JP4570422B2

JP4570422B2 - 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた装置

Info

Publication number: JP4570422B2
Application number: JP2004243478A
Authority: JP
Inventors: 有三津田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2004-08-24
Filing date: 2004-08-24
Publication date: 2010-10-27
Anticipated expiration: 2024-08-24
Also published as: JP2006066411A

Description

本発明は、窒化物半導体レーザ素子およびこれを用いた装置に関し、より詳細には、リッジストライプ部の両脇に形成された溝部に空洞部を有する窒化物半導体レーザ素子およびこれを用いた装置に関する。

従来、ＩｎＧａＡｓ系半導体レーザ装置のジャンクションダウン接合に関して、例えば特許文献１に次にように開示されている。すなわち、ＩｎＧａＡｓ系半導体レーザ素子の逆メサ型リッジ部の両脇にある溝が金属によって埋め込まれることによって、半田がリッジ部両脇の溝に不均一に入り込むことを防止し、半田の不均一による放熱不良やリッジ部での不均一な応力印加を防止することができるものである。
特開２００１−９４２１１号公報

一方、窒化物半導体レーザ素子の高出力化に伴って、レーザ素子の温度上昇を抑制する必要があり、そのための一つの解決方法として、窒化物半導体レーザ素子をジャンクションダウンでサブマウントに接合させる方法がある。ここで、ジャンクションダウンとは半導体レーザ素子のリッジストライプ部が形成された面をサブマウントに接合させることである。

上記に基づき、本発明者らは、図６（ａ）に示す窒化物半導体レーザ装置を創出した。ここで、図６（ａ）はジャンクションダウンの一例である窒化物半導体レーザ装置の概略断面図を示している。図６（ａ）の窒化物半導体レーザ装置は、基板２００上に、ｎ型窒化物半導体層２０１、窒化物半導体活性層２０２、ｐ型窒化物半導体層２０３がこの順で形成されている。さらに、ｐ型窒化物半導体層２０３の側に形成されたリッジストライプ部２０４と、前記リッジストライプ部２０４に沿ってその両脇に形成された丘部２０６と、前記リッジストライプ部２０４と前記丘部２０６との間の溝部２０５を具備している。ｐ型窒化物半導体層２０３上には金属膜（金メッキ）２０７が形成され、当該金属膜２０７とサブマウント２０９とが接合されている。

このような窒化物半導体レーザ装置により、レーザ発振の際、最も温度が上昇するリッジストライプ部での熱を、サブマウントを介して放熱させることができる。さらに効率良く放熱させるためには、リッジストライプ部を金属膜で被覆することが好ましいことがわかった。すなわち、図６（ａ）に示す窒化物半導体レーザ装置において、溝部２０５はすべて金属膜２０７によって埋没された構造とされる。金メッキはそれ自体の形成温度が低い（約５０度前後）ため、金メッキと金メッキを被覆させる側の半導体材料との熱膨張係数差は問題にならないと本発明者らは考えた。しかしながら、金メッキ２０７を形成するためには、金メッキを被覆した後、アニール処理を施す工程が必要であるため、この際の熱膨張係数差によって生じた応力が窒化物半導体レーザ素子に悪影響を及ぼすことがわかった。しかも、金メッキと窒化物半導体との間の熱膨張係数差は、金メッキと（Ｉｎ）ＧａＡｓ系半導体と比べて大きく、金メッキでリッジ部を完全に被覆すると金メッキによる応力をより強く受けてしまうと考えられる。

このような窒化物半導体レーザ装置から出射されたレーザ光の水平ファーフィールドパターン（水平ＦＦＰ）を観測したところ、図６（ｂ）の模式図で示したように、単峰の波形にリップルが重なり合った波形が得られた。このようなレーザ光を光学装置に用いた場合、光学レンズで十分にレーザ光を集光できないといった問題や、リップルのために注入電流と出力との関係がリニア−に応答しないといった問題が生じた。ここで、図６（ｂ）において、縦軸は強度を表し、横軸は水平ＦＦＰの角度を表す。

図６（ｂ）の水平ＦＦＰのような歪な波形が得られてしまった理由は定かではないが以下のことを推測することができる。図６（ａ）は模式図であるため、詳細な構造は図示されていないが、実際はリッジストライプ部のみに電流が注入される構造になっていて、窒化物半導体活性層２０２のうち、実質的にレーザ発振に寄与する部分はリッジストライプ部の上の発光領域９００である。

上記の窒化物半導体レーザ装置は、図６（ａ）に示しているように溝部２０５が金メッキ２０７で満たされているため、図６（ａ）中の丸９１０で示したように、実質的にレーザ発振に寄与する活性層部分の発光領域９００と金メッキ２０７が非常に近接した位置にあった。そのため、発光領域９００内で活性層は金メッキから局所的に異なった応力を受ける。このような局所的な応力は発光領域９００内部で局所的に異なった屈折率を与える。これが図６（ｂ）のような水平ＦＦＰが得られた原因であると推測することができる。

さらに、このような水平ＦＦＰを有する半導体レーザ装置を光学装置に組み込んだ場合、例えばそのレーザ装置から放射されるレーザ出力をモニターしようとしても出力が注入電流に対してリニア−に応答しないため、光学装置の設計が非常に困難であった。

さらに、窒化物半導体レーザ素子はその高出力化に伴って、リッジ部の幅を狭くする必要があり、少なくとも２μｍ幅よりも狭くする必要があると考えられる。このようなリッジの狭ストライプ化はリッジストライプ部での応力印加による影響を受けやすくするとともに、特にジャンクションダウンでその窒化物半導体レーザ装置を組み立てる際に生じる応力が、リッジストライプ部に損傷を与えて歩留まりが低下してしまうといった問題もあった。

上記の説明では、ジャンクションダウン接合かつ金メッキの場合について言及したが、ジャンクションアップ接合であっても金メッキ以外の金属であっても同様な問題が生じる。上記課題の本質的な原因は、リッジストライプ部が設けられた窒化物半導体レーザ素子において、そのリッジストライプ部が金属膜で完全に被覆されたことによる応力印加であるからである。

本発明は、上記従来の技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、リッジストライプ部に印加される応力を低減して、水平ＦＦＰを整え、良好なレーザ出力特性を有する、窒化物半導体レーザ素子およびこれを用いた装置を提供することである。

本発明の１つの局面によれば、半導体層に、リッジストライプ部が設けられ、該リッジストライプ部に沿って両脇に溝部が設けられ、前記リッジストライプ部と対向する、該溝部の脇に丘部が設けられた、窒化物半導体レーザ素子において、前記溝部の上方に形成された金属膜と該溝部の底部との間に空洞部を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子が提供される。

好ましくは、空洞部は、リッジストライプ部の側面と溝部の底部と丘部の側面とに囲まれる領域中に存在する。

好ましくは、溝部の幅が５μｍ〜５０μｍの範囲内である。

好ましくは、リッジストライプ部の形状は、略矩形状であるかまたは逆メサ形状である。

好ましくは、溝部の底部上に少なくとも絶縁膜が形成されている。

好ましくは、溝部の底部上に第１の絶縁膜が形成され、該第１の絶縁膜上にｐ電極が形成され、該ｐ電極上に第２の絶縁膜が形成されている。

好ましくは、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜のうち少なくとも一方は酸化シリコンである。

好ましくは、リッジストライプ部の上方にさらに金属膜が形成され、該リッジストライプ部と該金属膜との間にさらに空洞部が形成されている。

好ましくは、金属膜は、金メッキ、銅メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキ、錫メッキ、錫銅合金メッキであるか、あるいはＮｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｐｄ，ＰｔまたはＦｅのいずれかよりなる金属膜である。

好ましくは、空洞部は、少なくともリッジストライプ部の側面と溝部の底部とが接する部分を含む。

本発明の別の局面によれば、上記の窒化物半導体レーザ素子が、サブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置が提供される。

本発明によれば、リッジストライプ部に印加される応力を低減して、水平ＦＦＰを整え、良好なレーザ出力特性を発揮することができる窒化物半導体レーザ素子およびこれを用いた装置を提供することができる。

本発明の窒化物半導体レーザ素子によれば、半導体層に、リッジストライプ部が設けられ、該リッジストライプ部に沿って両脇に溝部が設けられ、前記リッジストライプ部と対向する、該溝部の脇に丘部が設けられた、窒化物半導体レーザ素子において、前記溝部の上方に形成された金属膜と該溝部の底部との間に空洞部を有することを特徴とする。

これにより、リッジストライプ部に印加される応力を低減することができ、それにより水平ＦＦＰが改善される。したがって、良好なレーザ出力特性を有する、窒化物半導体レーザ素子およびこれを用いた装置を提供することができる。

以下、本発明の窒化物半導体レーザ素子について、図を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の窒化物半導体レーザ素子の概略断面図である。

図１において、基板２００上に、ｎ型窒化物半導体層２０１、窒化物半導体活性層２０２およびｐ型窒化物半導体層２０３がこの順で形成されている。ここで、ｐ型窒化物半導体層２０３には、リッジストライプ部２０４と、前記リッジストライプ部に沿ってその両脇に形成された丘部２０６と、前記リッジストライプ部２０４と前記丘部２０６との間の溝部２０５とが形成されている。

また、ｐ型窒化物半導体層２０３上には、リッジストライプ部２０４と丘部２０６との上において金属膜２０７が形成され、溝部２０５上には形成されていない。そのため、溝部２０５には空洞部２０８が存在することになる。さらに、金属膜２０７は、サブマウント２０９とジャンクションダウンで接合されている。

図１に示す本発明の窒化物半導体レーザ素子を作製するために手順について図２を用いて説明する。

図２（ａ）は、リッジストライプ部２０４が設けられた窒化物半導体レーザ素子の上に、金属膜２０７が施される前の１つの実施形態を模式的に表した断面図である。図２（ａ）の窒化物半導体レーザ素子において、まず、基板２００上に、当該分野で公知の手順により、ｎ型窒化物半導体層２０１、窒化物半導体活性層２０２、ｐ型窒化物半導体層２０３を形成する。次に、ｐ型窒化物半導体層２０３の側に、リッジストライプ部２０４と、前記リッジストライプ部に沿ってその両脇に形成された丘部２０６と、前記リッジストライプ部２０４と前記丘部２０６との間の溝部２０５を形成する。これらの形成方法としては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、ＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）を挙げることができる。

次に、ｐ型窒化物半導体層２０３の上に金属膜２０７を形成する。この状態を図２（ｂ）に示す。ｐ型窒化物半導体層上に金属膜２０７を形成する方法は、電気メッキ、浸漬メッキ、合金メッキ、ＥＢ蒸着、ＥＣＲ法などを用いることができる。

なお、図２（ｂ）において、金属膜２０７はリッジストライプ部２０４と丘部２０６の上に形成され、溝部２０５には形成されない。そのため、溝部２０５には空洞部２０８が存在する。本発明に係る窒化物半導体レーザ装置の１つの特徴は、溝部２０５に金属膜２０７が形成されていない空洞部２０８を有することである。なお、当該空洞部２０８はリッジストライプの一側面と溝部の底部と丘部の側面とからなる領域中に存在することになる。

次いで、金属膜２０７がサブマウント２０９に接合された状態を図２（ｃ）に示す。図２（ｃ）で示されているように、窒化物半導体レーザ素子のリッジストライプ部２０４が設けられた面側に金属膜２０７を介してサブマウント２０９に接合される。当該接合にあたっては、半田材を用いることができる。

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、金属膜が活性層に応力を与えないようするため、上記図１および２に示したように、金属膜と活性層とを空間的に分離させている。具体的には、溝部２０５に金属膜２０７が形成されない空洞部２０８を設けている。特に、金属膜２０７と実質的にレーザ発振に寄与する発光領域９００とを空間的に分離することが肝要である。そのため、金属膜２０７と発光領域９００とが最も近接する丸９１０の部分、すなわち、リッジストライプ部２０４の側面と溝部２０５の底部とが接する部分を、金属膜で被覆されない空洞部２０８が少なくとも含んでいることが好適である。

このような溝部２０５において金属膜２０７が進入しない空洞部２０８を設けるためには以下の方法が挙げられる。図２（ｂ）に示すような溝部２０５の幅Ｗを５μｍ以上５０μｍ以下にすることである。溝部２０５の幅Ｗを狭くすることによって、金属膜が溝部２０５に進入することを防止できる。より効果的には、溝部２０５の幅Ｗを５０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下にすることである。溝部２０５の幅Ｗの下限値には特に制限はないが、リッジストライプ部２０４の形成を阻害しない程度であって、５μｍ以上が適当である。

また、リッジストライプ部２０４の形状は、図３（ａ）で示されているような、略矩形形状もしくは逆メサ形状であることが好ましい。リッジストライプ部２０４がこのような形状を有すると、金属膜が溝部２０５の内部に侵入しにくくなるためである。特にリッジストライプ部２０４の側面と溝部２０５の底部とが接する３００の部分が、金属膜で被覆されにくくなるため好ましい。

金属膜と活性層とを空間的に分離させるための別の手法は、空洞部を設けたい部分に金属膜が阻害される構造を形成することである。具体的には、図３（ｂ）の模式図を用いて説明する。図３（ｂ）は窒化物半導体レーザ素子のリッジストライプ部近傍の構造を詳細に記載した以外は図２と同様である。

図３（ｂ）は、リッジストライプ部２０４を有する窒化物半導体レーザ素子の上に形成された、第１の絶縁膜３１０、ｐ電極３２０、金属層３３０、金属膜２０７および空洞部２０８を含んでいる。

第１の絶縁膜３１０はリッジストライプ部２０４のみに電流が狭窄注入されるために設けられた絶縁膜である。当該第１の絶縁膜３１０には酸化シリコン（ＳｉＯ_２など）または窒化シリコン（ＳｉＮｘなど）などを用いることができる。第１の絶縁膜３１０は特に酸化シリコン（ＳｉＯ_２など）が好ましい。これは、絶縁膜も活性層に対して応力を与える原因となりえるため、ヤング率の小さい酸化シリコンが好ましいからである。当該第１の絶縁膜３１０はたとえば次のようにして形成することができる。まず、ｐ型窒化物半導体層２０３を加工してリッジストライプ部２０４を形成する。次にリッジストライプ部２０４の上面にレジストを塗布した後、スパッタ法を用いて酸化シリコンを形成する。その後、前記レジストを除去して第１の絶縁膜３１０を完成させる。

ｐ電極３２０はリッジストライプ部２０４の上面に接して形成される。そして、金属層３３０は丘部２０６の上に形成される。ここで、金属層３３０はその上に形成される金属膜の成長を促進させるものであって、好ましくは金属膜と同種の金属である。たとえば、金属膜として金メッキを用いた場合、好ましい金属は金である。同様に、ｐ電極３２０はリッジストライプ部に電流を注入させるための電極としての作用のほかに、金属層３３０と同じように金属膜の成長を促進させる作用も兼ね備えている。この作用を好ましく用いるためには、ｐ電極３２０の最表面は金属膜と同種の金属であることが好適である。同様に金属膜として金メッキを用いた場合、好ましい金属は金である。ｐ電極３２０と金属層３３０は互いに別の材料で形成しても構わない。しかしながら、ｐ電極３２０と金属層３３０が同一であると、製造工程が簡略化されるためにより好ましい。このようなｐ電極および金属膜はたとえば、次のようにして形成することができる。すなわち、第１の絶縁膜３１０を形成した後、レジストを塗布してｐ電極が形成される部分に開口部を設ける。次に、ＥＢ蒸着によりｐ電極を形成し、前記レジストを除去してｐ電極３２０を完成させる。続いて電気メッキにより、膜厚５μｍの金属膜（メッキ）を完成させる。

たとえば、上記のｐ電極３２０と金属層３３０とを形成した後にメッキを施すと、金属が露出されている部分に、すなわちｐ電極３２０および金属層３３０に選択的にメッキ（金属膜）が形成される。他方、溝部は第１の絶縁膜３１０で覆われているため、メッキ（金属膜）が形成されにくく、結果的に溝部２０５に空洞部２０８が形成される。

したがって、溝部２０５の底部の表面が絶縁膜で被覆され、その絶縁膜が露出された状態で金属膜を施すことが肝要である。さらに好ましくは、リッジストライプ部２０４の側面と溝部２０５の底部とが接する部分の上方に絶縁膜を形成することである。

図３（ｂ）で示した構造は一例であって、例えば図４で示されているような構造を用いても構わない。図４の構造は、図３（ｂ）のｐ電極３２０と金属層３３０を区別することなく一連の電極層としてｐ電極１０５が窒化物半導体レーザ素子の全面に形成されている点と、金属膜を形成したくない溝部の底部に第２の絶縁膜１０６を形成している点が、図３（ｂ）と異なる。これ以外は、図３（ｂ）の構造と同一である。

図４のような構造を用いると、ｐ電極が一連の連続層として形成されているので製造工程が簡略化されるというメリットがある。第２の絶縁膜１０６は具体的には酸化シリコン（ＳｉＯ_２など）が最も好ましい。これは、絶縁膜も活性層に対して応力を与える原因となりえるため、ヤング率の小さい酸化シリコンが好ましいからである。図４におけるｐ電極および第２の絶縁層の形成方法は上述したものと同様の方法で行うことができる。

本発明の窒化物半導体レーザ素子は、その高出力化に伴って、リッジ部の幅を狭くする必要があり、少なくとも２μｍよりも狭くする必要がある。このようなリッジの狭ストライプ化はリッジストライプ部での応力印加を助長するとともに、リッジストライプ部が損傷を受けて歩留まりが低下するといった問題がある。特に、ジャンクションダウンで接合する場合、その影響はジャンクションアップ接合に比べて大きい。

この問題を解決する１つの方法は、窒化物半導体レーザ素子のリッジストライプ部の上面を金属膜と接合しないことである。リッジストライプ部の上面と金属膜とを接合させないための方法として、例えば、リッジストライプ部の上に形成されたｐ電極の上にさらに絶縁膜を形成して、金属膜との接合を阻止することができる。または、リッジストライプ部と金属膜との間にも空洞部（隙間）を形成することによって金属膜との接合を阻止することができる。

このことによってリッジストライプ部は外部から応力を遮蔽することができ、ジャンクションダウンで接合したとしても、リッジストライプ部が損傷を受けて歩留まりが低下することを防止することができる。ただし、このような構成にすると、直接リッジストライプの上面から電流を注入することができないといった問題が新たに生じる。しかしながら、この問題は、例えば図４のような構成で電流を注入することにより解決することができる。すなわち、電流は、サブマウントから金属膜を通って、丘部の上面に形成されたｐ電極１０５へと流れ、さらにｐ電極１０５内を伝ってリッジストライプの上面へと流れる。

上述のように、金属膜と活性層とを空間的に分離させることによって、金属膜からの応力を抑制することができ、図５の模式図で示されているような、リップルが軽減された単峰の放射スペクトルからなる水平ＦＦＰを得ることができる。

本発明において、上記で説明された金属膜は、たとえば、金メッキを用いることができ、金以外のメッキも用いることができる。これには、例えば、銅メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキ、錫メッキ、錫銅合金メッキなどが挙げられる。さらに、上記で説明された金メッキは、Ｎｉ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ，Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、ＰｔまたはＦｅなどの金属からなる金属膜に置換することもでき、これらを用いても、本発明に係る同様の効果を得ることができる。特に、メッキまたは金属の層厚が０．５μｍ以上、好ましくは１μｍ以上の厚みにおいて効果的である。

また、上記ではジャンクションダウン接合の模式図を用いて説明されたが、ジャンクションアップ接合であっても本発明と同様の効果を得ることができる。また、上記ではサブマウントに接合する場合について説明されたが直接ステムに接合しても構わない。

本発明において、基板としては、ＧａＮ基板またはＡｌＮ基板を用いることができる。また、窒化物半導体とは具体的には、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮなどである。また、メッキ（金属膜）は、シアン系金メッキあるいは亜硫酸系金メッキを用いることができる。亜硫酸系金メッキは硬度が高いため、変形を引き起こしにくいため特に好ましい。また、光沢金メッキを施すと表面の粒子がより細かくなるため、サブマウントとの密着性が良好になるため好適である。

また本発明において、サブマウントは主にＳｉＣまたはＡｌＮが好ましく用いられ、これらは金属との密着性が悪いために光沢金属膜は効果的である。また、本発明において、サブマウントと半導体層とを半田を介して接合することができる。この際に用いる半田は好ましくは金錫である。その比率は約、金：錫＝７０：３０であることが好ましい。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の窒化物半導体レーザ素子の概略断面図である。本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造プロセスを示す概略断面図である。（ａ）はリッジストライプ部の形状を示す概略断面図であり、（ｂ）はリッジストライプ部の別の形態を示す概略断面図である。本発明の窒化物半導体レーザ素子の別の形態を示す概略断面図である。水平ＦＦＰを、グラフを用いて表す図である。従来の窒化物半導体レーザ素子の概略断面図である。

符号の説明

２００基板、２０１ｎ型窒化物半導体層、２０２窒化物半導体活性層、２０３ｐ型窒化物半導体層、２０４リッジストライプ部、２０５溝部、２０６丘部、２０７金属膜、２０８空洞部、２０９サブマウント、３００リッジストライプ部の側面と溝部の底面が接する部分、３１０第１の絶縁膜、３２０ｐ電極、３３０金属層、９００発光領域、９１０溝部と発光領域とが最も近接する部分。

Claims

リッジストライプ部、前記リッジストライプ部に沿って両脇に設けられた溝部、および、前記リッジストライプ部と対向する、前記溝部の脇に設けられた丘部を備える半導体層と、
前記溝部の側面および底面、ならびに前記丘部の上面を被覆するように積層される第１の絶縁膜と、
前記リッジストライプ部の上面および前記第１の絶縁膜の表面を被覆するように積層される電極層と、
前記溝部の底部において、前記電極層上に積層される第２の絶縁膜と、
前記電極層上に配置されるジャンクションダウン接合用の金属膜であって、前記リッジストライプ部上の電極層の表面および前記丘部上の電極層の表面に接して積層される金属膜と、
を備え、
前記金属膜と前記第２の絶縁膜との間に第１の空洞部を有することを特徴とする、窒化物半導体レーザ素子。
前記第１の空洞部は、前記リッジストライプ部の側面と前記溝部の底部と前記丘部の側面とに囲まれる領域中に存在することを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記溝部の幅が５μｍ〜５０μｍの範囲内であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記リッジストライプ部の形状は、略矩形状であるかまたは逆メサ形状であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜のうち少なくとも一方は酸化シリコンであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記リッジストライプ部上の電極層と前記リッジストライプ部上の金属膜との間に、第３の絶縁膜を備える、請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記第３の絶縁膜と前記リッジストライプ部上の金属膜との間に、第２の空洞部をさらに有する、請求項６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記金属膜は、金メッキ、銅メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキ、錫メッキ、錫銅合金メッキであるか、あるいはＮｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｐｄ，ＰｔまたはＦｅのいずれかよりなる金属膜であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記金メッキは、シアン系金メッキまたは亜硫酸系金メッキであることを特徴とする、請求項８に記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記金属膜は、光沢処理されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
前記リッジストライプ部の幅は、２μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
請求項１〜１１のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子が、サブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置。