JP2012074445A - 波長可変レーザ - Google Patents

Abstract

【課題】水平共振器型半導体レーザを用いて、垂直共振器型波長可変レーザが作製できなかった波長帯域が得られる波長可変レーザを実現する。
【解決手段】波長可変レーザにおいて、第１の半導体基板３２に形成された水平共振器型半導体レーザ３１と、第１の半導体基板の表面に設けられ平行方向の屈折率が周期的に変化されるＤＢＲミラー部３３と、第１の半導体基板の裏面がボンディングされて収納される切欠溝３６が設けられた第２の半導体基板３５と、水平共振器型半導体レーザに対向して前記第２の半導体基板に設けられ端面出射光を第１の半導体基板の表面に垂直方向に反射する４５度反射ミラー３７と、第２の半導体基板の表面にボンディングされる第３の半導体基板３８と、第３の半導体基板に設けられ４５度反射ミラーで反射された反射光を反射すると共に前記ＤＢＲミラー部と光共振器を形成し、共振器長が調節されるＭＥＭＳ可動ミラー３９と、を具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は光通信用および光を応用した各種計測用の波長可変レーザの構造に関するものである。
更に詳述すれば、水平共振器型半導体レーザを用いて、垂直共振器型波長可変レーザと同様構造を実現し、これまで垂直共振器型波長可変レーザで作製できなかった波長帯域が得られる波長可変レーザに関するものである。

通常の水平共振器型半導体レーザの共振器長は、波長の１０００倍程度と長いため、半導体の利得帯域に多数のファブリペローモードが存在する。
したがって水平共振器型波長可変レーザは、一つのファブリペローモードを選択する構造と、その選択するファブリペローモードの波長を変化させる機構が必要で、非常に複雑な構造になる。

一方、垂直共振器型半導体レーザの共振器長は波長の１０倍程度と短いため、半導体の利得帯域に一つのファブリペローモードしか存在しない。
したがって垂直共振器型波長可変レーザは、一つのファブリペローモードを選択する構造が不要で、単純に共振器長を変化させファブリペローモードの波長を変えることで、波長可変レーザを実現できる。
これまでに上部ＤＢＲミラーが無い半ＶＣＳＥＬレーザとＭＥＭＳ可動ミラーをフリップチップボンドした、垂直共振器型波長可変レーザが開発されている。

図８は従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図である。
図において、第１の電極１１は、ＩｎＰ基板１２の一面に設けられている。
ミラー層１３は、ＩｎＰ基板１２の一面に平行に、ＩｎＰ基板１２に設けられている。

この場合は、ＩｎＰ基板１２の一面側に設けられ、底部がミラー層１３に接する凹形状の出射孔１２１が設けられている。
また、この場合は、ミラー層１３はＩｎＰ化合物からなる。
活性層１４は、ミラー層１３の他面に一面が接して設けられ、ＩｎＰ基板１２に設けられている。

第２の電極１５は、活性層１４の他面に一面が設けられ中央部に光共振ギャップを構成する空隙部１６を有する。
ＳＯＩ基板１７は、第２の電極１５の他面に一面が設けられている。
凹面部１８は、ＳＯＩ基板１７の一面に、空隙部１６に対向して設けられている。

この場合は、凹面部１８はシリコンの選択研磨により形成されている。
光学薄膜１９は、凹面部１８に設けられ、ミラー層１３と光共振器を構成する。
この場合は、光学薄膜１９は誘電体多層膜よりなる。
静電駆動ギャップ部２１は、ＳＯＩ基板１７の酸化膜層に凹面部１８に対向して、ＳＯＩ基板のシリコン膜層にダイアフラム２２を構成する。

この場合は、静電駆動ギャップ２１はＳＯＩ基板１７の酸化膜層の犠牲層エッチングにより形成されている。
第３の電極２３は、ＳＯＩ基板１７の他面に一面が設けられている。

以上の構成において、光共振器の構造は、化合物ミラー１３と誘電体薄膜ミラー１９の間にＩｎＰの活性層１４の領域と空隙部１６の領域からなっている。
ＩｎＰの活性層１４に電流を注入し、その光が上下のミラー間を反射してレーザ発振を行うものである。

そして、発振波長は光共振器の長さにより決まる。
下側のＳＯＩ基板のダイアフラム２２とシリコン基板１７の間に電圧を印加することによりシリコンのダイアフラム部２２はシリコン基板方向に動く、そうすると光共振器の長さが長くなりレーザの発振波長が長波長側にシフトする。
このような動作で波長可変レーザが構成出来る。

この結果、
ＳＯＩ基板１７の一面に空隙部１６に対向して設けられた凹面部１８が形成されているので、回折損の低減と熱による凹面の曲率変化がない波長可変レーザが得られる。
ＩｎＰ基板１２にＳＯＩ基板１７が接合されているので、ＩｎＰ基板１２で発生した熱がＳＯＩ基板１７側に逃げ、ＳＯＩ基板１７側がヒートシンクとなり、放熱が良好な波長可変レーザが得られる。

凹形状の出射孔１２１が設けられたので、ミラー層１３から出射されたレーザ光がＩｎＰ基板１２を通ることなく、直接出射されるので、効率が良い波長可変レーザが得られる。

ミラー層１３はＩｎＰ化合物からなるので、ＩｎＰ基板に直接作り込めば良く、製作の容易な波長可変レーザが得られる。

凹面部１８はシリコンの選択研磨により形成されたので、半導体プロセスが直接利用でき、精密な凹面部１８が得られる波長可変レーザが得られる。

光学薄膜１９は誘電体多層膜よりなるので、半導体プロセスが直接利用でき、安価な波長可変レーザが得られる。

静電駆動ギャップ２１はＳＯＩ基板１７の酸化膜層の、犠牲層エッチングにより形成されるので、半導体プロセスが直接利用でき、安価な波長可変レーザが得られる。

特開２００５−２２３１１１号公報

このような装置においては、以下の問題点がある。
現在まで様々な材料と構造を用い、紫外から赤外まで幅広い波長帯域で半導体レーザが開発されている。
しかし水平共振器型半導体レーザに比べ、垂直共振器型半導体レーザの開発は技術的に難しいため、垂直共振器型半導体レーザが開発されている波長帯域は限られている。

更に、中赤外より長波長側の半導体レーザである量子カスケードレーザは、原理的に垂直方向の電界を持つ光でしか発振しない。
光は横波なので量子カスケードレーザの光は水平方向にしか進めず、垂直共振器型量子カスケードレーザは原理的に作ることができない。
図９に、水平共振器型半導体レーザ（量子カスケードレーザを含む）と垂直共振器型半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ）の波長帯域を示す。
このように垂直共振器型波長可変レーザの作製できる波長帯は制限されている。

本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、水平共振器型半導体レーザを用いて、垂直共振器型波長可変レーザと同様構造を実現し、これまで垂直共振器型波長可変レーザが作製できなかった波長帯域が得られる波長可変レーザを提供することにある。

このような課題を達成するために、本発明では、請求項１の波長可変レーザにおいては、
発光出射される波長が変更できる波長可変レーザにおいて、第１の半導体基板に形成された水平共振器型半導体レーザと、前記水平共振器型半導体レーザの前記第１の半導体基板の表面に平行方向の途中に設けられ前記平行方向の屈折率が周期的に変化されるＤＢＲミラー部と、前記第１の半導体基板の裏面がボンディングされて収納される切欠溝が表面に設けられた第２の半導体基板と、前記水平共振器型半導体レーザに対向して前記第２の半導体基板に設けられ端面出射光を前記第１の半導体基板の表面に垂直方向に反射する４５度反射ミラーと、前記第２の半導体基板の表面にその表面がボンディングされる第３の半導体基板と、この第３の半導体基板に設けられ前記４５度反射ミラーで反射された反射光を反射すると共に前記ＤＢＲミラー部と光共振器を形成し、この共振器長が調節されるＭＥＭＳ可動ミラーと、を具備したことを特徴とする。

本発明の請求項２の波長可変レーザにおいては、請求項１記載の波長可変レーザにおいて、
前記水平共振器型半導体レーザは、量子カスケードレーザが使用されたことを特徴とする。

本発明の請求項３の波長可変レーザにおいては、請求項１又は請求項２記載の波長可変レーザにおいて、
前記ＤＢＲミラー部は、前記第１の半導体基板の表面に垂直に周期的に切り欠かれて形成されたＤＢＲミラー部が使用されたことを特徴とする。

本発明の請求項４の波長可変レーザにおいては、請求項３記載の波長可変レーザにおいて、
前記周期的に切り欠かれた切り欠きの深さが前記水平共振器型半導体レーザの活性層に達しないように形成されたことを特徴とする。

本発明の請求項５の波長可変レーザにおいては、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の波長可変レーザにおいて、
前記水平共振器型半導体レーザの出射端面に設けられた無反射コートを具備したことを特徴とする。

本発明の請求項６の波長可変レーザにおいては、請求項１乃至請求項５の何れかに記載の波長可変レーザにおいて、
前記ＭＥＭＳ可動ミラーは、シリコン材が使用されたことを特徴とする。

本発明の請求項７の波長可変レーザにおいては、請求項１乃至請求項６の何れかに記載の波長可変レーザにおいて、
前記水平共振器型半導体レーザの活性層の厚さが前記発光出射される波長より厚くされたことを特徴とする。

本発明の請求項８の波長可変レーザにおいては、請求項１乃至請求項７の何れかに記載の波長可変レーザにおいて、
前記ＭＥＭＳ可動ミラーは、可動凹面ミラーを具備しこの可動凹面ミラーの設定曲率値により横モードが制御されるようにしたことを特徴とする。

本発明の請求項１によれば、次のような効果がある。
水平共振器型半導体レーザを使用して、垂直共振器型波長可変レーザと同様の原理で動作する短共振器可動ミラー型波長可変レーザが実現でき、小型で単純な構造で単一波長の波長可変レーザが得られる。
これにより従来の垂直共振器型波長可変レーザにおいて得られなかった波長帯域で発光する小型で単純な構造の波長可変レーザが得られる。

本発明の請求項２によれば、次のような効果がある。
量子カスケードレーザは物理的に縦方向の電界を持つ光でしか発光せず、また光は横波なので、物理的に垂直共振器型波長可変レーザを作製することができない。この量子カスケードレーザを使用して、垂直共振器型波長可変レーザと同様の原理で動作する短共振器可動ミラー型波長可変レーザが実現でき、小型で単純な構造で単一波長の波長可変レーザが得られる。これにより従来の垂直共振器型波長可変レーザにおいて得られなかった、中赤外からテラヘルツ波の波長帯域で発光する小型で単純な構造の波長可変レーザが得られる。

本発明の請求項３によれば、次のような効果がある。
ＤＢＲミラー部は、第１の半導体基板の表面に（垂直に）周期的に切り欠かれて形成されたＤＢＲミラー部が使用されたので、半導体と空気の屈折率で決まるＤＢＲミラー部の周期的屈折率差が非常に大きくなり、少ない周期の（短い）ＤＢＲミラー部で広い波長範囲にわたり高い反射率が得られる。これにより共振器長を更に短くでき、発光可能波長範囲の広い波長可変レーザが得られる。

本発明の請求項４によれば、次のような効果がある。
周期的に切り欠かれた切り欠きの深さが、水平共振器型半導体レーザの活性層に達しないように形成されたので、ＤＢＲミラー部の導波路構造を残すことが出来、光損失を低減しＤＢＲミラー部の反射率を向上できる。これにより発光可能波長範囲の広い波長可変レーザが得られる。

本発明の請求項５によれば、次のような効果がある。
無反射コートがないと半導体ＤＢＲミラー部とＭＥＭＳ可動ミラーで形成される光共振器の内部に出射端面の反射が存在するため複合光共振器構造となり、光共振器長と共振波長の関係が複雑になる。無反射コートにより単一光共振器構造となり、光共振器長と共振波長の関係が単純（線形）な波長可変レーザが得られる。

本発明の請求項６によれば、次のような効果がある。
単結晶シリコンは理想的な弾性材料であり、信頼性の高い波長可変レーザが得られる。

本発明の請求項７によれば、次のような効果がある。
活性層の厚さが波長より厚くなっているため、発光する光ビームの径を活性層厚より小さくし活性層内からはみ出さないようにできる。
このため光ビームの増幅利得を大きくでき、発光可能波長範囲の広い波長可変レーザが得られる。

本発明の請求項８によれば、次のような効果がある。
凹面ミラーの曲率値を変化させることにより、複数存在する共振器の各横モードの損失を変化させることができる。
したがって、高次横モードの損失が大きくなるように曲率値を設定することにより、基本横モードで発光する波長可変レーザが得られる。

本発明の一実施例の要部構成説明図である。 図１の要部構成説明図である。 図２の要部構成説明図である。 図１の動作説明図である。 本発明の他の実施例の要部構成説明図である。 本発明の他の実施例の要部構成説明図である。 本発明の他の実施例の要部構成説明図である。 従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図である。 レーザの波長帯域を示す図である。

以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例の要部構成説明図、図２は図１の要部構成説明図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、図３は図２の要部構成説明図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図である。
図において、図８と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図８との相違部分のみ説明する。

図１において、水平共振器型半導体レーザ３１は、第１の半導体基板３２に形成されている。
水平共振器型半導体レーザ３１は、この場合は、図３に示す如く、活性層３１１と、活性層３１１の両側に設けられた光封じ込め層（クラッド層）３１２，３１３と、出射端面に設けられた無反射コート３１４とを有する。

この場合は、水平共振器型半導体レーザ３１は、量子カスケードレーザが使用されている。
ＤＢＲミラー部３３は，水平共振器型半導体レーザ３１の第１の半導体基板３２の表面に平行方向の途中に設けられ、平行方向の屈折率が周期的に変化される。
この場合は、ＤＢＲミラー部３３は、第１の半導体基板３２の表面に垂直に周期的に切り欠かれて形成されている。

なお、図３に示す如く、第１の半導体基板３２の図の左側はハンドリングのためのハンドリング部３４である。
即ち、図３において、第１の半導体基板３２には、図の右側より、利得領域３２ａ、ＤＢＲミラー部３３、ハンドリング部３４が配置されている。
第２の半導体基板３５には、第１の半導体基板３２の裏面がボンディングされて収納される切欠溝３６が表面に設けられている。

４５度反射ミラー３７は、水平共振器型半導体レーザ３１に対向して、第２の半導体基板３５に設けられ、水平共振器型半導体レーザ３１の端面出射光を、第１の半導体基板３２の表面に垂直方向に反射する。
第３の半導体基板３８は、第２の半導体基板３５の表面に、その表面がボンディングされている。

ＭＥＭＳ可動ミラー３９は、第３の半導体基板３８に設けられ、４５度反射ミラー３７で反射された反射光を反射すると共に、ＤＢＲミラー部３３と光共振器を形成し、共振器長が調節される。
この場合は、ＭＥＭＳ可動ミラー３９は、シリコン材が使用されている。
第１の，第２の電極４０ａ，４０ｂは、第１の半導体基板３２の両面に設けられている。
第３の，第４の電極４０ｃ，４０ｄは、第３の半導体基板３８の両面に設けられている。

即ち、量子カスケードレーザ３１を周期的に垂直にエッチングし、ＤＢＲミラー部３３を形成し一方のミラーとする。
このとき空気と半導体の屈折率差が非常に大きいため、広い波長帯域で高反射率なミラーを少ない周期のＤＢＲミラー部３３で形成することができる（屈折率差が小さく多くの周期のＤＢＲミラー部３３でも高反射率は得られるが、反射率の半値幅が狭くなり波長可変範囲が制限され、更に等価的反射面までの距離が長くなり共振器長も長くなってしまう）。

これにより素子は組立て可能な大きさだが、共振器長は非常に短い端面出射型半導体レーザを作製することができる。
利得領域の端面には無反射コート３１４される。
第１の半導体基板３２をボンディングする切欠溝３６と異方性エッチングにより端面出射光を垂直方向に反射する４５度反射ミラー３７が形成されたシリコン材よりなる第２の半導体基板３５に、無反射コート３１４された第１の半導体基板３２をボンディングし、更に、これをＭＥＭＳ可動ミラー３９が設けられた第３の半導体基板３８にフリップチップボンディングする。

以上の構成において、第１の半導体基板３２に水平共振器型半導体レーザ３１を構成し、水平共振器型半導体レーザ３１の一方のミラーとしてＤＢＲミラー構造を用いることにより、第１の半導体基板３２を組立て可能な大きさに保ったまま、レーザの出射端面とＤＢＲミラーの距離を短くする。
第１の半導体基板３２の出射端面に無反射コート３１４をし、共振器への出射端面の反射の影響を除く。

切欠溝３６と４５度反射ミラー３７が形成されたシリコン材からなる第２の半導体基板３５に、無反射コート３１４された第１の半導体基板３２をボンディングする。
更に、この第２の半導体基板３５を、ＭＥＭＳ可動ミラー３９が設けられた第３の半導体基板３８にフリップチップボンディングする。
これにより、水平共振器型半導体レーザ３１のＤＢＲミラー部３３と外部可動ミラー３９で共振器長の短い光共振器を形成する。

図４（ａ）に示す如く、従来方式の水平共振器型半導体レーザの場合の半導体の利得帯域中にファブリペローモードが多数存在するのに対して、図４（ｂ）に示す如く、共振器長が短いので、半導体の利得帯域中にファブリペローモードが一つしか存在しないため、このままの構造で単一モードで発振する。
また、図４（ｂ）に示す如く、ＭＥＭＳ可動ミラー３９に電圧を印加し、共振器長を変化させることで、発振波長を可変することができる。

また、ＤＢＲミラー部３３として屈折率差の大きな半導体と空気の周期構造を用いることにより、少ない周期の（短い）ＤＢＲ構造で、広い波長範囲にわたり高い反射率が得られる。
これにより共振器長を更に短くでき、発光可能波長範囲の広い波長可変レーザが得られる。

この結果、
水平共振器型半導体レーザ３１を使用して、垂直共振器型波長可変レーザと同様の原理で動作する短共振器可動ミラー型波長可変レーザが実現でき、小型で単純な構造で単一波長の波長可変レーザが得られる。
これにより従来の垂直共振器型波長可変レーザにおいて得られなかった波長帯域で発光する小型で単純な構造の波長可変レーザが得られる。

水平共振器型半導体レーザ３１は、量子カスケードレーザが使用されたので、量子カスケードレーザは物理的に縦方向の電界を持つ光でしか発光せず、また光は横波なので、物理的に垂直共振器型波長可変レーザを作製することができない。

この量子カスケードレーザを使用して、垂直共振器型波長可変レーザと同様の原理で動作する短共振器可動ミラー型波長可変レーザが実現でき、小型で単純な構造で単一波長の波長可変レーザが得られる。
これにより従来の垂直共振器型波長可変レーザにおいて得られなかった、中赤外からテラヘルツ波の波長帯域で発光する小型で単純な構造の波長可変レーザが得られる。

ＤＢＲミラー部３３は、第１の半導体基板３２の表面に垂直に周期的に切り欠かれて形成されたＤＢＲミラー部が使用されたので、半導体と空気の屈折率で決まるＤＢＲミラー部の周期的屈折率差が非常に大きくなり、少ない周期の（短い）ＤＢＲミラー部で広い波長範囲にわたり高い反射率が得られる。
これにより共振器長を更に短くでき、発光可能波長範囲の広い波長可変レーザが得られる。

水平共振器型半導体レーザの出射端面に無反射コート３１４が設けられたので、無反射コート３１４がないと、半導体ＤＢＲミラー部３３とＭＥＭＳ可動ミラー３９で形成される光共振器の内部に出射端面の反射が存在するため、複合光共振器構造となり、光共振器長と共振波長の関係が複雑になる。
無反射コート３１４により単一光共振器構造となり、光共振器長と共振波長の関係が単純（線形）な波長可変レーザが得られる。

ＭＥＭＳ可動ミラー３９は、シリコン材が使用されたので、単結晶シリコンは理想的な弾性材料であり、信頼性の高い波長可変レーザが得られる。

図５は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
図５において、第１の半導体基板３２に、表面より、順次、光封じ込め層（クラッド層）４１１、回析格子層４１２、活性層４１３，光封じ込め層（クラッド層）４１４を積層構造に構成したものである。
そして、ＤＢＲミラー部３３に相当する部分の回析格子層４１２に、凹凸部４１２１が設けられている。

この結果、第１の半導体基板３２の表面に平行方向の屈折率が周期的に変化されるＤＢＲミラー部が得られる。

図６は、本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
図６において、第１の半導体基板３２に、表面より、順次、光封じ込め層（クラッド層）５１１、活性層５１２，光封じ込め層（クラッド層）５１３を積層構造に構成したものである。
そして、光封じ込め層（クラッド層）５１１のＤＢＲミラー部３３に相当する部分の、周期的に切り欠かれた切り欠き５１１１の深さが、活性層５１２に達しないように形成されている。

この結果、周期的に切り欠かれた切り欠き５１１１の深さが、活性層５１２に達しないように形成されたので、ＤＢＲミラー部３３の導波路構造を残すことが出来、光損失を低減しＤＢＲミラー部３３の反射率を向上できる。
これにより発光可能波長範囲の広い波長可変レーザが得られる。

図７は本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
図７において、第１の半導体基板３２に、表面より、順次、光封じ込め層（クラッド層）６１１、活性層６１２，光封じ込め層（クラッド層）６１３を積層構造に構成したものである。
そして、活性層６１２の厚さが、水平共振器型半導体レーザから発光出射される波長より厚くされている。

この結果、活性層６１２の厚さが波長より厚くなっているため、発光する光ビームの径を活性層厚より小さくし活性層内からはみ出さないようにできる。
このため光ビームの増幅利得を大きくでき、発光可能波長範囲の広い波長可変レーザが得られる。

なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。

１１ 第１の電極
１２ ＩｎＰ基板
１２１ 出射孔
１３ ミラー層
１４ 活性層
１５ 第２の電極
１６ 空隙部
１７ ＳＯＩ基板
１８ 凹面部
１９ 光学薄膜
２１ 静電駆動ギャップ部
２２ ダイアフラム
２３ 第３の電極
３１ 水平共振器型半導体レーザ
３１１ 活性層
３１２ 光封じ込め層（クラッド層）
３１３ 光封じ込め層（クラッド層）
３１４ 無反射コート
３２ 第１の半導体基板
３２ａ 利得領域
３３ ＤＢＲミラー部
３４ ハンドリング部
３５ 第２の半導体基板
３６ 切欠溝
３７ ４５度反射ミラー
３８ 第３の半導体基板
３９ ＭＥＭＳ可動ミラー
４０ａ 第１の電極
４０ｂ 第２の電極
４０ｃ 第３の電極
４０ｄ 第４の電極
４１１ 活性層光封じ込め層（クラッド層）
４１２ 回析格子層
４１２１ 凹凸部
４１３ 活性層
４１４ 光封じ込め層（クラッド層）
５１１ 光封じ込め層（クラッド層）
５１１１ 切り欠き
５１２ 活性層
５１３ 光封じ込め層（クラッド層）
６１１ 光封じ込め層（クラッド層）
５１１１ 切り欠き
６１２ 活性層
６１３ 光封じ込め層（クラッド層）

Claims (8)

1. 発光出射される波長が変更できる波長可変レーザにおいて、
   第１の半導体基板に形成された水平共振器型半導体レーザと、
   前記水平共振器型半導体レーザの前記第１の半導体基板の表面に平行方向の途中に設けられ前記平行方向の屈折率が周期的に変化されるＤＢＲミラー部と、
   前記第１の半導体基板の裏面がボンディングされて収納される切欠溝が表面に設けられた第２の半導体基板と、
   前記水平共振器型半導体レーザに対向して前記第２の半導体基板に設けられ端面出射光を前記第１の半導体基板の表面に垂直方向に反射する４５度反射ミラーと、
   前記第２の半導体基板の表面にその表面がボンディングされる第３の半導体基板と、
   この第３の半導体基板に設けられ前記４５度反射ミラーで反射された反射光を反射すると共に前記ＤＢＲミラー部と光共振器を形成し、この共振器長が調節されるＭＥＭＳ可動ミラーと、
   を具備したことを特徴とする波長可変レーザ。
2. 前記水平共振器型半導体レーザは、量子カスケードレーザが使用されたこと
   を特徴とする請求項１記載の波長可変レーザ。
3. 前記ＤＢＲミラー部は、前記第１の半導体基板の表面に垂直に周期的に切り欠かれて形成されたＤＢＲミラー部が使用されたこと
   を特徴とする請求項１又は請求項２記載の波長可変レーザ。
4. 前記周期的に切り欠かれた切り欠きの深さが前記水平共振器型半導体レーザの活性層に達しないように形成されたこと
   を特徴とする請求項３記載の波長可変レーザ。
5. 前記水平共振器型半導体レーザの出射端面に設けられた無反射コート
   を具備したことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の波長可変レーザ。
6. 前記ＭＥＭＳ可動ミラーは、シリコン材が使用されたこと
   を特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載の波長可変レーザ。
7. 前記水平共振器型半導体レーザの活性層の厚さが前記発光出射される波長より厚くされたこと
   を特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の波長可変レーザ。
8. 前記ＭＥＭＳ可動ミラーは、可動凹面ミラーを具備しこの可動凹面ミラーの設定曲率値により横モードが制御されるようにしたこと
   を特徴とする請求項１乃至請求項７の何れかに記載の波長可変レーザ。