JP2002368337A - 半導体光機能素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体光機能素子およびその製造方法Info
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 寄生容量が小さく、素子の平坦化が図れ、メ
サ部分の側壁にかかる応力を低減することができ、かつ
素子の信頼性が従来よりも高い。 【解決手段】 基板１８と、この基板の上側に形成され
た積層構造からなる光機能に寄与する逆メサ型構造部１
４と、基板１８の上側であって、逆メサ型構造部の側壁
面１４ｘ付近に形成された絶縁材料部１６とを具えてお
り、逆メサ型構造部の側壁面と、絶縁材料部との間に
は、空間部３０が介在している。
サ部分の側壁にかかる応力を低減することができ、かつ
素子の信頼性が従来よりも高い。 【解決手段】 基板１８と、この基板の上側に形成され
た積層構造からなる光機能に寄与する逆メサ型構造部１
４と、基板１８の上側であって、逆メサ型構造部の側壁
面１４ｘ付近に形成された絶縁材料部１６とを具えてお
り、逆メサ型構造部の側壁面と、絶縁材料部との間に
は、空間部３０が介在している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信システム
や光情報システムに用いられる半導体光機能素子の構造
およびその製造方法に関するものである。
や光情報システムに用いられる半導体光機能素子の構造
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光通信で用いられている長波長帯
の光に対応する半導体光機能素子は、例えば、文献１
（文献１：”Native-Oxidized InAlAs Blocking Layer
Buried Heterostructure InGaAsP-InP MQW Laser for H
igh-Temperature Operation”, IEEE PHOTONICS TECHNO
LOGY LETTER Vol.11, No.1. January 1999）に記載され
ているような、ＢＨ（埋め込み）構造のものが主流であ
った。しかしながら、ＢＨ構造の素子の製造には、結晶
成長工程を複数回行わなければならず、しかも製造プロ
セスが容易ではない。そこで、近年、例えば文献２（文
献２：”InP-BasedReversed-Mesa Ridge-Waveguide Str
ucture for High-Performance Long-Wavelength Laser
Diodes”, IEEE Quantum Electronics. Vol.3, No.2. A
pril 1997）に開示されているような、結晶成長工程を
１回行うだけでよく、かつ製造プロセスがＢＨ構造の素
子よりも容易である、リッジ型構造の半導体光機能素子
の開発が盛んに行われている。
の光に対応する半導体光機能素子は、例えば、文献１
（文献１：”Native-Oxidized InAlAs Blocking Layer
Buried Heterostructure InGaAsP-InP MQW Laser for H
igh-Temperature Operation”, IEEE PHOTONICS TECHNO
LOGY LETTER Vol.11, No.1. January 1999）に記載され
ているような、ＢＨ（埋め込み）構造のものが主流であ
った。しかしながら、ＢＨ構造の素子の製造には、結晶
成長工程を複数回行わなければならず、しかも製造プロ
セスが容易ではない。そこで、近年、例えば文献２（文
献２：”InP-BasedReversed-Mesa Ridge-Waveguide Str
ucture for High-Performance Long-Wavelength Laser
Diodes”, IEEE Quantum Electronics. Vol.3, No.2. A
pril 1997）に開示されているような、結晶成長工程を
１回行うだけでよく、かつ製造プロセスがＢＨ構造の素
子よりも容易である、リッジ型構造の半導体光機能素子
の開発が盛んに行われている。
【０００３】ここで、図５および図６を参照して、従来
のリッジ型構造の半導体光機能素子を製造する主要な工
程の一例につき説明する。
のリッジ型構造の半導体光機能素子を製造する主要な工
程の一例につき説明する。
【０００４】図５および図６は、従来のリッジ型の半導
体光機能素子の製造工程図であり、その主要な工程での
構造が、断面の切り口で示されている。半導体光機能素
子として、例えば波長１．３μｍの光に対応する半導体
レーザを従来例として挙げる。
体光機能素子の製造工程図であり、その主要な工程での
構造が、断面の切り口で示されている。半導体光機能素
子として、例えば波長１．３μｍの光に対応する半導体
レーザを従来例として挙げる。
【０００５】まず、ｎ−ＩｎＰ基板１００上に、ＭＯＣ
ＶＤ法を用いて厚さが０．５μｍのｎ−ＩｎＰクラッド
層１０２、厚さが０．１２２μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性
層１０４、ｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層１０
６、厚さが２μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層１０８、およ
び厚さが０．２μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１
１０を、この順に形成する（図５（Ａ））。
ＶＤ法を用いて厚さが０．５μｍのｎ−ＩｎＰクラッド
層１０２、厚さが０．１２２μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性
層１０４、ｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層１０
６、厚さが２μｍのｐ−ＩｎＰクラッド層１０８、およ
び厚さが０．２μｍのｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１
１０を、この順に形成する（図５（Ａ））。
【０００６】次に、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１
０の上面に、ｐ−ＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法）を用い
て、ＳｉＯ2膜を形成する（図示せず）。その後、Ｓｉ
Ｏ2膜上にフォトレジストを堆積した後、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて５μｍの幅のレジストパターン１１
２を形成する（図５（Ｂ））。次に、このレジストパタ
ーン１１２から露出するＳｉＯ2膜の部分をエッチング
除去する（図５（Ｂ））。なお、レジストパターン１１
２の下にはＳｉＯ2膜が残存している。
０の上面に、ｐ−ＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法）を用い
て、ＳｉＯ2膜を形成する（図示せず）。その後、Ｓｉ
Ｏ2膜上にフォトレジストを堆積した後、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて５μｍの幅のレジストパターン１１
２を形成する（図５（Ｂ））。次に、このレジストパタ
ーン１１２から露出するＳｉＯ2膜の部分をエッチング
除去する（図５（Ｂ））。なお、レジストパターン１１
２の下にはＳｉＯ2膜が残存している。
【０００７】次に、エッチングマスク（レジストパター
ン）１１２から露出するｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１１０からｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層１０
６の上面が露出するまでの各層の部分を、ＲＩＥ法を用
いて、異方性のドライエッチングにより除去する（図５
（Ｃ））。
ン）１１２から露出するｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１１０からｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層１０
６の上面が露出するまでの各層の部分を、ＲＩＥ法を用
いて、異方性のドライエッチングにより除去する（図５
（Ｃ））。
【０００８】その後、同じエッチングマスク１１２を用
いて、残存するｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１０ｘ
の幅を維持した状態で、このコンタクト層１１０ｘの下
側にあるｐ−ＩｎＰクラッド層の残存部分１０８ｘに対
して、（１．１．１）Ａ面方向に向かって異方性のエッ
チングを行う（図５（Ｄ））。このエッチングは、臭化
水素および酢酸の混合溶液を用いたウェットエッチング
により行われる。また、このエッチングによりｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層の残存部分１０８ｘが逆メサ構造１０８ｙ
となる。これにより、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０８ｙの
下層である活性層１０４の実効的な幅を狭くすることが
できる。
いて、残存するｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１０ｘ
の幅を維持した状態で、このコンタクト層１１０ｘの下
側にあるｐ−ＩｎＰクラッド層の残存部分１０８ｘに対
して、（１．１．１）Ａ面方向に向かって異方性のエッ
チングを行う（図５（Ｄ））。このエッチングは、臭化
水素および酢酸の混合溶液を用いたウェットエッチング
により行われる。また、このエッチングによりｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層の残存部分１０８ｘが逆メサ構造１０８ｙ
となる。これにより、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０８ｙの
下層である活性層１０４の実効的な幅を狭くすることが
できる。
【０００９】次に、エッチングマスク１１２を除去した
後、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層の残存部分１１０ｘ
の上側、逆メサ構造１０８ｙの側壁上および逆メサ構造
１０８ｙから露出しているｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチング
ストップ層１０６上にｐ−ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜
１１４を形成する。その後、基板１００の上面側に全面
的にポリイミド樹脂１１６をコーティングする。これに
より、上記ＳｉＯ2膜１１４上にポリイミド樹脂１１６
が設けられる（図６（Ａ））。
後、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層の残存部分１１０ｘ
の上側、逆メサ構造１０８ｙの側壁上および逆メサ構造
１０８ｙから露出しているｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチング
ストップ層１０６上にｐ−ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜
１１４を形成する。その後、基板１００の上面側に全面
的にポリイミド樹脂１１６をコーティングする。これに
より、上記ＳｉＯ2膜１１４上にポリイミド樹脂１１６
が設けられる（図６（Ａ））。
【００１０】この後、一般的なフォトリソグラフィ技術
およびこれに続くエッチング処理により、逆メサ構造１
０８ｙの上側（リッジの頭部分とも称する。）に塗布さ
れたポリイミド樹脂を除去する。その後、アニール処理
を行って、残存するポリイミド樹脂１１６ｘを硬化させ
る。このアニール処理によって、ポリイミド樹脂１１６
ｘは熱膨張（または熱収縮）する。ポリイミド樹脂１１
６ｘは、隣り合う逆メサ構造１０８ｙの側壁間に形成さ
れているので、熱膨張あるいは熱収縮によって、逆メサ
構造１０８ｙとｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層
１０６との境界付近、いわゆる逆メサ構造１０８ｙの首
１０８ｚの部分に大きな歪みが発生する。この歪みの発
生部分を図６（Ｂ）に黒丸で示す（図６（Ｂ））。
およびこれに続くエッチング処理により、逆メサ構造１
０８ｙの上側（リッジの頭部分とも称する。）に塗布さ
れたポリイミド樹脂を除去する。その後、アニール処理
を行って、残存するポリイミド樹脂１１６ｘを硬化させ
る。このアニール処理によって、ポリイミド樹脂１１６
ｘは熱膨張（または熱収縮）する。ポリイミド樹脂１１
６ｘは、隣り合う逆メサ構造１０８ｙの側壁間に形成さ
れているので、熱膨張あるいは熱収縮によって、逆メサ
構造１０８ｙとｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層
１０６との境界付近、いわゆる逆メサ構造１０８ｙの首
１０８ｚの部分に大きな歪みが発生する。この歪みの発
生部分を図６（Ｂ）に黒丸で示す（図６（Ｂ））。
【００１１】次に、一般的なフォトリソグラフィ技術お
よびこれに続くエッチング処理により、逆メサ構造１０
８ｙの上側（リッジの頭）のＳｉＯ2膜１１４を除去す
る。その後、ＳｉＯ2膜の除去により露出したｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層１１０ｘ上に、オーミック電極１
１８としてのＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ積層膜を蒸着する。そし
て、これに引き続き、電極パッド１２０としてのＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ積層膜を蒸着する。次に、ｎ−ＩｎＰ基板１
００の裏面側を、素子全体の厚さが１００μｍ程度にな
るように研磨する。その後、ｎ−ＩｎＰ基板１００の裏
面に、オーミック電極１２２としてのＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ
積層膜およびオーミック電極１２２上に電極パッド１２
４としてのＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜を蒸着する（図６
（Ｃ））。
よびこれに続くエッチング処理により、逆メサ構造１０
８ｙの上側（リッジの頭）のＳｉＯ2膜１１４を除去す
る。その後、ＳｉＯ2膜の除去により露出したｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓコンタクト層１１０ｘ上に、オーミック電極１
１８としてのＡｕ／Ｚｎ／Ａｕ積層膜を蒸着する。そし
て、これに引き続き、電極パッド１２０としてのＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ積層膜を蒸着する。次に、ｎ−ＩｎＰ基板１
００の裏面側を、素子全体の厚さが１００μｍ程度にな
るように研磨する。その後、ｎ−ＩｎＰ基板１００の裏
面に、オーミック電極１２２としてのＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ
積層膜およびオーミック電極１２２上に電極パッド１２
４としてのＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層膜を蒸着する（図６
（Ｃ））。
【００１２】以上の工程を含み、リッジ型構造の半導体
光機能素子が形成される。
光機能素子が形成される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このリッジ型構造の逆
メサ構造１０８ｙの両側には、寄生容量の低減および素
子の平坦化を図るために、ポリイミド樹脂１１６ｘが設
けられている。このポリイミド樹脂を設ける工程におい
て、半導体ウェハの上面に塗布されたポリイミド樹脂を
硬化させるためにアニール処理が行われている。このア
ニール処理時に、ポリイミド樹脂が熱によって膨張ある
いは収縮することにより、逆メサ構造１０８ｙの側壁に
は応力がかかってしまう（図６（Ｂ）参照）。特に逆メ
サ構造の側壁付近に活性層が設けられている場合には、
上記応力が原因で、光機能素子の信頼性に悪影響を及ぼ
すおそれがある。
メサ構造１０８ｙの両側には、寄生容量の低減および素
子の平坦化を図るために、ポリイミド樹脂１１６ｘが設
けられている。このポリイミド樹脂を設ける工程におい
て、半導体ウェハの上面に塗布されたポリイミド樹脂を
硬化させるためにアニール処理が行われている。このア
ニール処理時に、ポリイミド樹脂が熱によって膨張ある
いは収縮することにより、逆メサ構造１０８ｙの側壁に
は応力がかかってしまう（図６（Ｂ）参照）。特に逆メ
サ構造の側壁付近に活性層が設けられている場合には、
上記応力が原因で、光機能素子の信頼性に悪影響を及ぼ
すおそれがある。
【００１４】また、リッジ型構造の半導体光機能素子と
して、ポリイミド樹脂でメサ部分の両側を覆わずに、１
つのメサ部分の上面と、隣接するメサ部分の上面とを、
電極パッドで以て橋渡しをしてある、いわゆるエアブリ
ッジを有する素子もある。
して、ポリイミド樹脂でメサ部分の両側を覆わずに、１
つのメサ部分の上面と、隣接するメサ部分の上面とを、
電極パッドで以て橋渡しをしてある、いわゆるエアブリ
ッジを有する素子もある。
【００１５】しかしながら、エアブリッジを有する素子
においては、ワイヤボンディングやジャンクションダウ
ン実装を行う際に、例えばウェハの裏面を研磨する工程
で、電極パッドが破壊されたり、またはメサ部分が折れ
たりする、素子破壊が発生するおそれがある。
においては、ワイヤボンディングやジャンクションダウ
ン実装を行う際に、例えばウェハの裏面を研磨する工程
で、電極パッドが破壊されたり、またはメサ部分が折れ
たりする、素子破壊が発生するおそれがある。
【００１６】したがって、寄生容量が小さく、素子の平
坦化が図れるリッジ型の半導体光機能素子であって、メ
サ部分の側壁にかかる応力を低減することができ、かつ
素子の信頼性が従来よりも高い半導体光機能素子の出現
が望まれていた。また、メサ部分の側壁に応力がかから
ないように素子を製造する方法の出現も望まれていた。
坦化が図れるリッジ型の半導体光機能素子であって、メ
サ部分の側壁にかかる応力を低減することができ、かつ
素子の信頼性が従来よりも高い半導体光機能素子の出現
が望まれていた。また、メサ部分の側壁に応力がかから
ないように素子を製造する方法の出現も望まれていた。
【００１７】
【課題を解決するための手段】このため、この発明の半
導体光機能素子によれば、基板と、この基板の上側に形
成された積層構造からなる光機能に寄与する逆メサ型構
造部と、基板の上側であって、逆メサ型構造部の側壁面
付近に形成された絶縁材料部とを具えている。そして、
逆メサ型構造部の側壁面と、絶縁材料部との間には、空
間部が介在している。
導体光機能素子によれば、基板と、この基板の上側に形
成された積層構造からなる光機能に寄与する逆メサ型構
造部と、基板の上側であって、逆メサ型構造部の側壁面
付近に形成された絶縁材料部とを具えている。そして、
逆メサ型構造部の側壁面と、絶縁材料部との間には、空
間部が介在している。
【００１８】逆メサ型構造部は、光機能に寄与する部分
であるが、ここでいう光機能とは、例えば発光や光吸
収、導波路等が挙げられる。
であるが、ここでいう光機能とは、例えば発光や光吸
収、導波路等が挙げられる。
【００１９】このような構造の半導体光機能素子におい
ては、逆メサ型構造部の側壁面と絶縁材料部との間に空
間部が形成されているので、逆メサ型構造部の下地との
境界付近、すなわち首の部分には絶縁材料が接着してい
ない。よって、逆メサ型構造部の首には絶縁材料に起因
する応力はかからない。このため、この首部分に歪みが
発生するおそれは低減する。
ては、逆メサ型構造部の側壁面と絶縁材料部との間に空
間部が形成されているので、逆メサ型構造部の下地との
境界付近、すなわち首の部分には絶縁材料が接着してい
ない。よって、逆メサ型構造部の首には絶縁材料に起因
する応力はかからない。このため、この首部分に歪みが
発生するおそれは低減する。
【００２０】また、逆メサ型構造部の上面の縁と絶縁材
料部との空間部の幅は、絶縁材料に起因する応力が逆メ
サ型構造部に加わるのを防止できる最小間隔として形成
できる。また、この間隔は、エッチング処理用のエッチ
ャントがこの空間部に入る程度の間隔であればよい。よ
って、逆メサ型構造部の上面の縁と絶縁材料部とは近接
している。したがって、この空間部が、素子の平坦化を
損なう段差となることはなく、実質的に素子の平坦化は
維持されている。よって、例えば、この逆メサ型構造部
上と絶縁材料部上とに跨って、電極パッド等を形成して
も、電極パッドがエアブリッジ状になる心配はない。こ
れがため、電極パッド形成部分は、十分な強度を有して
いるのでこの部分での素子破壊は抑制できる。
料部との空間部の幅は、絶縁材料に起因する応力が逆メ
サ型構造部に加わるのを防止できる最小間隔として形成
できる。また、この間隔は、エッチング処理用のエッチ
ャントがこの空間部に入る程度の間隔であればよい。よ
って、逆メサ型構造部の上面の縁と絶縁材料部とは近接
している。したがって、この空間部が、素子の平坦化を
損なう段差となることはなく、実質的に素子の平坦化は
維持されている。よって、例えば、この逆メサ型構造部
上と絶縁材料部上とに跨って、電極パッド等を形成して
も、電極パッドがエアブリッジ状になる心配はない。こ
れがため、電極パッド形成部分は、十分な強度を有して
いるのでこの部分での素子破壊は抑制できる。
【００２１】また、逆メサ型構造部の側壁面付近には絶
縁材料部が設けられており、素子の表面は実質的に平坦
化されている。よって、素子を形成する各処理におい
て、逆メサ型構造部の首付近はほとんど外部雰囲気に曝
されるおそれはない。したがって、逆メサ型構造部の首
が折れたりするおそれはない。よって、信頼性の高い素
子が得られる。
縁材料部が設けられており、素子の表面は実質的に平坦
化されている。よって、素子を形成する各処理におい
て、逆メサ型構造部の首付近はほとんど外部雰囲気に曝
されるおそれはない。したがって、逆メサ型構造部の首
が折れたりするおそれはない。よって、信頼性の高い素
子が得られる。
【００２２】なお、ここでいう平坦化とは、逆メサ型構
造部の上面と、この構造部の周辺部の上面との段差をで
きるだけ小さくするという意味を含んでいる。
造部の上面と、この構造部の周辺部の上面との段差をで
きるだけ小さくするという意味を含んでいる。
【００２３】また、この発明の半導体光機能素子の製造
方法によれば、次の４つの工程を含んでいる。
方法によれば、次の４つの工程を含んでいる。
【００２４】基板上に、積層された半導体層を形成す
る工程。
る工程。
【００２５】積層された半導体層の一部の層または全
部の層をパターニングすることにより、側壁面が基板の
上面に対して略垂直となる島状の予備パターンを形成す
る工程。
部の層をパターニングすることにより、側壁面が基板の
上面に対して略垂直となる島状の予備パターンを形成す
る工程。
【００２６】予備パターンの上面および予備パターン
の側壁の一部を露出するように、基板の上側に、絶縁材
料部を形成する工程。
の側壁の一部を露出するように、基板の上側に、絶縁材
料部を形成する工程。
【００２７】予備パターンの側壁をエッチングするこ
とにより、この予備パターンを光機能に寄与する逆メサ
型構造部に変え、かつ逆メサ型構造部と絶縁材料部との
間に空間部を形成する工程。
とにより、この予備パターンを光機能に寄与する逆メサ
型構造部に変え、かつ逆メサ型構造部と絶縁材料部との
間に空間部を形成する工程。
【００２８】上記工程で、基板上に、後に、光機能に
寄与する逆メサ型構造部となる半導体層を形成し、次に
工程で、この半導体層をパターニングして予備パター
ンを得る。この予備パターンは、側壁面が基板の上面に
対して略垂直であり、逆メサ型ではないので予備パター
ンと称している。なお、この予備パターンの上面は逆メ
サ型構造部の上面と実質的に同じ大きさおよび形状であ
る。次に、工程で、予備パターンの両側に絶縁材料部
を形成する。この絶縁材料部は、例えば素子を平坦化す
るための部分である。この絶縁材料部を構成する材料と
して、例えばポリイミド等の熱可塑性の樹脂を用いる場
合には、この工程の時点で、予備パターンの両側に塗
布した後加熱して硬化させておく。次に、工程で、予
備パターンの側壁をエッチングして予備パターンを逆メ
サ型構造部に変える。予備パターンの側壁をエッチング
するために、工程では、絶縁材料部から予備パターン
の側壁が一部露出するように、絶縁材料部を形成してお
く。そして、予備パターンの側壁が一部露出している部
分から側壁全体にかけてエッチングすることによって、
逆メサ型構造部が得られる。また、このエッチングによ
って、逆メサ型構造部と絶縁材料部との間には、上面側
から基板側に向かって広くなる空間部が形成される。こ
れにより、逆メサ型構造部の首の部分の周囲は空気で覆
われることになるので、歪みが発生するおそれはない。
寄与する逆メサ型構造部となる半導体層を形成し、次に
工程で、この半導体層をパターニングして予備パター
ンを得る。この予備パターンは、側壁面が基板の上面に
対して略垂直であり、逆メサ型ではないので予備パター
ンと称している。なお、この予備パターンの上面は逆メ
サ型構造部の上面と実質的に同じ大きさおよび形状であ
る。次に、工程で、予備パターンの両側に絶縁材料部
を形成する。この絶縁材料部は、例えば素子を平坦化す
るための部分である。この絶縁材料部を構成する材料と
して、例えばポリイミド等の熱可塑性の樹脂を用いる場
合には、この工程の時点で、予備パターンの両側に塗
布した後加熱して硬化させておく。次に、工程で、予
備パターンの側壁をエッチングして予備パターンを逆メ
サ型構造部に変える。予備パターンの側壁をエッチング
するために、工程では、絶縁材料部から予備パターン
の側壁が一部露出するように、絶縁材料部を形成してお
く。そして、予備パターンの側壁が一部露出している部
分から側壁全体にかけてエッチングすることによって、
逆メサ型構造部が得られる。また、このエッチングによ
って、逆メサ型構造部と絶縁材料部との間には、上面側
から基板側に向かって広くなる空間部が形成される。こ
れにより、逆メサ型構造部の首の部分の周囲は空気で覆
われることになるので、歪みが発生するおそれはない。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、図を参照してこの発明の実
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概
略的に示してあるに過ぎず、したがってこの発明を図示
例に限定するものではない。また、図において、図を分
かり易くするために断面を示すハッチング（斜線）は一
部分を除き省略してある。
施の形態につき説明する。なお、各図は発明を理解でき
る程度に各構成成分の形状、大きさおよび配置関係を概
略的に示してあるに過ぎず、したがってこの発明を図示
例に限定するものではない。また、図において、図を分
かり易くするために断面を示すハッチング（斜線）は一
部分を除き省略してある。
【００３０】この発明の実施の形態例として、図１〜図
４を参照して、半導体レーザの構成にこの発明を適用し
た例につき説明する。
４を参照して、半導体レーザの構成にこの発明を適用し
た例につき説明する。
【００３１】図１は、半導体レーザの概略的な構成図で
あり、断面の切り口で示してある。図２〜図４は、図１
の半導体レーザの概略的な形成工程図であり、主要工程
における構造体の断面の切り口で示してある。
あり、断面の切り口で示してある。図２〜図４は、図１
の半導体レーザの概略的な形成工程図であり、主要工程
における構造体の断面の切り口で示してある。
【００３２】図１に示す構成例によれば、この実施の形
態の半導体レーザ１０は、基板１８と、基板１８の上側
に形成された発光に寄与する逆メサ型構造部１４と、基
板１８の上側であって、逆メサ型構造部１４の側壁面１
４ｘ付近に形成された絶縁材料部１６とを具えている。
態の半導体レーザ１０は、基板１８と、基板１８の上側
に形成された発光に寄与する逆メサ型構造部１４と、基
板１８の上側であって、逆メサ型構造部１４の側壁面１
４ｘ付近に形成された絶縁材料部１６とを具えている。
【００３３】この実施の形態では、基板１８を第１導電
型基板とし、この基板１８上に、第１導電型クラッド層
２０、活性層２２および第２導電型エッチングストップ
層２４がこの順に積層されている。この例では、第１導
電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型とする。そして、こ
れら基板１８と基板１８上の構成として、より具体的に
は、例えば、ｎ−ＩｎＰ基板１８上に、０．５μｍの厚
さのｎ−ＩｎＰクラッド層２０、０．１２２μｍの厚さ
のＩｎＧａＡｓＰ活性層２２およびｐ−ＩｎＡｌＡｓエ
ッチングストップ層２４がこの順に形成されている。
型基板とし、この基板１８上に、第１導電型クラッド層
２０、活性層２２および第２導電型エッチングストップ
層２４がこの順に積層されている。この例では、第１導
電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型とする。そして、こ
れら基板１８と基板１８上の構成として、より具体的に
は、例えば、ｎ−ＩｎＰ基板１８上に、０．５μｍの厚
さのｎ−ＩｎＰクラッド層２０、０．１２２μｍの厚さ
のＩｎＧａＡｓＰ活性層２２およびｐ−ＩｎＡｌＡｓエ
ッチングストップ層２４がこの順に形成されている。
【００３４】また、逆メサ型構造部１４は、一例とし
て、第２導電型クラッド層２６および第２導電型コンタ
クト層２８で構成されている。より具体的には、例え
ば、２μｍの厚さのｐ−ＩｎＰクラッド層２６および
０．２μｍの厚さのｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８
で構成されている。また、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６の
側壁２６ｘが（１１１）Ａ面の方向の逆メサ型構造とな
っている。
て、第２導電型クラッド層２６および第２導電型コンタ
クト層２８で構成されている。より具体的には、例え
ば、２μｍの厚さのｐ−ＩｎＰクラッド層２６および
０．２μｍの厚さのｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８
で構成されている。また、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６の
側壁２６ｘが（１１１）Ａ面の方向の逆メサ型構造とな
っている。
【００３５】また、逆メサ型構造部１４の側壁面１４ｘ
と絶縁材料部１６との間には、空間部３０が介在してい
る。すなわち、この絶縁材料部１６は、逆メサ型構造部
１４の周辺を埋め込むように、かつ逆メサ型構造部１４
とは接触しないように設けられている。この絶縁材料部
１６と逆メサ型構造部１４との間の空間部３０は、この
材料部１６と構造部１４との間で応力の伝達が生じない
ような最小間隔とするのが好ましい。また、この材料部
１６と構造部１４との間の間隔幅は、構造部１４のくび
れた部分の基板側からくびれた部分の上側に向けて、順
次に幅狭とするのが好適である。
と絶縁材料部１６との間には、空間部３０が介在してい
る。すなわち、この絶縁材料部１６は、逆メサ型構造部
１４の周辺を埋め込むように、かつ逆メサ型構造部１４
とは接触しないように設けられている。この絶縁材料部
１６と逆メサ型構造部１４との間の空間部３０は、この
材料部１６と構造部１４との間で応力の伝達が生じない
ような最小間隔とするのが好ましい。また、この材料部
１６と構造部１４との間の間隔幅は、構造部１４のくび
れた部分の基板側からくびれた部分の上側に向けて、順
次に幅狭とするのが好適である。
【００３６】絶縁材料部１６を構成する材料として、絶
縁性樹脂を用いるのが好適であるが、この実施の形態で
は、ポリイミド樹脂を用いる。この実施の形態では、絶
縁材料部１６の、逆メサ型構造部１４の側壁面１４ｘに
対向する側壁１６ｘは、基板１８の上面に対して略垂直
に形成されている。そして、逆メサ型構造部１４の上面
の縁１４ｙと絶縁材料部１６の側壁１６ｘとの間の間隙
は最も小さく、この実施の形態では０．２〜０．３μｍ
程度である。これに対して、逆メサ型構造部１４の首１
４ａと絶縁材料部１６の側壁１６ｘとの間の間隙は、逆
メサ型構造部１４の側壁面１４ｘが（１１１）Ａ面の方
向に形成されているために、最も大きくなる。また、こ
の実施の形態では、逆メサ型構造部１４の上面の幅（メ
サ幅とも称する。）を５μｍとする。
縁性樹脂を用いるのが好適であるが、この実施の形態で
は、ポリイミド樹脂を用いる。この実施の形態では、絶
縁材料部１６の、逆メサ型構造部１４の側壁面１４ｘに
対向する側壁１６ｘは、基板１８の上面に対して略垂直
に形成されている。そして、逆メサ型構造部１４の上面
の縁１４ｙと絶縁材料部１６の側壁１６ｘとの間の間隙
は最も小さく、この実施の形態では０．２〜０．３μｍ
程度である。これに対して、逆メサ型構造部１４の首１
４ａと絶縁材料部１６の側壁１６ｘとの間の間隙は、逆
メサ型構造部１４の側壁面１４ｘが（１１１）Ａ面の方
向に形成されているために、最も大きくなる。また、こ
の実施の形態では、逆メサ型構造部１４の上面の幅（メ
サ幅とも称する。）を５μｍとする。
【００３７】また、この実施の形態の半導体レーザ１０
においては、逆メサ型構造部１４のｐ−ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層２８上から絶縁材料部１６の上側に連続する
電極パッド３２が形成されている。電極パッド３２はＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜で構成されている。また、
この実施の形態では、電極パッド３２の下側にオーミッ
ク電極３４としてＡｕ／Ｚｎ／Ａｕからなる積層金属膜
が設けられている。絶縁材料部１６であるポリイミド樹
脂上にはＳｉＯ2絶縁膜３６が設けられていて、このＳ
ｉＯ2絶縁膜３６を介してオーミック電極３４が形成さ
れている。また、ｎ−ＩｎＰ基板１８の裏面１８ｘ側に
も、オーミック電極３８としてのＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉから
なる積層金属膜が形成されており、さらにこのオーミッ
ク電極３８上に電極パッド４０としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
からなる積層金属膜が設けられている（図１）。
においては、逆メサ型構造部１４のｐ−ＩｎＧａＡｓコ
ンタクト層２８上から絶縁材料部１６の上側に連続する
電極パッド３２が形成されている。電極パッド３２はＴ
ｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層金属膜で構成されている。また、
この実施の形態では、電極パッド３２の下側にオーミッ
ク電極３４としてＡｕ／Ｚｎ／Ａｕからなる積層金属膜
が設けられている。絶縁材料部１６であるポリイミド樹
脂上にはＳｉＯ2絶縁膜３６が設けられていて、このＳ
ｉＯ2絶縁膜３６を介してオーミック電極３４が形成さ
れている。また、ｎ−ＩｎＰ基板１８の裏面１８ｘ側に
も、オーミック電極３８としてのＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉから
なる積層金属膜が形成されており、さらにこのオーミッ
ク電極３８上に電極パッド４０としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ
からなる積層金属膜が設けられている（図１）。
【００３８】上述した構成の半導体レーザ１０の構成に
よれば、逆メサ型構造部１４の側壁面１４ｘの周囲が空
間部３０となっている。この空間部３０は、半導体レー
ザの寄生容量を小さくし得る気体で満たされているか或
いは真空であっても良い。この実施の形態の構成例で
は、逆メサ型構造部１４の周囲は空気で覆われる。空気
はポリイミド樹脂よりも比誘電率が小さい。よって、こ
の実施の形態例の半導体レーザ１０の寄生容量は、エア
ブリッジを有するリッジ型の半導体レーザと同程度とな
り、逆メサ型構造部の周囲がポリイミド樹脂などの絶縁
材料で覆われた構造の素子よりも、小さくなる。また、
逆メサ型構造部１４の首１４ａには、絶縁材料に起因す
る応力はかからない。よって、この首１４ａ部分に歪み
が発生するおそれは低減する。
よれば、逆メサ型構造部１４の側壁面１４ｘの周囲が空
間部３０となっている。この空間部３０は、半導体レー
ザの寄生容量を小さくし得る気体で満たされているか或
いは真空であっても良い。この実施の形態の構成例で
は、逆メサ型構造部１４の周囲は空気で覆われる。空気
はポリイミド樹脂よりも比誘電率が小さい。よって、こ
の実施の形態例の半導体レーザ１０の寄生容量は、エア
ブリッジを有するリッジ型の半導体レーザと同程度とな
り、逆メサ型構造部の周囲がポリイミド樹脂などの絶縁
材料で覆われた構造の素子よりも、小さくなる。また、
逆メサ型構造部１４の首１４ａには、絶縁材料に起因す
る応力はかからない。よって、この首１４ａ部分に歪み
が発生するおそれは低減する。
【００３９】また、逆メサ型構造部１４の側壁面１４ｘ
付近には空間部３０を介して絶縁材料部１６が形成され
ている。そして、図１からも明らかなように、逆メサ型
構造部１４の上面の縁１４ｙと絶縁材料部１６とは非常
に近接している。よって、逆メサ型構造部１４の縁１４
ｙ付近の空間部３０が、素子の平坦化を損なう段差とし
てはみなされない。したがって、絶縁材料部１６は、逆
メサ型構造部１４の上面と、この構造部１４の周辺部の
上面との段差を小さくすることができる。図１を参照す
ると、この実施の形態の構成例では、逆メサ型構造部１
４の上面と絶縁材料部１６の上面とで段差が形成されて
いるように見えるが、この段差は、絶縁材料部１６が設
けられていない場合に形成される逆メサ型構造部１４の
上面と第２導電型エッチングストップ層２４の上面との
段差よりもずっと小さいものである。よって、実質的
に、素子１０の平坦化は維持されている。よって、素子
１０の実装工程を行う上での強度は、エアブリッジを有
する半導体レーザよりも高い。したがって、信頼性の高
い半導体レーザ１０であり、さらに歩留まりも従来より
も向上する。
付近には空間部３０を介して絶縁材料部１６が形成され
ている。そして、図１からも明らかなように、逆メサ型
構造部１４の上面の縁１４ｙと絶縁材料部１６とは非常
に近接している。よって、逆メサ型構造部１４の縁１４
ｙ付近の空間部３０が、素子の平坦化を損なう段差とし
てはみなされない。したがって、絶縁材料部１６は、逆
メサ型構造部１４の上面と、この構造部１４の周辺部の
上面との段差を小さくすることができる。図１を参照す
ると、この実施の形態の構成例では、逆メサ型構造部１
４の上面と絶縁材料部１６の上面とで段差が形成されて
いるように見えるが、この段差は、絶縁材料部１６が設
けられていない場合に形成される逆メサ型構造部１４の
上面と第２導電型エッチングストップ層２４の上面との
段差よりもずっと小さいものである。よって、実質的
に、素子１０の平坦化は維持されている。よって、素子
１０の実装工程を行う上での強度は、エアブリッジを有
する半導体レーザよりも高い。したがって、信頼性の高
い半導体レーザ１０であり、さらに歩留まりも従来より
も向上する。
【００４０】次に、図２〜図４を参照して、このような
半導体レーザの製造方法の一例につき説明する。
半導体レーザの製造方法の一例につき説明する。
【００４１】まず、第１導電型基板１８上に、第１導電
型クラッド層２０、活性層２２および第２導電型エッチ
ングストップ層２４を堆積する。次に、これに連続し
て、逆メサ型構造部形成用の半導体層４２となる第２導
電型第１膜４４および第２導電型第２膜４６をこの順に
堆積させる。
型クラッド層２０、活性層２２および第２導電型エッチ
ングストップ層２４を堆積する。次に、これに連続し
て、逆メサ型構造部形成用の半導体層４２となる第２導
電型第１膜４４および第２導電型第２膜４６をこの順に
堆積させる。
【００４２】したがって、この実施の形態では、ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１８上に、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ−ＩｎＰ
クラッド層２０を０．５μｍの厚さに形成した後、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層２２を０．１２２μｍの厚さに形成す
る。引き続き、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２上にｐ−Ｉｎ
ＡｌＡｓエッチングストップ層２４、２μｍの厚さのｐ
−ＩｎＰ膜４４および０．２μｍの厚さのｐ−ＩｎＧａ
Ａｓ膜４６を形成する（図２（Ａ））。
ｎＰ基板１８上に、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ−ＩｎＰ
クラッド層２０を０．５μｍの厚さに形成した後、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層２２を０．１２２μｍの厚さに形成す
る。引き続き、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２２上にｐ−Ｉｎ
ＡｌＡｓエッチングストップ層２４、２μｍの厚さのｐ
−ＩｎＰ膜４４および０．２μｍの厚さのｐ−ＩｎＧａ
Ａｓ膜４６を形成する（図２（Ａ））。
【００４３】次に、逆メサ型構造部形成用半導体層４２
をパターニングすることにより、逆メサ型構造部形成用
の予備パターン４８を形成する（図２（Ｃ）参照）。
をパターニングすることにより、逆メサ型構造部形成用
の予備パターン４８を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００４４】そのため、まず、この実施の形態では、ｐ
−ＩｎＧａＡｓ膜４６上にプラズマＣＶＤ法（ｐ−ＣＶ
Ｄ法）でＳｉＯ2膜４７を形成する。その後、一般的な
フォトリソグラフィ工程により、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜４
６の上側に、すなわち、ＳｉＯ2膜４７上に、第１マス
ク５２を設ける（図２（Ｂ））。この第１マスク５２
は、逆メサ型構造部の上面のパターンに対応する形状と
して、幅５μｍのストライプパターン形状の島パターン
５０を有する。次に、第１マスク５２から露出する領域
のＳｉＯ2膜４７を除去する。
−ＩｎＧａＡｓ膜４６上にプラズマＣＶＤ法（ｐ−ＣＶ
Ｄ法）でＳｉＯ2膜４７を形成する。その後、一般的な
フォトリソグラフィ工程により、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜４
６の上側に、すなわち、ＳｉＯ2膜４７上に、第１マス
ク５２を設ける（図２（Ｂ））。この第１マスク５２
は、逆メサ型構造部の上面のパターンに対応する形状と
して、幅５μｍのストライプパターン形状の島パターン
５０を有する。次に、第１マスク５２から露出する領域
のＳｉＯ2膜４７を除去する。
【００４５】続いて、第１マスク５２から露出する第２
導電型第２膜４６の部分から第２導電型エッチングスト
ップ層２４の上面が露出するまでエッチング除去する
（図２（Ｃ）参照）。そのために、まず、第１マスク５
２を用いて、ＲＩＥ法により、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜４
６、その下のｐ−ＩｎＰ膜４４を順次エッチング除去す
る。このエッチングを、基板１８の上面に対して垂直な
方向の異方性エッチングで行い、ｐ−ＩｎＰ膜４４の下
のｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層２４の上面を
露出させる。これにより、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜の残存部
分（ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層）２８およびｐ−Ｉ
ｎＰ膜の残存部分４４ｘを含んで構成された逆メサ型構
造部形成用の予備パターン４８が得られる。この予備パ
ターン４８の側壁面は、基板１８の上面に対して略垂直
な面となる。
導電型第２膜４６の部分から第２導電型エッチングスト
ップ層２４の上面が露出するまでエッチング除去する
（図２（Ｃ）参照）。そのために、まず、第１マスク５
２を用いて、ＲＩＥ法により、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜４
６、その下のｐ−ＩｎＰ膜４４を順次エッチング除去す
る。このエッチングを、基板１８の上面に対して垂直な
方向の異方性エッチングで行い、ｐ−ＩｎＰ膜４４の下
のｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層２４の上面を
露出させる。これにより、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜の残存部
分（ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層）２８およびｐ−Ｉ
ｎＰ膜の残存部分４４ｘを含んで構成された逆メサ型構
造部形成用の予備パターン４８が得られる。この予備パ
ターン４８の側壁面は、基板１８の上面に対して略垂直
な面となる。
【００４６】次に、予備パターン４８上および予備パタ
ーン４８から露出する第２導電型エッチングストップ層
２４上を覆うように、絶縁材料を堆積して、絶縁材料層
５４を形成する（図３（Ａ））。
ーン４８から露出する第２導電型エッチングストップ層
２４上を覆うように、絶縁材料を堆積して、絶縁材料層
５４を形成する（図３（Ａ））。
【００４７】この実施の形態では、絶縁材料としてのポ
リイミド樹脂を塗布する。
リイミド樹脂を塗布する。
【００４８】次に、絶縁材料層５４上に第２マスクとし
てエッチングマスク５６を設ける（図３（Ｂ））この第
２マスクは、第１マスク５２の島パターン５０の幅より
も広い幅を有する窓５８を有している。そして、この第
２マスク５６を、この窓５８がちょうど予備パターン４
８の上に位置するように設ける。一例として、第２マス
ク５６の窓５８の幅は、予備パターン（５μｍのメサ幅
のストライプパターン）４８のメサ幅よりも広い５．２
〜５．３μｍの幅とする。
てエッチングマスク５６を設ける（図３（Ｂ））この第
２マスクは、第１マスク５２の島パターン５０の幅より
も広い幅を有する窓５８を有している。そして、この第
２マスク５６を、この窓５８がちょうど予備パターン４
８の上に位置するように設ける。一例として、第２マス
ク５６の窓５８の幅は、予備パターン（５μｍのメサ幅
のストライプパターン）４８のメサ幅よりも広い５．２
〜５．３μｍの幅とする。
【００４９】この実施の形態では、絶縁材料としてポリ
イミド樹脂を用いているが、その他の絶縁材料を用いて
絶縁材料層５４が形成されている場合には、塗布された
絶縁材料層５４の上に、フォトレジストを堆積した後、
一般的なフォトリソグラフィ技術を用いて、第２マスク
５６を形成する。
イミド樹脂を用いているが、その他の絶縁材料を用いて
絶縁材料層５４が形成されている場合には、塗布された
絶縁材料層５４の上に、フォトレジストを堆積した後、
一般的なフォトリソグラフィ技術を用いて、第２マスク
５６を形成する。
【００５０】次に、エッチングマスク５６から露出する
絶縁材料層５４の部分をエッチング除去することによ
り、予備パターン４８の上面および予備パターン４８の
側壁の上方側の一部を露出させる（図３（Ｃ））。
絶縁材料層５４の部分をエッチング除去することによ
り、予備パターン４８の上面および予備パターン４８の
側壁の上方側の一部を露出させる（図３（Ｃ））。
【００５１】この実施の形態では、絶縁材料としてポリ
イミド樹脂を用いているので、第２マスク５６をフォト
マスクとして用いて、一般的なフォトリソグラフィ技術
によって、絶縁材料層５４を部分的に除去することがで
きる。まず、第２マスク５６を介して露光を行う。これ
により、窓５８から露出する絶縁材料層５４の部分は現
像液に可溶な状態となる。次に、現像処理を行う。これ
により、予備パターン４８の上面および予備パターンの
側壁の上方側の一部が露出する。
イミド樹脂を用いているので、第２マスク５６をフォト
マスクとして用いて、一般的なフォトリソグラフィ技術
によって、絶縁材料層５４を部分的に除去することがで
きる。まず、第２マスク５６を介して露光を行う。これ
により、窓５８から露出する絶縁材料層５４の部分は現
像液に可溶な状態となる。次に、現像処理を行う。これ
により、予備パターン４８の上面および予備パターンの
側壁の上方側の一部が露出する。
【００５２】この実施の形態において、露出している部
分は、具体的には、第１マスク５２の上面および側壁、
第２導電型第２膜の残存部分（第２導電型コンタクト
層）２８の側壁２８ｘならびに第２導電型第１膜の残存
部分４４ｘの側壁の一部４４ｙである（図３（Ｃ））。
分は、具体的には、第１マスク５２の上面および側壁、
第２導電型第２膜の残存部分（第２導電型コンタクト
層）２８の側壁２８ｘならびに第２導電型第１膜の残存
部分４４ｘの側壁の一部４４ｙである（図３（Ｃ））。
【００５３】一方、絶縁材料として他の材料を用いてい
る場合には、上記フォトリソグラフィおよびエッチング
処理によって形成された第２マスク（エッチングマス
ク）５６の窓５８に露出する絶縁材料層５４の部分を、
予備パターン４８の側壁４４ｙの上側部分が現れるま
で、エッチング除去する。このエッチングによって、こ
の実施の形態と同様に、窓５８の下方に位置している第
１マスク５２の上面および側壁、第２導電型第２膜の残
存部分（第２導電型コンタクト層）２８の側壁２８ｘな
らびに第２導電型第１膜の残存部分４４ｘの側壁の一部
４４ｙが露出する（図３（Ｃ））。
る場合には、上記フォトリソグラフィおよびエッチング
処理によって形成された第２マスク（エッチングマス
ク）５６の窓５８に露出する絶縁材料層５４の部分を、
予備パターン４８の側壁４４ｙの上側部分が現れるま
で、エッチング除去する。このエッチングによって、こ
の実施の形態と同様に、窓５８の下方に位置している第
１マスク５２の上面および側壁、第２導電型第２膜の残
存部分（第２導電型コンタクト層）２８の側壁２８ｘな
らびに第２導電型第１膜の残存部分４４ｘの側壁の一部
４４ｙが露出する（図３（Ｃ））。
【００５４】なお、この実施の形態では、このエッチン
グマスク５６に形成された窓５８の幅を、第１マスクの
島状パターン５０の幅よりも広く形成する。この窓５８
の幅は、基本的には、予備パターン４８の上部側の周辺
をエッチング除去できる大きさであればよい。ここで
は、この窓５８の幅を、上述した予備パターン４８のｐ
−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８の側壁２８ｘおよびそ
の下のｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４４ｘの側壁の一部４４
ｙを露出させるエッチングができる程度の幅でとした。
グマスク５６に形成された窓５８の幅を、第１マスクの
島状パターン５０の幅よりも広く形成する。この窓５８
の幅は、基本的には、予備パターン４８の上部側の周辺
をエッチング除去できる大きさであればよい。ここで
は、この窓５８の幅を、上述した予備パターン４８のｐ
−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８の側壁２８ｘおよびそ
の下のｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４４ｘの側壁の一部４４
ｙを露出させるエッチングができる程度の幅でとした。
【００５５】次に、残存する絶縁材料層５４（ポリイミ
ド樹脂膜１６）を硬化させた後、露出している予備パタ
ーン４８の側壁の一部から予備パターン４８の側壁全体
に対して、異方性のウェットエッチングを行って、逆メ
サ型構造部１４を形成する（図４（Ａ））。
ド樹脂膜１６）を硬化させた後、露出している予備パタ
ーン４８の側壁の一部から予備パターン４８の側壁全体
に対して、異方性のウェットエッチングを行って、逆メ
サ型構造部１４を形成する（図４（Ａ））。
【００５６】そこで、まず、残存する絶縁材料層５４
（ポリイミド樹脂膜１６）を適当な方法で硬化させる。
その後、第２導電型第１膜の残存部分４４ｘの側壁の一
部４４ｙの露出面に対して、異方性のウェットエッチン
グを行う。このエッチングにより、残存部分４４ｘは、
下地面側に向かうにしたがって、下地面と平行な方向横
方向に大きくエッチングされて逆メサ型の第２導電型ク
ラッド層２６が得られる（図４（Ａ））。
（ポリイミド樹脂膜１６）を適当な方法で硬化させる。
その後、第２導電型第１膜の残存部分４４ｘの側壁の一
部４４ｙの露出面に対して、異方性のウェットエッチン
グを行う。このエッチングにより、残存部分４４ｘは、
下地面側に向かうにしたがって、下地面と平行な方向横
方向に大きくエッチングされて逆メサ型の第２導電型ク
ラッド層２６が得られる（図４（Ａ））。
【００５７】よって、この実施の形態では、まず、残存
しているポリイミド樹脂膜１６に対して３５０℃の温度
で熱処理を行って、硬化させる。この熱処理によって、
ポリイミド樹脂は熱膨張するので、ｐ−ＩｎＰ膜の残存
部分４４ｘと活性層２４との境界付近には応力がかか
り、歪みが発生する。その後、この構造体に対して、臭
化水素と酢酸との混合溶液からなるエッチャントを用い
てウェットエッチングを行う。これにより、ポリイミド
樹脂膜１６から露出しているｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４
４ｘの側壁の一部４４ｙからエッチングが開始される。
上記エッチャントは、ｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４４ｘの
側壁に対して（１１１）Ａ面に向かう方向にエッチング
を進行させる異方性のエッチャントである。したがっ
て、このエッチングにより、ｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４
４ｘは、逆メサ型構造のｐ−ＩｎＰクラッド層２６とな
る。また、これに伴い、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６の側
壁２６ｘと絶縁材料部１６であるポリイミド樹脂膜との
間には空間部３０が形成される。よって、ポリイミド樹
脂を硬化させる際に、熱膨張により発生した、ｐ−Ｉｎ
Ｐ膜の残存部分４４ｘと活性層２４との境界付近の歪み
を除去することができる。
しているポリイミド樹脂膜１６に対して３５０℃の温度
で熱処理を行って、硬化させる。この熱処理によって、
ポリイミド樹脂は熱膨張するので、ｐ−ＩｎＰ膜の残存
部分４４ｘと活性層２４との境界付近には応力がかか
り、歪みが発生する。その後、この構造体に対して、臭
化水素と酢酸との混合溶液からなるエッチャントを用い
てウェットエッチングを行う。これにより、ポリイミド
樹脂膜１６から露出しているｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４
４ｘの側壁の一部４４ｙからエッチングが開始される。
上記エッチャントは、ｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４４ｘの
側壁に対して（１１１）Ａ面に向かう方向にエッチング
を進行させる異方性のエッチャントである。したがっ
て、このエッチングにより、ｐ−ＩｎＰ膜の残存部分４
４ｘは、逆メサ型構造のｐ−ＩｎＰクラッド層２６とな
る。また、これに伴い、ｐ−ＩｎＰクラッド層２６の側
壁２６ｘと絶縁材料部１６であるポリイミド樹脂膜との
間には空間部３０が形成される。よって、ポリイミド樹
脂を硬化させる際に、熱膨張により発生した、ｐ−Ｉｎ
Ｐ膜の残存部分４４ｘと活性層２４との境界付近の歪み
を除去することができる。
【００５８】次に、この実施の形態では、構造体の上側
からｐ−ＣＶＤ法を用いて、ＳｉＯ 2膜６０を構造体の
上面全体に形成する（図４（Ｂ））。このとき、ＳｉＯ
2がポリイミド樹脂膜１６とｐ−ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層２８との間の隙間から空間部３０に入り込むことが
考えられるが、これは、素子の動作上問題はない。
からｐ−ＣＶＤ法を用いて、ＳｉＯ 2膜６０を構造体の
上面全体に形成する（図４（Ｂ））。このとき、ＳｉＯ
2がポリイミド樹脂膜１６とｐ−ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層２８との間の隙間から空間部３０に入り込むことが
考えられるが、これは、素子の動作上問題はない。
【００５９】次に、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２８
の上面に形成されたＳｉＯ2膜６０を除去する。このた
め、周知のフォトリソグラフィ処理およびこれに続くエ
ッチング処理を用いて、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２８上のＳｉＯ2膜６０を除去する。よって、ポリイミ
ド樹脂膜１６上にのみＳｉＯ2絶縁膜３６が残存する
（図４（Ｃ））。
の上面に形成されたＳｉＯ2膜６０を除去する。このた
め、周知のフォトリソグラフィ処理およびこれに続くエ
ッチング処理を用いて、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２８上のＳｉＯ2膜６０を除去する。よって、ポリイミ
ド樹脂膜１６上にのみＳｉＯ2絶縁膜３６が残存する
（図４（Ｃ））。
【００６０】その後、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層２
８の上面に、オーミック電極３４として、Ａｕ／Ｚｎ／
Ａｕを蒸着させた後、さらに、この上に電極パッド３２
としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着させる。
８の上面に、オーミック電極３４として、Ａｕ／Ｚｎ／
Ａｕを蒸着させた後、さらに、この上に電極パッド３２
としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着させる。
【００６１】次に、ｎ−ＩｎＰ基板１８の裏面１８ｘに
対して、素子全体の厚さが１００μｍ程度となるよう
に、研磨を行う。その後、このｎ−ＩｎＰ基板１８の裏
面１８ｘにオーミック電極３８としてＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ
を蒸着させた後、さらに電極パッド４０としてＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕを蒸着させる。
対して、素子全体の厚さが１００μｍ程度となるよう
に、研磨を行う。その後、このｎ−ＩｎＰ基板１８の裏
面１８ｘにオーミック電極３８としてＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ
を蒸着させた後、さらに電極パッド４０としてＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕを蒸着させる。
【００６２】これにより、図１に示す半導体レーザ１０
が得られる。
が得られる。
【００６３】この結果、異方性のウェットエッチングを
行って予備パターン４８を逆メサ型構造部１４に変える
ことによって、予備パターン４８に発生していた歪みを
除去することができる。これにより、得られる素子１０
の信頼性を向上させることができる。また、逆メサ型構
造部１４の周囲は空間部３０となっているので、ポリイ
ミド樹脂膜で覆われているよりも、素子の寄生容量の低
減化が図れる。また、この素子１０の逆メサ型構造部１
４の上面付近の両側には、ポリイミド樹脂膜１６が近接
して設けられている。したがって、このポリイミド樹脂
膜１６は実質的に素子１０の表面を平坦化している。よ
って、素子を実装する際の強度は、例えばエアブリッジ
構造の半導体レーザよりも高い。よって、素子の歩留ま
りを向上されることができる。
行って予備パターン４８を逆メサ型構造部１４に変える
ことによって、予備パターン４８に発生していた歪みを
除去することができる。これにより、得られる素子１０
の信頼性を向上させることができる。また、逆メサ型構
造部１４の周囲は空間部３０となっているので、ポリイ
ミド樹脂膜で覆われているよりも、素子の寄生容量の低
減化が図れる。また、この素子１０の逆メサ型構造部１
４の上面付近の両側には、ポリイミド樹脂膜１６が近接
して設けられている。したがって、このポリイミド樹脂
膜１６は実質的に素子１０の表面を平坦化している。よ
って、素子を実装する際の強度は、例えばエアブリッジ
構造の半導体レーザよりも高い。よって、素子の歩留ま
りを向上されることができる。
【００６４】また、この実施の形態では、逆メサ型構造
部を、第２導電型クラッド層と第２導電型コンタクト層
とで構成したが、この構成に限られるものではない。こ
の実施の形態の半導体光機能素子の構成においては、例
えば、第２導電型コンタクト層、第２導電型クラッド層
および活性層を含んでいる逆メサ型構造部であってもよ
いし、第２導電型コンタクト層、第２導電型クラッド
層、活性層および第１導電型クラッド層を含んでいる逆
メサ型構造部であってもよい。そして、このような場合
には、逆メサ型構造部を構成する層のうち、一番基板側
の層の直下にエッチングストップ層が形成される。
部を、第２導電型クラッド層と第２導電型コンタクト層
とで構成したが、この構成に限られるものではない。こ
の実施の形態の半導体光機能素子の構成においては、例
えば、第２導電型コンタクト層、第２導電型クラッド層
および活性層を含んでいる逆メサ型構造部であってもよ
いし、第２導電型コンタクト層、第２導電型クラッド
層、活性層および第１導電型クラッド層を含んでいる逆
メサ型構造部であってもよい。そして、このような場合
には、逆メサ型構造部を構成する層のうち、一番基板側
の層の直下にエッチングストップ層が形成される。
【００６５】また、この実施の形態では、１．３μｍ帯
のＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰ半導体レーザを例に挙げて説
明したが、この発明が適用される構造体は、これに限ら
れるものではない。他の材料を用いたものや、他の波長
帯のレーザ、または、例えば光変調器、ＬＥＤ、フォト
ダイオード、光アンプ、光導波路等、他の半導体光機能
素子であって、リッジ構造を有する素子に適用すること
ができる。また、異なる半導体光機能素子が集積されて
いる光デバイス、例えば光変調器付き半導体レーザのよ
うな装置に適用することも可能である。
のＩｎＧａＡｓＰ−ＩｎＰ半導体レーザを例に挙げて説
明したが、この発明が適用される構造体は、これに限ら
れるものではない。他の材料を用いたものや、他の波長
帯のレーザ、または、例えば光変調器、ＬＥＤ、フォト
ダイオード、光アンプ、光導波路等、他の半導体光機能
素子であって、リッジ構造を有する素子に適用すること
ができる。また、異なる半導体光機能素子が集積されて
いる光デバイス、例えば光変調器付き半導体レーザのよ
うな装置に適用することも可能である。
【００６６】
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
発明の半導体光機能素子によれば、逆メサ型構造部の首
の部分には絶縁材料が接着していない。よって、逆メサ
型構造部の首には絶縁材料に起因する応力はかからな
い。このため、この首部分に歪みが発生するおそれは低
減する。
発明の半導体光機能素子によれば、逆メサ型構造部の首
の部分には絶縁材料が接着していない。よって、逆メサ
型構造部の首には絶縁材料に起因する応力はかからな
い。このため、この首部分に歪みが発生するおそれは低
減する。
【００６７】また、逆メサ型構造部の上面の縁と絶縁材
料部とは近接している。よって、実質的に素子の平坦化
は維持されている。よって、例えば、この逆メサ型構造
部上と絶縁材料部上とに跨って、電極パッド等を形成し
ても、電極パッドがエアブリッジ状になる心配はない。
したがって、電極パッド形成部分は、十分な強度を有し
ているのでこの部分での素子破壊は抑制できる。また、
逆メサ型構造部の側壁面付近には側壁面に接着しないで
絶縁材料部が設けられており、素子の表面は実質的に平
坦化されている。よって、素子を形成する各処理におい
て、逆メサ型構造部の首付近はほとんど外部雰囲気に曝
されるおそれはない。したがって、逆メサ型構造部の首
が折れたりするおそれはない。よって、信頼性の高い素
子が得られる。
料部とは近接している。よって、実質的に素子の平坦化
は維持されている。よって、例えば、この逆メサ型構造
部上と絶縁材料部上とに跨って、電極パッド等を形成し
ても、電極パッドがエアブリッジ状になる心配はない。
したがって、電極パッド形成部分は、十分な強度を有し
ているのでこの部分での素子破壊は抑制できる。また、
逆メサ型構造部の側壁面付近には側壁面に接着しないで
絶縁材料部が設けられており、素子の表面は実質的に平
坦化されている。よって、素子を形成する各処理におい
て、逆メサ型構造部の首付近はほとんど外部雰囲気に曝
されるおそれはない。したがって、逆メサ型構造部の首
が折れたりするおそれはない。よって、信頼性の高い素
子が得られる。
【図１】この発明の実施の形態の半導体レーザの概略的
な構成図であり、断面の切り口で示してある。
な構成図であり、断面の切り口で示してある。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の半導体レーザの製造
工程図である。
工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、図２に続く、半導体レーザ
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は、図３に続く、半導体レーザ
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）は、従来の半導体レーザの製造
工程図である。
工程図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｃ）は、図５に続く、従来の半導体
レーザの製造工程図である。
レーザの製造工程図である。
１０：半導体レーザ（素子） １４：逆メサ型構造部 １４ａ，１０８ｚ：首 １４ｘ：側壁面 １４ｙ：縁 １６：絶縁材料部（ポリイミド樹脂膜） １６ｘ，２６ｘ，２８ｘ：側壁 １８，１００：第１導電型基板（ｎ−ＩｎＰ基板） １８ｘ：裏面 ２０，１０２：第１導電型クラッド層（ｎ−ＩｎＰクラ
ッド層） ２２，１０４：活性層（ＩｎＧａＡｓＰ活性層） ２４，１０６：第２導電型エッチングストップ層（ｐ−
ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層） ２６，１０８：第２導電型クラッド層（ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層） ２８，１１０：第２導電型コンタクト層（ｐ−ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜の残存部分） ３０：空間部 ３２，４０，１２０，１２４：電極パッド ３４，３８，１１８，１２２：オーミック電極 ３６：残存するＳｉＯ2絶縁膜 ４２：逆メサ型構造部形成用半導体層 ４４：第２導電型第１膜（ｐ−ＩｎＰ膜） ４４ｘ：第２導電型第１膜の残存部分（ｐ−ＩｎＰ膜の
残存部分） ４４ｙ：側壁の一部 ４６：第２導電型第２膜（ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜） ４７，６０，１１４：ＳｉＯ2膜 ４８：予備パターン ５０：島パターン ５２：第１マスク ５４：絶縁材料層 ５６：エッチングマスク（第２マスク、フォトマスク） ５８：窓 １０８ｘ：ｐ−ＩｎＰクラッド層の残存部分 １０８ｙ：逆メサ構造 １１０ｘ：残存するｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １１６：ポリイミド樹脂 １１６ｘ：残存するポリイミド樹脂
ッド層） ２２，１０４：活性層（ＩｎＧａＡｓＰ活性層） ２４，１０６：第２導電型エッチングストップ層（ｐ−
ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ層） ２６，１０８：第２導電型クラッド層（ｐ−ＩｎＰクラ
ッド層） ２８，１１０：第２導電型コンタクト層（ｐ−ＩｎＧａ
Ａｓコンタクト層、ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜の残存部分） ３０：空間部 ３２，４０，１２０，１２４：電極パッド ３４，３８，１１８，１２２：オーミック電極 ３６：残存するＳｉＯ2絶縁膜 ４２：逆メサ型構造部形成用半導体層 ４４：第２導電型第１膜（ｐ−ＩｎＰ膜） ４４ｘ：第２導電型第１膜の残存部分（ｐ−ＩｎＰ膜の
残存部分） ４４ｙ：側壁の一部 ４６：第２導電型第２膜（ｐ−ＩｎＧａＡｓ膜） ４７，６０，１１４：ＳｉＯ2膜 ４８：予備パターン ５０：島パターン ５２：第１マスク ５４：絶縁材料層 ５６：エッチングマスク（第２マスク、フォトマスク） ５８：窓 １０８ｘ：ｐ−ＩｎＰクラッド層の残存部分 １０８ｙ：逆メサ構造 １１０ｘ：残存するｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １１６：ポリイミド樹脂 １１６ｘ：残存するポリイミド樹脂
Claims (10)
- 【請求項１】 基板と、 該基板の上側に形成された、積層構造からなる光機能に
寄与する逆メサ型構造部と、 前記基板の上側であって、該逆メサ型構造部の側壁面付
近に形成された絶縁材料部とを具え、 前記逆メサ型構造部の側壁面と前記絶縁材料部との間に
は空間部が介在していることを特徴とする半導体光機能
素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体光機能素子にお
いて、 前記基板を、第１導電型基板とし、 該第１導電型基板上に、第１導電型クラッド層、活性
層、第２導電型クラッド層および第２導電型コンタクト
層を、この順に具えていて、 前記逆メサ型構造部は、少なくとも前記第２導電型クラ
ッド層および第２導電型コンタクト層を含んで構成され
ていることを特徴とする半導体光機能素子。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の半導体
光機能素子において、 前記基板を、ｎ−ＩｎＰ基板とし、 該ｎ−ＩｎＰ基板上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層、ｐ−ＩｎＡｌＡｓエッチングストップ
層、ｐ−ＩｎＰクラッド層およびｐ−ＩｎＧａＡｓコン
タクト層を、この順に具えていて、 前記逆メサ型構造部は、前記ｐ−ＩｎＰクラッド層およ
びｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層で以て構成されてお
り、 前記絶縁材料部はポリイミドで構成されていることを特
徴とする半導体光機能素子。 - 【請求項４】 基板上に、積層された半導体層を形成す
る工程と、 前記積層された半導体層の一部の層または全部の層をパ
ターニングすることにより、側壁面が前記基板の上面に
対して略垂直となる島状の予備パターンを形成する工程
と、 前記予備パターンの上面および該予備パターンの側壁の
一部を露出するように、前記基板の上側に絶縁材料部を
形成する工程と、 前記予備パターンの側壁をエッチングすることにより、
該予備パターンを光機能に寄与する逆メサ型構造部に変
え、かつ当該逆メサ型構造部と前記絶縁材料部との間に
空間部を形成する工程とを含んでいることを特徴とする
半導体光機能素子の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体光機能素子の製
造方法において、 前記絶縁材料部を形成する工程は、 前記予備パターンを覆うように前記基板の上側に絶縁材
料層を形成する小工程と、 前記予備パターンの上面および両側の側壁面のそれぞれ
一部が露出するように、該絶縁材料層をエッチングする
小工程と、 残存する前記絶縁材料層の部分を硬化させることによ
り、前記絶縁材料部を得る小工程とを含み、 前記空間部を形成する工程は、 露出している前記予備パターンの側壁面の一部から側壁
面全体にかけて、ウェットエッチングを行う小工程を含
むことを特徴とする半導体光機能素子の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の半導体光機能素子の製
造方法において、 前記絶縁材料層をエッチングする小工程は、 前記絶縁材料層上に設けたマスクを用いて行われ、 当該マスクは、前記予備パターンの幅より広い幅の窓を
有し、該窓から前記予備パターンの幅方向の両端が露出
するような位置に設けられていることを特徴とする半導
体光機能素子の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の半導体光機能素子の製
造方法において、 前記窓の幅は、前記マスクを用いて前記絶縁材料層をエ
ッチングしたときに、予備パターンの両側の側壁面の一
部を露出することができる幅で、かつエッチング後に素
子全体の容量を増加させることのない程度に前記絶縁材
料層を残存できる幅であることを特徴とする半導体光機
能素子の製造方法。 - 【請求項８】 第１導電型基板上に、第１導電型クラッ
ド層、活性層、第２導電型エッチングストップ層、第２
導電型第１膜および第２導電型第２膜をこの順に堆積さ
せる工程と、 該第２導電型第２膜上に、第２導電型コンタクト層形成
領域を被覆する第１マスクを設けた後、当該第１マスク
を用いて前記第２導電型エッチングストップ層の上面が
露出するまでエッチング処理を行うことにより、前記エ
ッチングストップ層の上面に対して略垂直な側壁面を有
し、前記第２導電型第２膜の残存部分からなる第２導電
型コンタクト層および第２導電型第１膜の残存部分を含
む予備パターンを形成する工程と、 前記予備パターンを覆うように前記第２導電型エッチン
グストップ層上に絶縁材料を堆積して、絶縁材料層を形
成する工程と、 前記絶縁材料層上に、前記第１マスクの直上の位置に窓
が形成された第２マスクを設ける工程と、 前記第２マスクの窓から露出する前記絶縁材料層の部分
をエッチング除去することにより、前記第１マスクの上
面および側壁、前記第２導電型コンタクト層の側壁なら
びに前記第２導電型第１膜の残存部分の側壁の一部を露
出させる工程と、 残存する絶縁材料層の部分を硬化させて絶縁材料部を形
成する工程と、 露出している第２導電型第１膜の残存部分の側壁の一部
から該側壁全体に対して異方性のウェットエッチングを
行って、前記第２導電型第１膜の残存部分を逆メサ型の
第２導電型クラッド層に変えることにより、当該第２導
電型クラッド層および前記第２導電型コンタクト層を含
む逆メサ型構造部を形成する工程とを含んでおり、 前記第２マスクの窓は、前記第１マスクの上面よりも広
い幅を有する窓であることを特徴とする半導体光機能素
子の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８に記載の半導体光機能素子の製
造方法において、 前記絶縁材料をポリイミド樹脂とすることを特徴とする
半導体光機能素子の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の半導体光機能素子の
製造方法において、 前記第２マスクの窓の幅は、該第２マスクを用いて前記
絶縁材料層をエッチングしたときに、前記第２導電型第
１膜の残存部分の両側壁のそれぞれ一部を露出すること
ができる幅で、かつエッチング後に、素子全体の容量を
増加させることのない程度に前記絶縁材料層を残存でき
る幅であることを特徴とする半導体光機能素子の製造方
法。
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