TW201810843A - 雷射元件、雷射元件的製造方法 - Google Patents

雷射元件、雷射元件的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201810843A
TW201810843A TW106101506A TW106101506A TW201810843A TW 201810843 A TW201810843 A TW 201810843A TW 106101506 A TW106101506 A TW 106101506A TW 106101506 A TW106101506 A TW 106101506A TW 201810843 A TW201810843 A TW 201810843A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ridge
ceiling
laser element
support
platform
Prior art date
Application number
TW106101506A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI663801B (zh
Inventor
前田和弘
南政史
中村直幹
森田大介
Original Assignee
三菱電機股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三菱電機股份有限公司 filed Critical 三菱電機股份有限公司
Publication of TW201810843A publication Critical patent/TW201810843A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI663801B publication Critical patent/TWI663801B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2238—Buried stripe structure with a terraced structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/204—Strongly index guided structures
    • H01S5/2045—Strongly index guided structures employing free standing waveguides or air gap confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2213—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on polyimide or resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
    • H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

本發明的課題係以提供可邊使寄生電容變小，且確保台面條的左右的中空部的雷射元件及雷射元件的製造方法為目標。
本發明的解決手段係一種雷射元件，其特徵在於包括：條狀隆起的脊部；通道部，其係與該脊部鄰接，將該脊部由兩側包夾，高度較該脊部低；平台部，其係與該通道部的與該脊部的相反側鄰接，形成較該通道部高；支持部，其係以樹脂形成，設於該通道部上，與該脊部的側面與該平台部的側面的至少一方隔離而設；天花板部，其係以樹脂形成，具有設於該支持部上的第1部分，及與該第1部分連接經由中空部位於該通道部上的第2部分；及金屬層，其係設於該天花板部上的同時，與該脊部的上面連接。

Description

雷射元件、雷射元件的製造方法
本發明係關於例如高速運作的雷射元件及其雷射元件的製造方法。
在專利文獻1，揭示一種氮化物半導體雷射元件，其具有：在半導體層設有脊條，沿著該脊條的兩腋的溝部，形成在該溝部上方的金屬層及在與該溝部的底部之間的空洞部。該金屬層，係以設於脊條及溝部的外側的丘部支持。
在專利文獻2，揭示在台面條的左右形成空隙。在空隙之上有絕緣部與設於絕緣部上的電極部。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-066411號公報
[專利文獻2]日本特開2007-173392號公報
在專利文獻1的雷射元件，在空洞部上的金屬層與半導體層的距離近，而有寄生電容會對雷射元件的特性造成 影響的問題。在專利文獻2的雷射元件，則有絕緣部在空隙下垂之虞。
本發明係為解決如上所述的課題而完成者，以提供可邊使寄生電容變小，且確保台面條的左右的中空部的雷射元件及雷射元件的製造方法為目標。
關於本案發明的雷射元件，其特徵在於包括：條狀隆起的脊部；通道部，其係與該脊部鄰接，將該脊部由兩側包夾，高度較該脊部低；平台部，其係與該通道部的與該脊部的相反側鄰接，形成較該通道部高；支持部，其係以樹脂形成，設於該通道部上，與該脊部的側面與該平台部的側面的至少一方隔離而設；天花板部，其係以樹脂形成，具有設於該支持部上的第1部分，及與該第1部分連接經由中空部位於該通道部上的第2部分；及金屬層，其係設於該天花板部上的同時，與該脊部的上面連接。
關於本案發明的雷射元件的製造方法，其特徵在於包括：在雷射構造的通道部的一部分形成樹脂，藉由該雷射構造與該樹脂形成密閉的中空部的步驟；在該樹脂上形成接於該脊部的上面的金屬層的步驟；使用抗蝕劑將該金屬層圖案化的步驟，其中該雷射構造，具有：條狀隆起的脊部；通道部，其係將該脊部由兩側包夾，高度較該脊部低；平台部，其係與該通道部的與該脊部的相反側鄰接，形成較該通道部高。
關於本案發明的雷射元件的製造方法，其特徵在於包括：在雷射構造的通道部的一部分，形成在與該脊部的側 面與該平台部的側面的至少一方隔離而設，以樹脂形成的支持部的步驟；將以該支持部與該脊部支持的樹脂作為材料的天花板部，以層壓法或STP法形成，在該天花板部與該通道部之間形成中空部的步驟；及在該天花板部上接於該脊部的上面的金屬層的步驟的步驟，其中該雷射構造，具有：條狀隆起的脊部；通道部，其係將該脊部由兩側包夾，高度較該脊部低；平台部，其係與該通道部的與該脊部的相反側鄰接，形成較該通道部高。
根據本發明，由於在脊部的左右的溝上，以設置在該溝中的支持部支持成為金屬層的底層的天花板部，故可防止天花板部的下垂。
10‧‧‧雷射結構
10a‧‧‧脊部
10b‧‧‧通道部
10c‧‧‧平台部
12、14、17‧‧‧絕緣膜
13‧‧‧支持部
15‧‧‧中空部
16‧‧‧天花板部
18‧‧‧金屬層
圖1係關於實施形態1的雷射元件的剖面圖。
圖2係雷射結構等的剖面圖。
圖3係前驅物等的剖面圖。
圖4係支持部等的剖面圖。
圖5係支持部等的平面圖。
圖6係支持部等的剖面圖。
圖7係絕緣膜等的剖面圖。
圖8係天花板部等的剖面圖。
圖9係天花板部的平面圖。
圖10係絕緣膜等的剖面圖。
圖11係金屬層等的平面圖。
圖12係用於說明靜電容而加以註釋的雷射元件的剖面圖。
圖13係實施形態2的雷射元件的剖面圖。
圖14係支持部等的剖面圖。
圖15係支持部等的剖面圖。
圖16係絕緣膜等的剖面圖。
圖17係形成寬的開口的天花板部等的剖面圖。
圖18係絕緣膜等的剖面圖。
圖19係實施形態3的雷射元件的剖面圖。
圖20係支持部等的剖面圖。
圖21係支持部等的剖面圖。
圖22係支持部等的平面圖。
圖23係絕緣膜等的剖面圖。
圖24係天花板部等的剖面圖。
圖25係實施形態4的雷射元件的剖面圖。
圖26係天花板部等的平面圖。
圖27係金屬層等的平面圖。
圖28係小小地形成的支持部等的平面圖。
圖29係小小地形成的天花板部等的平面圖。
圖30係小小地形成的金屬層等的平面圖。
圖31係關於實施形態5的雷射元件的剖面圖。
圖32係關於實施形態6的雷射元件的剖面圖。
圖33係關於實施形態7的雷射元件的支持部等的平面圖。
圖34係關於變形例的支持部等的平面圖。
圖35係關於實施形態8的支持部等的平面圖。
圖36係天花板部等的平面圖。
圖37係金屬層等的平面圖。
參照圖面說明關於本發明的實施形態的雷射元件及雷射元件的製造方法。關於相同或對應的構成要素有時賦予相同的符號，省略重覆說明。
實施形態1.
圖1係關於實施形態1的雷射元件的剖面圖。該雷射元件，包括線條狀隆起的脊部10a。在脊部10a旁邊，形成有鄰接脊部10a，將脊部10a由兩側包夾的通道部10b。通道部10b的高度較脊部10a低。在與通道部10b的脊部10a的相反側，形成有鄰接通道部10b的平台部10c。平台部10c形成較通道部10b高。平台部10c與脊部10a的高度為相同程度。將脊部10a、通道部10b及平台部10c總稱為雷射結構10。雷射結構10的材料為半導體。
雷射結構10的上面以絕緣膜12覆蓋。在通道部10b上設有，以樹脂形成的支持部13。支持部13，係由脊部10a的側面與平台部10c的側面的雙方，隔離設置。支持部13的左右成為中空部15。支持部13與絕緣膜12係以絕緣膜14覆蓋。
在雷射結構10與支持部13上，設有以樹脂形成的天花板部16。天花板部16，具有：第1部分16a，其係設於支持部13上；第2部分16b，其係經由中空部15位於與第1 部分16a連接的通道部10b上；及第3部分16c，其係設於平台部10c上。第1部分16a、第2部分16b及第3部分16c係一體形成。
在天花板部16上形成有面絕緣膜17。在天花板部16上，經由絕緣膜17設有金屬層18。絕緣膜12、14、17及天花板部16在脊部10a上具有開口。然後，藉由金屬層18嵌埋該等開口，金屬層18與脊部10a的上面連接。
說明關於本發明的實施形態1的雷射元件的製造方法。最初的步驟參照雷射結構等的剖面圖的圖2說明。在此步驟，將雷射結構10以絕緣膜12覆蓋。之後，將脊部10a上的絕緣膜12開口。
接著，對雷射結構10塗佈以感光性樹脂作為材料的前驅物。在剖面圖的圖3，顯示前驅物13A。前驅物13A，將以脊部10a、通道部10b及平台部10c所形成的溝嵌埋。
接著，藉由曝光、現影，將前驅物13A做圖案化。在剖面圖的圖4，顯示藉由將前驅物圖案化而得的支持部13。圖5係支持部3等的平面圖。藉由將前驅物圖案化，形成與脊部10a及平台部10c分離的支持部13，及連接該支持部13的嵌入部30。支持部13係與脊部10a平行伸長的部分。嵌入部30係設於通道部10b上，以平面視連接於支持部13的兩端。然後，嵌入部30，接於脊部10a的側面與平台部10c的側面的雙方。因此，嵌入部30係嵌入脊部10a旁的溝的一部分。在圖5，顯示4個如此的嵌入部30。嵌入部30，係沿著雷射元件的端面設置。圖5的構造的右側端面係前端面，而左側端面係 後端面。
接著，藉由進行固化處理，使以樹脂作為材料的支持部13硬化。在剖面圖的圖6，顯示固化處理後的支持部13。藉由調整上述前驅物13A的厚度或固化處理的溫度及時間，可使收縮後的支持部13及嵌入部30、脊部10a的高度呈同程度。
接著，在支持部13、嵌入部30及雷射結構10形成絕緣膜。在剖面圖的圖7，顯示在支持部13、嵌入部30及絕緣膜12上形成絕緣膜14。絕緣膜14，在脊部10a的上方具有開口。
接著，形成天花板部。在剖面圖的圖8，顯示天花板部16。天花板部16係以層壓法或STP法(Spin Coating Film Transfer and Hot-pressing：旋轉塗佈膜轉移熱壓法)形成。具體而言，將形成感光性樹脂膜的板片薄膜，與脊部10a、支持部13及平台部10c的表面接合。之後，藉由剝離板片薄膜，剩下由感光性樹脂膜組成的天花板部16。天花板部16，係以支持部13、脊部10a及平台部10c支持。藉由形成天花板部16，在天花板部16與通道部10b之間形成中空部15。
圖9，係形成天花板部16後的雷射元件的平面圖。在圖9，虛線係表示脊部10a與通道部10b的邊界，或通道部10b與平台部10c的邊界。一點虛線係表示支持部13及嵌入部30的輪廓。天花板部16，加上第1部分16a、第2部分16b及第3部分16c，設於嵌入部30上面，包括連接第1部分16a或第2部分16b的第4部分16d。藉由對天花板部，施以曝光 及現影處理，將此圖案化，使脊部10a的上面開口。之後，藉由固化處理使天花板部16硬化。形成天花板部16，則中空部15會藉由嵌入部30、雷射結構10及天花板部16密閉。中空部15係封鎖的空間，不會有物質由外部進入中空部15。
接著，形成絕緣膜。在剖面圖的圖10，顯示在天花板部16上形成絕緣膜17。該絕緣膜17在脊部10a的上部具有開口。接著，在天花板部16上，經由絕緣膜17形成金屬層18。形成金屬層18的雷射元件的剖面圖係圖1。該金屬層18，藉由嵌埋形成在脊部10a上的開口，而接於脊部10a的上面。
為利用金屬層18作為金屬配線，將金屬層18圖案化成預定的形狀。具體而言，以藉由天花板部16密閉中空部15的狀態，在絕緣膜17上形成抗蝕劑，將該抗蝕劑圖案化，以該抗蝕劑作為掩模，蝕刻金屬層18的一部分。藉此得到平面圖的圖11所示的圖案化的金屬層18。使用抗蝕劑時，由於中空部15係以天花板部16、嵌入部30及雷射結構10密閉，故並不會有抗蝕劑進入中空部15，而在那產生抗蝕劑殘渣。完成的金屬層18，在平台部上具有墊18A。墊18A係藉由打線接合，打線連接的部分。
根據關於本發明的實施形態1的雷射元件，可以消解天花板部16在中空部15下垂的問題，故說明關於此點。
在Jpn J.Appl.Phys Vol.42(2003)pp2462~2467，關於於使用STP法形成的樹脂膜的膜厚與中空部的大小的關係的記載。在此文獻，記載樹脂膜的膜厚在約2μm、約9μm時，為維持中空部，需要使各個中空部的寬度為20μm以下、100μm以 下(p2465，Fig10)。但是，一般的半導體雷射元件的通道部的寬度為10~50μm程度，共振器的長度為200μm程度。將天花板部的膜厚作成1~10μm，則難以在上述一般的半導體雷射元件，形成中空部。即，在上述一般的尺寸的半導體雷射元件形成天花板部，則天花板部的強度會不足，而有天花板部在中空部下垂的問題。
關於本發明的實施形態1的雷射元件，在通道部10b設支持部13，以該支持部13支撐天花板部16，故可防止天花板部16在中空部15下垂。
關於本發明的實施形態1的雷射元件，由於可使靜電容變小，故說明關於此點。靜電容C，係以C=ε0εrS/d(ε0：真空的介電常數，εr：相對介電常數，S：面積，d：距離)的式表示。由於關於本發明的實施形態1的雷射元件的金屬層18，可設於中空部15之上，故與金屬層18沿著脊部10a的側面、通道部10b的上面及平台部10c的側面設置時相比，可使金屬層18遠離雷射結構10。因此，可使靜電容變小。
為比較以樹脂嵌埋脊部的左右的溝的情形，與形成中空部的情形，參照圖12。由於在中空部15有空氣，故其相對介電常數為1。將樹脂膜的支持部13與天花板部16的相對介電常數當作3。使天花板部16的厚度為d1、中空部15的高度為2d1。支持部13的面積，以通道部10b的面積S1的一半的面積S1/2。藉此，脊部10a的左右的溝的體積的一半，係被支持部13佔有。
假設，以樹脂嵌埋脊部10a的左右的溝，則其靜電容C成 為C=ε0εrS1/(d1+2d1)=ε0S1/d1。
求具有中空部15時的靜電容。如圖12所示，使天花板部16的靜電容為C1、支持部13的靜電容為C2、中空部15的靜電容為C3。在圖12將對應於C1、C2、C3的部分以虛線表示。
各個靜電容為C1=ε0εrS1/d1=ε0‧3‧S1/d1=3ε0S1/d1
C2=ε0εrS1/2/2d1=ε0‧3‧S1/d1=3ε0S1/d1
C3=ε0εrS1/2/2d1=ε0‧1‧S1/d1=ε0S1/d1。
如圖12所示，天花板部16係以直列，支持部13與中空部15係以並列的關係，表示形成中空部15時的全體的靜電容C之式，成為1/C=1/C1+1/(C2+C3)。因此，會成為C=C1‧(C2+C3)/(C1+C2+C3)=3/4‧ε0S1/d1。
由以上可知，形成中空部15之情形，可使靜電容較以樹脂嵌埋脊部10a左右的溝之情形小。藉由使靜電容變小，可提供對高速運作有利的雷射元件。
關於本發明的實施形態1的雷射元件，由於可使寄生電容變小，故說明關於此點。當由脊部引出的配線經由絕緣膜接於雷射結構，則由於該絕緣膜的介電常數較大，會使寄生電容變大。為防止寄生電容變大，需要使金屬配線及其一部分的墊部的面積變小，而使寄生電容變小。墊部小則在組裝步驟，需要很高的打線接合精度，故缺乏生產穩定性。
但是，在本發明的實施形態1，藉由設置中空部 15，可將金屬層18與雷射結構10隔離。並且，由於在金屬層18與雷射結構10之間，並非介電常數高的絕緣膜，而存在以具有低介電常數的樹脂形成的天花板部16及支持部13，故可使寄生電容變小。而寄生電容變小的部分，可使墊面積變大，故可提升生產穩定性。
此外，在雷射結構10上形成樹脂，則有因二者的線膨脹係數差在樹脂內產生應力，而有使樹脂剝離或在樹脂發生龜裂之虞。但是，在關於本發明的實施形態1的雷射元件，藉由設置中空部15，可減少以樹脂形成的支持部13與雷射結構10的接觸面積。因此，可使支持部13的內部應力變小，而可抑制支持部13的剝落及龜裂。
根據關於本發明的實施形態1的雷射元件的製造方法，由於可確保中空部15，故說明關於此點。如上所述，中空部15，係以天花板部16、嵌埋部30及雷射結構10密閉的狀態，使用用於圖案化金屬層18的抗蝕劑，故可防止抗蝕劑進入中空部15。因此，可確保中空部15。
關於本發明的實施形態1的雷射元件及雷射元件的製造方法，可在不失其特徵的範圍，可有各式各樣的變形。例如，為邊設置支持部13邊確保中空部15，支持部13只要與脊部10a的側面與平台部10c的側面的至少一方間隔設置即可。即，支持部13，可接於脊部10a的側面或平台部10c的側面。若支持部13，接於平台部10c時，天花板部16的第3部分16c，不與第2部分16b，而與第1部分16a連接。第3部分16c，可按照支持部13的位置，連接於第1部分16a或第2 部分16b。
在該雷射元件的絕緣膜12、14、17，係用於提升各層的密著性及提升半導體雷射的耐濕性而形成。關於有無該等絕緣膜及形狀，可適宜變更。例如，亦可省略絕緣膜14、17。
絕緣膜12、14、17，需要在脊部10a上具有開口。形成絕緣膜17之後，可將絕緣膜12、14、17的開口一口氣形成。藉由將絕緣膜12、14、17的開口一口氣形成，可較分別以其他步驟形成絕緣膜12、14、17形成開口的情形縮短步驟。
亦可使支持部13與天花板部16的雙方，或其一方作成非感光性樹脂。此時，例如首先，將非感光性樹脂形成如圖3的前驅物3A的形狀，之後，對該樹脂，以乾式蝕刻進行全面的回蝕，使該樹脂與脊部10a及平台部10c的表面一致。之後，形成絕緣膜的硬掩模及抗蝕劑，以乾式蝕刻圖案化通道部10b內的樹脂，形成支持部13。天花板部16，為在一部分開口使脊部10a的表面露出，在天花板部16的上部，形成絕緣膜的硬掩模及抗蝕劑，進行乾式蝕刻。使用非感光性樹脂，則有在固化時，從樹脂材料釋出的出氣較少的優點。
為確保中空部15，使用抗蝕劑圖案化金屬層18時，需要將中空部15密閉。只要可藉由樹脂材料與雷射結構10密閉中空部15，可適宜變更以樹脂形成的支持部13與天花板部16的形狀。該等的變形，亦可適宜應用於以下的實施形態的雷射元件及雷射元件的製造方法。
再者，關於以下的實施形態的雷射元件及雷射元件的製造方法，由於有很多與實施形態1相似之處，故以與實 施形態1不同的點為中心說明。
實施形態2.
圖13係關於實施形態2的雷射元件的剖面圖。關於實施形態2的雷射元件，係使支持部40接觸脊部10a的側面。天花板部16，係以支持部40與平台部10c支持。藉由支持部40接於脊部10a的左右，與實施形態1相比脊部結構的寬度較大。
說明關於本發明的實施形態2的雷射元件的製造方法。首先如圖2、3，形成絕緣膜12，塗佈感光性樹脂的前驅物13A。接著，將該前驅體13A圖案化，形成支持部40。在剖面圖的圖14，顯示支持部40。對前驅物13A，以曝光、顯影處理進行圖案化，形成接於脊部10a的支持部40。在此，脊部寬，係前驅物的最小圖案尺寸，即較解析度小時，會在脊部10a的上部殘留膜厚薄的樹脂膜。該薄的樹脂膜，可藉由輕度的灰化去除。
接著，藉由進行固化處理，使支持部40硬化。在剖面圖的圖15，顯示以固化處理而硬化的支持部40。將前驅物13A的材料，以可藉由固化處理而收縮的樹脂材料製作，在固化處理使支持部40收縮，使支持部40的高度與脊部10a的高度呈相同程度。
接著，形成絕緣膜。在剖面圖的圖16，揭示形成絕緣膜14。絕緣膜14，將雷射結構10及支持部40覆蓋。絕緣膜14，在脊部10a的上部具有開口。接著，使用與實施形態1同樣的層壓法或STP法，使形成樹脂的板片薄膜，接合在脊部10a、支持部40及平台部10c的表面。在圖17，顯示天花 板部16。藉由如此地在通道部10b的一部分，以樹脂材料形成支持部40，在該支持部40上形成天花板部16，與雷射結構10形成以樹脂密閉的中空部15。天花板部16成為中空部15的天花板。
藉由曝光、顯影處理，將天花板部16圖案化，在脊部10a上的部分開口。之後，對天花板部16進行固化處理。由於支持部40接於脊部10a，故可使天花板部16的開口寬幅W2變大。對此，在實施形態1，由於支持部13與脊部10a分離，故天花板部16需要以脊部10a支持。因此，可將圖17的開口寬幅W2，較圖8所示的天花板部16的開口寬幅W1大。
接著，在天花板部16上形成絕緣膜。在剖面圖的圖18，顯示絕緣膜17。將脊部10a上的絕緣膜17去除。接著，藉由在天花板部16上形成接於脊部10a的上面的金屬層18。使用抗蝕劑，將金屬層18圖案化，在平台部10c上以預定的形狀形成墊電極。如此，完成圖13所示，具有金屬層18的雷射元件。再者，以樹脂，形成支持部40、天花板部16、嵌入部30，以支持部13與嵌入部30支持天花板部16的點與實施形態1相同。
脊部10a的寬度，例如，細到2μm以下時，為形成天花板部16，在脊部10a上黏貼板片薄膜時，有將脊部10a折斷之虞。但是，關於本發明的實施形態2的雷射元件，由於使支持部40與脊部10a接觸，故支持部40補強脊部10a，提昇脊部10a的強度。因此，可防止脊部10a折斷。
在實施形態1，需要在脊部10a上，設置「支撐天 花板部16的部分」及「天花板部16開口的部分」的雙方。因此，以感光性樹脂膜的曝光、現象的圖案化的最小寬幅，較脊部寬幅大時，無法在脊部10a上，設置「支撐天花板部16的部分」及「天花板部16開口的部分」的雙方。即，無法形成中空部15。即使是以感光性樹脂膜的曝光、現象的圖案化的最小寬幅，較脊部寬幅小時，需要確保某種程度的「支撐天花板部」的部分，故難以確保製程的穩定性。
因此，在本發明的實施形態2，藉由在脊部10a的側面，經由絕緣膜與支持部40接觸，形成寬幅較脊部10a與支持部40大的脊部結構。藉此，不只是脊部10a，可在脊部10a與支持部40上，設置「支撐天花板部16的部分」與「天花板部16開口的部分」。因此，可在充分寬廣的地方設置「支撐天花板部16的部分」與「天花板部16開口的部分」，故可使製程穩定。
藉由如此地，形成寬幅較脊部10a與支持部40大的脊部結構，可使天花板部16的開口寬幅W2變大。當開口寬幅W2大，則可使脊部10a上的金屬層18的體積變大，可提升降低金屬層18的配線電阻的利益。由於在天花板部16的開口的左右的天花板部16係呈錐度形狀，故可使填埋該開口的金屬層18的體積變大。設置上方的開口寬幅較下方大的逆錐度形狀的天花板部，則可能發生天花板部16的段切。但是，如圖17所示，設置上方的開口寬幅較下方小的開口寬幅的錐度形狀的天花板部16，則可防止天花板部16的段切。
再者，藉由在脊部10a的側面設置支持部40，可 防止支持部40的剝離。例如，在將脊部的左右的溝以BCB嵌埋的BCB嵌入型脊部導波路結構的製造，在脊部上部的樹脂層形成開口的乾式蝕刻，有樹脂從脊部側面剝離的問題。但，在本發明的實施形態2，由於係以感光性樹脂形成天花板部16，而可藉由曝光、現影、及輕度的灰化，在天花板部16形成開口，故可防止支持部40的剝離。
實施形態3.
圖19係關於實施形態3的雷射元件的剖面圖。該雷射元件，包括圖1所示的支持部13及圖13所示的支持部40的雙方。即，設有接於脊部10a的側面的部分的支持部40，與不接於脊部10a的側面及平台部10c的側面的部分的支持部13作為支持部。
說明關於實施形態3的雷射元件的製造方法。首先，如參照圖2、3所說明地形成前驅物13A。接著，將該前驅物13A圖案化。在剖面圖的圖20，顯示圖案化前驅物而得的支持部13、40。之後，藉由灰化及固化處理，使支持部13、40及嵌入部30、與脊部10a的高度呈相同程度。在剖面圖的圖21，顯示藉由灰化及固化處理，使支持部13、40、與脊部10a的高度呈相同程度。
圖22係圖21的雷射元件的平面圖。支持部13與支持部40，在平面視，將通道部10b的一部分包圍。支持部13、40，係絕緣膜12開口，而包圍露出脊部10a的部分。亦可使支持部13與平台部10c接觸。
接著，如剖面圖的圖23所示，在雷射結構10及 支持部13、40形成絕緣膜14。接著，如剖面圖的圖24所示，形成以支持部13、40及平台部10c支持的天花板部16。天花板部16，將以支持部13、40包圍的空間密閉。具體而言，天花板部16成為密閉支持部13及支持部40所包夾的中空部15的蓋子。再者，使圖22的支持部13的端部與平台部10c接觸時，由於該部分作用作為嵌入部，故以支持部13及平台部10c包夾的區域，亦以天花板部16密閉。
接著，藉由形成絕緣膜17及金屬層18，完成圖19所示雷射元件。藉由將支持部13、40形成一個雷射元件，可享受實施形態1、2所說明的效果的雙方。
實施形態4.
圖25係關於實施形態4的雷射元件的剖面圖。該雷射元件的天花板部16係設於通道部10b的上方，而並沒有設在平台部10c的上方。詳言之，天花板部16係以支持部13及支持部40支持，並沒有以平台部10c支持。支持部13、40的平面形狀係如圖22所示。
圖26係天花板部16等的平面圖。天花板部16，係設於通道部10b與脊部10a上，而並沒有設於平台部10c上。圖27係金屬層18等的平面圖。金屬層18的一部分的墊18A，係設於支持部13的正上。靜電容C，係以C=ε0εrS/d(ε0：真空的介電常數，εr：相對介電常數，S：面積，d：距離)的式表示。在實施形態4，由於只有在通道部10b與脊部10a的正上設有金屬層18，故可使金屬層18的面積較實施形態1小。因此，可使靜電容變小。靜電容小的雷射元件，適於高速運作。
設如圖27所示的小的金屬層18時，可使天花板部的面積較圖26所示天花板部16小。設置小的天花板部時，亦可使支撐它的支持部變小。例如，在圖28，顯示小小地形成的支持部13、40。支持部13、40係形成在較共振器的端面的內側。支持部13、40在共振器長的方向的長度較共振器長短。
在圖29，顯示形成在圖28的支持部13、40上的天花板部16。圖29的天花板部16，共振器長的方向的長度較圖26的天花板部16短。圖29的天花板部16，較共振器長的方向的長度較共振器長小。然後，在該天花板部16上，形成如圖30所示的金屬層18。
實施形態5.
圖31係關於實施形態5的雷射元件的剖面圖。在實施形態1-4，以半導體形成平台部10c，但實施形態5的平台部60係以樹脂形成。以樹脂形成的平台部60的高度容易調整。因此，容易對齊脊部10a、支持部13、40及平台部60的高度。
實施形態6.
圖32係關於實施形態6的雷射元件的剖面圖。金屬層18，係在2個平台部10c之中，有在一方的平台部10c上，而沒有在另一方的平台部10c上。如此地僅在雷射元件的一側配置金屬層18的配線，可使配線的寄生電容變小。
靜電容C，係以C=ε0εrS/d(ε0：真空的介電常數，εr：相對介電常數，S：面積，d：距離)的式表示。實施形態6的金屬層18的面積，係實施形態1的金屬層18的面積的一半，故可使靜電容減少一半。靜電容小的雷射元件，有利於高速運 作。
實施形態7.
圖33係關於實施形態7的雷射元件的支持部等的平面圖。以感光性樹脂為材料的支持部13，可沿著共振器長的方向複數形成。換言之，複數島狀的支持部13沿著脊部10a設置。天花板部及金屬層的形狀與實施形態1相同。
如此地藉由在平面視，斷斷續續地設置支持部13，與實施形態1相比可增加中空部的體積。因此，可提供寄生電容小的雷射元件。此外，與實施形態1相比，由於以樹脂形成的支持部13的體積會減少，故可使該樹脂的內部應力變小，而可抑制該樹脂的剝離及龜裂。
圖34係表示支持部的變形例的圖。在圖34，將支持部13的數量減到比圖33少，而將嵌埋部30從共振器端面向共振器中央方向移動該部分。藉由嵌埋部30、支持部13及平台部10c上形成天花板部，可形成密閉的中空部。使天花板部的長度較共振器長短，使天花板部以支持部或嵌埋部支持。
實施形態8.
圖35係關於實施形態8的支持部等的平面圖。嵌埋部30，係設在較雷射元件的端面的內側。圖36係表示，形成在圖35的支持部13、嵌埋部30及平台部10c上的天花板部16的圖。如在實施形態1參照圖9說明，對雷射結構全體形成天花板部16，但在實施形態8，如圖36所示在共振器的短邊方向形成長的天花板部16。天花板部16為感光性樹脂時，藉由曝光、顯影及灰化將天花板部16圖案化。另一方面，天花板部16為非 感光性樹脂時，在天花板部16的上部，以絕緣模形成硬掩模及抗蝕劑，藉由乾式蝕刻進行圖案化。
圖37係表示形成在天花板部16上的金屬層18的圖。關於實施形態8的雷射元件的特徵係考慮金屬層18的形狀，僅在必要的部分形成支持部13。根據本發明的實施形態8，由於以樹脂形成的支持部13及天花板部6的體積，與實施形態1相比會減少，故可使支持部13及天花板部16的內部應力變小。因此，可抑制支持部13及天花板部16的樹脂材料，發生剝離或龜裂。再者，至此所說明的各實施形態的雷射元件及雷射元件的製造方法的特徵，亦可適宜組合使用。
10‧‧‧雷射結構
10a‧‧‧脊部
10b‧‧‧通道部
10c‧‧‧平台部
12、14、17‧‧‧絕緣膜
13‧‧‧支持部
15‧‧‧中空部
16‧‧‧天花板部
18‧‧‧金屬層

Claims (18)

  1. 一種雷射元件，其特徵在於包括：條狀隆起的脊部；通道部，其係與上述脊部鄰接，將上述脊部由兩側包夾，高度較上述脊部低；平台部，其係與上述通道部的與上述脊部的相反側鄰接，形成較上述通道部高；支持部，其係以樹脂形成，設於上述通道部上，與上述脊部的側面與上述平台部的側面的至少一方隔離而設；天花板部，其係以樹脂形成，具有設於上述支持部上的第1部分，及與上述第1部分連接經由中空部位於上述通道部上的第2部分；及金屬層，其係設於上述天花板部上的同時，與上述脊部的上面連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中上述天花板部，具有連接於上述第1部分或上述第2部分，設於上述平台部上的第3部分。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述的雷射元件，其中上述支持部，係由上述脊部的側面及上述平台部的側面的雙方隔離設置。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述的雷射元件，其包括：嵌入部，其係設在上述通道部上，以平面視連接於上述支持部的兩端，接於上述脊部的側面與上述平台部的側面的雙方，以樹脂被形成；及 第四部分，其係形成作為上述天花板部的一部分，設在上述嵌入部上，連接上述第1部分或上述第2部分。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的雷射元件，其中上述嵌入部係沿著雷射元件的端面設置。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的雷射元件，其中上述嵌入部設在較雷射元件的端面的內側。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述的雷射元件，其中上述支持部接於上述脊部的側面。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述的雷射元件，其中上述支持部，包括：接於上述脊部的側面的部分；及不與上述脊部的側面，亦不與上述平台部的側面接觸的部分。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中上述天花板部係設於上述通道部的上方，並沒有設於上述平台部的上方。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述的雷射元件，其中上述平台部係以樹脂形成。
  11. 如申請專利範圍第2項所述的雷射元件，其中上述金屬層，有在一方的上述平台部的上方，但並沒有在另一方的上述平台部的上方。
  12. 如申請專利範圍第1或2項所述的雷射元件，其中上述支持部係沿著共振器長的方向複數形成。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的雷射元件，其中上述支持部，係在平面視以包圍上述金屬層與接於上述脊部的部分地設置，上述天花板部，將以上述支持部包圍的空間密閉。
  14. 一種雷射元件的製造方法，其特徵在於包括：在雷射構造的通道部的一部分形成樹脂，以上述雷射構造與上述樹脂形成密閉的中空部的步驟；在上述樹脂之上，形成接於上述脊部的上面的金屬層的步驟；使用抗蝕劑將上述金屬層圖案化的步驟，其中上述雷射構造，具有：條狀隆起的脊部；通道部，其係將該脊部由兩側包夾，高度較該脊部低；平台部，其係與該通道部的與該脊部的相反側鄰接，形成較該通道部高，。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的雷射元件的製造方法，其中上述樹脂具有：接於上述通道部的支持部；及設於上述支持部上成為上述中空部的天花板的天花板部，上述天花板部的一部分，係設於上述平台部上，藉由將上述金屬層圖案化，在上述平台部上形成墊電極。
  16. 如申請專利範圍第14項所述的雷射元件的製造方法，其包括：支持部，其係設於上述通道部上，與上述脊部的側面與上述平台部的側面的至少一方隔離設置；嵌埋部，其係設於上述通道部上，以平面視連接於上述支持部的兩端，與上述脊部的側面與上述平台部的側面的雙方接觸；及天花板部，其係藉由上述支持部與上述嵌入部支持，上述中空部的天花板。
  17. 一種雷射元件的製造方法，其特徵在於包括： 在雷射構造的通道部的一部分，形成在與該脊部的側面與該平台部的側面的至少一方隔離而設，以樹脂形成的支持部的步驟；將以該支持部與該脊部支持的樹脂作為材料的天花板部，以層壓法或STP法形成，在該天花板部與該通道部之間形成中空部的步驟；及在該天花板部上接於該脊部的上面的金屬層的步驟的步驟，其中該雷射構造，具有：條狀隆起的脊部；通道部，其係將該脊部由兩側包夾，高度較該脊部低；平台部，其係與該通道部的與該脊部的相反側鄰接，形成較該通道部高。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的雷射元件的製造方法，其中上述支持部，與上述脊部的側面接觸。
TW106101506A 2016-06-09 2017-01-17 雷射元件、雷射元件的製造方法 TWI663801B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016115335A JP6627651B2 (ja) 2016-06-09 2016-06-09 レーザ素子、レーザ素子の製造方法
JP2016-115335 2016-06-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201810843A true TW201810843A (zh) 2018-03-16
TWI663801B TWI663801B (zh) 2019-06-21

Family

ID=60573194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106101506A TWI663801B (zh) 2016-06-09 2017-01-17 雷射元件、雷射元件的製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9923336B2 (zh)
JP (1) JP6627651B2 (zh)
KR (1) KR101928655B1 (zh)
CN (1) CN107492787B (zh)
TW (1) TWI663801B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111200237A (zh) * 2018-11-20 2020-05-26 潍坊华光光电子有限公司 一种桥式电极半导体激光器及其制备方法
CN113922210B (zh) * 2021-09-13 2024-01-05 厦门三安光电有限公司 激光二极管及其封装结构

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002359437A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Toshiba Electronic Engineering Corp 光半導体素子および光半導体素子の製造方法
JP4785276B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-05 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体光機能素子の製造方法
JP2004335530A (ja) * 2003-04-30 2004-11-25 Mitsubishi Electric Corp リッジ導波路型半導体レーザ
JP4570422B2 (ja) 2004-08-24 2010-10-27 シャープ株式会社 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた装置
JP2007173392A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子の作製方法及び半導体光素子
JP2008186859A (ja) 2007-01-26 2008-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2009103915A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Fuji Xerox Co Ltd 光導波路フィルム及びその製造方法、並びに、光送受信モジュール
DE102008013896A1 (de) * 2007-12-21 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserlichtquelle
JP5439953B2 (ja) * 2008-10-30 2014-03-12 ソニー株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
CN102308443B (zh) * 2009-02-05 2014-06-18 三菱电机株式会社 平面波导型激光器以及显示器装置
JP5521411B2 (ja) * 2009-07-03 2014-06-11 ソニー株式会社 半導体レーザ装置
JP2011023628A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置
JP2011077339A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sony Corp 半導体レーザ
JP2011165869A (ja) * 2010-02-09 2011-08-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP5521611B2 (ja) * 2010-02-15 2014-06-18 ソニー株式会社 光装置および光機器
JP2013149747A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Sumitomo Electric Ind Ltd 導波路型の光半導体素子
JP6094043B2 (ja) 2012-03-16 2017-03-15 三菱電機株式会社 半導体レーザ素子
JP6379696B2 (ja) * 2014-06-05 2018-08-29 住友電気工業株式会社 量子カスケード半導体レーザ
JP6371609B2 (ja) * 2014-07-04 2018-08-08 日本オクラロ株式会社 半導体発光素子
JP2016197657A (ja) * 2015-04-03 2016-11-24 住友電気工業株式会社 量子カスケード半導体レーザ
JP6672721B2 (ja) 2015-11-09 2020-03-25 三菱電機株式会社 半導体レーザーおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10069281B2 (en) 2018-09-04
US20170358902A1 (en) 2017-12-14
JP2017220608A (ja) 2017-12-14
TWI663801B (zh) 2019-06-21
JP6627651B2 (ja) 2020-01-08
KR20170139455A (ko) 2017-12-19
CN107492787A (zh) 2017-12-19
CN107492787B (zh) 2019-11-15
KR101928655B1 (ko) 2018-12-12
US9923336B2 (en) 2018-03-20
US20180109077A1 (en) 2018-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI663801B (zh) 雷射元件、雷射元件的製造方法
TW201703270A (zh) 半導體裝置及其製造方法
US9190291B2 (en) Fin-shaped structure forming process
CN112242358B (zh) 半导体装置及其制造方法
US6465339B2 (en) Technique for intralevel capacitive isolation of interconnect paths
KR100394304B1 (ko) 고체 촬상 장치의 마이크로 렌즈 형성 방법
CN111095526B (zh) 用于制造半导体器件的方法以及半导体器件
JP2009070835A (ja) 半導体素子およびその製造方法
US7974505B2 (en) Method for fabricating selectively coupled optical waveguides on a substrate
US20210021938A1 (en) Microphone and manufacture thereof
TWI549243B (zh) 半導體結構及其製造方法
US6555462B2 (en) Semiconductor device having stress reducing laminate and method for manufacturing the same
TW201543634A (zh) 半導體結構及其製作方法
JP3230725B2 (ja) 位置合せ用マークを用いた半導体装置の製法
TWI623247B (zh) Mass production method of preform of passive component
US20210159151A1 (en) Sensing device and manufacturing method thereof
JP3129284B2 (ja) 半導集積回路装置の製造方法
JPS61119056A (ja) 半導体装置の製造方法
US11749638B2 (en) Method for contacting and packetising a semiconductor chip
US20200075523A1 (en) Integrated circuits with conductive bumps having a profile with a wave pattern
KR100428785B1 (ko) 트렌치 소자분리구조를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법
JPH0611044B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN114334659A (zh) FinFET器件的制造方法
JP2007281300A (ja) 半導体装置およびその製造方法
KR20180018364A (ko) 반도체 장치