JPH11186651A - 集積型半導体発光装置 - Google Patents
集積型半導体発光装置Info
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- JPH11186651A JPH11186651A JP35143697A JP35143697A JPH11186651A JP H11186651 A JPH11186651 A JP H11186651A JP 35143697 A JP35143697 A JP 35143697A JP 35143697 A JP35143697 A JP 35143697A JP H11186651 A JPH11186651 A JP H11186651A
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- semiconductor light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 互いに波長が異なる光を独立にまたは同時に
取り出すことができ、かつ、小型に構成することができ
る集積型半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 同一基板上に交互に互いに異なる種類の
半導体層を成長させて発光素子構造を形成することによ
り、互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子
を集積化する。半導体発光素子としては、発光波長が７
００ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、発光波長
が６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子、発
光波長が５００ｎｍ帯のＺｎＳｅ系半導体発光素子、発
光波長が４００ｎｍ帯のＧａＮ系半導体発光素子などを
用いる。基板としては、その上に集積化する半導体発光
素子の種類に応じて、ＧａＡｓ基板やＳｉＣ基板などを
用いる。
取り出すことができ、かつ、小型に構成することができ
る集積型半導体発光装置を提供する。 【解決手段】 同一基板上に交互に互いに異なる種類の
半導体層を成長させて発光素子構造を形成することによ
り、互いに発光波長が異なる複数種類の半導体発光素子
を集積化する。半導体発光素子としては、発光波長が７
００ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、発光波長
が６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子、発
光波長が５００ｎｍ帯のＺｎＳｅ系半導体発光素子、発
光波長が４００ｎｍ帯のＧａＮ系半導体発光素子などを
用いる。基板としては、その上に集積化する半導体発光
素子の種類に応じて、ＧａＡｓ基板やＳｉＣ基板などを
用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、集積型半導体発
光装置に関し、特に、互いに発光波長が異なる複数種類
の半導体発光素子が同一基板上に集積された集積型半導
体発光装置に関する。
光装置に関し、特に、互いに発光波長が異なる複数種類
の半導体発光素子が同一基板上に集積された集積型半導
体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、高密度記録が可能で大容量のディ
ジタルビデオディスク（ＤＶＤ）およびその再生用のＤ
ＶＤ装置が市販されており、今後需要が益々伸びていく
商品として注目されている。
ジタルビデオディスク（ＤＶＤ）およびその再生用のＤ
ＶＤ装置が市販されており、今後需要が益々伸びていく
商品として注目されている。
【０００３】このＤＶＤは高密度記録であるため、その
再生用のレーザ光源としては発光波長が６００ｎｍ帯
（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザが用いられている。このため、従来のＤＶＤ装置の光
学ピックアップでは、発光波長が７００ｎｍ帯（例え
ば、７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用い
て再生を行うコンパクトディスク（ＣＤ）やミニディス
ク（ＭＤ）を再生することができなかった。
再生用のレーザ光源としては発光波長が６００ｎｍ帯
（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザが用いられている。このため、従来のＤＶＤ装置の光
学ピックアップでは、発光波長が７００ｎｍ帯（例え
ば、７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを用い
て再生を行うコンパクトディスク（ＣＤ）やミニディス
ク（ＭＤ）を再生することができなかった。
【０００４】そこで、この問題を解決するために、別々
のパッケージにレーザチップを組み込んだ、発光波長が
６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザと発光波
長が７００ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザとを搭
載した、ツイン方式と呼ばれる光学ピックアップが採用
されている。
のパッケージにレーザチップを組み込んだ、発光波長が
６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザと発光波
長が７００ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザとを搭
載した、ツイン方式と呼ばれる光学ピックアップが採用
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなツイン方式の光学ピックアップは、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザとＡｌＧａＡｓ系半導体レーザとの二
つのパッケージが搭載されていることにより、サイズが
大きく、したがってＤＶＤ装置のサイズも大きくなって
しまうという問題があった。
ようなツイン方式の光学ピックアップは、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザとＡｌＧａＡｓ系半導体レーザとの二
つのパッケージが搭載されていることにより、サイズが
大きく、したがってＤＶＤ装置のサイズも大きくなって
しまうという問題があった。
【０００６】したがって、この発明の目的は、ＤＶＤ用
の光もＣＤおよびＭＤ用の光も取り出すことができ、か
つ、光学ピックアップの小型化を図ることができる集積
型半導体発光装置を提供することにある。
の光もＣＤおよびＭＤ用の光も取り出すことができ、か
つ、光学ピックアップの小型化を図ることができる集積
型半導体発光装置を提供することにある。
【０００７】より一般的には、この発明の目的は、互い
に波長が異なる光を独立にまたは同時に取り出すことが
でき、かつ、小型に構成することができる集積型半導体
発光装置を提供することにある。
に波長が異なる光を独立にまたは同時に取り出すことが
でき、かつ、小型に構成することができる集積型半導体
発光装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、同一基板上に成長された半導体層によ
り発光素子構造が形成された互いに発光波長が異なる複
数種類の半導体発光素子を有することを特徴とする集積
型半導体発光装置である。
に、この発明は、同一基板上に成長された半導体層によ
り発光素子構造が形成された互いに発光波長が異なる複
数種類の半導体発光素子を有することを特徴とする集積
型半導体発光装置である。
【０００９】この発明においては、典型的には、集積型
半導体発光装置が有する複数種類の半導体発光素子は互
いに独立に駆動することができるように構成されてお
り、必要に応じて、スイッチの切り換えなどにより、こ
れらの半導体発光素子のうちの一つまたは複数の半導体
発光素子を駆動して光を取り出すことができるようにな
っている。
半導体発光装置が有する複数種類の半導体発光素子は互
いに独立に駆動することができるように構成されてお
り、必要に応じて、スイッチの切り換えなどにより、こ
れらの半導体発光素子のうちの一つまたは複数の半導体
発光素子を駆動して光を取り出すことができるようにな
っている。
【００１０】この発明において、複数種類の半導体発光
素子は、それらの発光素子構造を形成する半導体層を同
一基板上に成長させることができる限り、基本的にはど
のようなものであってもよいが、具体的には、例えば、
ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体発光素子、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体系半導体発光素
子および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系半導体発
光素子からなる群より選ばれた少なくとも二種類の半導
体発光素子である。
素子は、それらの発光素子構造を形成する半導体層を同
一基板上に成長させることができる限り、基本的にはど
のようなものであってもよいが、具体的には、例えば、
ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体発光素子、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体系半導体発光素
子および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系半導体発
光素子からなる群より選ばれた少なくとも二種類の半導
体発光素子である。
【００１１】この発明の一つの典型的な例においては、
基板はＧａＡｓ基板であり、複数種類の半導体発光素子
は、ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子およびＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体発光素子である。
基板はＧａＡｓ基板であり、複数種類の半導体発光素子
は、ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子およびＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体発光素子である。
【００１２】この発明の他の典型的な例においては、基
板はＧａＡｓ基板であり、複数種類の半導体発光素子
は、ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体発光素子およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体系半導
体発光素子である。ここで、このＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体系半導体発光素子を構成するＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体としては、具体的には、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｈｇお
よびＢｅからなる群より選ばれた少なくとも一種類のＩ
Ｉ族元素と、Ｓｅ、Ｓ、ＴｅおよびＯからなる群より選
ばれた少なくとも一種類のＶＩ族元素とにより構成され
たものが用いられる。
板はＧａＡｓ基板であり、複数種類の半導体発光素子
は、ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体発光素子およびＩＩ−ＶＩ族化合物半導体系半導
体発光素子である。ここで、このＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体系半導体発光素子を構成するＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体としては、具体的には、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｈｇお
よびＢｅからなる群より選ばれた少なくとも一種類のＩ
Ｉ族元素と、Ｓｅ、Ｓ、ＴｅおよびＯからなる群より選
ばれた少なくとも一種類のＶＩ族元素とにより構成され
たものが用いられる。
【００１３】この発明の他の典型的な例においては、基
板はＳｉＣ基板であり、複数種類の半導体発光素子は、
ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体発光素子および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系
半導体発光素子である。ここで、この窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体系半導体発光素子を構成する窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としては、具体的には、Ｇ
ａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なく
とも一種類のＩＩＩ族元素と、少なくともＮを含み、場
合によってさらにＡｓまたはＰを含むＶ族元素とからな
る。
板はＳｉＣ基板であり、複数種類の半導体発光素子は、
ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子、ＡｌＧａＩｎＰ系半導
体発光素子および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系
半導体発光素子である。ここで、この窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体系半導体発光素子を構成する窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としては、具体的には、Ｇ
ａ、Ａｌ、ＩｎおよびＢからなる群より選ばれた少なく
とも一種類のＩＩＩ族元素と、少なくともＮを含み、場
合によってさらにＡｓまたはＰを含むＶ族元素とからな
る。
【００１４】この発明の他の典型的な例においては、基
板はＳｉＣ基板であり、複数種類の半導体発光素子は、
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体系半導体発光素子および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体系半導体発光素子である。
板はＳｉＣ基板であり、複数種類の半導体発光素子は、
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子、ＩＩ−ＶＩ族化合物
半導体系半導体発光素子および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体系半導体発光素子である。
【００１５】上述のように構成されたこの発明による集
積型半導体発光装置によれば、互いに発光波長が異なる
複数種類の半導体発光素子を有することにより、互いに
波長が異なる光を取り出すことができる。また、これら
の半導体発光素子は、同一基板上に成長された半導体層
により発光素子構造が形成されているので、この集積型
半導体発光装置は１チップで構成することができ、した
がってパッケージは一つで済む。
積型半導体発光装置によれば、互いに発光波長が異なる
複数種類の半導体発光素子を有することにより、互いに
波長が異なる光を取り出すことができる。また、これら
の半導体発光素子は、同一基板上に成長された半導体層
により発光素子構造が形成されているので、この集積型
半導体発光装置は１チップで構成することができ、した
がってパッケージは一つで済む。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
て図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図
において、同一または対応する部分には同一の符号を付
す。
【００１７】図１はこの発明の第１の実施形態による集
積型半導体レーザ装置を示す。
積型半導体レーザ装置を示す。
【００１８】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる集積型半導体レーザ装置においては、同一のｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、発光波長が７００ｎｍ帯（例えば、
７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１と、
発光波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２とが、互いに分離した
状態で集積化されている。ｎ型ＧａＡｓ基板１として
は、例えば、（１００）面方位を有するものや、（１０
０）面から例えば５〜１５°オフした面を主面とするも
のが用いられる。
よる集積型半導体レーザ装置においては、同一のｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、発光波長が７００ｎｍ帯（例えば、
７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１と、
発光波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２とが、互いに分離した
状態で集積化されている。ｎ型ＧａＡｓ基板１として
は、例えば、（１００）面方位を有するものや、（１０
０）面から例えば５〜１５°オフした面を主面とするも
のが用いられる。
【００１９】ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１におい
ては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ
層１１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、単一量子井
戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の
活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層１５が順次積層されている。ｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層１４の上部およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１５は一方向に延びるストライプ形状を有す
る。このストライプ部の両側の部分にはｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１６が設けられており、これによって電流狭窄
構造が形成されている。ストライプ形状のｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１５およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１６上に
はｐ側電極１７が、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５とオー
ミックコンタクトして設けられている。ｐ側電極１７と
しては、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極が用いられる。
ては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ
層１１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、単一量子井
戸（ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造の
活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層１５が順次積層されている。ｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層１４の上部およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１５は一方向に延びるストライプ形状を有す
る。このストライプ部の両側の部分にはｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１６が設けられており、これによって電流狭窄
構造が形成されている。ストライプ形状のｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１５およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１６上に
はｐ側電極１７が、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５とオー
ミックコンタクトして設けられている。ｐ側電極１７と
しては、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極が用いられる。
【００２０】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２にお
いては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２２、ＳＱＷ
構造またはＭＱＷ構造の活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層２４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層２６が順次積層されている。ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の上部、ｐ型ＧａＩｎＰ
中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６は一方向
に延びるストライプ形状を有する。このストライプ部の
両側の部分にはｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２７が設けられ
ており、これによって電流狭窄構造が形成されている。
ストライプ形状のｐ型ＧａＡｓキャップ層２６およびｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層２７上にはｐ側電極２８が、ｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６とオーミックコンタクトして設
けられている。ｐ側電極２８としては、例えばＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ電極が用いられる。
いては、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２２、ＳＱＷ
構造またはＭＱＷ構造の活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層２４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層２６が順次積層されている。ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の上部、ｐ型ＧａＩｎＰ
中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６は一方向
に延びるストライプ形状を有する。このストライプ部の
両側の部分にはｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２７が設けられ
ており、これによって電流狭窄構造が形成されている。
ストライプ形状のｐ型ＧａＡｓキャップ層２６およびｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層２７上にはｐ側電極２８が、ｐ型
ＧａＡｓキャップ層２６とオーミックコンタクトして設
けられている。ｐ側電極２８としては、例えばＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ電極が用いられる。
【００２１】ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にはｎ側電極２
９が、このｎ型ＧａＡｓ基板１とオーミックコンタクト
して設けられている。このｎ側電極２９としては、例え
ばＡｕＧｅ／Ｎｉ電極やＩｎ電極が用いられる。
９が、このｎ型ＧａＡｓ基板１とオーミックコンタクト
して設けられている。このｎ側電極２９としては、例え
ばＡｕＧｅ／Ｎｉ電極やＩｎ電極が用いられる。
【００２２】この場合、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬ
Ｄ１のｐ側電極１７およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザＬＤ２のｐ側電極２８は、パッケージベース３０上に
互いに電気的に分離した状態で設けられたヒートシンク
Ｈ１、Ｈ２上にそれぞれはんだ付けされている。
Ｄ１のｐ側電極１７およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザＬＤ２のｐ側電極２８は、パッケージベース３０上に
互いに電気的に分離した状態で設けられたヒートシンク
Ｈ１、Ｈ２上にそれぞれはんだ付けされている。
【００２３】上述のように構成されたこの第１の実施形
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１７とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することができ、
ｐ側電極２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことに
よりＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するこ
とができるようになっている。そして、ＡｌＧａＡｓ系
半導体レーザＬＤ１を駆動することにより波長７００ｎ
ｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光を取り出すこと
ができ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動す
ることにより波長６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）
のレーザ光を取り出すことができるようになっている。
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動するか、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するかの選択
は、外部スイッチの切り換えなどにより行うことができ
る。
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１７とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することができ、
ｐ側電極２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことに
よりＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するこ
とができるようになっている。そして、ＡｌＧａＡｓ系
半導体レーザＬＤ１を駆動することにより波長７００ｎ
ｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光を取り出すこと
ができ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動す
ることにより波長６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）
のレーザ光を取り出すことができるようになっている。
ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動するか、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するかの選択
は、外部スイッチの切り換えなどにより行うことができ
る。
【００２４】次に、上述のように構成されたこの第１の
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
【００２５】まず、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基
板１上に、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）
法により、例えば８００℃程度の成長温度で、ｎ型Ｇａ
Ａｓバッファ層１１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１
２、活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１５を順次成長させる。
板１上に、例えば有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）
法により、例えば８００℃程度の成長温度で、ｎ型Ｇａ
Ａｓバッファ層１１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１
２、活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１５を順次成長させる。
【００２６】次に、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１５の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜な
どの絶縁膜３１を形成した後、この絶縁膜３１をエッチ
ングにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状に
パターニングする。このストライプ形状の絶縁膜３１の
平面形状を図３に示す。
キャップ層１５の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜な
どの絶縁膜３１を形成した後、この絶縁膜３１をエッチ
ングにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状に
パターニングする。このストライプ形状の絶縁膜３１の
平面形状を図３に示す。
【００２７】次に、図４に示すように、絶縁膜３１をマ
スクとして例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法
のようなドライエッチング法やウエットエッチング法に
よりｐ型ＧａＡｓキャップ層１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１４、活性層１３、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層１２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層１１を順次エッチ
ングする。
スクとして例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法
のようなドライエッチング法やウエットエッチング法に
よりｐ型ＧａＡｓキャップ層１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層１４、活性層１３、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド
層１２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層１１を順次エッチ
ングする。
【００２８】次に、図５に示すように、絶縁膜３１をマ
スクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッチ
ングにより露出したｎ型ＧａＡｓ基板１の表面にｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層２６を選択成長させる。
スクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッチ
ングにより露出したｎ型ＧａＡｓ基板１の表面にｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層２６を選択成長させる。
【００２９】次に、絶縁膜３１をエッチング除去した
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層１５
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６の全面に例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜（図示せず）を形成した
後、この絶縁膜をエッチングにより所定方向に延びる所
定幅のストライプ形状にパターニングする。次に、この
絶縁膜をマスクとして例えばウエットエッチング法によ
りｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２４の厚さ方向の途中の深さまでエッ
チングすることにより、図６に示すように、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層１４の上部およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層１５をストライプ形状にパターニングするととも
に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６をスト
ライプ形状にパターニングする。この後、この絶縁膜を
マスクとして、このストライプ部の両側の部分に、最終
的にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１６、２７となるｎ型Ｇａ
Ａｓ層３２を選択成長させて埋め込む。
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層１５
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６の全面に例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜（図示せず）を形成した
後、この絶縁膜をエッチングにより所定方向に延びる所
定幅のストライプ形状にパターニングする。次に、この
絶縁膜をマスクとして例えばウエットエッチング法によ
りｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２４の厚さ方向の途中の深さまでエッ
チングすることにより、図６に示すように、ｐ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層１４の上部およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層１５をストライプ形状にパターニングするととも
に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６をスト
ライプ形状にパターニングする。この後、この絶縁膜を
マスクとして、このストライプ部の両側の部分に、最終
的にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１６、２７となるｎ型Ｇａ
Ａｓ層３２を選択成長させて埋め込む。
【００３０】次に、この絶縁膜をエッチング除去した
後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５、２６およびｎ型Ｇａ
Ａｓ層３４上にリソグラフィーにより所定方向に延びる
所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。
次に、例えば真空蒸着法やスパッタリング法により全面
にＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成する。次に、
このレジストパターンをその上に形成されたＴｉ膜、Ｐ
ｔ膜およびＡｕ膜とともに除去する（リフトオフ）。こ
れによって、図７に示すように、ｐ側電極１７、２８が
形成される。
後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１５、２６およびｎ型Ｇａ
Ａｓ層３４上にリソグラフィーにより所定方向に延びる
所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。
次に、例えば真空蒸着法やスパッタリング法により全面
にＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜を順次形成する。次に、
このレジストパターンをその上に形成されたＴｉ膜、Ｐ
ｔ膜およびＡｕ膜とともに除去する（リフトオフ）。こ
れによって、図７に示すように、ｐ側電極１７、２８が
形成される。
【００３１】次に、図８に示すように、ｐ側電極１７、
２８の間の部分におけるｎ型ＧａＡｓ層３４、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層２４、活性層２３、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層２
１をエッチング除去する。
２８の間の部分におけるｎ型ＧａＡｓ層３４、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層２４、活性層２３、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層２
１をエッチング除去する。
【００３２】次に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に例えば
真空蒸着法やスパッタリング法によりＡｕＧｅ／Ｎｉ膜
やＩｎ膜を形成することによりｎ側電極２９を形成す
る。
真空蒸着法やスパッタリング法によりＡｕＧｅ／Ｎｉ膜
やＩｎ膜を形成することによりｎ側電極２９を形成す
る。
【００３３】次に、上述のようにしてレーザ構造が形成
されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振器
端面を形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーテ
ィングを施した後、このバーを劈開してチップ化する。
この後、このようにして得られたレーザチップをパッケ
ージングする。
されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振器
端面を形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーテ
ィングを施した後、このバーを劈開してチップ化する。
この後、このようにして得られたレーザチップをパッケ
ージングする。
【００３４】以上のように、この第１の実施形態による
集積型半導体レーザ装置によれば、発光波長が７００ｎ
ｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１と発光波長が
６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と
を有することにより、ＤＶＤ用のレーザ光とＣＤおよび
ＭＤ用のレーザ光とを互いに独立に取り出すことができ
る。このため、この集積型半導体レーザ装置をＤＶＤ装
置の光学ピックアップにレーザ光源として搭載すること
により、ＤＶＤ、ＣＤおよびＭＤのいずれの再生または
記録も可能となる。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ系半
導体レーザＬＤ１およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
ＬＤ２は、同一のｎ型ＧａＡｓ基板１上に成長された半
導体層によりレーザ構造が形成されていることにより、
この集積型半導体レーザ装置のパッケージは一つで済
む。このため、従来のツイン方式の光学ピックアップに
比べて光学ピックアップの小型化を図ることができ、し
たがってＤＶＤ装置の小型化を図ることができる。
集積型半導体レーザ装置によれば、発光波長が７００ｎ
ｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１と発光波長が
６００ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と
を有することにより、ＤＶＤ用のレーザ光とＣＤおよび
ＭＤ用のレーザ光とを互いに独立に取り出すことができ
る。このため、この集積型半導体レーザ装置をＤＶＤ装
置の光学ピックアップにレーザ光源として搭載すること
により、ＤＶＤ、ＣＤおよびＭＤのいずれの再生または
記録も可能となる。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ系半
導体レーザＬＤ１およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
ＬＤ２は、同一のｎ型ＧａＡｓ基板１上に成長された半
導体層によりレーザ構造が形成されていることにより、
この集積型半導体レーザ装置のパッケージは一つで済
む。このため、従来のツイン方式の光学ピックアップに
比べて光学ピックアップの小型化を図ることができ、し
たがってＤＶＤ装置の小型化を図ることができる。
【００３５】図９はこの発明の第２の実施形態による集
積型半導体レーザ装置を示す。
積型半導体レーザ装置を示す。
【００３６】図９に示すように、この第２の実施形態に
よる集積型半導体レーザ装置においては、同一のｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、発光波長が７００ｎｍ帯（例えば、
７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１と、
発光波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と、発光波長が５００
ｎｍ帯（例えば、５１５ｎｍ）のＺｎＳｅ系半導体レー
ザＬＤ３とが、互いに離れた状態で集積化されている。
ｎ型ＧａＡｓ基板１としては、例えば、（１００）面方
位を有するものや、（１００）面から例えば５〜１５°
オフした面を主面とするものが用いられる。
よる集積型半導体レーザ装置においては、同一のｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に、発光波長が７００ｎｍ帯（例えば、
７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１と、
発光波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と、発光波長が５００
ｎｍ帯（例えば、５１５ｎｍ）のＺｎＳｅ系半導体レー
ザＬＤ３とが、互いに離れた状態で集積化されている。
ｎ型ＧａＡｓ基板１としては、例えば、（１００）面方
位を有するものや、（１００）面から例えば５〜１５°
オフした面を主面とするものが用いられる。
【００３７】ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１および
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２は、第１の実施形
態で述べたと同様な構成を有する。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２は、第１の実施形
態で述べたと同様な構成を有する。
【００３８】ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３において
は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層
４１、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層４２、ｎ型ＺｎＳＳｅバ
ッファ層４３、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４４、ｎ
型ＺｎＳＳｅ光導波層４５、例えばＺｎＣｄＳｅからな
るＳＱＷ構造またはＭＱＷ構造の活性層４６、ｐ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層４７、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４
８、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層４９、ｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１お
よびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２が順次積層されてい
る。ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層４９の上部、ｐ型ＺｎＳ
ｅコンタクト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層
５１およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２は一方向に延
びるストライプ形状を有する。このストライプ部の両側
の部分には例えばＡｌ2 Ｏ3 膜のような絶縁層５３が設
けられており、これによって電流狭窄構造が形成されて
いる。ストライプ形状のｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２
および絶縁層５３上にはｐ側電極５４が、ｐ型ＺｎＴｅ
コンタクト層５２とオーミックコンタクトして設けられ
ている。ｐ側電極５４としては、例えばＰｄ／Ｐｔ／Ａ
ｕ電極が用いられる。
は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層
４１、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層４２、ｎ型ＺｎＳＳｅバ
ッファ層４３、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４４、ｎ
型ＺｎＳＳｅ光導波層４５、例えばＺｎＣｄＳｅからな
るＳＱＷ構造またはＭＱＷ構造の活性層４６、ｐ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層４７、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４
８、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層４９、ｐ型ＺｎＳｅコン
タクト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１お
よびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２が順次積層されてい
る。ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層４９の上部、ｐ型ＺｎＳ
ｅコンタクト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層
５１およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２は一方向に延
びるストライプ形状を有する。このストライプ部の両側
の部分には例えばＡｌ2 Ｏ3 膜のような絶縁層５３が設
けられており、これによって電流狭窄構造が形成されて
いる。ストライプ形状のｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２
および絶縁層５３上にはｐ側電極５４が、ｐ型ＺｎＴｅ
コンタクト層５２とオーミックコンタクトして設けられ
ている。ｐ側電極５４としては、例えばＰｄ／Ｐｔ／Ａ
ｕ電極が用いられる。
【００３９】ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面には、第１の実
施形態と同様なｎ側電極２９が設けられている。
施形態と同様なｎ側電極２９が設けられている。
【００４０】この場合、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬ
Ｄ１のｐ側電極１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬ
Ｄ２のｐ側電極２８およびＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ
３のｐ側電極５４は、パッケージベース３０上に互いに
電気的に分離した状態で設けられたヒートシンクＨ１、
Ｈ２およびＨ３上にそれぞれはんだ付けされている。
Ｄ１のｐ側電極１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬ
Ｄ２のｐ側電極２８およびＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ
３のｐ側電極５４は、パッケージベース３０上に互いに
電気的に分離した状態で設けられたヒートシンクＨ１、
Ｈ２およびＨ３上にそれぞれはんだ付けされている。
【００４１】上述のように構成されたこの第２の実施形
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１７とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することができ、
ｐ側電極２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことに
よりＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するこ
とができ、ｐ側電極５４とｎ側電極２９との間に電流を
流すことによりＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動す
ることができるようになっている。そして、ＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することにより波長７０
０ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光を取り出す
ことができ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆
動することにより波長６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎ
ｍ）のレーザ光を取り出すことができ、ＺｎＳｅ系半導
体レーザＬＤ３を駆動することにより波長５００ｎｍ帯
（例えば、５１５ｎｍ）のレーザ光を取り出すことがで
きるようになっている。ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬ
Ｄ１を駆動するか、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ
２を駆動するか、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動
するかの選択は、外部スイッチの切り換えなどにより行
うことができる。
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１７とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することができ、
ｐ側電極２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことに
よりＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するこ
とができ、ｐ側電極５４とｎ側電極２９との間に電流を
流すことによりＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動す
ることができるようになっている。そして、ＡｌＧａＡ
ｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することにより波長７０
０ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光を取り出す
ことができ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆
動することにより波長６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎ
ｍ）のレーザ光を取り出すことができ、ＺｎＳｅ系半導
体レーザＬＤ３を駆動することにより波長５００ｎｍ帯
（例えば、５１５ｎｍ）のレーザ光を取り出すことがで
きるようになっている。ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬ
Ｄ１を駆動するか、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ
２を駆動するか、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動
するかの選択は、外部スイッチの切り換えなどにより行
うことができる。
【００４２】次に、上述のように構成されたこの第２の
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
【００４３】まず、図１０に示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、例えば８００
℃程度の成長温度で、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、ｎ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、活性層１３、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層１４およびｐ型ＧａＡｓキャップ層
１５を順次成長させる。
基板１上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、例えば８００
℃程度の成長温度で、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、ｎ
型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、活性層１３、ｐ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層１４およびｐ型ＧａＡｓキャップ層
１５を順次成長させる。
【００４４】次に、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１５の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜な
どの絶縁膜３１を形成した後、この絶縁膜３１をエッチ
ングにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状に
パターニングする。
キャップ層１５の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜な
どの絶縁膜３１を形成した後、この絶縁膜３１をエッチ
ングにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状に
パターニングする。
【００４５】次に、図１１に示すように、絶縁膜３１を
マスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチング
法やウエットエッチング法によりｐ型ＧａＡｓキャップ
層１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、活性層１
３、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２およびｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層１１を順次エッチングする。
マスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチング
法やウエットエッチング法によりｐ型ＧａＡｓキャップ
層１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４、活性層１
３、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２およびｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層１１を順次エッチングする。
【００４６】次に、図１２に示すように、絶縁膜３１を
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したｎ型ＧａＡｓ基板１の表面にｎ型
ＧａＡｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層２２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層２６を選択成長させる。
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したｎ型ＧａＡｓ基板１の表面にｎ型
ＧａＡｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層２２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャ
ップ層２６を選択成長させる。
【００４７】次に、絶縁膜３１をエッチング除去した
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層１５
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６の全面に例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜（図示せず）を形成した
後、この絶縁膜をエッチングにより所定方向に延びる所
定幅のストライプ形状にパターニングする。次に、この
絶縁膜をマスクとしてｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４
およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の厚さ方向の
途中の深さまでエッチングすることにより、図１３に示
すように、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４の上部およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１５をストライプ形状にパタ
ーニングするとともに、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２４の上部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層２６をストライプ形状にパターニングす
る。この後、この絶縁膜をマスクとして、このストライ
プ部の両側の部分に、最終的にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
１６、２７となるｎ型ＧａＡｓ層３２を選択成長させて
埋め込む。
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層１５
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６の全面に例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜（図示せず）を形成した
後、この絶縁膜をエッチングにより所定方向に延びる所
定幅のストライプ形状にパターニングする。次に、この
絶縁膜をマスクとしてｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４
およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の厚さ方向の
途中の深さまでエッチングすることにより、図１３に示
すように、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４の上部およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１５をストライプ形状にパタ
ーニングするとともに、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２４の上部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層２６をストライプ形状にパターニングす
る。この後、この絶縁膜をマスクとして、このストライ
プ部の両側の部分に、最終的にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
１６、２７となるｎ型ＧａＡｓ層３２を選択成長させて
埋め込む。
【００４８】次に、図１４に示すように、ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１５、２６およびｎ型ＧａＡｓ層３２の全面
に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３３を形成
した後、この絶縁膜３３をエッチングにより所定方向に
延びる所定幅のストライプ形状にパターニングする。
キャップ層１５、２６およびｎ型ＧａＡｓ層３２の全面
に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３３を形成
した後、この絶縁膜３３をエッチングにより所定方向に
延びる所定幅のストライプ形状にパターニングする。
【００４９】次に、図１５に示すように、この絶縁膜３
３をマスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチ
ング法やウエットエッチング法によりｎ型ＧａＡｓ層３
２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、活性層２３、
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓ
バッファ層２１を順次エッチングする。
３をマスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチ
ング法やウエットエッチング法によりｎ型ＧａＡｓ層３
２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、活性層２３、
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓ
バッファ層２１を順次エッチングする。
【００５０】次に、図１６に示すように、例えば分子線
エピタキシー（ＭＢＥ）法により、例えば２８０℃程度
の成長温度で、絶縁膜３３をマスクとして、ｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層４１、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層４２、ｎ型
ＺｎＳＳｅバッファ層４３、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッ
ド層４４、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４５、活性層４６、
ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層４７、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラ
ッド層４８、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層４９、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層５１およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２を順次成長
させる。
エピタキシー（ＭＢＥ）法により、例えば２８０℃程度
の成長温度で、絶縁膜３３をマスクとして、ｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層４１、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層４２、ｎ型
ＺｎＳＳｅバッファ層４３、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッ
ド層４４、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４５、活性層４６、
ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層４７、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラ
ッド層４８、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ層４９、ｐ型Ｚｎ
Ｓｅコンタクト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ
層５１およびｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２を順次成長
させる。
【００５１】次に、リソグラフィーにより、ｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層５２以外の部分の表面を覆い、かつ、ｐ
型ＺｎＴｅコンタクト層５２上に所定方向に延びる所定
幅のストライプ形状のパターンを有するレジストパター
ン（図示せず）を形成する。次に、図１６に示すよう
に、このレジストパターンをマスクとしてｐ型ＺｎＳＳ
ｅキャップ層４９の厚さ方向の途中の深さまでウエット
エッチング法によりエッチングすることにより、ｐ型Ｚ
ｎＳＳｅキャップ層４９の上部、ｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１および
ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２をストライプ形状にパタ
ーニングする。
ｅコンタクト層５２以外の部分の表面を覆い、かつ、ｐ
型ＺｎＴｅコンタクト層５２上に所定方向に延びる所定
幅のストライプ形状のパターンを有するレジストパター
ン（図示せず）を形成する。次に、図１６に示すよう
に、このレジストパターンをマスクとしてｐ型ＺｎＳＳ
ｅキャップ層４９の厚さ方向の途中の深さまでウエット
エッチング法によりエッチングすることにより、ｐ型Ｚ
ｎＳＳｅキャップ層４９の上部、ｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１および
ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２をストライプ形状にパタ
ーニングする。
【００５２】次に、このエッチングに用いたレジストパ
ターンをそのまま残した状態で例えば真空蒸着法やスパ
ッタリング法によりＡｌ2 Ｏ3 膜を全面に形成した後、
レジストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜と
ともに除去する。これによって、ストライプ部の両側の
部分に絶縁層５３が埋め込まれる。
ターンをそのまま残した状態で例えば真空蒸着法やスパ
ッタリング法によりＡｌ2 Ｏ3 膜を全面に形成した後、
レジストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜と
ともに除去する。これによって、ストライプ部の両側の
部分に絶縁層５３が埋め込まれる。
【００５３】次に、絶縁膜３３をエッチング除去した
後、図１８に示すように、第１の実施形態と同様にし
て、リフトオフ法により、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ＬＤ１の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極
１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２の例えばＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極２８、ＺｎＳｅ系
半導体レーザＬＤ３の例えばＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極のよ
うなｐ側電極５４を形成する。
後、図１８に示すように、第１の実施形態と同様にし
て、リフトオフ法により、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ＬＤ１の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極
１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２の例えばＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極２８、ＺｎＳｅ系
半導体レーザＬＤ３の例えばＰｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極のよ
うなｐ側電極５４を形成する。
【００５４】次に、図１９に示すように、ｐ側電極１
７、２８、５４の間の部分におけるｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層５２、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１、ｐ
型ＺｎＳｅコンタクト層５０、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ
層４９、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４８、ｐ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層４７、活性層４６、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導
波層４５、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４４、ｎ型Ｚ
ｎＳＳｅバッファ層４３、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層４２
およびｎ型ＧａＡｓバッファ層４１をエッチング除去す
る。
７、２８、５４の間の部分におけるｐ型ＺｎＴｅコンタ
クト層５２、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１、ｐ
型ＺｎＳｅコンタクト層５０、ｐ型ＺｎＳＳｅキャップ
層４９、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４８、ｐ型Ｚｎ
ＳＳｅ光導波層４７、活性層４６、ｎ型ＺｎＳＳｅ光導
波層４５、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４４、ｎ型Ｚ
ｎＳＳｅバッファ層４３、ｎ型ＺｎＳｅバッファ層４２
およびｎ型ＧａＡｓバッファ層４１をエッチング除去す
る。
【００５５】次に、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に例えば
真空蒸着法やスパッタリング法によりＡｕＧｅ／Ｎｉ膜
やＩｎ膜を形成することによりｎ側電極２９を形成す
る。
真空蒸着法やスパッタリング法によりＡｕＧｅ／Ｎｉ膜
やＩｎ膜を形成することによりｎ側電極２９を形成す
る。
【００５６】次に、上述のようにしてレーザ構造が形成
されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振器
端面を形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーテ
ィングを施した後、このバーを劈開してチップ化する。
この後、このようにして得られたレーザチップをパッケ
ージングする。
されたｎ型ＧａＡｓ基板１をバー状に劈開して両共振器
端面を形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーテ
ィングを施した後、このバーを劈開してチップ化する。
この後、このようにして得られたレーザチップをパッケ
ージングする。
【００５７】この第２の実施形態による集積型半導体レ
ーザ装置によれば、発光波長が７００ｎｍ帯のＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と発光波長が５０
０ｎｍ帯のＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３とを有するこ
とにより、ＤＶＤ用のレーザ光として６００ｎｍ帯と５
００ｎｍ帯との二種類の波長のものを取り出すことがで
きるとともに、これらのレーザ光とは独立にＣＤおよび
ＭＤ用のレーザ光を取り出すことができる。そして、こ
の集積型半導体レーザ装置をＤＶＤ装置の光学ピックア
ップにレーザ光源として搭載することにより、ＤＶＤ、
ＣＤおよびＭＤのいずれの再生または記録も可能とな
る。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ
１、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２およびＺｎＳ
ｅ系半導体レーザＬＤ３は、同一のｎ型ＧａＡｓ基板１
上に成長された半導体層によりレーザ構造が形成されて
いることにより、この集積型半導体レーザ装置のパッケ
ージは一つで済む。このため、光学ピックアップの小型
化を図ることができ、したがってＤＶＤ装置の小型化を
図ることができる。
ーザ装置によれば、発光波長が７００ｎｍ帯のＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と発光波長が５０
０ｎｍ帯のＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３とを有するこ
とにより、ＤＶＤ用のレーザ光として６００ｎｍ帯と５
００ｎｍ帯との二種類の波長のものを取り出すことがで
きるとともに、これらのレーザ光とは独立にＣＤおよび
ＭＤ用のレーザ光を取り出すことができる。そして、こ
の集積型半導体レーザ装置をＤＶＤ装置の光学ピックア
ップにレーザ光源として搭載することにより、ＤＶＤ、
ＣＤおよびＭＤのいずれの再生または記録も可能とな
る。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ
１、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２およびＺｎＳ
ｅ系半導体レーザＬＤ３は、同一のｎ型ＧａＡｓ基板１
上に成長された半導体層によりレーザ構造が形成されて
いることにより、この集積型半導体レーザ装置のパッケ
ージは一つで済む。このため、光学ピックアップの小型
化を図ることができ、したがってＤＶＤ装置の小型化を
図ることができる。
【００５８】図２０はこの発明の第３の実施形態による
集積型半導体レーザ装置を示す。
集積型半導体レーザ装置を示す。
【００５９】図２０に示すように、この第３の実施形態
による集積型半導体レーザ装置においては、例えばｃ面
方位の導電性のＳｉＣ基板２上に、発光波長が７００ｎ
ｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザＬＤ１と、発光波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５
０ｎｍ）のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と、発
光波長が４００ｎｍ帯（例えば、４１０ｎｍ）のＧａＮ
系半導体レーザＬＤ４とが、互いに分離した状態で集積
化されている。
による集積型半導体レーザ装置においては、例えばｃ面
方位の導電性のＳｉＣ基板２上に、発光波長が７００ｎ
ｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザＬＤ１と、発光波長が６００ｎｍ帯（例えば、６５
０ｎｍ）のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と、発
光波長が４００ｎｍ帯（例えば、４１０ｎｍ）のＧａＮ
系半導体レーザＬＤ４とが、互いに分離した状態で集積
化されている。
【００６０】ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１および
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２は、第１の実施形
態で述べたと同様な構成を有する。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２は、第１の実施形
態で述べたと同様な構成を有する。
【００６１】ＧａＮ系半導体レーザＬＤ４においては、
ＳｉＣ基板２上に、ＧａＮバッファ層６１、ｎ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、例えば
ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ構造の活性層６４、ｐ型Ｇａ
Ｎ光導波層６５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６６および
ｐ型ＧａＮコンタクト層６７が順次積層されている。ｐ
型ＧａＮコンタクト層６７上にはｐ側電極６８がオーミ
ックコンタクトして設けられている。ｐ側電極５４とし
ては、例えばＮｉ／Ａｕ電極が用いられる。
ＳｉＣ基板２上に、ＧａＮバッファ層６１、ｎ型ＡｌＧ
ａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、例えば
ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ構造の活性層６４、ｐ型Ｇａ
Ｎ光導波層６５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６６および
ｐ型ＧａＮコンタクト層６７が順次積層されている。ｐ
型ＧａＮコンタクト層６７上にはｐ側電極６８がオーミ
ックコンタクトして設けられている。ｐ側電極５４とし
ては、例えばＮｉ／Ａｕ電極が用いられる。
【００６２】ＳｉＣ基板２の裏面にはｎ側電極２９が、
このＳｉＣ基板１とオーミックコンタクトして設けられ
ている。このｎ側電極２９としては、例えばＴｉ／Ａｌ
電極が用いられる。
このＳｉＣ基板１とオーミックコンタクトして設けられ
ている。このｎ側電極２９としては、例えばＴｉ／Ａｌ
電極が用いられる。
【００６３】この場合、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬ
Ｄ１のｐ側電極１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬ
Ｄ２のｐ側電極２８およびＧａＮ系半導体レーザＬＤ４
のｐ側電極６８は、パッケージベース３０上に互いに電
気的に分離した状態で設けられたヒートシンクＨ１、Ｈ
２およびＨ３上にそれぞれはんだ付けされている。
Ｄ１のｐ側電極１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬ
Ｄ２のｐ側電極２８およびＧａＮ系半導体レーザＬＤ４
のｐ側電極６８は、パッケージベース３０上に互いに電
気的に分離した状態で設けられたヒートシンクＨ１、Ｈ
２およびＨ３上にそれぞれはんだ付けされている。
【００６４】上述のように構成されたこの第３の実施形
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１７とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することができ、
ｐ側電極２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことに
よりＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するこ
とができ、ｐ側電極６８とｎ側電極２９との間に電流を
流すことによりＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動する
ことができるようになっている。そして、ＡｌＧａＡｓ
系半導体レーザＬＤ１を駆動することにより波長７００
ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光を取り出すこ
とができ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動
することにより波長６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎ
ｍ）のレーザ光を取り出すことができ、ＧａＮ系半導体
レーザＬＤ４を駆動することにより波長４００ｎｍ帯
（例えば、４１０ｎｍ）のレーザ光を取り出すことがで
きるようになっている。ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬ
Ｄ１を駆動するか、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ
２を駆動するか、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動す
るかの選択は、外部スイッチの切り換えなどにより行う
ことができる。
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
１７とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＡｓ系半導体レーザＬＤ１を駆動することができ、
ｐ側電極２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことに
よりＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動するこ
とができ、ｐ側電極６８とｎ側電極２９との間に電流を
流すことによりＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動する
ことができるようになっている。そして、ＡｌＧａＡｓ
系半導体レーザＬＤ１を駆動することにより波長７００
ｎｍ帯（例えば、７８０ｎｍ）のレーザ光を取り出すこ
とができ、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動
することにより波長６００ｎｍ帯（例えば、６５０ｎ
ｍ）のレーザ光を取り出すことができ、ＧａＮ系半導体
レーザＬＤ４を駆動することにより波長４００ｎｍ帯
（例えば、４１０ｎｍ）のレーザ光を取り出すことがで
きるようになっている。ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザＬ
Ｄ１を駆動するか、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ
２を駆動するか、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動す
るかの選択は、外部スイッチの切り換えなどにより行う
ことができる。
【００６５】次に、上述のように構成されたこの第３の
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
【００６６】まず、図２１に示すように、ＳｉＣ基板２
上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮバッファ
層６１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光
導波層６３、活性層６４、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、ｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層６６およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層６７を順次成長させる。ここで、Ｉｎを含む半導体
層である活性層６４の成長温度は例えば７６０℃程度と
し、Ｉｎを含まないｎ型ＧａＮバッファ層６１、ｎ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｐ
型ＧａＮ光導波層６５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６６
およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の成長温度は１００
０℃程度とする。
上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮバッファ
層６１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光
導波層６３、活性層６４、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、ｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層６６およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層６７を順次成長させる。ここで、Ｉｎを含む半導体
層である活性層６４の成長温度は例えば７６０℃程度と
し、Ｉｎを含まないｎ型ＧａＮバッファ層６１、ｎ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｐ
型ＧａＮ光導波層６５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６６
およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の成長温度は１００
０℃程度とする。
【００６７】次に、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＮコ
ンタクト層６７の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜な
どの絶縁膜３１を形成した後、この絶縁膜３１をエッチ
ングにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状に
パターニングする。
ンタクト層６７の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜な
どの絶縁膜３１を形成した後、この絶縁膜３１をエッチ
ングにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状に
パターニングする。
【００６８】次に、図２２に示すように、絶縁膜３１を
マスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチング
法によりｐ型ＧａＮコンタクト層６７、ｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層６６、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、活性層６
４、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層６２およびｎ型ＧａＮバッファ層６１を順次エッチン
グする。
マスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチング
法によりｐ型ＧａＮコンタクト層６７、ｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層６６、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、活性層６
４、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層６２およびｎ型ＧａＮバッファ層６１を順次エッチン
グする。
【００６９】次に、図２３に示すように、絶縁膜３１を
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したＳｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層１１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、
活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層１５を選択成長させる。
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したＳｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層１１、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２、
活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層１５を選択成長させる。
【００７０】次に、絶縁膜３１をエッチング除去した
後、図２４に示すように、例えばＣＶＤ法によりｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層６
７の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３
３を形成し、この絶縁膜３３をエッチングにより所定方
向に延びる所定幅のストライプ形状にパターニングす
る。
後、図２４に示すように、例えばＣＶＤ法によりｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１５およびｐ型ＧａＮコンタクト層６
７の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３
３を形成し、この絶縁膜３３をエッチングにより所定方
向に延びる所定幅のストライプ形状にパターニングす
る。
【００７１】次に、図２５に示すように、この絶縁膜３
３をマスクとしてｐ型ＧａＮコンタクト層６７、ｐ型Ｇ
ａＮ光導波層６６、活性層６５、ｎ型ＧａＮ光導波層６
４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６３およびｎ型ＧａＮバ
ッファ層６２を順次エッチング除去する。
３をマスクとしてｐ型ＧａＮコンタクト層６７、ｐ型Ｇ
ａＮ光導波層６６、活性層６５、ｎ型ＧａＮ光導波層６
４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６３およびｎ型ＧａＮバ
ッファ層６２を順次エッチング除去する。
【００７２】次に、図２６に示すように、絶縁膜３３を
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したＳｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、
ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ
層２６を選択成長させる。
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したＳｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、
ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ
層２６を選択成長させる。
【００７３】次に、絶縁膜３３をエッチング除去した
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層１
５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６およびｐ型ＧａＮコン
タクト層６７の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜など
の絶縁膜（図示せず）を形成し、この絶縁膜をエッチン
グにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状にパ
ターニングする。次に、この絶縁膜をマスクとしてｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２４の厚さ方向の途中の深さまでエッチング
することにより、図２７に示すように、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１４の上部およびｐ型ＧａＡｓキャップ層
１５をストライプ形状にパターニングするとともに、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の上部、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６をスト
ライプ形状にパターニングする。次に、この絶縁膜をマ
スクとして、このストライプ部の両側の部分に、最終的
にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１６、２７となるｎ型ＧａＡ
ｓ層３２を選択成長させて埋め込む。
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層１
５、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６およびｐ型ＧａＮコン
タクト層６７の全面に例えばＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜など
の絶縁膜（図示せず）を形成し、この絶縁膜をエッチン
グにより所定方向に延びる所定幅のストライプ形状にパ
ターニングする。次に、この絶縁膜をマスクとしてｐ型
ＡｌＧａＡｓクラッド層１４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２４の厚さ方向の途中の深さまでエッチング
することにより、図２７に示すように、ｐ型ＡｌＧａＡ
ｓクラッド層１４の上部およびｐ型ＧａＡｓキャップ層
１５をストライプ形状にパターニングするとともに、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の上部、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２６をスト
ライプ形状にパターニングする。次に、この絶縁膜をマ
スクとして、このストライプ部の両側の部分に、最終的
にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１６、２７となるｎ型ＧａＡ
ｓ層３２を選択成長させて埋め込む。
【００７４】次に、絶縁膜３３をエッチング除去した
後、図２８に示すように、第１の実施形態と同様にし
て、リフトオフ法により、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ＬＤ１の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極
１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２の例えばＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極２８、ＧａＮ系半
導体レーザＬＤ４の例えばＮｉ／Ａｕ電極のようなｐ側
電極６８を形成する。
後、図２８に示すように、第１の実施形態と同様にし
て、リフトオフ法により、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ＬＤ１の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極
１７、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２の例えばＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極２８、ＧａＮ系半
導体レーザＬＤ４の例えばＮｉ／Ａｕ電極のようなｐ側
電極６８を形成する。
【００７５】次に、図２９に示すように、ｐ側電極１
７、２８の間の部分およびｐ側電極２８とｐ型ＧａＮコ
ンタクト層６７との間の部分におけるｎ型ＧａＡｓ層３
２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、活性層２３、
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓ
バッファ層２１を順次エッチング除去する。
７、２８の間の部分およびｐ側電極２８とｐ型ＧａＮコ
ンタクト層６７との間の部分におけるｎ型ＧａＡｓ層３
２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、活性層２３、
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓ
バッファ層２１を順次エッチング除去する。
【００７６】次に、ＳｉＣ基板２の裏面に例えば真空蒸
着法やスパッタリング法により例えばＴｉ／Ａｌ膜を形
成することによりｎ側電極２９を形成する。
着法やスパッタリング法により例えばＴｉ／Ａｌ膜を形
成することによりｎ側電極２９を形成する。
【００７７】次に、上述のようにしてレーザ構造が形成
されたＳｉＣ基板２をバー状に劈開して両共振器端面を
形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーティング
を施した後、このバーを劈開してチップ化する。この
後、このようにして得られるレーザチップをパッケージ
ングする。
されたＳｉＣ基板２をバー状に劈開して両共振器端面を
形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーティング
を施した後、このバーを劈開してチップ化する。この
後、このようにして得られるレーザチップをパッケージ
ングする。
【００７８】この第３の実施形態による集積型半導体レ
ーザ装置によれば、発光波長が７００ｎｍ帯のＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と発光波長が４０
０ｎｍ帯のＧａＮ系半導体レーザＬＤ４とを有すること
により、ＤＶＤ用のレーザ光として波長６００ｎｍ帯と
波長４００ｎｍ帯との二種類の波長のものを取り出すこ
とができるとともに、これらのレーザ光とは独立にＣＤ
およびＭＤ用のレーザ光を取り出すことができる。そし
て、この集積型半導体レーザ装置をＤＶＤ装置の光学ピ
ックアップにレーザ光源として搭載することにより、Ｄ
ＶＤ、ＣＤおよびＭＤのいずれの再生または記録も可能
となる。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ＬＤ１、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２およびＧ
ａＮ系半導体レーザＬＤ４は、同一のＳｉＣ基板２上に
成長された半導体層によりレーザ構造が形成されている
ことにより、この集積型半導体レーザ装置のパッケージ
は一つで済む。このため、光学ピックアップの小型化を
図ることができ、したがってＤＶＤ装置の小型化を図る
ことができる。
ーザ装置によれば、発光波長が７００ｎｍ帯のＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザＬＤ１と発光波長が６００ｎｍ帯の
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と発光波長が４０
０ｎｍ帯のＧａＮ系半導体レーザＬＤ４とを有すること
により、ＤＶＤ用のレーザ光として波長６００ｎｍ帯と
波長４００ｎｍ帯との二種類の波長のものを取り出すこ
とができるとともに、これらのレーザ光とは独立にＣＤ
およびＭＤ用のレーザ光を取り出すことができる。そし
て、この集積型半導体レーザ装置をＤＶＤ装置の光学ピ
ックアップにレーザ光源として搭載することにより、Ｄ
ＶＤ、ＣＤおよびＭＤのいずれの再生または記録も可能
となる。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
ＬＤ１、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２およびＧ
ａＮ系半導体レーザＬＤ４は、同一のＳｉＣ基板２上に
成長された半導体層によりレーザ構造が形成されている
ことにより、この集積型半導体レーザ装置のパッケージ
は一つで済む。このため、光学ピックアップの小型化を
図ることができ、したがってＤＶＤ装置の小型化を図る
ことができる。
【００７９】図３０はこの発明の第４の実施形態による
集積型半導体レーザ装置を示す。
集積型半導体レーザ装置を示す。
【００８０】図３０に示すように、この第４の実施形態
による集積型半導体レーザ装置においては、例えばｃ面
方位の導電性のＳｉＣ基板２上に、発光波長が６００ｎ
ｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザＬＤ２と、発光波長が５００ｎｍ帯（例えば、５
１５ｎｍ）のＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３と、発光波
長が４００ｎｍ帯（例えば、４１０ｎｍ）のＧａＮ系半
導体レーザＬＤ４とが、互いに分離した状態で集積化さ
れている。
による集積型半導体レーザ装置においては、例えばｃ面
方位の導電性のＳｉＣ基板２上に、発光波長が６００ｎ
ｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザＬＤ２と、発光波長が５００ｎｍ帯（例えば、５
１５ｎｍ）のＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３と、発光波
長が４００ｎｍ帯（例えば、４１０ｎｍ）のＧａＮ系半
導体レーザＬＤ４とが、互いに分離した状態で集積化さ
れている。
【００８１】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２は第
１の実施形態で述べたと同様な構成を有し、ＺｎＳｅ系
半導体レーザＬＤ３は第２の実施形態で述べたと同様な
構成を有し、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ４は第３の実施
形態で述べたと同様な構成を有する。
１の実施形態で述べたと同様な構成を有し、ＺｎＳｅ系
半導体レーザＬＤ３は第２の実施形態で述べたと同様な
構成を有し、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ４は第３の実施
形態で述べたと同様な構成を有する。
【００８２】この場合、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
ＬＤ２のｐ側電極２８、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３
のｐ側電極５４およびＧａＮ系半導体レーザＬＤ４のｐ
側電極６８は、パッケージベース３０上に互いに電気的
に分離した状態で設けられたヒートシンクＨ１、Ｈ２お
よびＨ３上にそれぞれはんだ付けされている。
ＬＤ２のｐ側電極２８、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３
のｐ側電極５４およびＧａＮ系半導体レーザＬＤ４のｐ
側電極６８は、パッケージベース３０上に互いに電気的
に分離した状態で設けられたヒートシンクＨ１、Ｈ２お
よびＨ３上にそれぞれはんだ付けされている。
【００８３】上述のように構成されたこの第４の実施形
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動することがで
き、ｐ側電極５４とｎ側電極２９との間に電流を流すこ
とによりＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動すること
ができ、ｐ側電極６８とｎ側電極２９との間に電流を流
すことによりＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動するこ
とができるようになっている。そして、ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザＬＤ２を駆動することにより波長６００
ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のレーザ光を取り出すこ
とができ、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動するこ
とにより波長５００ｎｍ帯（例えば、５１５ｎｍ）のレ
ーザ光を取り出すことができ、ＧａＮ系半導体レーザＬ
Ｄ４を駆動することにより波長４００ｎｍ帯（例えば、
４１０ｎｍ）のレーザ光を取り出すことができるように
なっている。ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆
動するか、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動する
か、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動するかの選択
は、外部スイッチの切り換えなどにより行うことができ
る。
態による集積型半導体レーザ装置においては、ｐ側電極
２８とｎ側電極２９との間に電流を流すことによりＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆動することがで
き、ｐ側電極５４とｎ側電極２９との間に電流を流すこ
とによりＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動すること
ができ、ｐ側電極６８とｎ側電極２９との間に電流を流
すことによりＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動するこ
とができるようになっている。そして、ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザＬＤ２を駆動することにより波長６００
ｎｍ帯（例えば、６５０ｎｍ）のレーザ光を取り出すこ
とができ、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動するこ
とにより波長５００ｎｍ帯（例えば、５１５ｎｍ）のレ
ーザ光を取り出すことができ、ＧａＮ系半導体レーザＬ
Ｄ４を駆動することにより波長４００ｎｍ帯（例えば、
４１０ｎｍ）のレーザ光を取り出すことができるように
なっている。ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２を駆
動するか、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３を駆動する
か、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ４を駆動するかの選択
は、外部スイッチの切り換えなどにより行うことができ
る。
【００８４】次に、上述のように構成されたこの第４の
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
実施形態による集積型半導体レーザ装置の製造方法につ
いて説明する。
【００８５】まず、図３１に示すように、ＳｉＣ基板２
上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮバッファ
層６１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光
導波層６３、活性層６４、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、ｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層６６およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層６７を順次成長させる。ここで、Ｉｎを含む半導体
層である活性層６４の成長温度は例えば７６０℃程度と
し、Ｉｎを含まないｎ型ＧａＮバッファ層６１、ｎ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｐ
型ＧａＮ光導波層６５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６６
およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の成長温度は１００
０℃程度とする。
上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮバッファ
層６１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光
導波層６３、活性層６４、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、ｐ
型ＡｌＧａＮクラッド層６６およびｐ型ＧａＮコンタク
ト層６７を順次成長させる。ここで、Ｉｎを含む半導体
層である活性層６４の成長温度は例えば７６０℃程度と
し、Ｉｎを含まないｎ型ＧａＮバッファ層６１、ｎ型Ａ
ｌＧａＮクラッド層６２、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｐ
型ＧａＮ光導波層６５、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６６
およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の成長温度は１００
０℃程度とする。
【００８６】次に、図３１に示すように、例えばＣＶＤ
法によりｐ型ＧａＮコンタクト層６７の全面に例えばＳ
ｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３１を形成した後、こ
の絶縁膜３１をエッチングにより所定幅のストライプ形
状にパターニングする。
法によりｐ型ＧａＮコンタクト層６７の全面に例えばＳ
ｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３１を形成した後、こ
の絶縁膜３１をエッチングにより所定幅のストライプ形
状にパターニングする。
【００８７】次に、図３２に示すように、絶縁膜３１を
マスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチング
法によりｐ型ＧａＮコンタクト層６７、ｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層６６、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、活性層６
４、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層６２およびｎ型ＧａＮバッファ層６１を順次エッチン
グする。
マスクとして例えばＲＩＥ法のようなドライエッチング
法によりｐ型ＧａＮコンタクト層６７、ｐ型ＡｌＧａＮ
クラッド層６６、ｐ型ＧａＮ光導波層６５、活性層６
４、ｎ型ＧａＮ光導波層６３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド
層６２およびｎ型ＧａＮバッファ層６１を順次エッチン
グする。
【００８８】次に、図３３に示すように、絶縁膜３１を
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したＳｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、
ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ
層２６を選択成長させる。
マスクとして、例えばＭＯＣＶＤ法により、上述のエッ
チングにより露出したＳｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２１、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
２、活性層２３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４、
ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡｓキャップ
層２６を選択成長させる。
【００８９】次に、絶縁膜３１をエッチング除去した
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層２６
およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の全面に例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜（図示せず）を形成し、
この絶縁膜をエッチングにより所定方向に延びる所定幅
のストライプ形状にパターニングする。次に、この絶縁
膜をマスクとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の
厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、
図３４に示すように、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４の上部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層２６をストライプ形状にパターニングす
る。次に、この絶縁膜をマスクとして、このストライプ
部の両側の部分に、最終的にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２
７となるｎ型ＧａＡｓ層３２を選択成長させて埋め込
む。
後、例えばＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層２６
およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の全面に例えばＳｉ
Ｏ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜（図示せず）を形成し、
この絶縁膜をエッチングにより所定方向に延びる所定幅
のストライプ形状にパターニングする。次に、この絶縁
膜をマスクとしてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の
厚さ方向の途中の深さまでエッチングすることにより、
図３４に示すように、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４の上部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層２５およびｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層２６をストライプ形状にパターニングす
る。次に、この絶縁膜をマスクとして、このストライプ
部の両側の部分に、最終的にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２
７となるｎ型ＧａＡｓ層３２を選択成長させて埋め込
む。
【００９０】次に、図３５に示すように、例えばＣＶＤ
法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層２６、ｎ型ＧａＡｓ層
３２およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の全面に例えば
ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３３を形成した後、
この絶縁膜３３をエッチングにより所定方向に延びる所
定幅のストライプ形状にパターニングする。
法によりｐ型ＧａＡｓキャップ層２６、ｎ型ＧａＡｓ層
３２およびｐ型ＧａＮコンタクト層６７の全面に例えば
ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜３３を形成した後、
この絶縁膜３３をエッチングにより所定方向に延びる所
定幅のストライプ形状にパターニングする。
【００９１】次に、図３６に示すように、絶縁膜３３を
マスクとしてｎ型ＧａＡｓ層３２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２４、活性層２３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層２２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層２１を順次エ
ッチングする。
マスクとしてｎ型ＧａＡｓ層３２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２４、活性層２３、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層２２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層２１を順次エ
ッチングする。
【００９２】次に、図３７に示すように、例えばＭＢＥ
法により、例えば２８０℃程度の成長温度で、絶縁膜３
３をマスクとして、上述のエッチングにより露出したＳ
ｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型
ＺｎＳｅバッファ層４２、ｎ型ＺｎＳＳｅバッファ層４
３、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４４、ｎ型ＺｎＳＳ
ｅ光導波層４５、活性層４６、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層
４７、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４８、ｐ型ＺｎＳ
Ｓｅキャップ層４９、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層５０、
ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１およびｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層５２を選択成長させる。
法により、例えば２８０℃程度の成長温度で、絶縁膜３
３をマスクとして、上述のエッチングにより露出したＳ
ｉＣ基板２の表面にｎ型ＧａＡｓバッファ層４１、ｎ型
ＺｎＳｅバッファ層４２、ｎ型ＺｎＳＳｅバッファ層４
３、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４４、ｎ型ＺｎＳＳ
ｅ光導波層４５、活性層４６、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層
４７、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層４８、ｐ型ＺｎＳ
Ｓｅキャップ層４９、ｐ型ＺｎＳｅコンタクト層５０、
ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１およびｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層５２を選択成長させる。
【００９３】次に、リソグラフィーにより、ｐ型ＺｎＴ
ｅコンタクト層５２以外の部分の表面を覆い、かつ、ｐ
型ＺｎＴｅコンタクト層５２上に所定方向に延びる所定
幅のストライプ形状のパターンを有するレジストパター
ン（図示せず）を形成する。次に、図３８に示すよう
に、このレジストパターンをマスクとしてｐ型ＺｎＳＳ
ｅキャップ層４９の厚さ方向の途中の深さまでウエット
エッチング法によりエッチングすることにより、ｐ型Ｚ
ｎＳＳｅキャップ層４９の上部、ｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１および
ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２のストライプ形状にパタ
ーニングする。
ｅコンタクト層５２以外の部分の表面を覆い、かつ、ｐ
型ＺｎＴｅコンタクト層５２上に所定方向に延びる所定
幅のストライプ形状のパターンを有するレジストパター
ン（図示せず）を形成する。次に、図３８に示すよう
に、このレジストパターンをマスクとしてｐ型ＺｎＳＳ
ｅキャップ層４９の厚さ方向の途中の深さまでウエット
エッチング法によりエッチングすることにより、ｐ型Ｚ
ｎＳＳｅキャップ層４９の上部、ｐ型ＺｎＳｅコンタク
ト層５０、ｐ型ＺｎＴｅ／ＺｎＳｅＭＱＷ層５１および
ｐ型ＺｎＴｅコンタクト層５２のストライプ形状にパタ
ーニングする。
【００９４】次に、このエッチングに用いたレジストパ
ターンをそのまま残した状態で例えば真空蒸着法やスパ
ッタリング法によりＡｌ2 Ｏ3 膜を全面に形成した後、
レジストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜と
ともに除去する。これによって、ストライプ部の両側の
部分に絶縁層５３が埋め込まれる。
ターンをそのまま残した状態で例えば真空蒸着法やスパ
ッタリング法によりＡｌ2 Ｏ3 膜を全面に形成した後、
レジストパターンをその上に形成されたＡｌ2 Ｏ3 膜と
ともに除去する。これによって、ストライプ部の両側の
部分に絶縁層５３が埋め込まれる。
【００９５】次に、絶縁膜３３をエッチング除去した
後、図３９に示すように、第１の実施形態と同様にし
て、リフトオフ法により、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザＬＤ２の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電
極２８、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３の例えばＰｄ／
／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極５４、ＧａＮ系半導
体レーザＬＤ４の例えばＮｉ／Ａｕ電極のようなｐ側電
極６８を形成する。
後、図３９に示すように、第１の実施形態と同様にし
て、リフトオフ法により、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザＬＤ２の例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電
極２８、ＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３の例えばＰｄ／
／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極５４、ＧａＮ系半導
体レーザＬＤ４の例えばＮｉ／Ａｕ電極のようなｐ側電
極６８を形成する。
【００９６】次に、図４０に示すように、ｐ側電極２
８、５４の間の部分およびｐ側電極５４とｐ型ＧａＮコ
ンタクト層６７との間の部分における絶縁層５３、ｐ型
ＺｎＳＳｅキャップ層４９、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッ
ド層４８、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層４７、活性層４６、
ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４５、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラ
ッド層４４、ｎ型ＺｎＳＳｅバッファ層４３、ｎ型Ｚｎ
Ｓｅバッファ層４２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層４１
を順次エッチング除去する。
８、５４の間の部分およびｐ側電極５４とｐ型ＧａＮコ
ンタクト層６７との間の部分における絶縁層５３、ｐ型
ＺｎＳＳｅキャップ層４９、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッ
ド層４８、ｐ型ＺｎＳＳｅ光導波層４７、活性層４６、
ｎ型ＺｎＳＳｅ光導波層４５、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラ
ッド層４４、ｎ型ＺｎＳＳｅバッファ層４３、ｎ型Ｚｎ
Ｓｅバッファ層４２およびｎ型ＧａＡｓバッファ層４１
を順次エッチング除去する。
【００９７】次に、ＳｉＣ基板２の裏面に例えば真空蒸
着法やスパッタリング法により例えばＴｉ／Ａｌ膜を形
成することによりｎ側電極２９を形成する。
着法やスパッタリング法により例えばＴｉ／Ａｌ膜を形
成することによりｎ側電極２９を形成する。
【００９８】次に、上述のようにしてレーザ構造が形成
されたＳｉＣ基板２をバー状に劈開して両共振器端面を
形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーティング
を施した後、このバーを劈開してチップ化する。この
後、このようにして得られるレーザチップをパッケージ
ングする。
されたＳｉＣ基板２をバー状に劈開して両共振器端面を
形成し、さらにこれらの共振器端面に端面コーティング
を施した後、このバーを劈開してチップ化する。この
後、このようにして得られるレーザチップをパッケージ
ングする。
【００９９】この第４の実施形態による集積型半導体レ
ーザ装置によれば、発光波長が６００ｎｍ帯のＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と発光波長が５００ｎｍ帯
のＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３と発光波長が４００ｎ
ｍ帯のＧａＮ系半導体レーザＬＤ４とを有することによ
り、ＤＶＤ用のレーザ光として波長６００ｎｍ帯と波長
５００ｎｍ帯と波長４００ｎｍ帯との三種類の波長のも
のを取り出すことができるとともに、これらのレーザ光
とは独立にＣＤおよびＭＤ用のレーザ光を取り出すこと
ができる。そして、この集積型半導体レーザ装置をＤＶ
Ｄ装置の光学ピックアップにレーザ光源として搭載する
ことにより、ＤＶＤ、ＣＤおよびＭＤのいずれの再生ま
たは記録も可能となる。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ
系半導体レーザＬＤ１、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
ＬＤ２およびＧａＮ系半導体レーザＬＤ４は、同一のＳ
ｉＣ基板２上に成長された半導体層によりレーザ構造が
形成されていることにより、この集積型半導体レーザ装
置のパッケージは一つで済む。このため、光学ピックア
ップの小型化を図ることができ、したがってＤＶＤ装置
の小型化を図ることができる。
ーザ装置によれば、発光波長が６００ｎｍ帯のＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体レーザＬＤ２と発光波長が５００ｎｍ帯
のＺｎＳｅ系半導体レーザＬＤ３と発光波長が４００ｎ
ｍ帯のＧａＮ系半導体レーザＬＤ４とを有することによ
り、ＤＶＤ用のレーザ光として波長６００ｎｍ帯と波長
５００ｎｍ帯と波長４００ｎｍ帯との三種類の波長のも
のを取り出すことができるとともに、これらのレーザ光
とは独立にＣＤおよびＭＤ用のレーザ光を取り出すこと
ができる。そして、この集積型半導体レーザ装置をＤＶ
Ｄ装置の光学ピックアップにレーザ光源として搭載する
ことにより、ＤＶＤ、ＣＤおよびＭＤのいずれの再生ま
たは記録も可能となる。しかも、これらのＡｌＧａＡｓ
系半導体レーザＬＤ１、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
ＬＤ２およびＧａＮ系半導体レーザＬＤ４は、同一のＳ
ｉＣ基板２上に成長された半導体層によりレーザ構造が
形成されていることにより、この集積型半導体レーザ装
置のパッケージは一つで済む。このため、光学ピックア
ップの小型化を図ることができ、したがってＤＶＤ装置
の小型化を図ることができる。
【０１００】さらに、この第４の実施形態による集積型
半導体レーザ装置によれば、赤色で発光するＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザＬＤ２と緑色で発光するＺｎＳｅ系
半導体レーザＬＤ３と青色で発光するＧａＮ系半導体レ
ーザＬＤ４とを有することにより、ＲＧＢ三原色の発光
が可能な集積型半導体レーザ装置を実現することができ
る。
半導体レーザ装置によれば、赤色で発光するＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザＬＤ２と緑色で発光するＺｎＳｅ系
半導体レーザＬＤ３と青色で発光するＧａＮ系半導体レ
ーザＬＤ４とを有することにより、ＲＧＢ三原色の発光
が可能な集積型半導体レーザ装置を実現することができ
る。
【０１０１】次に、上述の第１、第２、第３または第４
の実施形態による集積型半導体レーザ装置を発光素子と
して用いた光ディスク再生装置について説明する。図４
１にこの光ディスク再生装置の構成を示す。
の実施形態による集積型半導体レーザ装置を発光素子と
して用いた光ディスク再生装置について説明する。図４
１にこの光ディスク再生装置の構成を示す。
【０１０２】図４１に示すように、この光ディスク再生
装置は、発光素子として半導体レーザ１０１を備えてい
る。この半導体レーザ１０１としては、上述の第１、第
２、第３または第４の実施形態による集積型半導体レー
ザ装置が用いられる。この光ディスク再生装置はまた、
半導体レーザ１０１の出射光を光ディスクＤに導くとと
もに、この光ディスクＤによる反射光（信号光）を再生
するための公知の光学系、すなわち、コリメートレンズ
１０２、ビームスプリッタ１０３、１／４波長板１０
４、対物レンズ１０５、検出レンズ１０６、信号光検出
用受光素子１０７および信号光再生回路１０８を備えて
いる。
装置は、発光素子として半導体レーザ１０１を備えてい
る。この半導体レーザ１０１としては、上述の第１、第
２、第３または第４の実施形態による集積型半導体レー
ザ装置が用いられる。この光ディスク再生装置はまた、
半導体レーザ１０１の出射光を光ディスクＤに導くとと
もに、この光ディスクＤによる反射光（信号光）を再生
するための公知の光学系、すなわち、コリメートレンズ
１０２、ビームスプリッタ１０３、１／４波長板１０
４、対物レンズ１０５、検出レンズ１０６、信号光検出
用受光素子１０７および信号光再生回路１０８を備えて
いる。
【０１０３】この光ディスク再生装置においては、半導
体レーザ１０１の出射光Ｌはコリメートレンズ１０２に
よって平行光にされ、さらにビームスプリッタ１０３を
経て１／４波長板１０４により偏光の具合が調整された
後、対物レンズ１０５により集光されて光ディスクＤに
入射される。そして、この光ディスクＤで反射された信
号光Ｌ´が対物レンズ１０５および１／４波長板１０４
を経てビームスプリッタ１０３で反射された後、検出レ
ンズ１０６を経て信号光検出用受光素子１０７に入射
し、ここで電気信号に変換された後、信号光再生回路１
０８において、光ディスクＤに書き込まれた情報が再生
される。
体レーザ１０１の出射光Ｌはコリメートレンズ１０２に
よって平行光にされ、さらにビームスプリッタ１０３を
経て１／４波長板１０４により偏光の具合が調整された
後、対物レンズ１０５により集光されて光ディスクＤに
入射される。そして、この光ディスクＤで反射された信
号光Ｌ´が対物レンズ１０５および１／４波長板１０４
を経てビームスプリッタ１０３で反射された後、検出レ
ンズ１０６を経て信号光検出用受光素子１０７に入射
し、ここで電気信号に変換された後、信号光再生回路１
０８において、光ディスクＤに書き込まれた情報が再生
される。
【０１０４】なお、ここでは、上述の第１、第２、第３
または第４の実施形態による集積型半導体レーザ装置を
光ディスク再生装置の発光素子に適用した場合について
説明したが、光ディスク記録再生装置や光ディスク記録
装置の発光素子に適用することも可能であることは勿
論、光通信装置などの光装置の発光素子や、高温で動作
させる必要のある車載用機器などの発光素子に適用する
ことも可能である。
または第４の実施形態による集積型半導体レーザ装置を
光ディスク再生装置の発光素子に適用した場合について
説明したが、光ディスク記録再生装置や光ディスク記録
装置の発光素子に適用することも可能であることは勿
論、光通信装置などの光装置の発光素子や、高温で動作
させる必要のある車載用機器などの発光素子に適用する
ことも可能である。
【０１０５】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【０１０６】例えば、上述の第１、第２、第３および第
４の実施形態において挙げた数値、構造、基板、プロセ
スなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これら
と異なる数値、構造、基板、プロセスなどを用いてもよ
い。
４の実施形態において挙げた数値、構造、基板、プロセ
スなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これら
と異なる数値、構造、基板、プロセスなどを用いてもよ
い。
【０１０７】具体的には、第１、第２、第３および第４
の実施形態においては、この発明を集積型半導体レーザ
装置に適用した場合について説明したが、これらと同様
な構造で集積型発光ダイオード装置を実現することもで
きる。
の実施形態においては、この発明を集積型半導体レーザ
装置に適用した場合について説明したが、これらと同様
な構造で集積型発光ダイオード装置を実現することもで
きる。
【０１０８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による集
積型半導体発光装置によれば、同一基板上に成長された
半導体層により発光素子構造が形成された互いに発光波
長が異なる複数種類の半導体発光素子を有することによ
り、互いに波長が異なる光を独立にまたは同時に取り出
すことができ、かつ、小型に構成することができる。
積型半導体発光装置によれば、同一基板上に成長された
半導体層により発光素子構造が形成された互いに発光波
長が異なる複数種類の半導体発光素子を有することによ
り、互いに波長が異なる光を独立にまたは同時に取り出
すことができ、かつ、小型に構成することができる。
【図１】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置を示す斜視図である。
レーザ装置を示す斜視図である。
【図２】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】この発明の第１の実施形態による集積型半導体
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
レーザ装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】この発明の第２の実施形態による集積型半導体
レーザ装置を示す斜視図である。
レーザ装置を示す斜視図である。
【図１０】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１１】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１２】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１３】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１４】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１５】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１６】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１７】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１８】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図１９】この発明の第２の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２０】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置を示す斜視図である。
体レーザ装置を示す斜視図である。
【図２１】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２２】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２３】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２４】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２５】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２６】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２７】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２８】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図２９】この発明の第３の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３０】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置を示す斜視図である。
体レーザ装置を示す斜視図である。
【図３１】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３２】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３３】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３４】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３５】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３６】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３７】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３８】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図３９】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
体レーザ装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【図４０】この発明の第４の実施形態による集積型半導
体レーザ装置を示す斜視図である。
体レーザ装置を示す斜視図である。
【図４１】この発明の第１、第２、第３または第４の実
施形態による集積型半導体レーザ装置を発光素子として
用いた光ディスク再生装置を示す略線図である。
施形態による集積型半導体レーザ装置を発光素子として
用いた光ディスク再生装置を示す略線図である。
１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ＳｉＣ基板、１２
・・・ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、１３、２３、４
６、６４・・・活性層、１４・・・ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層、１７、２８、５４、６８・・・ｐ側電極、２
２・・・ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２４・・・ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２９・・・ｎ側電極、４
４・・・ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、４８・・・ｐ
型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、６２・・・ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層、６６・・・ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、
ＬＤ１・・・ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ、ＬＤ２・・
・ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ、ＬＤ３・・・ＺｎＳ
ｅ系半導体レーザ、ＬＤ４・・・ＧａＮ系半導体レーザ
・・・ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、１３、２３、４
６、６４・・・活性層、１４・・・ｐ型ＡｌＧａＡｓク
ラッド層、１７、２８、５４、６８・・・ｐ側電極、２
２・・・ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２４・・・ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２９・・・ｎ側電極、４
４・・・ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、４８・・・ｐ
型ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層、６２・・・ｎ型ＡｌＧａ
Ｎクラッド層、６６・・・ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、
ＬＤ１・・・ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ、ＬＤ２・・
・ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ、ＬＤ３・・・ＺｎＳ
ｅ系半導体レーザ、ＬＤ４・・・ＧａＮ系半導体レーザ
Claims (7)
- 【請求項１】 同一基板上に成長された半導体層により
発光素子構造が形成された互いに発光波長が異なる複数
種類の半導体発光素子を有することを特徴とする集積型
半導体発光装置。 - 【請求項２】 上記複数種類の半導体発光素子は互いに
独立に駆動することができるように構成されていること
を特徴とする請求項１記載の集積型半導体発光装置。 - 【請求項３】 上記複数種類の半導体発光素子は、Ａｌ
ＧａＡｓ系半導体発光素子、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発
光素子、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体系半導体発光素子お
よび窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系半導体発光素
子からなる群より選ばれた少なくとも二種類の半導体発
光素子であることを特徴とする請求項１記載の集積型半
導体発光装置。 - 【請求項４】 上記基板はＧａＡｓ基板であり、上記複
数種類の半導体発光素子はＡｌＧａＡｓ系半導体発光素
子およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子であることを
特徴とする請求項１記載の集積型半導体発光装置。 - 【請求項５】 上記基板はＧａＡｓ基板であり、上記複
数種類の半導体発光素子はＡｌＧａＡｓ系半導体発光素
子、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子およびＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体系半導体発光素子であることを特徴とす
る請求項１記載の集積型半導体発光装置。 - 【請求項６】 上記基板はＳｉＣ基板であり、上記複数
種類の半導体発光素子はＡｌＧａＡｓ系半導体発光素
子、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子および窒化物系Ｉ
ＩＩ−Ｖ族化合物半導体系半導体発光素子であることを
特徴とする請求項１記載の集積型半導体発光装置。 - 【請求項７】 上記基板はＳｉＣ基板であり、上記複数
種類の半導体発光素子はＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素
子、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体系半導体発光素子および
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体系半導体発光素子で
あることを特徴とする請求項１記載の集積型半導体発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35143697A JPH11186651A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 集積型半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35143697A JPH11186651A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 集積型半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186651A true JPH11186651A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18417282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35143697A Pending JPH11186651A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | 集積型半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186651A (ja) |
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