JP2010135616A - 発光ダイオードアレイおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高密度化した場合でも、発光出力を均一化することが可能な発光ダイオードアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】この発光ダイオードアレイの製造方法は、基板１上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域１１上に、Ｘ方向に沿って配列するように、複数のレジスト層１００を形成する工程と、レジスト層１００をマスクとしてメサエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部１０を形成する工程とを備えている。そして、レジスト層１００を形成する工程は、発光部形成領域１１のＸ方向の端部となる領域αに形成されるレジスト層１００の幅ｂ１を、端部以外の領域βに形成するレジスト層１００の幅ｂ２よりも小さく形成する工程を含む。
【選択図】図８

Description

この発明は、発光ダイオードアレイおよびその製造方法に関し、特に、光プリンタヘッド用の発光ダイオードアレイおよびその製造方法に関する。

従来、電子写真方式を用いたノンインパクトプリンタとして、光プリンタヘッドを備えたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；発光ダイオード）プリンタが知られている。このＬＥＤプリンタでは、ヘッド部分における光書き込み用の光源として、発光ダイオードアレイが用いられている。

このようなＬＥＤプリンタでは、発光ダイオードアレイに含まれる複数の発光部において、その発光出力が不均一になると印字ムラが生じるため、光書き込み用の光源として、発光部間で発光出力のばらつきが小さい発光ダイオードアレイが求められる。

そのため、従来、発光出力の均一性を向上させることが可能な発光ダイオードアレイが知られている（たとえば、特許文献１参照）。

上記特許文献１には、メサエッチングで形成された発光ダイオード部（発光部）の両側にある２つの順メサ方向エッチング段差部が個別電極で覆われた発光ダイオードアレイが記載されている。この発光ダイオードアレイでは、両方の順メサ方向エッチング段差部が個別電極で覆われているため、順メサ方向エッチング段差部からの光のしみだしが抑制されている。これにより、光の高出力化が図られるとともに、光出力の均一化が図られている。なお、上記特許文献１に記載された従来の発光ダイオードアレイは、６００ｄｐｉ（ｄｏｔｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）程度の印刷精度が求められるプリンタに用いられる。

一方、近年、上記ＬＥＤプリンタにおいても、その用途が広がり、文字や図形に限られず写真印刷にも使用されるようになり、更なる印刷精度の向上が求められている。そのため、光書き込み用の光源として、１２００ｄｐｉ以上の高密度の発光ダイオードアレイが求められている。
特開平１１−４６０１７号公報

ここで、１２００ｄｐｉ以上の高密度に発光部を形成した場合には、発光部の幅がより小さくなるため、エッチングにより発光部を形成した際に、発光部幅のばらつきが大きくなるという不都合がある。

しかしながら、上記特許文献１に記載された従来の発光ダイオードアレイの構成では、２つの順メサ方向エッチング段差部を個別電極で覆うことによって、発光部幅と直交する方向における光出力のばらつきを抑制することは可能であるものの、発光部幅のばらつきに起因する光出力のばらつき（発光出力の不均一）を抑制することは困難であるという不都合がある。このため、発光部を高密度に形成した場合には、発光出力を均一化することが困難になるという問題点がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、高密度化した場合でも、発光出力を均一化することが可能な発光ダイオードアレイおよびその製造方法を提供することである。

上記目的を達成するために、本願発明者が鋭意検討した結果、エッチングにより発光部を形成した際に、発光ダイオードアレイの端部において、その発光部幅が、端部以外の領域（たとえば、中央部）の発光部幅に比べて大きくなるため、発光部を形成するためのマスク層の幅を調整することによって、発光部幅を均一化することが可能となることを見出した。

すなわち、この発明の第１の局面による発光ダイオードアレイの製造方法は、基板上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域上に、第１方向に沿って配列するように、複数のマスク層を形成する工程と、マスク層をマスクとしてエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部を形成する工程と、基板を、第１方向と直交する第２方向に沿って分割する工程とを備えている。そして、マスク層を形成する工程は、発光部形成領域の第１方向における分割後の端部となる領域に形成されるマスク層を、端部以外の領域に形成されるマスク層に比べて、第１方向の幅が小さくなるように形成する工程を含む。

この第１の局面による発光ダイオードアレイの製造方法では、上記のように、発光部形成領域の第１方向における分割後の端部となる領域に形成されるマスク層を、端部以外の領域に形成されるマスク層に比べて、第１方向の幅が小さくなるように形成することによって、発光部を発光部形成領域に高密度に形成する場合でも、複数の発光部を、第１方向の幅が略均一となるように形成することができる。これにより、発光出力を均一化することができる。また、このような発光ダイオードアレイを、ＬＥＤプリンタのヘッド部分における光書き込み用の光源として用いれば、印字品質の優れた（印字ムラの発生を抑制可能な）ＬＥＤプリンタを得ることができる。

なお、第１の局面による発光ダイオードアレイの製造方法では、上記のように構成することによって、発光部形成領域の第１方向における分割後の端部において、発光部を形成するためのエッチング深さが、端部以外の部分に比べて小さくなるように構成される。

また、上記第１の局面による発光ダイオードアレイの製造方法において、発光部形成領域の第１方向における分割後の端部となる領域に形成されるマスク層は、端部以外の領域に形成されるマスク層に比べて、第１方向の幅が１割程度小さくなるように形成するのが好ましい。このように構成すれば、複数の発光部において、容易に、第１方向の幅が略均一となるように形成することができる。

上記第１の局面による発光ダイオードアレイの製造方法において、好ましくは、発光部を形成する工程は、半導体層をメサエッチングする工程を含み、半導体層をメサエッチングする工程は、半導体層が形成された基板を、エッチング液中に攪拌せずに浸漬する工程を有する。このように構成すれば、複数の発光部において、より容易に、第１方向の幅が略均一となるように形成することができる。

上記第１の局面による発光ダイオードアレイの製造方法において、マスク層を形成する工程は、分割後の端部から所定数のマスク層を、他の領域に形成されるマスク層に比べて、第１方向の幅が小さくなるように形成する工程を含むように構成してもよい。

上記第１の局面による発光ダイオードアレイの製造方法において、第１方向は、その方向に沿って半導体層をメサエッチングした際に順メサのエッチング溝が表れる順メサ方向とすることができ、第２方向は、その方向に沿って半導体層をメサエッチングした際に逆メサのエッチング溝が表れる逆メサ方向とすることができる。

この発明の第２の局面による発光ダイオードアレイは、基板上に積層された半導体層と、半導体層をエッチングすることにより形成され、互いに分離された島状の複数の発光部とを備えている。そして、基板は、第１方向に延びるように形成されており、複数の発光部は、第１方向に沿って配列されているとともに、第１方向の幅が略均一となるように形成されており、基板の第１方向の端部において、発光部を形成するためのエッチング深さが、基板の端部以外の部分に比べて小さくなるように構成されている。

この第２の局面による発光ダイオードアレイでは、上記のように、複数の発光部において、第１方向の幅が略均一となるように形成されているので、発光出力を均一化することができる。

上記第２の局面による発光ダイオードアレイにおいて、好ましくは、複数の発光部は、それぞれ、第１方向と直交する第２方向に、略細長状に延びるように形成されている。このように構成すれば、発光部を高密度に形成した場合でも、発光部の平面積が小さくなるのを抑制することができるので、電圧（順電圧）の増加を抑制することができる。これにより、容易に、高密度化を図ることができる。

上記第２の局面による発光ダイオードアレイにおいて、好ましくは、発光部の上部を含む半導体層上の所定領域に形成された電極層をさらに備え、複数の発光部は、それぞれ、光を取り出すための発光窓を有しており、電極層は、発光窓の部分を除く発光部上の領域を覆うように形成されており、電極層によって、複数の発光部における発光窓の第２方向の長さが略同一となるように構成されている。このように構成すれば、第２方向における光出力のばらつきも抑制することができるので、発光出力をより均一化することができる。

上記第２の局面による発光ダイオードアレイにおいて、第１方向は、その方向に沿って半導体層をメサエッチングした際に順メサのエッチング溝が表れる順メサ方向とすることができ、第２方向は、その方向に沿って半導体層をメサエッチングした際に逆メサのエッチング溝が表れる逆メサ方向とすることができる。

以上のように、本発明によれば、高密度化した場合でも、発光出力を均一化することが可能な発光ダイオードアレイおよびその製造方法を容易に得ることができる。

以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、１２００ｄｐｉの発光ダイオードアレイに本発明を適用した場合について説明する。

図１および図２は、本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの平面図である。図３は、本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの断面図である。図４〜図６は、本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの構造を説明するための図である。なお、図２は、ｐ側電極（個別電極）を省略した状態を示している。また、図３は、Ｘ方向から見た断面を示している。まず、図１〜図６を参照して、本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの構造について説明する。

一実施形態による発光ダイオードアレイは、メサ分離型モノリシック発光ダイオードアレイから構成されており、図１および図２に示すように、平面的に見て、Ｘ方向（第１方向）に延びる長尺形状を有している。具体的には、一実施形態による発光ダイオードアレイは、図１に示すように、Ｘ方向に、約８１００μｍの長さＬを有しており、Ｘ方向と直交するＹ方向（第２方向）に、約８００μｍの幅Ｗを有している。なお、発光ダイオードアレイのＸ方向の両端には、それぞれ、劈開によって形成された端面５０が形成されている。

また、一実施形態による発光ダイオードアレイは、図３に示すように、基板１上に複数の半導体層が積層された構造を有している。具体的には、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層２が形成されている。ｎ型クラッド層２上には、ＡｌＧａＡｓからなる活性層３が形成されている。活性層３上には、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層４が形成されている。ｐ型クラッド層４上には、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層５が形成されている。

なお、上記構成において、基板１とｎ型クラッド層２との間にｎ型バッファ層が形成されていてもよい。さらに、基板１とｎ型クラッド層２との間にＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：分布ブラッグ反射）層が形成されていてもよい。

そして、上記半導体層がメサエッチングされることによって、複数（３８４個）の発光部１０および後述するｐ側電極７（図１参照）が形成される段差部２０が形成されている。すなわち、メサエッチングによって形成されたエッチング溝３０および４０（図２参照）によって、上記発光部１０および上記段差部２０が構成されている。

なお、上記Ｘ方向（第１方向）は、その方向に沿って半導体層をメサエッチングした際に順メサのエッチング溝が表れる順メサ方向であり、上記Ｙ方向（第２方向）は、その方向に沿って半導体層をメサエッチングした際に逆メサのエッチング溝が表れる逆メサ方向である。このため、図３および図６に示すように、発光部１０をＹ方向から見た場合の側面１０ａは、順メサ面となっている。一方、図４および図６に示すように、発光部１０をＸ方向から見た場合の側面１０ｂは、逆メサ面となっている。

また、図２に示すように、エッチング溝３０は、順メサ方向（Ｘ方向）と平行に形成されており、エッチング溝４０は、複数の発光部１０を互いに分離するために逆メサ方向（Ｙ方向）と平行に形成されている。そして、上記エッチング溝３０および４０によって、複数の発光部１０が、それぞれ、Ｙ方向に延びる細長状に形成されている。具体的には、図５に示すように、発光部１０は、Ｘ方向の幅（発光部幅）ｂが、約１０μｍに形成されているとともに、Ｙ方向の長さａが、約４５μｍに形成されている。そして、図２に示すように、これら複数の発光部１０が、Ｙ方向の中央部に設けられた発光部形成領域１１に、Ｘ方向（順メサ方向）に約２１．１５μｍの間隔ｓを隔てて等間隔に配列されている。

なお、上記発光部形成領域１１は、Ｙ方向に約８０μｍの幅ｗ１を有している。そして、この発光部形成領域１１を挟むように、Ｙ方向の一方端部側および他方端部側に、上記段差部２０が形成されている。

ここで、本実施形態では、複数の発光部１０において、その発光部幅ｂが、略均一に構成されている。その一方、発光部幅ｂを略均一に構成することによって、図２および図４に示すように、基板１（発光ダイオードアレイ）のＸ方向（第１方向）の端部領域αにおけるメサエッチング深さｄ１（図４参照）が、端部領域α以外の領域β（たとえば、中央部の領域）におけるメサエッチング深さｄ２（図４参照）よりも小さくなっている。具体的には、端部領域αのメサエッチング深さｄ１は、約３．６μｍ〜約４．２μｍ（たとえば、約３．９μｍ）となっており、端部領域α以外の領域βのメサエッチング深さｄ２は、約４．６μｍ〜約４．８μｍ（たとえば、約４．７μｍ）となっている。なお、端部領域αは、たとえば、端面５０から３個目の発光部１０までの領域である。

また、図３に示すように、上記半導体層上には、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる絶縁膜６が形成されている。絶縁膜６上には、個別電極としてのｐ側電極７が形成されている。このｐ側電極７は、図１に示すように、発光部１０の上面上に形成された発光部側電極部７ａと、段差部２０上に形成される広面積のパッド電極部７ｂと、発光部側電極部７ａとパッド電極部７ｂとを接続する配線部７ｃとを含んでいる。また、上記発光部側電極部７ａは、図５および図６に示すように、平面的に見て、略Ｈ字形状に形成されており、順メサ面となる側面１０ａの全面を覆っている。このため、順メサ面となる側面１０ａからの光のしみだしが抑制される。そして、発光部１０上面の電極が形成されない部分が、光を取り出すための発光窓１０ｃとなっている。すなわち、発光部１０の上面には、発光部側電極部７ａが略Ｈ字形状に形成されることによって、２つの発光窓１０ｃが所定の間隔を隔ててＸ方向に隣り合うように設けられている。また、上記発光窓１０ｃは、ｐ側電極７によって、Ｙ方向の長さａ１（図５参照）が複数の発光部１０で略同一となるように形成されている。これにより、発光窓１０ｃの平面積も、複数の発光部１０で略同一となるように形成されている。

また、図５に示すように、発光部１０の上面に形成される絶縁膜６にはコンタクトホール６ａが形成されている。そして、このコンタクトホール６ａにより、発光部１０上に形成されるｐ側電極７とｐ型コンタクト層５とが電気的に接続された状態となっている。

また、基板１の裏面上には、全ての発光部１０の共通電極として機能するｎ側電極８が形成されている。

本実施形態では、上記のように、複数の発光部１０において、Ｘ方向の幅ｂが略均一となるように形成されているので、発光出力を均一化することができる。また、このような発光ダイオードアレイを、ＬＥＤプリンタのヘッド部分における光書き込み用の光源として用いれば、印字品質の優れた（印字ムラの発生を抑制可能な）ＬＥＤプリンタを得ることができる。

また、本実施形態では、複数の発光部１０を、それぞれ、Ｙ方向に、略細長状に延びるように形成することによって、発光部１０を高密度に形成した場合でも、発光部１０の平面積が小さくなるのを抑制することができるので、電圧（順電圧）の増加を抑制することができる。

また、本実施形態では、ｐ側電極７を、発光窓１０ｃの部分を除く発光部１０上の領域を覆うように形成するとともに、ｐ側電極７により、複数の発光部１０における発光窓１０ｃの平面積を略同一に形成することによって、Ｙ方向における光出力のばらつきも抑制することができるので、発光出力をより均一化することができる。

図７〜図１３は、本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための図である。次に、図１〜図４および図７〜図１３を参照して、本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法について説明する。

まず、図７に示すように、エピタキシャル成長法を用いて、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層２、ＡｌＧａＡｓからなる活性層３、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層４およびｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層５を順次成長させる。なお、ｎ型クラッド層２を成長させる前に、基板１上に、ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型バッファ層およびＤＢＲ層を順次形成してもよい。また、上記エピタキシャル成長法には、たとえば、ＶＰＥ（気相エピタキシャル）法、ＭＯＶＤＥ（有機金属気相エピタキシャル）法、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相デポジション）法、ＭＢＥ（分子線エピタキシャル）法、ＭＯＭＢＥ（有機金属分子線エピタキシャル）法、ＣＢＥ（化学ビームエピタキシャル）法などを用いることができる。

次に、ｐ型コンタクト層５上に、フォトリソグラフィー技術などを用いて、所定形状を有するレジスト（図示せず）を形成した後、このレジストをマスクとしてｐ型コンタクト層５をエッチングすることにより、ｐ型コンタクト層５を所定形状にパターニングする。その後、レジストを除去する。

次に、図８に示すように、フォトリソグラフィー技術などを用いて、半導体層上の所定領域にレジスト層１００を形成する。このレジスト層１００は、発光部１０を形成する領域（発光部形成領域１１内の所定部分）に、Ｘ方向に所定の間隔を隔てて配列するように形成する。なお、発光部形成領域１１には、発光部１０に対応するように、発光ダイオードアレイ毎に３８４個のレジスト層１００を形成する。また、図８では図示を省略しているが、段差部２０（図２参照）を形成する領域にも上記レジストを形成する。

ここで、本実施形態では、発光ダイオードアレイ毎に形成された３８４個のレジスト層１００において、最終的に発光ダイオードアレイのＸ方向の端部となるべき領域α（発光部形成領域１１の端部）に形成するレジスト層１００の幅ｂ１を、端部以外の領域βに形成するレジスト層１００の幅ｂ２よりも、１割程度小さく形成する。具体的には、基板１を分割することによって発光ダイオードアレイに形成した際に、発光ダイオードアレイのＸ方向の端面５０（図１参照）の位置（分割予定線Ｐ１）から３個のレジスト層１００を、その幅ｂ１が約１５μｍ〜約１６．５μｍ（たとえば、約１５．５μｍ）となるように形成する。一方、それ以外の３７８個（＝３８４−３×２）のレジスト層１００を、その幅ｂ２が約１７μｍとなるように形成する。なお、レジスト層１００は、本発明の「マスク層」の一例である。

また、本実施形態では、基板１の上面において、Ｘ方向に隣り合う発光ダイオードアレイの間に、後の工程でＹ方向に沿って基板１を分割するための分割領域６０を設けておく。この分割領域６０は、基板１を分割し易くするために、１ｍｍ程度の比較的広い幅（Ｘ方向の幅）ｃに形成する。なお、分割領域６０には、Ｙ方向に基板１を分割するための分割予定線Ｐ１が設定される。

続いて、図９および図１０に示すように、レジスト層１００をマスクとして、基板１上の半導体層をメサエッチングする。具体的には、上記レジスト層１００が形成された基板（ウェハ）を、液温２０℃のエッチング液中に７分間浸漬する。このとき、エッチング液を攪拌せずに静的な状態で基板（ウェハ）をエッチング液中に浸漬しておく。なお、上記エッチング液には、硫酸：Ｈ₂Ｏ₂：アルコール＝２：４：１５（ｗｔ％）の混合溶液を用いる。

これにより、エッチング溝３０および４０が形成されて、複数の発光部１０および段差部２０が形成される。このとき、図１０に示すように、領域αのレジスト層１００の幅ｂ１が、領域βのレジスト層１００の幅ｂ２よりも小さく形成されていることにより、形成される発光部１０の幅（発光部幅）ｂ（図２参照）が複数の発光部１０で略均一となるように形成される。その一方、領域αのメサエッチング深さｄ１（図４および図１０参照）が、領域βのメサエッチング深さｄ２（図４および図１０参照）よりも小さく形成される。

なお、このように形成される理由としては、以下のように考えられる。すなわち、基板（ウェハ）をエッチング液中に浸漬することによってメサエッチングをする際に、上記分割領域６０（図８参照）もエッチングされる。この分割領域６０は、比較的広い領域であり、かつ、最終的に発光ダイオードアレイのＸ方向の端部となるべき領域α（発光部形成領域１１の端部）と隣接するように設けられる。このため、領域αをエッチングするためのエッチング液が分割領域６０のエッチングに費やされ、領域αのエッチングが促進されなくなる。このことは、領域αのエッチング深さｄ１（図１０参照）が、領域βのエッチング深さｄ２（図１０参照）よりも小さくなることからも、推察される。したがって、エッチングが促進されない分、予め、領域αのレジスト層１００の幅ｂ１を小さくしておくことにより、形成される発光部１０の幅（発光部幅）ｂ（図２参照）を複数の発光部１０で略均一となるように形成することが可能になると考えられる。

続いて、レジスト層１００を除去することにより、図１１に示す形状を得る。次に、図１２に示すように、発光部１０が形成された半導体層の上面全面に、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる絶縁膜６を形成した後、絶縁膜６にコンタクトホール６ａを形成する。このコンタクトホール６ａは、たとえば、ＣＦ₄プラズマエッチングにより形成する。

次に、図１３に示すように、リフトオフ法などを用いて、絶縁膜６上およびコンタクトホール６ａ上にｐ側電極７（個別電極）を形成する。そして、図３に示したように、基板１の裏面上に、ｎ側電極８（共通電極）を形成する。

最後に、スクライブ法などを用いて、Ｙ方向に沿った分割予定線Ｐ１およびＸ方向に沿った分割予定線Ｐ２（図１１参照）で基板（ウェハ）を分割することにより、個々の発光ダイオードアレイに個片化する。このようにして、本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイが製造される。

本実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法では、上記のように、最終的に発光ダイオードアレイのＸ方向の端部となるべき領域α（発光部形成領域１１のＸ方向の端部）に形成されるレジスト層１００を、端部以外の領域βに形成されるレジスト層１００に比べて、Ｘ方向の幅が小さくなるように形成することによって、発光部１０を発光部形成領域１１に高密度に形成する場合でも、複数の発光部１０を、Ｘ方向の幅が略均一となるように形成することができる。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記実施形態では、本発明を１２００ｄｐｉの発光ダイオードアレイに適用した例を示したが、本発明はこれに限らず、１２００ｄｐｉ以上の高密度の発光ダイオードアレイに本発明を適用することもできる。また、本発明を、１２００ｄｐｉ未満（たとえば、６００ｄｐｉ）の発光ダイオードアレイに適用してもよい。

また、上記実施形態では、メサエッチングのエッチング液に、硫酸：Ｈ₂Ｏ₂：アルコール＝２：４：１５（ｗｔ％）の混合溶液を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、上記以外のエッチング液を用いてメサエッチングを行ってもよい。たとえば、燐酸：Ｈ₂Ｏ₂：メタノール＝１：７：２（ｗｔ％）の混合液をエッチング液としてメサエッチングを行ってもよい。この場合、エッチング液の液温を４５℃にするとともに、エッチング時間を１分程度とするのが好ましい。

また、上記実施形態では、発光ダイオードアレイの端面となるべき位置（分割予定線）から３個のレジスト層を、その幅が、他の領域（たとえば、中央部）に形成するレジスト層の幅よりも小さくなるように形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、発光ダイオードアレイの端面となるべき位置から３個以上のレジスト層を、その幅が小さくなるように形成してもよいし、発光ダイオードアレイの端面となるべき位置から３個未満のレジスト層を、その幅が小さくなるように形成してもよい。すなわち、発光ダイオードアレイに形成される発光部の幅を略均一とするために、その幅を小さくするレジスト層の数は、適宜変更してもよい。

また、上記実施形態では、最終的に発光ダイオードアレイの端部となるべき領域に形成するレジスト層の幅を、端部以外の領域に形成するレジスト層の幅よりも、１割程度小さくした例を示したが、本発明はこれに限らず、レジスト層の幅の縮小度合は、発光部幅が許容されるばらつき範囲内（規格内）に収まるようにするために、適宜変更してもよい。

また、上記実施形態において、レジスト層の幅を、端部側から中央部側に向かって、その幅が段階的に（徐々に）大きくなるように形成してもよい。

また、上記実施形態では、ＡｌＧａＡｓ系の材料を用いて基板上に発光部を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、ＡｌＧａＡｓ系以外の材料を用いて基板上に発光部を形成してもよい。

また、上記実施形態では、ｎ型の基板を用いて発光ダイオードアレイを作製した例を示したが、本発明はこれに限らず、ｐ型の基板を用いて発光ダイオードアレイを作製してもよい。

また、上記実施形態では、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる絶縁層を半導体層の上面上に形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、Ｓｉ₃Ｎ₄以外の材料からなる絶縁層を半導体層の上面上に形成するようにしてもよい。Ｓｉ₃Ｎ₄以外の材料としては、たとえば、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃などが挙げられる。

本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの平面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの平面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの断面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの一部を省略して示した断面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの発光部の平面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの発光部の斜視図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための平面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための平面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による発光ダイオードアレイの製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

１ 基板
２ ｎ型クラッド層
３ 活性層
４ ｐ型クラッド層
５ ｐ型コンタクト層
６ 絶縁膜
６ａ コンタクトホール
７ ｐ側電極
７ａ 発光部側電極部
７ｂ パッド電極部
７ｃ 配線部
８ ｎ側電極
１０ 発光部
１１ 発光部形成領域
２０ 段差部
３０、４０ エッチング溝
５０ 端面
６０ 分割領域
１００ レジスト層（マスク層）

Claims (8)

1. 基板上に半導体層を積層する工程と、
   前記半導体層の発光部形成領域上に、第１方向に沿って配列するように、複数のマスク層を形成する工程と、
   前記マスク層をマスクとしてエッチングすることにより、前記半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部を形成する工程と、
   前記基板を、第１方向と直交する第２方向に沿って分割する工程とを備え、
   前記マスク層を形成する工程は、
   前記発光部形成領域の第１方向における前記分割後の端部となる領域に形成される前記マスク層を、端部以外の領域に形成される前記マスク層に比べて、第１方向の幅が小さくなるように形成する工程を含むことを特徴とする、発光ダイオードアレイの製造方法。
2. 前記発光部を形成する工程は、前記半導体層をメサエッチングする工程を含み、
   前記半導体層をメサエッチングする工程は、前記半導体層が形成された前記基板を、エッチング液中に攪拌せずに浸漬する工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードアレイの製造方法。
3. 前記マスク層を形成する工程は、
   前記分割後の端部から所定数の前記マスク層を、他の領域に形成される前記マスク層に比べて、第１方向の幅が小さくなるように形成する工程を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の発光ダイオードアレイの製造方法。
4. 前記第１方向は、その方向に沿って前記半導体層をメサエッチングした際に順メサのエッチング溝が表れる順メサ方向であり、
   前記第２方向は、その方向に沿って前記半導体層をメサエッチングした際に逆メサのエッチング溝が表れる逆メサ方向であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光ダイオードアレイの製造方法。
5. 基板上に積層された半導体層と、
   前記半導体層をエッチングすることにより形成され、互いに分離された島状の複数の発光部とを備え、
   前記基板は、第１方向に延びるように形成されており、
   前記複数の発光部は、前記第１方向に沿って配列されているとともに、前記第１方向の幅が略均一となるように形成されており、
   前記基板の第１方向の端部において、前記発光部を形成するためのエッチング深さが、前記基板の端部以外の部分に比べて小さくなるように構成されていることを特徴とする、半導体ダイオードアレイ。
6. 前記複数の発光部は、それぞれ、前記第１方向と直交する第２方向に、略細長状に延びるように形成されていることを特徴とする、請求項５に記載の発光ダイオードアレイ。
7. 前記発光部の上部を含む前記半導体層上の所定領域に形成された電極層をさらに備え、
   前記複数の発光部は、それぞれ、光を取り出すための発光窓を有しており、
   前記電極層は、前記発光窓の部分を除く前記発光部上の領域を覆うように形成されており、
   前記電極層によって、前記複数の発光部における前記発光窓の第２方向の長さが略同一となるように構成されていることを特徴とする、請求項５または６に記載の発光ダイオードアレイ。
8. 前記第１方向は、その方向に沿って前記半導体層をメサエッチングした際に順メサのエッチング溝が表れる順メサ方向であり、
   前記第２方向は、その方向に沿って前記半導体層をメサエッチングした際に逆メサのエッチング溝が表れる逆メサ方向であることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の発光ダイオードアレイ。

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