JP6379696B2 - 量子カスケード半導体レーザ - Google Patents
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Description
図3を参照しながら、一実施例に係る量子カスケード半導体レーザを作製する方法を説明する。この量子カスケード半導体レーザは、分布反射器を含むと共にダブルチャネル構造を有する。図3における各部分において、直交座標系Sにより生産物の向きを示す。図3においては、製造工程における生産物を一素子区画のサイズで描いており、描かれた生産物は、多くの場合、二次元に配列される形態で作製される。まず、InP基板51を準備する。このInP基板51は、n導電性を有しており、このためにドーパントとして錫を備える。エピタキシャル成長工程では、図3の(a)部に示されるように、InP基板51の(100)面上に量子カスケードコア層53を成長する。この成長は、例えば有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法で行われる。量子カスケードコア層53は、半導体の超格子構造を有しており、超格子構造は、発光部及び注入部として、例えばInGaAs層及びAlInAs層を含む。InGaAs層の厚さは例えば0.5nm以上から10nm以下であり、AlInAs層の厚さは例えば0.5nm以上から10nm以下である。各層の厚みは所望の発振波長に合わせて調整される。積層の繰り返しは、例えば20層以上から60層以下であり、本実施例では30層である。超格子構造の厚さは例えば2.3μmである。この量子カスケードコア層53上に、n型InPクラッド層55を成長する。n型InPクラッド層55の厚さは例えば3μmである。n型InPクラッド層55上に、n型InGaAsコンタクト層57を成長する。n型InGaAsコンタクト層57の厚さは例えば100nmである。n型InPクラッド層55及びn型InGaAsコンタクト層57にn導電性を付与するために、これらの半導体層には例えばシリコンがドーパントとして添加される。これらのエピタキシャル成長により、半導体積層59が形成される。
本実施例におけるエッチング条件の一例。
ハロゲン系ガス:HI。
プラズマ励起ガス:Ar。
これらのガスの(流量比)混合比:[HI]:[Ar]=2:8〜10:0。又は、HIガス100%。
[HI]/([HI]+[Ar])=0.2〜1。
量子カスケードコア層の半導体超格子構造のAlInAs層及びInGaAs層のエッチングレートが、その上下に位置するクラッド領域のInPのエッチングレートに比べて大きいエッチング条件では、半導体超格子構造に対するエッチング異方性がクラッド領域に対するエッチング異方性に比べて弱まって、等方的なエッチング性が半導体超格子構造のエッチングに寄与することになる。半導体超格子構造とクラッド領域との間におけるエッチング異方性の差により、半導体超格子構造の側面は、その上下に位置するクラッド領域における一方のクラッド領域(下部)の側面に対して順メサ形状になり、他方のクラッド領域(上部)の側面に対して逆メサ形状になる。
図4を参照しながら、一実施例に係る量子カスケード半導体レーザを作製する方法を説明する。この量子カスケード半導体レーザは、分布反射器を含むと共にダブルチャネル構造を有する。実施例1と同様に準備したInP基板上に、InGaAs層及びAlInAs層の積層を含む量子カスケードコア層、SiドープInPクラッド層、及びSiドープInGaAsコンタクト層を成長する。この形態は、例えば図3の(a)部に示されている。n型InPクラッド層の厚さは例えば3μmであり、n型InGaAsコンタクト層の厚さは例えば0.5μmである。これらのエピタキシャル成長により、半導体積層59が形成される。本実施例では、半導体積層59は、量子カスケードコア層53、n型InPクラッド層55及びn型InGaAsコンタクト層57を含む。
本実施例におけるエッチング条件の一例。
ハロゲン系ガス:HI。
プラズマ励起ガス:Ar。
これらのガスの(流量比)混合比:[HI]:[Ar]=1:9〜2:8。
[HI]/([HI]+[Ar])=0.1〜0.2。
メサストライプ形成のための上記ドライエッチングには、ハロゲン系ガスを用いる誘導結合プラズマ−反応性イオンエッチング(ICP−RIE)法を適用できる。このエッチングにより、レーザストライプのための半導体メサ71aが作製される。エッチング条件の結果として、半導体メサ71aの量子カスケードコア層の側面に実質的な窪みは形成されない。半導体メサの形成の後に、図4の(b)部に示されるように、SiN製のマスク69を除去することなくマスク69を選択成長のためのマスクとして用いる。マスク69を用いて半絶縁性InPの埋め込み成長を行って、半導体メサ71aを埋め込む。この成長には、例えば有機金属気相成長法が用いられる。半導体メサ71aは、素子区画の境界を横切って素子区画の行方向に延在する。半導体メサ71aは、量子カスケードコア層53、n型InPクラッド層55、及びn型InGaAsコンタクト層57を含む。埋め込み成長により、半導体メサ71aの両側を埋め込む半絶縁性InP埋込領域73が形成される。
本実施例におけるエッチング条件の一例。
ハロゲン系ガス:HI。
プラズマ励起ガス:Ar。
これらのガスの(流量比)混合比:[HI]:[Ar]=2:8〜10:0。又は、HIガス100%。
[HI]/([HI]+[Ar])=0.2〜1。
このドライエッチングにおいては、実施例1と同様の作用により、半導体超格子構造の側面は、その上下に位置するクラッド領域における一方のクラッド領域(下部)の側面に対して順メサ形状になり、他方のクラッド領域(上部)の側面に対して逆メサ形状になる。或いは、実施例1と同様に、半導体壁にウエットエッチングを適用することができる。
7μm波長帯の量子カスケード半導体レーザの構成例。
ストライプメサ長(共振器長):0.3μm〜3mm。
InP基板の厚さ:100μm。
InGaAs/AlInAs超格子構造のコア層の厚さ:2.3μm。
メサストライプの幅:3μm〜10μm。
InPクラッド層の厚さ:3μm。
InGaAsコンタクト層の厚さ:0.5μm。
上部電極の厚さ:5μm。
分布ブラッグ反射器の半導体壁の厚さ:2μm(3λ/4)又は0.6μm(λ/4)。
分布ブラッグ反射器の半導体壁の間隔:6μm(3λ/4)又は2μm(λ/4)。
コア層下に設けられる半導体壁の厚さ(掘り込み量):1μm。
また、上記の実施例に従って作製された分布ブラッグ反射器の反射率を測定した。InP基板の(100)面上に形成された分布ブラッグ反射器の半導体壁は、図6の(a)部に示される構造を有する。半導体壁の側面には、実施例で説明された窪みが形成されていた。
分布ブラッグ反射器:3λ/4構造の2周期(発振波長:λ)。
量子カスケードコア層(総厚:2.3μm、InGaAs層の厚さ:0.5nm以上から10nm以下、AlInAs層の厚さ:0.5nm以上から10nm以下、各層の厚みは所望の発振波長に合わせて調整される。繰り返す数:20層以上から60層以下。
n型InPクラッド層(厚さ:3μm)。
n型InGaAsコンタクト層(厚さ:0.5μm)。
反射率:60%。
図6の(b)部に示される同様の半導体積層のへき開端面の反射率:30%。
窪み無しの同様の構造の分布ブラッグ反射器の反射率:50%。
レーザストライプの端面から分布ブラッグ反射器への方向に出射される光は広がる。この光は、分布ブラッグ反射器の多数の平坦な半導体壁側面によって反射されるけれども、平坦な半導体壁側面はレーザストライプ端面における光の広がりを収束させることができない。分布ブラッグ反射器の半導体壁側面の量子カスケードコア層の窪みは、レーザストライプを伝搬する光が、レーザストライプの量子カスケードコア層端面に分布ブラッグ反射器の平坦な半導体壁側面に比べてより多く戻ることに寄与する。
Claims (5)
- 量子カスケード半導体レーザであって、
第1軸の方向に配列された第1領域及び第2領域を有する第1導電型半導体領域と、
前記第1軸に交差する第2軸の方向に順に配列された量子カスケードコア半導体層及び第1導電型の上部クラッド層を含み、前記第2領域上に設けられた半導体積層と、
前記第2軸の方向に延在する側面を有する一又は複数の半導体壁を含み、前記第1領域上に設けられたブラッグ反射器と、
を備え、
前記半導体壁の前記側面は、前記半導体積層の端面に光学的に結合され、
前記半導体壁は前記量子カスケードコア半導体層及び前記上部クラッド層を含み、
前記半導体壁の前記量子カスケードコア半導体層は、第1部分、第2部分及び第3部分を有し、前記第2部分、前記第3部分及び前記第1部分は前記第2軸の方向に順に配列され、
前記半導体壁の前記量子カスケードコア半導体層の側面は、前記半導体壁内の前記上部クラッド層の側面に対して窪みを有し、前記半導体壁の前記量子カスケードコア半導体層の前記第1部分の側面は、逆メサ形状を有し、前記半導体壁の前記量子カスケードコア半導体層の前記第2部分の側面は、順メサ形状を有し、前記半導体壁の前記量子カスケードコア半導体層の前記第3部分は、前記窪みの最深部を有する、量子カスケード半導体レーザ。 - 前記量子カスケードコア半導体層は、1.5μm以上の厚さを有する、請求項1に記載された量子カスケード半導体レーザ。
- 前記量子カスケードコア半導体層は、交互に配列されたAlInAs層及びInGaAs層を含む、請求項1又は請求項2に記載された量子カスケード半導体レーザ。
- 前記半導体積層を規定する第1溝及び第2溝を更に備え、
前記第1溝は、前記第1軸の方向に延在する第1テラスと前記半導体積層とにより規定され、
前記第2溝は、前記第1軸の方向に延在する第2テラスと前記半導体積層とにより規定され、
前記半導体壁は、前記第1テラスに接続された一端と、前記第2テラスに接続された他端とを有する、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された量子カスケード半導体レーザ。 - 前記半導体積層を埋め込む半導体埋込領域を更に備え、
前記半導体壁は、前記半導体埋込領域に接続された一端と、前記半導体埋込領域に接続された他端とを有する、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された量子カスケード半導体レーザ。
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