KR101928655B1 - 레이저 소자, 레이저 소자의 제조 방법 - Google Patents

레이저 소자, 레이저 소자의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

(과제) 본 발명은, 기생 용량을 작게 하면서, 메사 스트라이프의 좌우의 중공부를 확보할 수 있는 레이저 소자와 레이저 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 스트라이프 형상으로 융기한 리지부와, 그 리지부에 인접하고, 그 리지부를 양측으로부터 끼우고, 그 리지부보다 높이가 낮은 채널부와, 그 채널부의 그 리지부와는 반대쪽에 인접하고, 그 채널부보다 높게 형성된 테라스부와, 그 채널부의 위에 마련되고, 그 리지부의 측면과 그 테라스부의 측면 중 적어도 한쪽과 떨어져 마련된, 수지로 형성된 지지부와, 그 지지부의 위에 마련된 제 1 부분과, 그 제 1 부분에 연결되고 그 채널부의 위에 중공부를 사이에 두고 위치하는 제 2 부분을 갖는, 수지로 형성된 천정부와, 그 천정부의 위에 마련됨과 아울러 그 리지의 상면에 접속된 금속층을 구비한다.

Description

레이저 소자, 레이저 소자의 제조 방법{LASER DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING LASER DIODE}
본 발명은, 예컨대 고속 동작시키는 레이저 소자 및 그 레이저 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에는, 반도체층에 리지 스트라이프(ridge stripe)가 마련되고, 그 리지 스트라이프를 따라 양 옆에 홈부(groove portion)가 마련되고, 그 홈부의 위쪽에 형성된 금속층과 그 홈부의 저부의 사이에 공동부(unfilled portion)를 갖는 질화물 반도체 레이저 소자가 개시되어 있다. 그 금속층은, 리지 스트라이프 및 홈부의 바깥쪽에 마련된 힐부(hill portion)에 지지되어 있다.
특허 문헌 2에는, 메사(mesa) 스트라이프의 좌우에 공극을 형성하는 것이 개시되어 있다. 공극의 위에는 절연부와 절연부의 위에 마련된 전극부가 있다.
(선행 기술 문헌)
(특허 문헌)
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 2006-066411호 공보
(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 2007-173392호 공보
특허 문헌 1의 레이저 소자에서는, 공동부의 위에 있는 금속층과 반도체층의 거리가 가까워, 기생 용량이 레이저 소자의 특성에 영향을 주는 문제가 있었다. 특허 문헌 2의 레이저 소자에서는, 공극으로 절연부가 늘어질 우려가 있다.
본 발명은, 상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 기생 용량을 작게 하면서, 메사 스트라이프의 좌우의 중공부(hollow portion)를 확보할 수 있는 레이저 소자와 레이저 소자의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원의 발명과 관련되는 레이저 소자는, 스트라이프 형상으로 융기한 리지부(ridge portion)와, 그 리지부에 인접하고, 그 리지부를 양측으로부터 끼우고, 그 리지부보다 높이가 낮은 채널부와, 그 채널부의 그 리지부와는 반대쪽에 인접하고, 그 채널부보다 높게 형성된 테라스부와, 그 채널부의 위에 마련되고, 그 리지부의 측면과 그 테라스부의 측면 중 적어도 한쪽과 떨어져 마련된, 수지로 형성된 지지부와, 그 지지부의 위에 마련된 제 1 부분과, 그 제 1 부분에 연결되고 그 채널부의 위에 중공부를 사이에 두고 위치하는 제 2 부분을 갖는, 수지로 형성된 천정부와, 그 천정부의 위에 마련됨과 아울러 그 리지의 상면에 접속된 금속층을 구비한 것을 특징으로 한다.
본원의 발명과 관련되는 레이저 소자의 제조 방법은, 스트라이프 형상으로 융기한 리지부와, 그 리지부를 양측으로부터 끼우고, 그 리지부보다 높이가 낮은 채널부와, 그 채널부의 그 리지부와는 반대쪽에 인접하고, 그 채널부보다 높게 형성된 테라스부를 갖는 레이저 구조의 그 채널부의 일부에 수지를 형성하고, 그 레이저 구조와 그 수지에 의해 밀폐된 중공부를 형성하는 공정과, 그 수지의 위에 그 리지부의 상면에 접하는 금속층을 형성하는 공정과, 레지스트를 이용하여 그 금속층을 패터닝하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본원의 발명과 관련되는 레이저 소자의 제조 방법은, 스트라이프 형상으로 융기한 리지부와, 그 리지부를 양측으로부터 끼우고, 그 리지부보다 높이가 낮은 채널부와, 그 채널부의 그 리지부와는 반대쪽에 인접하고, 그 채널부보다 높게 형성된 테라스부를 갖는 레이저 구조의 그 채널부의 일부에, 그 리지부의 측면과 그 테라스부의 측면 중 적어도 한쪽과 떨어져 마련된, 수지로 형성된 지지부를 형성하는 공정과, 그 지지부와 그 리지부에 지지된 수지를 재료로 하는 천정부를, 라미네이트법 또는 STP법에 의해 형성하고, 그 천정부와 그 채널부의 사이에 중공부를 형성하는 공정과, 그 천정부의 위에 그 리지부의 상면에 접하는 금속층을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 리지부의 좌우에 있는 홈의 위에 있어서 금속층의 기초가 되는 천정부를 해당 홈 내에 마련한 지지부로 지지하므로, 천정부가 늘어지는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자의 단면도이다.
도 2는 레이저 구조 등의 단면도이다.
도 3은 전구체 등의 단면도이다.
도 4는 지지부 등의 단면도이다.
도 5는 지지부 등의 평면도이다.
도 6은 지지부 등의 단면도이다.
도 7은 절연막 등의 단면도이다.
도 8은 천정부 등의 단면도이다.
도 9는 천정부의 평면도이다.
도 10은 절연막 등의 단면도이다.
도 11은 금속층 등의 평면도이다.
도 12는 정전 용량을 설명하기 위해 주석을 더한 레이저 소자의 단면도이다.
도 13은 실시의 형태 2와 관련되는 레이저 소자의 단면도이다.
도 14는 지지부 등의 단면도이다.
도 15는 지지부 등의 단면도이다.
도 16은 절연막 등의 단면도이다.
도 17은 넓은 개구가 형성된 천정부 등의 단면도이다.
도 18은 절연막 등의 단면도이다.
도 19는 실시의 형태 3과 관련되는 레이저 소자의 단면도이다.
도 20은 지지부 등의 단면도이다.
도 21은 지지부 등의 단면도이다.
도 22는 지지부 등의 평면도이다.
도 23은 절연막 등의 단면도이다.
도 24는 천정부 등의 단면도이다.
도 25는 실시의 형태 4와 관련되는 레이저 소자의 단면도이다.
도 26은 천정부 등의 평면도이다.
도 27은 금속층 등의 평면도이다.
도 28은 작게 형성된 지지부 등의 평면도이다.
도 29는 작게 형성된 천정부 등의 평면도이다.
도 30은 작게 형성된 금속층 등의 평면도이다.
도 31은 실시의 형태 5와 관련되는 레이저 소자의 단면도이다.
도 32는 실시의 형태 6과 관련되는 레이저 소자의 단면도이다.
도 33은 실시의 형태 7과 관련되는 레이저 소자의 지지부 등의 평면도이다.
도 34는 변형예와 관련되는 지지부 등의 평면도이다.
도 35는 실시의 형태 8과 관련되는 지지부 등의 평면도이다.
도 36은 천정부 등의 평면도이다.
도 37은 금속층 등의 평면도이다.
본 발명의 실시의 형태와 관련되는 레이저 소자와 레이저 소자의 제조 방법에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 동일한 또는 대응하는 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명의 반복을 생략하는 경우가 있다.
실시의 형태 1.
도 1은 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자의 단면도이다. 이 레이저 소자는, 스트라이프 형상으로 융기한 리지부(10a)를 구비하고 있다. 리지부(10a)의 옆에는, 리지부(10a)에 인접하고, 리지부(10a)를 양측으로부터 끼우는 채널부(10b)가 형성되어 있다. 채널부(10b)는 리지부(10a)보다 높이가 낮다. 채널부(10b)의 리지부(10a)와는 반대쪽에는 채널부(10b)에 인접하는 테라스부(10c)가 형성되어 있다. 테라스부(10c)는 채널부(10b)보다 높게 형성되어 있다. 테라스부(10c)와 리지부(10a)의 높이는 동일한 정도이다. 리지부(10a), 채널부(10b) 및 테라스부(10c)를 합쳐서 레이저 구조(10)라고 칭한다. 레이저 구조(10)의 재료는 반도체이다.
레이저 구조(10)의 상면은 절연막(12)에 의해 덮여 있다. 채널부(10b)의 위에는 수지로 형성된 지지부(13)가 마련되어 있다. 지지부(13)는, 리지부(10a)의 측면과 테라스부(10c)의 측면의 양쪽으로부터 떨어져 마련되어 있다. 지지부(13)의 좌우는 중공부(15)로 되어 있다. 지지부(13)와 절연막(12)은 절연막(14)에 의해 덮여 있다.
레이저 구조(10)와 지지부(13)의 위에 수지로 형성된 천정부(16)가 마련되어 있다. 천정부(16)는, 지지부(13)의 위에 마련된 제 1 부분(16a)과, 제 1 부분(16a)에 연결되고 채널부(10b)의 위에 중공부(15)를 사이에 두고 위치하는 제 2 부분(16b)과, 테라스부(10c)의 위에 마련된 제 3 부분(16c)을 갖고 있다. 제 1 부분(16a), 제 2 부분(16b) 및 제 3 부분(16c)은 일체적으로 형성되어 있다.
천정부(16)의 위에는 절연막(17)이 형성되어 있다. 천정부(16)의 위에는 절연막(17)을 사이에 두고 금속층(18)이 마련되어 있다. 절연막(12, 14, 17) 및 천정부(16)는 리지부(10a)의 위에 개구를 갖고 있다. 그리고, 금속층(18)이 이들 개구를 메움으로써, 금속층(18)은 리지부(10a)의 상면에 접속되어 있다.
본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자의 제조 방법을 설명한다. 최초의 공정은 레이저 구조 등의 단면도인 도 2를 참조하여 설명한다. 이 공정에서는, 레이저 구조(10)를 절연막(12)으로 피복한다. 그 후, 리지부(10a)의 위의 절연막(12)을 개구한다.
그 다음에, 레이저 구조(10)에 감광성 수지를 재료로 하는 전구체를 도포한다. 단면도인 도 3에는, 전구체(13A)가 나타내어지고 있다. 전구체(13A)는, 리지부(10a), 채널부(10b) 및 테라스부(10c)로 형성된 홈을 메운다.
그 다음에, 노광, 현상에 의해 전구체(13A)를 패터닝한다. 단면도인 도 4에는, 전구체를 패터닝함으로써 얻어진 지지부(13)가 나타내어지고 있다. 도 5는 지지부(13) 등의 평면도이다. 전구체를 패터닝함으로써, 리지부(10a)와 테라스부(10c)로부터 떨어진 지지부(13)와, 이 지지부(13)에 연결되는 매입부(buried portion)(30)를 형성한다. 지지부(13)는 리지부(10a)와 평행하게 연장되는 부분이다. 매입부(30)는, 채널부(10b)의 위에 마련되고, 평면에서 보아 지지부(13)의 양단에 접속하고 있다. 그리고, 매입부(30)는, 리지부(10a)의 측면과 테라스부(10c)의 측면의 양쪽에 접한다. 따라서 매입부(30)는, 리지부(10a)의 옆의 홈의 일부를 메우는 것이다. 도 5에는, 이와 같은 매입부(30)가 4개 나타내어지고 있다. 매입부(30)는, 레이저 소자의 단면을 따라 마련되어 있다. 도 5의 구조의 우측 단면이 전단면이고, 좌측 단면이 후단면이다.
그 다음에, 큐어 처리(curing)를 행함으로써 수지를 재료로 하는 지지부(13)를 경화시킨다. 단면도인 도 6에는, 큐어 처리 후의 지지부(13)가 나타내어지고 있다. 전술한 전구체(13A)의 두께 또는 큐어 처리의 온도 및 시간을 조정함으로써, 수축 후의 지지부(13) 및 매입부(30)와, 리지부(10a)의 높이가 동일한 정도가 되도록 한다.
그 다음에, 지지부(13), 매입부(30) 및 레이저 구조(10)에 절연막을 형성한다. 단면도인 도 7에는, 지지부(13), 매입부(30) 및 절연막(12)에 절연막(14)을 형성한 것이 나타내어지고 있다. 절연막(14)은, 리지부(10a)의 위쪽에 개구를 갖고 있다.
그 다음에, 천정부를 형성한다. 단면도인 도 8에는, 천정부(16)가 나타내어지고 있다. 천정부(16)는 라미네이트법 또는 STP법(Spin Coating Film Transfer and Hot-pressing)에 의해 형성한다. 구체적으로는, 감광성 수지막을 형성한 시트 필름을, 리지부(10a), 지지부(13) 및 테라스부(10c)의 상면에 접합시킨다. 그 후, 시트 필름을 박리하는 것에 의해 감광성 수지막으로 이루어지는 천정부(16)가 남는다. 천정부(16)는, 지지부(13), 리지부(10a) 및 테라스부(10c)에 의해 지지되어 있다. 천정부(16)를 형성함으로써, 천정부(16)와 채널부(10b)의 사이에 중공부(15)를 형성한다.
도 9는 천정부(16)를 형성한 후의 레이저 소자의 평면도이다. 도 9에 있어서, 파선은, 리지부(10a)와 채널부(10b)의 경계, 또는 채널부(10b)와 테라스부(10c)의 경계를 나타낸다. 일점쇄선은 지지부(13) 및 매입부(30)의 윤곽을 나타낸다. 천정부(16)는, 제 1 부분(16a), 제 2 부분(16b) 및 제 3 부분(16c)에 더하여, 매입부(30)의 위에 마련되고, 제 1 부분(16a) 또는 제 2 부분(16b)에 연결되는 제 4 부분(16d)을 구비하고 있다. 천정부에 대하여, 노광 및 현상 처리를 실시하는 것에 의해 이것을 패터닝하고, 리지부(10a)의 위를 개구시킨다. 그 후, 큐어 처리에 의해 천정부(16)를 경화시킨다. 천정부(16)를 형성하면, 매입부(30), 레이저 구조(10) 및 천정부(16)에 의해, 중공부(15)가 밀폐된다. 중공부(15)는 닫힌 공간이고, 외부로부터 중공부(15)에 물질이 들어가는 일은 없다.
그 다음에, 절연막을 형성한다. 단면도인 도 10에는, 천정부(16)의 위에 절연막(17)을 형성한 것이 나타내어지고 있다. 이 절연막(17)은 리지부(10a)의 상부에 개구를 갖고 있다. 그 다음에, 천정부(16)의 위에 절연막(17)을 사이에 두고 금속층(18)을 형성한다. 금속층(18)을 형성한 레이저 소자의 단면도는 도 1이다. 이 금속층(18)은, 리지부(10a)의 위에 형성된 개구를 메움으로써 리지부(10a)의 상면에 접한다.
금속층(18)을 금속 배선으로서 이용하기 위해, 금속층(18)을 미리 정해진 형상으로 패터닝한다. 구체적으로는, 천정부(16)에 의해 중공부(15)를 밀폐한 상태에서, 절연막(17)의 위에 레지스트를 형성하고, 그 레지스트를 패터닝하고, 그 레지스트를 마스크로 하여 금속층(18)의 일부를 에칭한다. 이것에 의해 평면도인 도 11에 나타내어지는 패터닝된 금속층(18)을 얻는다. 레지스트를 사용할 때에 중공부(15)는 천정부(16), 매입부(30) 및 레이저 구조(10)에 의해 밀폐되어 있으므로, 레지스트가 중공부(15)에 들어가서 그곳에 레지스트 잔사를 발생시키는 일은 없다. 완성된 금속층(18)은, 테라스부의 위에 패드(18A)를 구비한다. 패드(18A)는 와이어 본딩에 의해 와이어 접속되는 부분이다.
본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자에 의하면, 천정부(16)가 중공부(15)로 늘어지는 문제를 해소할 수 있으므로 그 점에 대하여 설명한다.
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42(2003) pp. 2462-2467에는, STP법을 이용하여 형성된 수지막의 막 두께와, 중공부의 크기의 관계에 관한 기재가 있다. 이 문헌에는, 수지막의 막 두께가 약 2㎛, 약 9㎛인 경우, 중공부를 유지하기 위해서는 각각 중공부의 폭을 20㎛ 이하, 100㎛ 이하로 해야 하는 것이 기재되어 있다(p. 2465, Fig. 10). 그러나, 일반적인 반도체 레이저 소자의 채널부의 폭은 10~50㎛ 정도이고, 공진기 길이는 200㎛ 정도이다. 천정부의 막 두께를 1~10㎛로 하면, 상기 일반적인 반도체 레이저 소자에 있어서, 중공부를 형성하는 것은 곤란하다. 다시 말해, 상기 일반적인 사이즈의 반도체 레이저 소자에 천정부를 형성하고자 하면 천정부의 강도가 부족하고, 천정부가 중공부로 늘어지는 문제가 있었다.
그래서, 본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자에서는 채널부(10b)에 지지부(13)를 마련하고, 그 지지부(13)로 천정부(16)를 지지하는 것으로 했으므로, 천정부(16)가 중공부(15)로 늘어지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자에서는, 정전 용량을 작게 할 수 있으므로 그 점에 대하여 설명한다. 정전 용량 C는, C=ε0εrS/d(ε0 : 진공의 유전율,εr : 비유전율, S : 면적, d : 거리)의 식으로 나타내어진다. 본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자의 금속층(18)은 중공부(15)의 위에 마련되므로, 금속층(18)을 리지부(10a)의 측면, 채널부(10b)의 상면 및 테라스부(10c)의 측면을 따라 마련한 경우와 비교하여, 금속층(18)을 레이저 구조(10)로부터 떼어 놓을 수 있다. 따라서, 정전 용량을 작게 할 수 있다.
수지로 리지의 좌우의 홈을 메운 경우와, 중공부를 형성한 경우를 비교하기 위해, 도 12를 참조한다. 중공부(15)에는 공기가 있으므로 그 비유전율은 1이다. 수지막인 지지부(13)와 천정부(16)의 비유전율은 3으로 한다. 천정부(16)의 두께를 d1, 중공부(15)의 높이를 2d1로 한다. 지지부(13)의 면적은 채널부(10b)의 면적 S1의 절반의 면적인 S1/2로 한다. 이것에 의해, 리지부(10a)의 좌우의 홈의 체적의 절반이, 지지부(13)에 의해 차지된다.
만일, 수지로 리지부(10a)의 좌우의 홈을 메웠다고 하면, 그 정전 용량 C는,
Figure 112017053839099-pat00001
이 된다.
중공부(15)를 갖는 경우의 정전 용량을 구한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 천정부(16)의 정전 용량을 C1, 지지부(13)의 정전 용량을 C2, 중공부(15)의 정전 용량을 C3으로 한다. 도 12에는 C1, C2, C3에 대응하는 부분이 파선으로 나타내어지고 있다.
각각의 정전 용량은,
Figure 112017053839099-pat00002
이 된다.
도 12에 나타내어지는 바와 같이, 천정부(16)가 직렬로, 지지부(13)와 중공부(15)가 병렬의 관계로 되어 있기 때문에, 중공부(15)를 형성한 경우의 전체의 정전 용량 C를 나타내는 식은,
Figure 112017053839099-pat00003
이 된다. 따라서,
Figure 112017053839099-pat00004
이 된다. 이상으로부터, 리지부(10a)의 좌우의 홈을 수지로 메운 경우보다, 중공부(15)를 형성한 경우가 정전 용량을 작게 할 수 있는 것을 알 수 있다. 정전 용량을 작게 함으로써, 고속 동작에 유리한 레이저 소자를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자에서는, 기생 용량을 작게 할 수 있으므로 그 점에 대하여 설명한다. 리지로부터 연장된 배선이 절연막을 사이에 두고 레이저 구조에 접하면, 해당 절연막의 유전율이 크기 때문에, 기생 용량이 커져 버린다. 기생 용량이 커지는 것을 방지하기 위해, 금속 배선 및 그 일부인 패드부의 면적을 작게 하여, 기생 용량을 작게 할 필요가 있었다. 패드부가 작으면 조립 공정에 있어서 높은 와이어 본딩 정밀도가 필요하게 되므로, 생산 안정성이 부족하다.
그렇지만, 본 발명의 실시의 형태 1에서는, 중공부(15)를 마련함으로써 금속층(18)과 레이저 구조(10)를 떼어 놓을 수 있다. 게다가, 금속층(18)과 레이저 구조(10)의 사이에, 유전율이 높은 절연막이 아닌, 낮은 유전율을 갖는 수지로 형성된 천정부(16)와 지지부(13)가 존재하므로, 기생 용량을 작게 할 수 있다. 기생 용량이 작아지는 만큼, 패드 면적을 크게 할 수 있으므로, 생산 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 레이저 구조(10)의 위에 수지를 형성하면, 양쪽의 선팽창 계수 차이에 의해 수지 내에 스트레스가 생겨서, 수지가 박리하거나, 수지에 크랙이 생기거나 할 우려가 있다. 그렇지만, 본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자에서는, 중공부(15)를 마련함으로써, 수지로 형성된 지지부(13)와 레이저 구조(10)의 접촉 면적을 줄일 수 있다. 따라서, 지지부(13)의 내부 스트레스를 작게 하고, 지지부(13)의 박리 및 크랙을 억제할 수 있다.
본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자의 제조 방법에 의하면, 중공부(15)를 확보할 수 있으므로 그 점에 대하여 설명한다. 전술한 바와 같이, 중공부(15)가, 천정부(16), 매입부(30) 및 레이저 구조(10)에 의해 밀폐된 상태에서, 금속층(18)을 패터닝하기 위한 레지스트를 이용하므로, 중공부(15)에 레지스트가 들어가는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 중공부(15)를 확보할 수 있다.
본 발명의 실시의 형태 1과 관련되는 레이저 소자와 그 레이저 소자의 제조 방법은, 그 특징을 잃지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다. 예컨대, 지지부(13)를 마련하면서 중공부(15)를 확보하기 위해서는, 지지부(13)는 리지부(10a)의 측면과 테라스부(10c)의 측면 중 적어도 한쪽과 떨어져 마련되면 된다. 다시 말해, 지지부(13)가 리지부(10a)의 측면 또는 테라스부(10c)의 측면에 접하더라도 좋다. 만약 지지부(13)가 테라스부(10c)에 접하는 경우는, 천정부(16)의 제 3 부분(16c)은, 제 2 부분(16b)이 아닌 제 1 부분(16a)에 연결된다. 제 3 부분(16c)은 지지부(13)의 위치에 따라 제 1 부분(16a) 또는 제 2 부분(16b)에 연결된다.
이 레이저 소자에 있어서의 절연막(12, 14, 17)은, 각 층의 밀착성 향상 및 반도체 레이저의 내습성 향상을 위해 형성되어 있다. 이들 절연막의 유무 및 형상에 대하여 적당히 변경할 수 있다. 예컨대 절연막(14, 17)을 생략하더라도 좋다.
절연막(12, 14, 17)은, 리지부(10a)의 위에 개구를 가질 필요가 있다. 절연막(17)을 형성한 후에, 절연막(12, 14, 17)의 개구를 일괄 형성하더라도 좋다. 절연막(12, 14, 17)의 개구를 일괄 형성함으로써, 절연막(12, 14, 17)의 각각에 별개의 공정으로 개구를 형성하는 경우와 비교하여 공정을 단축할 수 있다.
지지부(13)와 천정부(16)의 양쪽, 또는 어느 한쪽을 비 감광성 수지로 하더라도 좋다. 그 경우, 예컨대 우선, 도 3의 전구체(13A)와 같은 형상이 되도록 비 감광성 수지를 형성하고, 그 후, 해당 수지에 대하여 드라이 에칭으로 전면 에치백을 행하고, 해당 수지와 리지부(10a) 및 테라스부(10c)의 표면을 일치시킨다. 그 후, 절연막에 의한 하드 마스크 및 레지스트를 형성하고, 드라이 에칭으로 채널부(10b) 내의 수지를 패터닝함으로써, 지지부(13)를 형성한다. 천정부(16)는, 일부를 개구하여 리지부(10a)의 상면을 노출시키기 위해, 천정부(16)의 상부에 절연막에 의한 하드 마스크 및 레지스트를 형성하고, 드라이 에칭을 행한다. 비 감광성 수지를 이용하면, 큐어시에 수지 재료로부터 나오는 아웃 가스가 적다고 하는 이점이 있다.
중공부(15)를 확보하기 위해서는, 레지스트를 사용하여 금속층(18)을 패터닝할 때에, 중공부(15)를 밀폐할 필요가 있다. 수지 재료와 레이저 구조(10)에 의해 중공부(15)를 밀폐할 수 있는 한, 수지로 형성된 지지부(13)와 천정부(16)의 형상을 적당히 변경할 수 있다. 이들 변형은 이하의 실시의 형태와 관련되는 레이저 소자와 레이저 소자의 제조 방법에도 적당히 응용할 수 있다.
또, 이하의 실시의 형태와 관련되는 레이저 소자와 레이저 소자의 제조 방법에 대해서는, 실시의 형태 1과의 유사점이 많으므로, 실시의 형태 1과의 차이점을 중심으로 설명한다.
실시의 형태 2.
도 13은 실시의 형태 2와 관련되는 레이저 소자의 단면도이다. 실시의 형태 2와 관련되는 레이저 소자는, 지지부(40)를 리지부(10a)의 측면에 접촉시킨 것이다. 천정부(16)는, 지지부(40)와 테라스부(10c)에 의해 지지되어 있다. 지지부(40)가 리지부(10a)의 좌우에 접함으로써, 실시의 형태 1에 비하여 리지 구조의 폭이 크게 되어 있다.
본 발명의 실시의 형태 2와 관련되는 레이저 소자의 제조 방법을 설명한다. 우선, 도 2, 3과 같이, 절연막(12)을 형성하고, 감광성 수지의 전구체(13A)를 도포한다. 그 다음에, 이 전구체(13A)를 패터닝하고, 지지부(40)를 형성한다. 단면도인 도 14에는, 지지부(40)가 나타내어지고 있다. 전구체(13A)에 대하여, 노광, 현상 처리에 의해 패터닝을 행하고, 리지부(10a)에 접하는 지지부(40)를 형성한다. 여기서, 리지 폭이, 전구체의 최소 패턴 치수, 즉 해상도보다 작은 경우, 리지부(10a)의 상부에 막 두께가 얇은 수지막이 남는다. 이 얇은 수지막은, 가벼운 애싱에 의해 제거가 가능하다.
그 다음에, 큐어 처리를 행함으로써 지지부(40)를 경화시킨다. 단면도인 도 15에는, 큐어 처리에 의해 경화한 지지부(40)가 나타내어지고 있다. 전구체(13A)의 재료를 큐어 처리에 의해 수축하는 수지 재료로 하여 두고, 큐어 처리로 지지부(40)를 수축시켜, 지지부(40)의 높이와 리지부(10a)의 높이를 동일한 정도로 한다.
그 다음에, 절연막을 형성한다. 단면도인 도 16에는, 절연막(14)을 형성한 것이 개시되어 있다. 절연막(14)은, 레이저 구조(10) 및 지지부(40)를 덮는다. 절연막(14)은 리지부(10a)의 상부에 개구를 갖고 있다. 그 다음에, 실시의 형태 1과 마찬가지로 라미네이트법 또는 STP법을 이용하여, 수지를 형성한 시트 필름을, 리지부(10a), 지지부(40) 및 테라스부(10c)의 상면에 접합시킨다. 도 17에는, 천정부(16)가 나타내어지고 있다. 이와 같이, 채널부(10b)의 일부에 수지 재료로 지지부(40)를 형성하고, 그 지지부(40)의 위에 천정부(16)를 형성함으로써, 레이저 구조(10)와 수지에 의해 밀폐된 중공부(15)를 형성한다. 천정부(16)는 중공부(15)의 천정이 된다.
노광, 현상 처리에 의해 천정부(16)를 패터닝하고, 리지부(10a)의 위의 부분을 개구한다. 그 후, 천정부(16)에 대하여 큐어 처리를 실시한다. 지지부(40)가 리지부(10a)에 접하고 있으므로, 천정부(16)의 개구 폭 W2를 크게 할 수 있다. 이것에 비하여, 실시의 형태 1에서는 지지부(13)와 리지부(10a)가 떨어져 있으므로, 천정부(16)는 리지부(10a)에 의해 지지될 필요가 있다. 그 때문에, 도 17의 개구 폭 W2를, 도 8에 나타내어지는 천정부(16)의 개구 폭 W1보다 크게 할 수 있다.
그 다음에, 천정부(16)의 위에 절연막을 형성한다. 단면도인 도 18에는, 절연막(17)이 나타내어져 있다. 리지부(10a)의 위의 절연막(17)은 제거한다. 그 다음에, 천정부(16)의 위에 리지부(10a)의 상면에 접하는 금속층(18)을 형성한다. 레지스트를 이용하여 금속층(18)을 패터닝함으로써, 테라스부(10c)의 위에 미리 정해진 형상의 패드 전극을 형성한다. 이렇게 하여, 도 13에 나타내는, 금속층(18)을 갖는 레이저 소자가 완성된다. 또, 수지로서, 지지부(40)와, 천정부(16)에 더하여, 매입부(30)를 형성하고, 지지부(13)와 매입부(30)에 의해 천정부(16)를 지지하는 점은 실시의 형태 1과 동일하다.
리지부(10a)의 폭이 예컨대 2㎛ 이하로 좁은 경우, 천정부(16)를 형성하기 위해 리지부(10a)의 위에 시트 필름을 붙일 때에 리지부(10a)가 접힐 우려가 있다. 그렇지만, 본 발명의 실시의 형태 2와 관련되는 레이저 소자에서는, 지지부(40)를 리지부(10a)에 접촉시키므로, 지지부(40)가 리지부(10a)를 보강하여 리지부(10a)의 강도를 향상시킨다. 따라서, 리지부(10a)가 접히는 것을 방지할 수 있다.
실시의 형태 1에서는, 리지부(10a)의 위에, 「천정부(16)를 지지하는 부분」과 「천정부(16)가 개구하는 부분」의 양쪽을 마련할 필요가 있다. 그 때문에, 리지 폭보다 감광성 수지막의 노광, 현상에 의한 패터닝의 최소 폭이 큰 경우, 리지부(10a)의 위에 「천정부(16)를 지지하는 부분」과 「천정부(16)가 개구하는 부분」의 양쪽을 마련할 수 없다. 다시 말해, 중공부(15)를 형성할 수는 없다. 리지부(10a)의 폭보다 감광성 수지막의 노광, 현상에 의한 패터닝의 최소 폭이 작은 경우에도, 어느 정도의 「천정부를 지지하는」 부분을 확보하지 않으면 안 되므로 프로세스의 안정성을 확보하기 어렵다.
그래서, 본 발명의 실시의 형태 2에서는, 리지부(10a)의 측면에 절연막을 사이에 두고 지지부(40)를 접촉시킴으로써, 리지부(10a)와 지지부(40)에 의해 폭이 큰 리지 구조를 형성한다. 이것에 의해, 리지부(10a)뿐만이 아닌, 리지부(10a)와 지지부(40)의 위에, 「천정부(16)를 지지하는 부분」과 「천정부(16)가 개구하는 부분」을 마련할 수 있다. 따라서, 충분히 넓은 장소에 「천정부(16)를 지지하는 부분」과 「천정부(16)가 개구하는 부분」을 마련할 수 있으므로, 프로세스를 안정시킬 수 있다.
이와 같이, 리지부(10a)와 지지부(40)에 의해 폭이 큰 리지 구조를 형성함으로써, 천정부(16)의 개구 폭 W2를 크게 할 수 있다. 개구 폭 W2가 크면, 리지부(10a)의 위의 금속층(18)의 체적을 크게 하여, 금속층(18)의 배선 저항을 저감하고 이득을 향상시킬 수 있다. 천정부(16)의 개구의 좌우에 있어서의 천정부(16)는 테이퍼 형상으로 되어 있으므로, 해당 개구를 메우는 금속층(18)의 체적을 크게 할 수 있다. 위쪽보다 아래쪽이 큰 개구 폭이 되는 역 테이퍼 형상의 천정부를 마련하면, 천정부(16)의 절단이 생길 수 있다. 그러나, 도 17에 나타내는 바와 같이, 위쪽보다 아래쪽이 작은 개구 폭이 되는 테이퍼 형상의 천정부(16)를 마련하면, 천정부(16)의 절단을 방지할 수 있다.
또한, 리지부(10a)의 측면에 지지부(40)를 마련함으로써, 지지부(40)의 박리를 방지할 수 있다. 예컨대, 리지부의 좌우의 홈을 BCB로 메운 BCB 매입형 리지 도파로 구조의 제조에 있어서, 리지부 상부의 수지층에 개구를 형성하는 드라이 에칭에 있어서 리지부 측면으로부터 수지가 박리하는 문제가 있었다. 그러나, 본 발명의 실시의 형태 2에서는, 감광성 수지로 천정부(16)를 형성하고 있기 때문에, 노광, 현상, 및 가벼운 애싱에 의해 천정부(16)에 개구를 형성할 수 있으므로, 지지부(40)의 박리를 방지할 수 있다.
실시의 형태 3.
도 19는 실시의 형태 3과 관련되는 레이저 소자의 단면도이다. 이 레이저 소자는, 도 1에 나타내는 지지부(13)와 도 13에 나타내는 지지부(40)를 양쪽 모두 구비하고 있다. 다시 말해, 지지부로서, 리지부(10a)의 측면에 접하는 부분인 지지부(40)와, 리지부(10a)의 측면에도 테라스부(10c)의 측면에도 접하지 않는 부분인 지지부(13)가 마련되어 있다.
실시의 형태 3과 관련되는 레이저 소자의 제조 방법을 설명한다. 우선, 도 2, 3을 참조하면서 설명한 바와 같이, 전구체(13A)를 형성한다. 그 다음에, 이 전구체(13A)를 패터닝한다. 단면도인 도 20에는, 전구체를 패터닝함으로써 얻어진 지지부(13, 40)가 나타내어져 있다. 그 후, 애싱 및 큐어 처리에 의해, 지지부(13, 40) 및 매입부(30)와, 리지부(10a)의 높이가 동일한 정도가 되도록 한다. 단면도인 도 21에는 애싱 및 큐어 처리에 의해, 지지부(13, 40)와, 리지부(10a)의 높이가 동일한 정도가 된 것이 나타내어지고 있다.
도 22는 도 21의 레이저 소자의 평면도이다. 지지부(13)와 지지부(40)는 평면에서 보아 채널부(10b)의 일부를 둘러싸고 있다. 지지부(13, 40)는, 절연막(12)이 개구하여 리지부(10a)가 노출된 부분을 둘러싼다. 지지부(13)를 테라스부(10c)에 접촉시키더라도 좋다.
그 다음에, 단면도인 도 23에 나타내는 바와 같이, 레이저 구조(10) 및 지지부(13, 40)에 절연막(14)을 형성한다. 그 다음에, 단면도인 도 24에 나타내는 바와 같이, 지지부(13, 40), 및 테라스부(10c)에 의해 지지되는 천정부(16)를 형성한다. 천정부(16)는, 지지부(13, 40)에 의해 둘러싸인 공간을 밀폐한다. 구체적으로는, 천정부(16)는, 지지부(13)와 지지부(40) 사이에 끼워진 중공부(15)를 밀폐하는 덮개가 된다. 또, 도 22에 있어서의 지지부(13)의 단부를 테라스부(10c)에 접촉시킨 경우는, 그 부분이 매입부로서 기능하므로, 지지부(13)와 테라스부(10c) 사이에 끼워진 영역도 천정부(16)에 의해 밀폐된다.
그 다음에, 절연막(17) 및 금속층(18)을 형성함으로써, 도 19에 나타내어지는 레이저 소자가 완성된다. 지지부(13, 40)를 1개의 레이저 소자에 형성함으로써, 실시의 형태 1, 2에서 설명한 효과를 모두 향수할 수 있다.
실시의 형태 4.
도 25는 실시의 형태 4와 관련되는 레이저 소자의 단면도이다. 이 레이저 소자의 천정부(16)는 채널부(10b)의 위쪽에 마련되고, 테라스부(10c)의 위쪽에 마련되어 있지 않다. 보다 상세하게는, 천정부(16)는 지지부(13)와 지지부(40)에 지지되어 있고, 테라스부(10c)에는 지지되어 있지 않다. 지지부(13, 40)의 평면 형상은 도 22와 같다.
도 26은 천정부(16) 등의 평면도이다. 천정부(16)는, 채널부(10b)와 리지부(10a)의 위에 마련되고, 테라스부(10c)의 위에는 마련되지 않는다. 도 27은 금속층(18) 등의 평면도이다. 금속층(18)의 일부인 패드(18A)는, 지지부(13)의 바로 위에 마련된다. 정전 용량 C는 C=ε0εrS/d(ε0 : 진공의 유전율, εr : 비유전율, S : 면적, d : 거리)의 식으로 나타내어진다. 실시의 형태 4에서는 채널부(10b)와 리지부(10a)의 바로 위에만 금속층(18)을 마련하므로, 실시의 형태 1과 비교하여 금속층(18)의 면적을 작게 할 수 있다. 따라서, 정전 용량을 작게 할 수 있다. 정전 용량이 작은 레이저 소자는, 고속 동작에 적합하다.
도 27에 나타내는 바와 같은 작은 금속층(18)을 마련하는 경우는, 도 26에 나타내어지는 천정부(16)보다 천정부의 면적을 작게 하더라도 좋다. 작은 천정부를 마련하는 경우, 그것을 지지하는 지지부도 작게 할 수 있다. 예컨대, 도 28에는, 작게 형성된 지지부(13, 40)가 나타내어져 있다. 지지부(13, 40)는, 공진기의 단면보다 안쪽에 형성되어 있다. 지지부(13, 40)의 공진기 길이 방향의 길이는, 공진기 길이보다 짧다.
도 29에는, 도 28의 지지부(13, 40)의 위에 형성된 천정부(16)가 나타내어져 있다. 도 29의 천정부(16)는, 도 26의 천정부(16)에 비하여 공진기 길이 방향의 길이가 짧다. 도 29의 천정부(16)는, 공진기 길이 방향의 길이가 공진기 길이보다 짧다. 그리고, 이 천정부(16)의 위에, 도 30에 나타내는 바와 같이, 금속층(18)을 형성한다.
실시의 형태 5.
도 31은 실시의 형태 5와 관련되는 레이저 소자의 단면도이다. 실시의 형태 1~4에서는 테라스부(10c)를 반도체로 형성했지만, 실시의 형태 5의 테라스부(60)는 수지로 형성되어 있다. 수지로 형성한 테라스부(60)의 높이를 조정하는 것은 용이하다. 따라서, 리지부(10a), 지지부(13, 40) 및 테라스부(60)의 높이를 용이하게 같게 할 수 있다.
실시의 형태 6.
도 32는 실시의 형태 6과 관련되는 레이저 소자의 단면도이다. 금속층(18)은, 2개의 테라스부(10c) 중, 한쪽의 테라스부(10c)의 위쪽에는 있지만, 다른 쪽의 테라스부(10c)의 위쪽에는 없다. 이와 같이, 레이저 소자의 한쪽에만 금속층(18)에 의한 배선을 배치함으로써, 배선의 기생 용량을 작게 할 수 있다.
정전 용량 C는 C=ε0εrS/d(ε0 : 진공의 유전율, εr : 비유전율, S : 면적, d : 거리)의 식으로 나타내어진다. 실시의 형태 6의 금속층(18)의 면적은, 실시의 형태 1의 금속층(18)의 면적의 절반이기 때문에, 정전 용량을 반감시킬 수 있다. 정전 용량이 작은 레이저 소자는, 고속 동작에 있어서 유리하다.
실시의 형태 7.
도 33은 실시의 형태 7과 관련되는 레이저 소자의 지지부 등의 평면도이다. 감광성 수지를 재료로 하는 지지부(13)는, 공진기 길이 방향을 따라 복수 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 복수의 섬 형상의 지지부(13)가 리지부(10a)를 따라 마련되어 있다. 천정부 및 금속층의 형상은 실시의 형태 1과 동일하다.
이와 같이 지지부(13)를 평면시로 단속적으로 마련함으로써, 실시의 형태 1과 비교하여 중공부의 체적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 기생 용량이 작은 레이저 소자를 제공할 수 있다. 또한, 실시의 형태 1과 비교하여 수지로 형성된 지지부(13)의 체적이 감소하기 때문에, 해당 수지의 내부 스트레스가 작아져, 해당 수지의 박리 및 크랙을 억제할 수 있다.
도 34는 지지부의 변형예를 나타내는 도면이다. 도 34에서는, 도 33보다 지지부(13)의 수를 줄이고, 그만큼 매입부(30)를 공진기 단면으로부터 공진기 중앙 방향으로 이동했다. 매입부(30)와 지지부(13)와 테라스부(10c)의 위에 천정부를 형성함으로써, 밀폐된 중공부를 형성한다. 천정부의 길이는 공진기 길이보다 짧게 하고, 천정부가 지지부 또는 매입부에 의해 지지되도록 한다.
실시의 형태 8.
도 35는 실시의 형태 8과 관련되는 지지부 등의 평면도이다. 매입부(30)는, 레이저 소자의 단면보다 안쪽에 마련되어 있다. 도 36은 도 35의 지지부(13), 매입부(30) 및 테라스부(10c)의 위에 형성된 천정부(16)를 나타내는 도면이다. 실시의 형태 1에서는 도 9를 참조하면서 설명한 바와 같이, 레이저 구조 전체에 천정부(16)를 형성했지만, 실시의 형태 8에서는, 도 36에 나타내는 바와 같이 공진기의 측면 방향으로 긴 천정부(16)를 형성한다. 천정부(16)가 감광성 수지인 경우, 노광, 현상 및 애싱에 의해 천정부(16)를 패터닝한다. 한편, 천정부(16)가 비 감광성 수지인 경우, 천정부(16)의 상부에 절연막에 의한 하드 마스크 및 레지스트를 형성하고, 드라이 에칭에 의해 패터닝을 행한다.
도 37은 천정부(16)의 위에 형성된 금속층(18)을 나타내는 도면이다. 실시의 형태 8과 관련되는 레이저 소자의 특징은, 금속층(18)의 형상을 고려하여, 필요한 부분에만, 지지부(13)를 형성하는 것이다. 본 발명의 실시의 형태 8에 의하면, 수지로 형성된 지지부(13) 및 천정부(16)의 체적이 실시의 형태 1과 비교하여 감소하기 때문에, 지지부(13) 및 천정부(16)의 내부 스트레스가 작아진다. 따라서, 지지부(13) 및 천정부(16)의 수지 재료가 박리하거나 크랙을 일으키거나 하는 것을 억제할 수 있다. 또, 여기까지 설명한 각 실시의 형태와 관련되는 레이저 소자 및 레이저 소자의 제조 방법의 특징은, 적당히 조합하여 이용하더라도 좋다.
10 : 레이저 구조
10a : 리지부
10b : 채널부
10c : 테라스부
12, 14, 17 : 절연막
13 : 지지부
15 : 중공부
16 : 천정부
18 : 금속층

Claims (18)

  1. 스트라이프 형상으로 융기한 리지부(ridge portion)와,
    상기 리지부에 인접하고, 상기 리지부를 양측으로부터 끼우고, 상기 리지부보다 높이가 낮은 채널부와,
    상기 채널부 중, 상기 리지부와 인접한 쪽과는 반대쪽에 인접하고, 상기 채널부보다 높게 형성된 테라스부와,
    상기 채널부의 위에 마련되고, 상기 리지부의 측면과 상기 테라스부의 측면 중 적어도 한쪽과 떨어져 마련된, 수지로 형성된 지지부와,
    상기 지지부의 위에 마련된 제 1 부분과, 상기 제 1 부분에 연결되고 상기 채널부의 위에 중공부(hollow portion)를 사이에 두고 위치하는 제 2 부분을 갖는, 수지로 형성된 천정부와,
    상기 천정부의 위에 마련됨과 아울러 상기 리지부의 상면에 접속된 금속층
    을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 천정부는, 상기 제 1 부분 또는 상기 제 2 부분에 연결되고, 상기 테라스부의 위에 마련된 제 3 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부는, 상기 리지부의 측면과 상기 테라스부의 측면의 양쪽으로부터 떨어져 마련된 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 채널부의 위에 마련되고, 평면에서 보아 상기 지지부의 양단에 접속하고, 상기 리지부의 측면과 상기 테라스부의 측면의 양쪽에 접하는, 수지로 형성된 매입부(buried portion)와,
    상기 천정부의 일부로서 형성된, 상기 매입부의 위에 마련되고, 상기 제 1 부분 또는 상기 제 2 부분에 연결되는 제 4 부분
    을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 매입부는, 레이저 소자의 단면(端面)을 따라 마련된 것을 특징으로 하는 레이저 소자.

  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 매입부는, 레이저 소자의 단면(端面)보다 안쪽에 마련된 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 리지부의 측면에 물리적으로 접하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부는, 상기 리지부의 측면에 물리적으로 접하는 부분과, 상기 리지부의 측면에도 상기 테라스부의 측면에도 물리적으로 접하지 않는 부분을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 천정부는 상기 채널부의 위쪽에 마련되고, 상기 테라스부의 위쪽에 마련되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 테라스부는 수지로 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  11. 제 2 항에 있어서,
    상기 금속층은, 한쪽의 상기 테라스부의 위쪽에는 있지만, 다른 쪽의 상기 테라스부의 위쪽에는 없는 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부는, 공진기 길이 방향을 따라 복수 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부는, 평면에서 보아 상기 금속층과 상기 리지부가 접하는 부분을 둘러싸도록 마련되고,
    상기 천정부는, 상기 지지부에 의해 둘러싸인 공간을 밀폐하는
    것을 특징으로 하는 레이저 소자.
  14. 스트라이프 형상으로 융기한 리지부와, 상기 리지부를 양측으로부터 끼우고, 상기 리지부보다 높이가 낮은 채널부와, 상기 채널부 중, 상기 리지부와 인접한 쪽과는 반대쪽에 인접하고, 상기 채널부보다 높게 형성된 테라스부를 갖는 레이저 구조의 상기 채널부의 일부에 수지를 형성하고, 상기 레이저 구조와 상기 수지에 의해 밀폐된 중공부를 형성하는 공정과,
    상기 수지의 위에 상기 리지부의 상면에 접하는 금속층을 형성하는 공정과,
    레지스트를 이용하여 상기 금속층을 패터닝하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 소자의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수지는, 상기 채널부에 접하는 지지부와, 상기 지지부의 위에 마련되고 상기 중공부의 천정이 되는 천정부를 갖고,
    상기 천정부의 일부는, 상기 테라스부의 위에 마련되고,
    상기 금속층을 패터닝함으로써, 상기 테라스부의 위에 패드 전극을 형성하는
    것을 특징으로 하는 레이저 소자의 제조 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 수지는,
    상기 채널부의 위에 마련되고, 상기 리지부의 측면과 상기 테라스부의 측면 중 적어도 한쪽과 떨어져 마련된 지지부와,
    상기 채널부의 위에 마련되고, 평면에서 보아 상기 지지부의 양단에 접속하고, 상기 리지부의 측면과 상기 테라스부의 측면의 양쪽에 접하는 매입부와,
    상기 지지부와 상기 매입부에 의해 지지된, 상기 중공부의 천정인 천정부
    를 구비한
    것을 특징으로 하는 레이저 소자의 제조 방법.
  17. 스트라이프 형상으로 융기한 리지부와, 상기 리지부를 양측으로부터 끼우고, 상기 리지부보다 높이가 낮은 채널부와, 상기 채널부 중, 상기 리지부와 인접한 쪽과는 반대쪽에 인접하고, 상기 채널부보다 높게 형성된 테라스부를 갖는 레이저 구조의 상기 채널부의 일부에, 상기 리지부의 측면과 상기 테라스부의 측면 중 적어도 한쪽과 떨어져 마련된, 수지로 형성된 지지부를 형성하는 공정과,
    상기 지지부와 상기 리지부에 지지된 수지를 재료로 하는 천정부를, 라미네이트법 또는 STP법에 의해 형성하고, 상기 천정부와 상기 채널부의 사이에 중공부를 형성하는 공정과,
    상기 천정부의 위에 상기 리지부의 상면에 접하는 금속층을 형성하는 공정
    을 구비한 것을 특징으로 하는 레이저 소자의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 리지부의 측면에 물리적으로 접하는 것을 특징으로 하는 레이저 소자의 제조 방법.
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