TWI623247B - Mass production method of preform of passive component - Google Patents

Mass production method of preform of passive component Download PDF

Info

Publication number
TWI623247B
TWI623247B TW104120520A TW104120520A TWI623247B TW I623247 B TWI623247 B TW I623247B TW 104120520 A TW104120520 A TW 104120520A TW 104120520 A TW104120520 A TW 104120520A TW I623247 B TWI623247 B TW I623247B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
preform
body portion
substrate
passive component
main body
Prior art date
Application number
TW104120520A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201701313A (zh
Inventor
Min Ho Hsiao
Pang Yen Lee
Yen Hao Tseng
Original Assignee
Wafer Mems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wafer Mems Co Ltd filed Critical Wafer Mems Co Ltd
Priority to TW104120520A priority Critical patent/TWI623247B/zh
Priority to CN201510484391.3A priority patent/CN106298206B/zh
Priority to US15/152,885 priority patent/US20160379969A1/en
Publication of TW201701313A publication Critical patent/TW201701313A/zh
Priority to US15/782,500 priority patent/US20180033675A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI623247B publication Critical patent/TWI623247B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/702—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof
    • H01L21/705—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof of thick-or thin-film circuits or parts thereof of thick-film circuits or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/10—Inductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Abstract

本發明提供一種被動元件的預形體，是連接於一基板的一基座，基座具有一輪廓面，且基座之輪廓面包括相反設置的一第一側緣及一第二側緣。該被動元件的預形體包含：一主體部與至少一連接部。主體部具有一輪廓面，主體部之輪廓面包括相反設置的一第一側緣及一第二側緣。連接部具有一輪廓面，連接部的輪廓面包括相反設置的一第一端與一第二端。連接部的第一端與第二端是分別連接於基座的第二側緣與主體部的第一側緣，以令連接部的輪廓面銜接於主體部的輪廓面與基座的輪廓面；其中，主體部與連接部為一體者。本發明亦提供前述被動元件的預形體之量產方法。

Description

被動元件的預形體的量產方法
本發明是有關於一種預形體(preform)，特別是指一種被動元件的預形體的量產方法。
目前市面上的被動元件以電感器(inductor)舉例來說，主要可分為薄膜式(thin film)、積層式(multilayer)及繞線式(wire wound)。如台灣第TW 201440090 A早期公開號發明專利案(以下稱前案1)所公開的一種積層式電感器1(見圖1)及其製造方法(見圖2至圖7)。
該積層式電感器1的製造方法，包含以下步驟：(A)由下而上依序積層壓接一第一電路陶瓷母片110、一第二電路陶瓷母片120、一第三電路陶瓷母片130，及一第四電路陶瓷母片140(如圖2所示)；(B)令一表面塗佈有一焊墊電極(bonding pad)1501陣列的載膜150，面向該第一電路陶瓷母片110的一第一預定電路圖案1120陣列設置(如圖3所示)；(C)將該焊墊電極1501陣列轉印至該第一電路陶瓷母片110上的第一預定電路圖案1120陣列從而構成一第一電路圖案112陣列(如圖4所示)；(D)剝離該載膜150(如圖5所示)；(E)燒結該等電路陶瓷母片110、120、130、140以構成一集合基板100(如圖6所示)；及(F)以一刻劃具 160對該集合基板100施予刻劃，令該集合基板100被分割成多數個積層體10，且令集合基板100內的第一電路圖案112陣列被分割成多數個第一電路圖案112並構成如圖1所示的積層式電感器1。
如圖1所示，經該步驟(F)所刻劃出的該積層式電感器1由下而上依序包含：一第一電路陶瓷片11、一第二電路陶瓷片12、一第三電路陶瓷片13，及一第四電路陶瓷片14。該第一電路陶瓷片11具有一非磁性體111，及該配置於該第一電路陶瓷片11之非磁性體111中的第一電路圖案112。該第二電路陶瓷片12與該第三電路陶瓷片13分別具有一磁性體121、131，及一分別配置於其磁性體121、131中的第二電路圖案122與第三電路圖案132。該第四電路陶瓷片14具有一非磁性體141，及一配置於該第四電路陶瓷片14之非磁性體141中的第四電路圖案142。
該積層式電感器1是利用該等電路陶瓷片11、12、13、14的電路圖案112、122、132、142以共同構成一內繞式的線圈。然而，詳細地來說，於執行該步驟(A)之前，是依序對多數陶瓷母片(圖未示)貫孔以於各陶瓷母片形成多數通孔、於各通孔內填置導電糊以形成多數導通導體，以及在各陶瓷母片上塗置導電糊以形成各電路圖案等多道程序，才可製得各電路陶瓷母片110、120、130、140。此外，在執行完該步驟(E)的燒結處理與該步驟(F)之刻畫後才可取得各積層式電感器1之積層體10的外觀面。就製程面來說，前案1的程序相當繁瑣，使製造成本提升。另外， 因為積層體10是經堆疊燒結該等電路陶瓷母片110、120、130、140並施予刻劃後所取得，使該積層式電感器1體積也隨之提高，而不利於安排至電路板上的布局。
經上述說明可知，簡化被動元件之外觀面的製 作方法以降低製作成本，是此技術領域的相關技術人員所待突破的難題。
因此，本發明之目的，即在提供一種被動元件的預形體。
本發明之另一目的，即在提供一種被動元件的預形體之量產方法。
於是，本發明被動元件的預形體，是連接於一基板的一基座，該基座具有一輪廓面，且該基座之輪廓面包括相反設置的一第一側緣及一第二側緣。該被動元件的預形體包含：一主體部與至少一連接部。
該主體部具有一輪廓面，該主體部之輪廓面包括相反設置的一第一側緣及一第二側緣。該連接部具有一輪廓面，該連接部的輪廓面包括相反設置的一第一端與一第二端。該連接部的第一端與第二端是分別連接於該基座的第二側緣與該主體部的第一側緣，以令該連接部的輪廓面銜接於該主體部的輪廓面與該基座的輪廓面。在本發明中，該主體部與該連接部是由一相同於該基板的材質所構成，且該主體部與該連接部為一體者(unity)。
此外，本發明被動元件的預形體之量產方法， 包含以下步驟：一步驟(a)與一步驟(b)。
該步驟(a)，是至少於一基板的一上表面或一下 表面上形成一具有一預定圖案的光阻層。該預定圖案具有一覆蓋該基板之上表面或下表面的陣列。該陣列具有複數外觀形狀，且各外觀形狀沿一第一方向依序具有彼此連接的一基座部、至少一橋接部與一本體部，該等外觀形狀之主體部是沿該第一方向或沿一與該第一方向夾一預定角度的第二方向彼此間隔排列。
該步驟(b)，是對該基板進行蝕刻(etching)，以 令裸露於該光阻層之預定圖案之陣列外的基板被移除掉，並從而形成複數基座與複數對應連接於各基座之如前所述之被動元件的預形體。
本發明之功效在於，藉由該被動元件的預形體 預先成形於該基板，無須機械刻畫，並利用該等連接部連接於各基座，使各主體部便於被折斷，因而有利於量產化且製程簡化。另外，相較多層陶瓷母片燒結，該被動元件的預形體為一體結構，因而具有較高的結構穩定度。
2‧‧‧被動元件的預形體
20‧‧‧基板
200‧‧‧基座
201‧‧‧上表面
202‧‧‧下表面
203‧‧‧輪廓面
204‧‧‧第一側緣
205‧‧‧第二側緣
21‧‧‧主體部
210‧‧‧輪廓面
211‧‧‧第一側緣
212‧‧‧第二側緣
213‧‧‧溝槽
214‧‧‧穿孔
22‧‧‧連接部
220‧‧‧輪廓面
221‧‧‧第一端
222‧‧‧第二端
2221‧‧‧凹槽
3‧‧‧光阻層
31‧‧‧預定圖案
310‧‧‧外觀形狀
311‧‧‧基座部
312‧‧‧橋接部
3121‧‧‧缺口
313‧‧‧本體部
4‧‧‧第一電極層
5‧‧‧介電層
6‧‧‧第二電極層
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一立體分解圖，說明由台灣第TW 201440090 A早期公開號發明專利案所公開的一種積層式電感器；圖2是一截面圖，說明該積層式電感器的製造方法的一步驟(A)； 圖3是一截面圖，說明該積層式電感器的製造方法的一步驟(B)；圖4是一截面圖，說明該積層式電感器的製造方法的一步驟(C)；圖5是一截面圖，說明該積層式電感器的製造方法的一步驟(D)；圖6是一截面圖，說明該積層式電感器的製造方法的一步驟(E)；圖7是一截面圖，說明該積層式電感器的製造方法的一步驟(F)；圖8是一俯視示意圖，說明本發明被動元件的預形體的一第一實施例；圖9是一局部截面圖，說明以該第一實施例之被動元件之預形體所製作出的一電容器；圖10是一俯視示意圖，說明本發明被動元件的預形體的一第二實施例；圖11是一俯視示意圖，說明該第二實施例之被動元件之預形體之一主體部形成有複數溝槽的一態樣；圖12是一俯視示意圖，說明該第二實施例之被動元件之預形體之主體部形成有複數穿孔的另一態樣；圖13是一俯視示意圖，說明本發明被動元件的預形體的一第三實施例；圖14是一沿圖13的直線XⅣ-XⅣ所取得的剖視示意圖； 圖15是一俯視示意圖，說明本發明被動元件的預形體之量產方法的一實施例之一步驟(a)；圖16是一沿圖15的直線XⅥ-XⅥ所取得的剖視示意圖；圖17是一俯視示意圖，說明該量產方法之實施例的一步驟(b)；圖18是一沿圖17的直線XⅧ-XⅧ所取得的剖視示意圖；圖19是一俯視示意圖，說明該量產方法之實施例的一步驟(c)；圖20是一俯視示意圖，說明該量產方法之實施例的一步驟(d)。
在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖8，本發明被動元件的預形體2的一第一實施例，是連接於一基板20的一基座200，該基座200具有一輪廓面203，且該基座200之輪廓面203包括相反設置的一第一側緣204及一第二側緣205。該被動元件的預形體2包含一主體部21與兩個連接部22。
該主體部21具有一輪廓面210，該主體部21之輪廓面210包括相反設置的一第一側緣211及一第二側緣212。
各連接部22具有一輪廓面220，各連接部22 的輪廓面220包括相反設置的一第一端221與一第二端222。如圖8所示，各連接部22的第一端221與第二端222是分別連接於該基座200的第二側緣205與該主體部21的第一側緣211，以令各連接部22的輪廓面220銜接於該主體部21的輪廓面210與該基座200的輪廓面203。各連接部22的第一端221朝其第二端222定義出一第一方向X，且該等連接部22是沿一與該第一方向X夾一預定角度的第二方向Y彼此間隔設置。在本發明各實施例中，該預定角度以90度為例作說明，但不以此為限。
更具體地來說，在本發明該第一實施例中，該 基座200的輪廓面203是由如圖8所示之該基座200的一頂面區、一底面區、一左側面區、一右側面區、一前面區與一背面區所共同定義而成；該主體部21的輪廓面210是由如圖8所示之該主體部21的一頂面區、一底面區、一左側面區、一右側面區、一前面區與一背面區所共同定義而成；各連接部22的輪廓面220是由如圖8所示之各連接部22的一頂面區、一底面區、一前面區與一背面區所共同定義而成；此外，該主體部21與該連接部22是由一相同於該基板20的材質所構成。較佳地，該材質是選自一以矽為主的材料(Si-based material)或一金屬材料。更佳地，該以矽為主的材料可為石英(quartz)、矽晶圓(silicon wafer)、碳化矽(SiC)或氮化矽(Si3N4)。經前述說明可知，本發明該第一實施例之各連接部22的輪廓面220可銜接該基座200的輪廓面203與該主體部21的輪廓面210；此外，基於構成 該基板20之該材質是選自該以矽為主的材料或該金屬材料，該主體部21與該等連接部22是由該相同於該基板20的材質所構成，且該主體部21與該連接部22為一體者，以致該預形體2之主體部21的整體結構強度高，不像圖1所示之積層式電感器1般，於該等電路陶瓷片11、12、13、14相鄰界面間存在有強度不足的問題。
整合本發明該第一實施例上述詳細說明，簡單 地來說，本發明於上面所述之一體者，是被定義為一體結構。此外，所謂的一體結構，是指該主體部21是經由蝕刻一塊材(bulk matter)所成形取得，以致於該主體部21結構強度高，且內部不存在有層間剝離的問題。該塊材可以是一板狀的塊材，如，石英基板(quartz wafer)。
此處須補充說明的是，本發明被動元件的預形 體2主要是透過微機電系統(MEMS)的製程來量產化。關於本發明被動元件之預形體2的相關量產方法，則容後說明。進一步地來說，本發明被動元件之預形體2也同樣可透過MEMS製程以簡易地於預形體2的主體部21上製作出被動元件所需的線路。以電容器舉例來說(參閱圖9)，圖9顯示有採用本發明該第一實施例之預形體2並透過MEMS製程所製成的一電容器。如圖9所示，將一第一電極層4、一介電層(dielectric layer)5及一第二電極層6依序鍍製於該主體部21之輪廓面210的頂面區上，以製作出該電容器。
參閱圖10，本發明被動元件的預形體的一第二 實施例，大致相同於該第一實施例，其不同之處在於各連 接部22的一寬度是自該第一端221朝第二端222(即，沿該第一方向X)遞減。本發明該第二實施例之預形體2中的各連接部22寬度沿該第一方向X遞減的目的，是配合本發明被動元件之預形體2的量產方法，其詳細目的與用途則容後說明。
參閱圖11與圖12，為了於該主體部21上進行 特殊線路布局以構成電感元件，還能透過MEMS製程在該主體部21上形成複數自該主體部21之輪廓面210的頂面區延伸至其底面區的溝槽213(如圖11示)，或是複數貫穿該主體部21之輪廓面210的頂面區與底面區的穿孔214(如圖12所示)。以電感元件舉例來說，當構成該基板20的材質是石英時，該預形體2之主體部21在透過MEMS製程來完成繞線線路後，則可做為一用於高頻頻寬的空芯電感(air-core inductor)；例如，當構成該基板20的材質是選自該金屬材料的銅(Cu)時，該預形體2之主體部21在透過MEMS製程來完成繞線線路後，亦可做為該空芯電感器。 但此處需補充說明的是，當構成該基板20之材質是選自該金屬材質的銅，且欲透過MEMS製程在該預形體2之主體部21的該等溝槽213或該等穿孔214上完成繞線線路時，則需在完成繞線線路前鍍覆上一絕緣層(insulator)以防止短路問題產生。
參閱圖13與圖14，本發明被動元件的預形體的 一第三實施例，大致相同於該第二實施例，其不同之處在於各連接部22的第二端222具有至少一凹槽2221。各連接 部22的凹槽2221是自各連接部22之輪廓面220的頂面區及其底面區兩者其中之一者向其頂面區及其底面區兩者其中另一者延伸，且是自各連接部22之輪廓面220之背面區沿該第二方向Y凹陷。在本發明該第一實施例中，各連接部22的凹槽2221數量是兩個，各連接部22之該兩凹槽2221之其中一者(見顯示於圖14之上方凹槽2221)是自其輪廓面220之頂面區朝其底面區延伸，且各連接部22的該兩凹槽2221之其中另一者(見顯示於圖14之下方凹槽2221)則是自其輪廓面220的底面區朝其頂面區延伸。
此處值得補充說明的是，於圖13中所顯示的各 凹槽2221是沿該第二方向Y凹陷以貫穿各連接部22之輪廓面220的前面區與背面區，但該等凹槽2221並不限於圖13所示的態樣，各凹槽2221也可以是未貫穿各連接部22之輪廓面220的前面區與背面區。各凹槽2221的目的是配合本發明被動元件之預形體2的量產方法，因此，各凹槽2221的詳細目的與用途，亦容後說明。
參閱圖15至圖18，本發明被動元件的預形體之 量產方法的一實施例是以MEMS製程來實施，其依序包含一步驟(a)與一步驟(b)。
參閱圖15與圖16，該步驟(a)是於該基板20的 一上表面201與一下表面202上各形成一具有一預定圖案31的光阻層3。各預定圖案31具有一覆蓋該基板20之上表面201或下表面202的陣列，各陣列具有複數外觀形狀310，且各外觀形狀310沿該第一方向X依序具有彼此連接 的一基座部311、兩橋接部312與一本體部313。該等外觀形狀310之本體部313是沿該第一方向X或沿該第二方向Y彼此間隔排列，且該等外觀形狀310之基座部311是沿該第一方向X或沿該第二方向Y彼此連接。在本發明量產方法之該實施例中，各光阻層3之該等外觀形狀310是如圖15所示，沿該第一方向X彼此間隔排列，且該等光阻層3之預定圖案31的該等外觀形狀310是如圖16所示，彼此上下對準。該等外觀形狀310之本體部313是沿該第二方向Y彼此間隔排列，該等外觀形狀310之基座部311是沿該第二方向Y彼此連接；各外觀形狀310之橋接部312的一寬度是沿該第一方向X遞減，且各外觀形狀310之該等橋接部312是沿該第二方向Y彼此間隔設置。形成於該基板20之上表面201與下表面202的光阻層3之各外觀形狀310的各橋接部312於鄰近其本體部313處形成有一缺口3121，且各缺口3121是自其橋接部312的一周緣沿該第二方向Y凹陷，以令各橋接部312與各本體部313彼此斷開。簡單地來說，各外觀形狀310的圖形輪廓(即，基座部311、橋接部312與本體部313)，是相同於如圖13所示之該第三實施例之預形體2的基座200之輪廓面203的頂面區、預形體2之連接部22之輪廓面220的頂面區與預形體2之主體部21之輪廓面210的頂面區。
此處值得補充說明的是，當構成該基板20的材 質是選自該以矽為主的材料時，為了進一步加強蝕刻時的保護效果，本發明量產方法還包含一於該步驟(a)之前的步 驟(a’)，該步驟(a’)是至少於該基板20的上表面201或下表面202上形成一金屬保護層(圖未示)，且該步驟(a)的光阻層3是形成於該金屬保護層上。在本發明量產方法之該實施例中，該步驟(a’)是於該基板20的上表面201及下表面202上分別形成該金屬保護層(圖未示)，且該步驟(a)的各光阻層3是形成於各金屬保護層(圖未示)上。
再參閱圖16並配合參閱圖17與圖18，該步驟 (b)是對該基板20進行濕式蝕刻或乾式蝕刻，以令裸露於該等光阻層3之預定圖案31之陣列外的基板20被移除掉，並從而形成複數基座200與複數對應連接於各基座200之如圖13所示之被動元件的預形體2。
再參閱圖18並配合參閱圖19與圖20，較佳地 ，於該步驟(b)後，還包含一步驟(c)與一步驟(d)。該步驟(c)是移除該等光阻層3，以於該基板20上留下如圖19所示之預形體2的陣列，與沿該第二方向Y彼此連接之基座200的陣列。該步驟(d)於該步驟(c)之後，且是於該等被動元件的預形體2的該等連接部22處，由上而下或由下而上分別施予一外力，使各被動元件的預形體2之連接部22的第二端222自各預形體2之主體部21的第一側緣211斷裂，從而令各被動元件的預形體2之主體部21自各連接部22脫離，以量產出該等預形體2之主體部21。
經前述量產方法的詳細說明可知，位於各光阻 層3之外觀形狀310之橋接部312處該等缺口3121是用來使該基板20於執行步驟(b)之蝕刻後，可形成如圖13所顯 示之各預形體2之連接部22的凹槽2221，而顯示於圖13中的凹槽2221其目的則是令該量產方法於執行該步驟(d)時，有利於受該外力所折斷以達量產化的效用。值得一提的是，各凹槽2221亦可於該步驟(b)形成出各預形體2的連接部22後，另以一切割器(scriber)或另外以蝕刻方式形成於各預形體2的連接部22上。
此處需補充說明的是，雖然本發明之量產方法 是用來量產被動元件之預形體2，但就如同前述被動元件之預形體2之各實施例所說明般，該被動元件之預形體2可透過MEMS製程於其主體部21上製作出被動元件所需的線路；因此，本發明之量產方法的步驟(d)亦可在形成完被動元件所需之線路後才實施。
詳細地來說，本發明被動元件之預形體2的量 產方法，僅需透過該步驟(a)與該步驟(b)即可完成被動元件之預形體2的輪廓面，無需如同前案1所述般，各陶瓷母片尚需先經過貫孔、填置與塗佈導電糊等程序以形成電路陶瓷母片110、120、130、140後，並經過燒結處理與刻劃處理等程序後才可取得如圖7所示之各積層式電感器1之積層體10的外觀面。再者，本發明被動元件之預形體2中的主體部21與連接部22為一體者，主體部21的整體結構強度高，不像如圖1所示之積層式電感器1般，於該等電路陶瓷片11、12、13、14相鄰界面間存在有強度不足的問題。
綜上所述，本發明被動元件的預形體2及其量 產方法，可令呈陣列排列設置的該等連接部22連接於各基座200，且該等連接部22中的凹槽2221設計，令各主體部21在透過MEMS製程完成被動元件所需線路後，使各主體部21便於被折斷，有利於量產化且製程簡化；此外，該被動元件的預形體2之連接部22與主體部21為一體結構，因而主體部21的整體結構強度高，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當 不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

Claims (7)

  1. 一種被動元件的預形體之量產方法，包含以下步驟：一步驟(a)，是至少於一基板的一上表面或一下表面上形成一具有一預定圖案的光阻層，該預定圖案具有一覆蓋該基板之上表面或下表面的陣列，該陣列具有複數外觀形狀，且各外觀形狀沿一第一方向依序具有彼此連接的一基座部、至少一橋接部與一本體部，該等外觀形狀之本體部是沿該第一方向或沿一與該第一方向夾一預定角度的第二方向彼此間隔排列；及一步驟(b)，是對該基板進行蝕刻，以令裸露於該光阻層之預定圖案之陣列外的基板被移除掉，並從而形成複數基座與複數對應連接於各基座之被動元件的預形體，各基座具有一包括相反設置的一第一側緣及一第二側緣的輪廓面，各被動元件的預形體包括一主體部及至少一連接部，各主體部具有一包括相反設置的一第一側緣及一第二側緣的輪廓面，各連接部具有一包括相反設置的一第一端與一第二端的輪廓面，各連接部的第一端與第二端是分別連接於各自所對應之基座的第二側緣與各自所對應之主體部的第一側緣，以令各連接部的輪廓面銜接於各自所對應之主體部的輪廓面與各自所對應之基座的輪廓面，且各主體部與各自所對應之連接部為一體者。
  2. 如請求項1所述的被動元件的預形體之量產方法，其中，該步驟(a)所形成之光阻層的數量是兩個，且該等光阻 層之預定圖案的該等外觀形狀是彼此上下對準。
  3. 如請求項2所述的被動元件的預形體之量產方法，其中，該步驟(a)之該等光阻層的各外觀形狀的橋接部的數量是兩個，各外觀形狀之橋接部的一寬度是沿該第一方向遞減，且各外觀形狀之該等橋接部是沿該第二方向彼此間隔設置。
  4. 如請求項3所述的被動元件的預形體之量產方法，其中，至少形成於該基板之上表面的光阻層之各外觀形狀的各橋接部於鄰近其本體部處形成有一缺口，且各缺口是自其橋接部的一周緣沿該第二方向凹陷。
  5. 如請求項2至4任一請求項所述的被動元件的預形體之量產方法，於該步驟(b)後，還包含一步驟(c)與一步驟(d)，該步驟(c)是移除該等光阻層；該步驟(d)於該步驟(c)之後，且是於該等被動元件的預形體的該等連接部處，由上而下或由下而上分別施予一外力，使各被動元件的預形體之連接部的第二端自各預形體之主體部的第一側緣斷裂，從而令各被動元件的預形體之主體部自各連接部脫離。
  6. 如請求項2至4任一請求項所述的被動元件的預形體之量產方法，其中，該步驟(a)之基板是由一材質所構成，該材質是選自一以矽為主的材料或一金屬材料；該以矽為主的材料是石英、矽晶圓、碳化矽，或氮化矽。
  7. 如請求項6所述的被動元件的預形體之量產方法，還包含一於該步驟(a)之前的步驟(a’)，構成該步驟(a)之基板 的材質是選自該以矽為主的材料，該步驟(a’)是至少於該基板的上表面或下表面上形成一金屬保護層，該步驟(a)的光阻層是形成於該金屬保護層上。
TW104120520A 2015-06-25 2015-06-25 Mass production method of preform of passive component TWI623247B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104120520A TWI623247B (zh) 2015-06-25 2015-06-25 Mass production method of preform of passive component
CN201510484391.3A CN106298206B (zh) 2015-06-25 2015-08-10 被动元件的预形体及其量产方法
US15/152,885 US20160379969A1 (en) 2015-06-25 2016-05-12 Patterned Wafer and Method of Making the Same
US15/782,500 US20180033675A1 (en) 2015-06-25 2017-10-12 Patterned Wafer and Method of Making the Same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104120520A TWI623247B (zh) 2015-06-25 2015-06-25 Mass production method of preform of passive component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201701313A TW201701313A (zh) 2017-01-01
TWI623247B true TWI623247B (zh) 2018-05-01

Family

ID=57602833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104120520A TWI623247B (zh) 2015-06-25 2015-06-25 Mass production method of preform of passive component

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20160379969A1 (zh)
CN (1) CN106298206B (zh)
TW (1) TWI623247B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI629694B (zh) * 2015-06-25 2018-07-11 威華微機電股份有限公司 Mass production method of preform of magnetic core inductor

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06283840A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Ibiden Co Ltd 基板フレーム及びその割り溝形成方法
JPH08172288A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Nippon Avionics Co Ltd プリント配線板用ヒートシンクの製造方法
JPH0918096A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Nec Corp 電子装置用基板編集体およびその分割方法
TW328415U (en) * 1991-06-14 1998-03-11 Ericsson Telefon Ab L M A circuit board having a lateral conductive pattern and shielded regions
TW453147B (en) * 1996-06-28 2001-09-01 Motorola Inc Method and circuit board panel or circuit board manufacturing that prevents assembly-line delamination and sagging
TWM511120U (zh) * 2015-06-25 2015-10-21 Wafer Mems Co Ltd 被動元件的預形體

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3883784B2 (ja) * 2000-05-24 2007-02-21 三洋電機株式会社 板状体および半導体装置の製造方法
JP2003115403A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の製造方法
TWI406616B (zh) * 2011-02-21 2013-08-21 Viking Tech Corp Passive components and their methods
CN103430252B (zh) * 2011-04-06 2017-03-29 株式会社村田制作所 层叠型电感元件及其制造方法
CN102867614A (zh) * 2011-07-04 2013-01-09 官淑燕 具有预成型壳体的晶片电感器及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW328415U (en) * 1991-06-14 1998-03-11 Ericsson Telefon Ab L M A circuit board having a lateral conductive pattern and shielded regions
JPH06283840A (ja) * 1993-03-25 1994-10-07 Ibiden Co Ltd 基板フレーム及びその割り溝形成方法
JPH08172288A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Nippon Avionics Co Ltd プリント配線板用ヒートシンクの製造方法
JPH0918096A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Nec Corp 電子装置用基板編集体およびその分割方法
TW453147B (en) * 1996-06-28 2001-09-01 Motorola Inc Method and circuit board panel or circuit board manufacturing that prevents assembly-line delamination and sagging
TWM511120U (zh) * 2015-06-25 2015-10-21 Wafer Mems Co Ltd 被動元件的預形體

Also Published As

Publication number Publication date
US20160379969A1 (en) 2016-12-29
CN106298206A (zh) 2017-01-04
CN106298206B (zh) 2019-01-04
TW201701313A (zh) 2017-01-01
US20180033675A1 (en) 2018-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5585740B1 (ja) 積層型インダクタ素子および通信装置
JP5637607B2 (ja) コイル部品
KR101441632B1 (ko) 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조방법 및 이에 의해 제조된 글라스 기반 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머
JP6614246B2 (ja) キャパシタ内蔵多層配線基板及びその製造方法
TW201448688A (zh) 複合式電路板及其製作方法
TWI592956B (zh) Core inductor production methods
TWI678952B (zh) 線路板結構及其製作方法
TW201023312A (en) Circuit board and method thereof
TWI592955B (zh) Embedded passive components and methods of mass production
TWI571994B (zh) 封裝基板及其製作方法
TWI623247B (zh) Mass production method of preform of passive component
TWI629694B (zh) Mass production method of preform of magnetic core inductor
TWM511120U (zh) 被動元件的預形體
KR20110023343A (ko) 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 재생방법
KR20110020098A (ko) 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법
TWM512796U (zh) 磁芯電感器的預形體
TWI623002B (zh) Mass production method of high frequency inductor
CN106550555B (zh) 一种奇数层封装基板及其加工方法
TWI611743B (zh) 圖案化線路結構及其製作方法
TWI555044B (zh) A method for producing a passive element with a terminal electrode
KR100763224B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI639365B (zh) 線路基板及線路基板的製造方法
TWM511110U (zh) 高頻電感器
JP2008172048A (ja) チップ部品の製造方法
TWM511121U (zh) 具有端電極之被動元件