｍ帯（ＤＶ
Ｄ）、３００ｎｍ帯（ＵＤ−ＤＶＤ）と６００ｎｍ帯
（ＤＶＤ）と７００ｎｍ帯（ＣＤ）、あるいは他の３つ
の波長からなるものであってもよい。
【００４１】上述の第１、第２の実施形態による多波長
半導体発光装置では、波長の異なる素子の電流狭窄、光
ガイド構造としてリッジ型構造としたが、それぞれの波
長での特性をいかんなく発揮する上で必用な個別の構造
が形成されていてもなんら構わない。また、上述の実施
形態では同一基板上への集積化による効果をポイントと
して記述したが、本発明の主旨である各波長で発光する
素子の発光層を少なくとも窒素を含む半導体で形成する
ことによって、材料系の違いによって引き起こされる複
数素子間のばらつきが低減できる効果は、必ずしも同一
基板上に形成するまでもない。この場合、各波長の素子
を個別に台座となるヒートシンクなどにはんだ付けした
り、基板接着などによって集積することができる。
半導体発光装置では、波長の異なる素子の電流狭窄、光
ガイド構造としてリッジ型構造としたが、それぞれの波
長での特性をいかんなく発揮する上で必用な個別の構造
が形成されていてもなんら構わない。また、上述の実施
形態では同一基板上への集積化による効果をポイントと
して記述したが、本発明の主旨である各波長で発光する
素子の発光層を少なくとも窒素を含む半導体で形成する
ことによって、材料系の違いによって引き起こされる複
数素子間のばらつきが低減できる効果は、必ずしも同一
基板上に形成するまでもない。この場合、各波長の素子
を個別に台座となるヒートシンクなどにはんだ付けした
り、基板接着などによって集積することができる。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明では、少な
くとも窒素を含む半導体発光層からの発光波長が互いに
異なる複数の半導体発光素子からなる多波長半導体発光
装置を提供することにより、互いに発光波長が異なる複
数の半導体発光素子を有することにより、互いに波長が
異なる光を取り出すことができる。また、これらの半導
体発光素子は、同一基板上に発光素子構造が形成されて
いるので、光学ピックアップを簡単な構造で構成し、小
型にすることができるとともに、精密な位置合わせを必
要とすることなく、ピックアップを構成することができ
る。
くとも窒素を含む半導体発光層からの発光波長が互いに
異なる複数の半導体発光素子からなる多波長半導体発光
装置を提供することにより、互いに発光波長が異なる複
数の半導体発光素子を有することにより、互いに波長が
異なる光を取り出すことができる。また、これらの半導
体発光素子は、同一基板上に発光素子構造が形成されて
いるので、光学ピックアップを簡単な構造で構成し、小
型にすることができるとともに、精密な位置合わせを必
要とすることなく、ピックアップを構成することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態による２波長半導体レ
ーザ装置を示す断面図。
ーザ装置を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態における変形例を示す
ための断面図。
ための断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態による３波長半導体レ
ーザ装置を示す断面図。
ーザ装置を示す断面図。
１０１、３０１・・・ｎ型ＧａＮ基板、 ２０１・・・サファイア基板、 ３３２・・・ｎ型ＧａＮバッファ層、 ２０２・・・ｎ型ＧａＮコンタクト層、 １１３、１２３、２１３、２２３、３１３、３２３、３
３３・・・ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層、 １１４、１２４、２１４、２２４、３１４、３２４、３
３４・・・活性層、 １１５、１２５、２１５、２２５、３１５、３２５、３
３５・・・ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層、 １１６、１２６、２１６、２２６、３１６、３２６、３
３６・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層、 １０７、２０７、３０７・・・絶縁膜、 １１８、１２８、２１８、２２８、３１８、３２８、３
３８・・・ｐ側電極、 １０９、２０９、３０９・・・ｎ側電極
３３・・・ｎ型ＧａＡｌＮクラッド層、 １１４、１２４、２１４、２２４、３１４、３２４、３
３４・・・活性層、 １１５、１２５、２１５、２２５、３１５、３２５、３
３５・・・ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層、 １１６、１２６、２１６、２２６、３１６、３２６、３
３６・・・ｐ型ＧａＮコンタクト層、 １０７、２０７、３０７・・・絶縁膜、 １１８、１２８、２１８、２２８、３１８、３２８、３
３８・・・ｐ側電極、 １０９、２０９、３０９・・・ｎ側電極
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも窒素を含む半導体発光層から
の発光波長が互いに異なる複数の半導体発光素子からな
ることを特徴とする多波長半導体発光装置。 - 【請求項２】 上記少なくとも窒素を含む発光層はＩ
ｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｂのうち少なくとも一つの３族元素
と、窒素のみまたは窒素の他にＰ，Ａｓ、Ｓｂのうち少
なくとも一つを含む５族元素とからなる化合物半導体で
あることを特徴とする請求項１記載の多波長半導体発光
装置。 - 【請求項３】 上記複数の半導体発光素子の発光波長
は、６００ｎｍないし７００ｎｍの赤色光、および７０
０ｎｍないし９００ｎｍの赤外光のいずれか、またはそ
の両方を少なくとも含むことを特徴とする請求項１記載
の多波長半導体発光装置。 - 【請求項４】 上記複数の半導体発光素子は半導体レー
ザであることを特徴とする請求項１記載の多波長半導体
発光装置。 - 【請求項５】上記複数の半導体発光素子は互いに独立に
駆動できるように構成されていることを特徴とする請求
項１記載の多波長半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000077211A JP2001267687A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 多波長半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000077211A JP2001267687A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 多波長半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267687A true JP2001267687A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18594817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000077211A Pending JP2001267687A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 多波長半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267687A (ja) |
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| JP2004087564A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sony Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
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-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000077211A patent/JP2001267687A/ja active Pending
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| JP4671728B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-04-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050329 |