KR20110020098A - 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20110020098A
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Abstract

본 발명은 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머는, 모재인 소결 기판; 상기 기판 표면에 설정 패턴으로 형성되는 금속전극; 상기 기판상에 금속전극을 감싸도록 증착 형성되는 절연막; 및 상기 절연막 상에 프로브 카드로 연결 또는 절연막 층마다 형성된 금속전극을 상호 연결하도록 형성되는 비아 홀 패턴;을 포함하며, 상기 금속전극 및 절연막은 순차 적층하면서 공통층을 형성하고, 이후 공통층 상에 변경층을 형성한다.
본 발명에 따르면, 기존의 다층세라믹 동시소결 방법을 전혀 사용하지 않고 금속배선과 절연층을 CVD 증착 기법을 사용함으로써 기존기술에서 문제가 되었던 동시소결에 따른 수축이나 변형으로 인한 불량 문제를 해소하여 수율이 향상되고 멤스와의 설계 어라인의 틀어짐을 방지할 수 있으며, 스페이스 트랜스포머를 디바이스(프로브 카드)에 관계없이 공통으로 사용되는 레이어(Layer)까지만 만들어 놓고, 이후 레이어(디바이스에 따라 변경을 요하는 층)는 필요시 제작할 수 있으므로 제조시간을 감소할 수 있다. 그리고 모재인 기판의 소재를 알루미나 대신 열전도율이 우수한 질화알루미늄(AIN)을 사용함으로써 열 안정화에 소요되는 시간이 상당히 감소하여 테스트 시간을 단축시킬 수 있고, 구리나 알루미늄 등과 같은 저융점 고전도도의 금속을 사용하여 배선이 가능하다. 그리고 비아 홀 패턴의 형성시 감광막을 사용한 포토에칭(Photo-Etching) 공정으로 진행함으로써 비아 홀의 사이즈를 원 하는 구경대로 형성할 수 있기 때문에 미세패턴 구현 및 정밀 가공이 가능한 효과가 있다.
프로브 카드, 스페이스 트랜스포머, 증착, 멤스(MEMS)

Description

프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법{SPACE TRANSFORMER FOR PROBE CARD AND MANUFACTURING METHOD OF SPACE TRANSFORMER FOR PROBE CARD}
본 발명은 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 멤스 방식의 프로브 카드에 적용하면서 스페이스 트랜스포머의 시트층을 한층 한층씩 증착하여 이루는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 프로브 카드(probe card)는 웨이퍼의 패키징(packaging) 공정 이전에 웨이퍼에 형성된 반도체 소자들의 전기적 신호를 측정하여, 그 양부를 판별하는 테스트 공정에 널리 이용되고 있는 반도체 칩과 테스트 장비를 연결하는 핵심장치이고, 다층 세라믹 동시소결 기술을 이용해 생산되는 차세대 프로브 카드 핵심부품인 스페이스 트랜스포머(space transformer)는 반도체 웨이퍼의 전기적 특성 검사에 사용된다.
특히, 프로브 카드의 제조 방법으로서, 일반적으로 반도체 식각 기술과 유사 한 멤스(MEMS) 공정을 이용하는 방법이 시도되고 있다.
프로브 카드는 웨이퍼에 있는 각 칩에 전기적 신호를 줘 성능을 검사하는 프로브 스테이션에 사용되는 핵심 부품으로, 과거 PCB 소재가 널리 사용되어 왔다. 하지만, 점차 웨이퍼가 고주파 특성을 띠게 되면서 고주파에 적합하고, 평탄도를 유지하기 위해 세라믹 소재를 첨가한 프로브 카드가 각광을 받고 있다.
특히, 반도체 공정이 마이크로미터(㎛)에서 나노미터(㎚) 단위로 미세화되는 추세에 따라 기존 1세대 니들(Needle) 방식이 아닌 2세대 멤스(MEMS, Micro-Electro-Mechanical Systems; 미세전기기계시스템) 방식 프로브 카드가 대세로 자리매김하고 있다.
이러한 종래의 스페이스 트랜스포머(10)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 알루미나 그린시트(12)에 비아 홀(14) 및 전극(16)인 배선이 형성된 여러 층의 그린시트(12)를 동시소결 방식으로 제작한다.
이때, 기존 스페이스 트랜스포머(10)의 구성은 회로패턴과 다수의 비아 홀(14)이 형성된 복수의 세라믹 그린시트(12)가 다층으로 적층되어 있는 형태이다. 이와 같은 형태를 만들기 위해 하기의 절차에 따라 제조하게 된다.
스페이스 트랜스포머(10)는 이를 이루도록 각각의 층에 해당하는 알루미나 그린시트(12)를 제작[도 2 (a) 참조]하고, 각각의 그린시트(12)에 비아 홀(14)을 기계 가공으로 각각 형성[도 2 (b) 참조]하며, 각각의 그린시트(12)에 비아 홀(14)을 통하도록 도금기법을 통해 전극(16)을 패터닝[도 2 (c) 참조] 한다. 이때, 각각의 그린시트(12)는 각 층에 해당되는 패턴이 형성되어 있다. 그리고 각 층의 그린 시트(12)를 순서대로 겹쳐놓고 라미네이팅(Laminating)[도 2 (d) 참조]을 하고 그린시트(12) 층마다 접착제(18a)를 도포하여 소결을 용이하게 하며, 고온(또는 저온)동시 소결을 하여 각 층간의 그린시트(12)를 접합하여 일체화[도 2 (e) 참조] 한다. 마지막으로, 프로브 카드로 연결되는 홀을 도금을 통해 채워주면 스페이스 트랜스포머(10)의 제작이 완료[도 2 (f) 참조]된다.
그리고 스페이스 트랜스포머(10)는 최상층인 전극(16) 상에 절연층(18)을 형성하고 이 절연층(18) 상에 최상층 전극(16)과 통하도록 비아 홀(18b)이 형성되며, 이 비아 홀(18b)에 프로브 카드와 연결되도록 도금을 통해 충진한다.
그러나 종래에 있어 다층동시소결 방식으로 제작되는 스페이스 트랜스포머(10)의 문제점을 보면, 소결시 변수에 따라 세라믹 수축률을 일정하게 유지하기 힘들고 수율도 낮아 프로브 카드 원가의 절반 이상을 차지할 정도로 가격이 높고, 스페이스 트랜스포머(10)의 모재로 사용되는 알루미나(Al2O3)의 낮은 열전도율로 인해 저온영역과 고온영역을 연속해서 테스트할 경우 온도 안정화의 시간이 많이 소요되며 측정시간이 지연된다. 또한, 열팽창계수가 모재와 웨이퍼와의 차이가 커서 칩 패드(Chip pad)에 긁힘(scratch) 자국을 형성하게 되고 이에 수명이 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 그린시트(12)에 형성되는 비아 홀(14)을 기계적 가공을 통해 형성시킴으로써 공정 완료 시간보다 준비시간이 더 필요하고, 그린시트(12)의 재질 특성상 비아 홀(14)을 미세화하는데 한계가 있으며 이는 미세선폭 장치의 프로브 카드를 구현하는데 제한을 가져온다. 결국, 스페이스 트랜스포머(10)의 제작시 제조 공정 시간이 길고 수율이 낮아 장치 변화에 대한 대응이 늦어버리는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 기존의 다층세라믹 동시소결 방법을 전혀 사용하지 않고 금속배선과 절연층을 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 사용함으로써 기존기술에서 문제가 되었던 동시소결에 따른 수축이나 변형으로 인한 불량 문제를 해소하여 수율이 향상되고 멤스와의 설계 어라인의 틀어짐을 방지할 수 있으며, 스페이스 트랜스포머를 디바이스(프로브 카드)에 관계없이 공통으로 사용되는 레이어(Layer)까지만 만들어 놓고, 이후 레이어(디바이스에 따라 변경을 요하는 층)는 필요시 제작할 수 있으므로 제조시간을 현격하게 감소시킬 수 있게 한 게 한 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 모재인 기판의 소재를 알루미나 대신 열전도율이 우수한 질화알루미늄(AIN)을 사용함으로써 열 안정화에 소요되는 시간이 상당히 감소하여 테스트 시간을 단축시킬 수 있고, 저융점 고전도도의 금속을 사용하여 배선이 가능할 수 있게 한 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 비아 홀 패턴의 형성시 감광막을 사용한 포토에칭(Photo-Etching) 공정으로 진행함으로써 비아 홀의 사이즈를 원하는 구경대로 형성할 수 있기 때문에 미세패턴 구현 및 정밀 가공이 가능할 수 있게 한 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 모재인 소결 기판; 상기 기판 표면에 설정 패턴으로 형성되는 금속전극; 상기 기판상에 금속전극을 감싸도록 증착 형성되는 절연막; 및 상기 절연막 상에 프로브 카드로 연결 또는 절연막 층마다 형성된 금속전극을 상호 연결하도록 형성되는 비아 홀 패턴;을 포함하며, 상기 금속전극 및 절연막은 순차 적층하면서 공통층을 형성하고, 이후 공통층 상에 변경층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 상기 금속전극은 도금 또는 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 한다.
또한, 본 발명에서의 상기 비아 홀 패턴은 각각의 층마다 포토 레지스터(PR)를 도포하고 노광 및 현상공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 상기 절연막은 증착된 질화알루미늄(AIN)막인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 상기 기판은 질화알루미늄(AIN)으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서는 1) 모재인 기판상에 설정 패턴의 금속전극을 형성하는 단계; 2) 상기 기판상에 금속전극을 감싸도록 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및 3) 상기 절연막 상에 프로브 카드로 연결 또는 절연막 층마다 형성된 금속전극을 상호 연결하도록 비아 홀 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 1) 단계 내지 3) 단계를 반복하여 금속전극 및 절연막이 순차 적층되면서 공통층을 형성하고, 이후 공통층 상에 변경층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 상기 1) 단계에서의 금속전극은 도금 또는 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 상기 3) 단계에서의 비아 홀 패턴은 각각의 층마다 포토 레지스터(PR)를 도포하고 노광 및 현상공정, 그리고 에칭공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 본 발명의 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법은, 기존의 다층세라믹 동시소결 방법을 전혀 사용하지 않고 금속배선과 절연층을 CVD 증착 기법을 사용함으로써 기존기술에서 문제가 되었던 동시소결에 따른 수축이나 변형으로 인한 불량 문제를 해소하여 수율이 향상되고 멤스와의 설계 어라인의 틀어짐을 방지할 수 있으며, 스페이스 트랜스포머를 디바이스(프로브 카드)에 관계없이 공통으로 사용되는 레이어(Layer)까지만 만들어 놓고, 이후 레이어(디바이스에 따라 변경을 요하는 층)는 필요시 제작할 수 있으므로 제조시간을 현격하게 단축시킬 수 있다. 그리고 모재인 기판의 소재를 알루미나 대신 열전도율이 우수한 질화 알루미늄(AIN)을 사용함으로써 열 안정화에 소요되는 시간이 상당히 감소하여 테스트 시간을 단축시킬 수 있고, 저융점 고전도도의 금속을 사용하여 배선이 가능하다. 그리고 비아 홀 패턴의 형성시 감광막을 사용한 포토에칭(Photo-Etching) 공정으로 진행함으로써 비아 홀의 사이즈를 원하는 구경대로 형성할 수 있기 때문에 미세패턴 구현 및 정밀 가공이 가능한 효과가 있다.
이하, 본 발명의 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 그 제조방법을 첨부도면을 참조하여 일 실시 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머(100)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 기판(110), 금속전극(112) 및 절연막(114)을 포함하며, 금속전극(112) 및 절연막(114)은 여러 층으로 순차 적층하면서 공통층을 형성하고, 이후 필요에 따라 공통층 상에 금속전극(112) 및 절연막(114)은 여러 층으로 순차 적층하여 변경층을 형성한다.
기판(110)은 스페이스 트랜스포머(100)의 모재인 소결 기판으로, 소재를 열전도율이 우수한 질화알루미늄(AIN) 등으로 형성하여 열 안정화에 소요되는 시간이 상당히 감소하며 이에 고온~저온 영역에서의 테스트 시간을 단축시킬 수 있는 이점이 있다.
금속전극(112)은 최초 기판(110) 표면과 층간 절연막(114)마다 설정 패턴으 로 패터닝하여 금속 배선 회로를 형성하되, 저융점의 고전도 재료인 구리(Cu)나 알루미늄(Al) 등이 사용되고 있으며, 이는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 증착 또는 도금 공정에 의해 형성된다.
이때, 도금 공정에 의해 형성되는 금속전극(112)의 경우 구리막을 기판(110) 상에 도금(鍍金)하고 필요한 배선부분을 마스크(mask)를 통한 포토(Photo) 공정에 의해 형성시키게 된다.
더욱이, 금속전극(112) 형성시 기판(110)상에 금속전극(112)을 화학기상증착법(또는 도금)하고 프로브 카드로 연결되는 비아 홀 패턴(114a)과 이 비아 홀 패턴(114a)으로부터 연결되어 외곽 쪽으로 패터닝 되어 있는 전극을 포함한다.
절연막(114)은 최초 기판(110)상에 금속전극(112)을 감싸도록 증착하고 그 후 화학기상증착법 또는 도금 공정에 의해 적층 형성되는 금속전극(112)의 층간에 CVD 증착하여 형성되는 질화알루미늄(AIN)막으로, 층간 금속전극(112)을 상호 연결하도록 비아 홀 패턴(114a)이 형성된다.
여기서, 비아 홀 패턴(Via hole pattern: 114a)은 최상 위치의 절연막(114) 상에 다수 형성하고 이에 각각의 내부를 금속전극(112)과 같이 구리(Cu) 등으로 메워 접점화되고 이에 프로브 카드에 연결하거나, 층간 절연막(114)에 각각 형성되어 층간 금속전극(112)을 상호 연결하도록 내부를 금속전극(112)과 같이 구리(Cu) 등으로 메울 수 있도록 한다. 다르게는, 비아 홀 패턴(114a)에 구리 등을 충진하는 대신 핀(Pin) 등을 삽입 고정하여 사용할 수도 있다.
즉, 비아 홀 패턴(114a)은 기존 방식에서와 같이 기계 가공을 하지 않고 습 식 에칭(wet etching) 공정에 의해 증착된 각각의 절연막(114) 층마다 포토 레지스터(PR: 116)를 도포하고 노광 및 현상공정을 거치면서 패턴에 따라 포토 레지스터(116)를 제거하여 최종적으로 형성되는 것이다.
더욱이, 비아 홀 패턴(114a) 형성시 포토 레지스터[PR: 감광막(116)]를 사용한 포토에칭(Photo-Etching) 공정을 이용함으로써 비아 홀의 사이즈를 원하는 구경대로 형성할 수 있기 때문에 나노미터(㎚) 급 이하의 프로브 카드 제작시 필수적으로 요구된다.
본 발명에 의한 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 제조방법은 금속전극 형성 단계, 절연막 형성 단계, 비아 홀 패턴 형성 단계 및 프로브 카드로 연결되는 비하 홀 패턴을 충진하는 단계를 포함하며, 금속전극 형성 단계, 절연막 형성 단계 및 비아 홀 패턴 형성 단계를 반복하여 금속전극(112) 및 절연막(114)이 순차 적층되면서 공통층을 형성하고, 이후 필요에 따라 공통층 상에 금속전극(112) 및 절연막(114)이 설정층 만큼 순차 적층되면서 변경층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
금속전극 형성 단계는 모재인 기판(110)상에 설정 패턴의 금속전극(112)을 형성하는 단계로, 금속전극(112)은 최초 기판(110) 표면과 층간 절연막(114)마다 설정 패턴으로 패터닝하여 금속 배선 회로를 형성하되, 저융점의 고전도 재료인 구리(Cu)나 알루미늄(Al) 등이 사용되고 있으며, 이는 화학기상증착법 또는 도금 공정에 의해 형성된다. [도 4의 (a) 참조]
이때, 도금 공정에 의해 형성되는 금속전극(112)의 경우 구리막을 기판(110) 상에 도금(鍍金)하고 필요한 배선부분을 마스크(mask)를 통한 포토(Photo) 공정에 의해 형성시키게 된다.
더욱이, 금속전극 형성 단계는 기판(110)상에 금속전극(112)을 화학기상증착법(또는 도금)하고 프로브 카드로 연결되는 비아 홀 패턴(114a)과 이 비아 홀 패턴(114a)으로부터 연결되어 외곽쪽으로 패터닝 되어 있는 전극을 포함한다.
절연막 형성 단계는 절연막(114)을 최초 기판(110)상에 금속전극(112)을 감싸도록 증착하고 그 후 화학기상증착법 또는 도금 공정에 의해 적층 형성되는 금속전극(112)의 층간에 CVD 증착하여 형성되는 질화알루미늄(AIN)막이다. [도 4의 (b) 참조]
비아 홀 패턴 형성 단계는 최상 위치의 절연막(114) 상에 다수 형성하고 이에 각각의 내부를 금속전극(112)과 같이 구리(Cu) 등으로 메워 접점화되고 이에 프로브 카드에 연결하거나, 층간 절연막(114)에 각각 형성되어 층간 금속전극(112)을 상호 연결하도록 내부를 금속전극(112)과 같이 구리(Cu) 등으로 메울 수 있도록 비아 홀 패턴(114a)을 형성하는 단계로, 습식 에칭(wet etching) 공정에 의해 증착된 각각의 절연막(114) 층마다 포토 레지스터(116)를 도포하고 노광 및 현상공정을 거치면서 패턴에 따라 포토 레지스터(116)를 제거하여 최종적으로 형성되는 것이다. [도 4의 (c), (d) 참조]
더욱이, 비아 홀 패턴 형성 단계에 의한 비아 홀 패턴(114a) 형성시 포토 레지스터(PR: 감광막)를 사용한 포토에칭(Photo-Etching) 공정을 이용함으로써 비아 홀의 사이즈를 원하는 구경대로 형성할 수 있기 때문에 나노미터(㎚) 급 이하의 프 로브 카드 제작시 필수적으로 요구된다.
특히, 금속전극 형성 단계, 절연막 형성 단계 및 비아 홀 패턴 형성 단계를 반복 수행하여 금속전극(112) 및 절연막(114)이 순차 적층되면서 공통층을 형성하고, 이후 공통층 상에 금속전극(112) 및 절연막(114)이 설정층 만큼 순차 적층되면서 변경층을 형성한다. 이 경우, 스페이스 트랜스포머(100)를 디바이스에 관계없이 공통으로 사용되는 공통층(Layer)까지만 미리 제작하고 이후 디바이스에 따라 변경을 요하는 층(변경층)은 필요시 제작할 수 있으므로 스페이스 트랜스포머(100)의 제조 시간을 단축할 수 있다. [도 4의 (e), (f), (g) 참조]
프로브 카드로 연결되는 비하 홀 패턴을 충진하는 단계는 금속전극 형성 단계, 절연막 형성 단계 및 비아 홀 패턴 형성 단계를 반복 수행하여 금속전극(112) 및 절연막(114)이 순차 적층되면 최상의 절연막(114) 상에 형성된 비아 홀 패턴(114a) 내부에 도금 공정 등을 수행하여 구리 등을 충진하는 단계이다. [도 4의 (h) 참조] 다르게는, 비아 홀 패턴(114a)에 구리 등을 충진하는 대신 핀(Pin) 등을 삽입 고정하여 사용할 수도 있다.
여기서, 최상의 절연막(114) 상에 형성된 비아 홀 패턴(114a)은 그 내부에 구리 등을 충진하여 프로브 카드에 연결되도록 통로가 형성되는 것이다.
결국, 본 발명에 의한 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머(100)를 제조하는 과정에서 기존 방식에서와 같이 소결 등을 진행하는 고온의 공정이 불필요하여 제품의 수축이나 변형이 발생되지 않아 공정 수율이 향상되고 멤스(MEMS) 와의 설계 어라인(Align)이 틀어지지 않으며, 디바이스에 따라 공통적으로 사용되는 공통층까 지 미리 제조해 놓고 변경되는 변경층에 대해서만 이후 작업을 함으로써 작업 시간을 단축할 수 있고, 열전도율이 우수한 모재를 사용함으로써 온도에 상관없이 테스트 시간이 단축되고 저융점 고전도도의 금속을 사용하여 금속전극(112)의 배선이 가능해 지는 이점이 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 보호범위는 상기 실시 예에 한정되는 것이 아니며, 해당 기술분야의 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1 및 도 2는 종래의 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조공정을 나타낸 개략도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 의한 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머의 제조공정을 나타낸 개략도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100: 스페이스 트랜스포머 110: 기판
112: 금속전극 114: 절연막
116: 포토 레지스터 116a: 비아 홀 패턴

Claims (8)

  1. 모재인 소결 기판;
    상기 기판 표면에 설정 패턴으로 형성되는 금속전극;
    상기 기판상에 금속전극을 감싸도록 증착 형성되는 절연막; 및
    상기 절연막 상에 프로브 카드로 연결 또는 절연막 층마다 형성된 금속전극을 상호 연결하도록 형성되는 비아 홀 패턴;을 포함하며,
    상기 금속전극 및 절연막은 순차 적층하면서 공통층을 형성하고, 이후 공통층 상에 변경층을 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속전극은 도금 또는 화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 비아 홀 패턴은 각각의 층마다 포토 레지스터(PR)를 도포하고 노광 및 현상공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포 머.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 절연막은 화학기상증착법에 의해 증착된 질화알루미늄(AIN)막인 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 질화알루미늄(AIN)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머.
  6. 1) 모재인 기판상에 설정 패턴의 금속전극을 형성하는 단계;
    2) 상기 기판상에 금속전극을 감싸도록 증착하여 절연막을 형성하는 단계; 및
    3) 상기 절연막 상에 프로브 카드로 연결 또는 절연막 층마다 형성된 금속전극을 상호 연결하도록 비아 홀 패턴을 형성하는 단계;를 포함하며,
    상기 1) 단계 내지 3) 단계를 반복하여 금속전극 및 절연막이 순차 적층되면서 공통층을 형성하고, 이후 공통층 상에 변경층을 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 1) 단계에서의 금속전극은 도금 또는 화학기상증착법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 3) 단계에서의 비아 홀 패턴은 각각의 층마다 포토 레지스터(PR)를 도포하고 노광 및 현상공정, 그리고 에칭공정을 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 제조방법.
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