JP6048100B2 - 半導体ウエハー、半導体発光装置、光伝送装置、情報処理装置および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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請求項2は、前記発光部は、柱状構造を有し、前記疎水化領域は、前記柱状構造と同心円状に形成される、請求項1に記載の半導体ウエハー。
請求項3は、前記溝は、前記疎水化領域と同心円状に形成される、請求項1または2に記載の半導体ウエハー。
請求項4は、複数の素子形成領域を含み、素子形成領域の各々には複数の面発光型の半導体発光素子が形成される半導体ウエハーであって、前記素子形成領域内の複数の半導体発光素子の発光部を一括で被覆する光透過性の樹脂が前記素子形成領域内に形成され、前記樹脂は、前記素子形成領域に形成された絶縁膜の表面を疎水化した疎水化領域により囲まれた領域内に形成され、前記疎水化領域は、前記複数の半導体発光素子を取り囲むように形成され、前記疎水化領域の外側には溝が形成される、半導体ウエハー。
請求項5は、前記素子形成領域内に複数の半導体発光素子が形成されているとき、前記疎水化領域は、前記複数の半導体発光素子の各々の発光部を取り囲むように形成される、請求項1に記載の半導体ウエハー。
請求項6は、前記疎水化領域は、前記絶縁膜をフッ素処理することにより形成される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の半導体ウエハー。
請求項7は、前記素子形成領域の各々は、半導体ウエハーを切断する領域によって分離されている、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体ウエハー。
請求項8は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の前記素子形成領域を含む半導体チップと、当該半導体チップに電気的に接続された外部リードとを含む半導体発光装置であって、前記素子形成領域に1つの半導体発光素子が形成されている場合には、当該1つの半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって被覆されており、かつ当該1つの樹脂が前記疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、前記素子形成領域に複数の半導体発光素子が形成されている場合であって、複数の半導体発光素子の発光部が複数の樹脂によってそれぞれ被覆されているときには、当該複数の樹脂がそれぞれの疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、複数の半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって一括して被覆されているときには、当該樹脂が、複数の半導体発光素子を取り囲む疎水化領域により囲まれた領域内に形成されている、半導体発光装置。
請求項9は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の前記素子形成領域を含む半導体チップと、前記半導体チップと光学的に結合される光学部材とを有する光伝送装置であって、前記素子形成領域に1つの半導体発光素子が形成されている場合には、当該1つの半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって被覆されており、かつ当該1つの樹脂が前記疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、前記素子形成領域に複数の半導体発光素子が形成されている場合であって、複数の半導体発光素子の発光部が複数の樹脂によってそれぞれ被覆されているときには、当該複数の樹脂がそれぞれの疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、複数の半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって一括して被覆されているときには、当該樹脂が、複数の半導体発光素子を取り囲む疎水化領域により囲まれた領域内に形成されている、光伝送装置。
請求項10は、前記半導体チップは、複数の面発光型半導体レーザ素子を含み、前記光学部材は、1本の光ファイバ内に複数のコアが形成されたマルチコアファイバであり、前記複数の面発光型半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、前記マルチコアファイバの複数のコアのそれぞれに入射される、請求項9に記載の光伝送装置。
請求項11は、前記半導体チップと前記マルチコアファイバとの間にレンズを含む、請求項10に記載の光伝送装置。
請求項12は、請求項1ないし7いずれか1つに記載の前記素子形成領域を含む半導体チップを含む面発光型半導体レーザ装置と、前記面発光型半導体レーザ装置から出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置であって、前記素子形成領域に1つの半導体発光素子が形成されている場合には、当該1つの半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって被覆されており、かつ当該1つの樹脂が前記疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、前記素子形成領域に複数の半導体発光素子が形成されている場合であって、複数の半導体発光素子の発光部が複数の樹脂によってそれぞれ被覆されているときには、当該複数の樹脂がそれぞれの疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、複数の半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって一括して被覆されているときには、当該樹脂が、複数の半導体発光素子を取り囲む疎水化領域により囲まれた領域内に形成されている、情報処理装置。
請求項13は、複数の素子形成領域を含む半導体ウエハー上の各素子形成領域内に1つもしくは複数の面発光型の半導体発光素子を形成し、1つもしくは複数の半導体発光素子を取り囲むように各素子形成領域内に溝を形成し、前記溝を含む前記素子形成領域上に絶縁膜を形成し、前記溝自体の内部および前記溝よりも内側の絶縁膜の表面を疎水化し、前記疎水化された領域内の半導体発光素子の発光部を被覆するように光透過性の樹脂を滴下し、前記素子形成領域を隔離する領域に沿って半導体ウエハーを切断する、工程を含む半導体発光素子の製造方法。
請求項14は、複数の素子形成領域を含む半導体ウエハー上の各素子形成領域内に複数の面発光型の半導体発光素子を形成し、前記複数の半導体発光素子を取り囲むように各素子形成領域内に溝を形成し、前記溝を含む前記素子形成領域上に絶縁膜を形成し、少なくとも前記溝よりも内側の絶縁膜の表面を疎水化し、前記疎水化された領域内の複数の半導体発光素子の発光部を一括して被覆するように光透過性の樹脂を滴下し、前記素子形成領域を隔離する領域に沿って半導体ウエハーを切断する、工程を含む半導体発光素子の製造方法。
請求項15は、前記疎水化された領域は、前記絶縁膜をフッ素処理することにより形成される、請求項13または14に記載の半導体発光素子の製造方法。
請求項16は、前記樹脂は、ポッティングにより形成される、請求項13または14に記載の半導体発光素子の製造方法。
請求項2、3によれば、樹脂の中心を発光部の光軸に整合させることができる。
請求項1によれば、樹脂が素子形成領域から漏れるのを防止することができる。
請求項4、14によれば、複数の半導体発光素子を一括して外部から保護することができる。
請求項5によれば、個々の半導体発光素子に対して樹脂のレンズ機能を与えることができる。
請求項6、15によれば、既存の半導体製造技術を利用することができる。
20:VCSEL
21:基板
22:下部DBR
23:活性領域
24:電流狭窄層
25:上部DBR
26:p側電極
27:層間絶縁膜
28:上部電極
29:n側電極
30:疎水化領域
40、40A:溝
50:電極パッド
52:引き出し配線
60:隔離領域(スクライブライン)
70、72:樹脂
80:トレンチ
100:半導体ウエハー
200:マルチコアファイバ
Claims (16)
- 複数の素子形成領域を含み、素子形成領域の各々には1つもしくは複数の面発光型の半導体発光素子が形成される半導体ウエハーであって、
前記素子形成領域内の1つもしくは複数の半導体発光素子の発光部を被覆する1つもしくは複数の光透過性の樹脂が前記素子形成領域内に形成され、
前記樹脂は、前記素子形成領域に形成された絶縁膜の表面を疎水化した疎水化領域により囲まれた領域内に形成され、
前記疎水化領域の外側には溝が形成され、前記疎水化領域は、前記溝内にまで延長されている、半導体ウエハー。 - 前記発光部は、柱状構造を有し、前記疎水化領域は、前記柱状構造と同心円状に形成される、請求項1に記載の半導体ウエハー。
- 前記溝は、前記疎水化領域と同心円状に形成される、請求項1または2に記載の半導体ウエハー。
- 複数の素子形成領域を含み、素子形成領域の各々には複数の面発光型の半導体発光素子が形成される半導体ウエハーであって、
前記素子形成領域内の複数の半導体発光素子の発光部を一括で被覆する光透過性の樹脂が前記素子形成領域内に形成され、
前記樹脂は、前記素子形成領域に形成された絶縁膜の表面を疎水化した疎水化領域により囲まれた領域内に形成され、前記疎水化領域は、前記複数の半導体発光素子を取り囲むように形成され、前記疎水化領域の外側には溝が形成される、半導体ウエハー。 - 前記素子形成領域内に複数の半導体発光素子が形成されているとき、前記疎水化領域は、前記複数の半導体発光素子の各々の発光部を取り囲むように形成される、請求項1に記載の半導体ウエハー。
- 前記疎水化領域は、前記絶縁膜をフッ素処理することにより形成される、請求項1ないし5いずれか1つに記載の半導体ウエハー。
- 前記素子形成領域の各々は、半導体ウエハーを切断する領域によって分離されている、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体ウエハー。
- 請求項1ないし7いずれか1つに記載の前記素子形成領域を含む半導体チップと、当該半導体チップに電気的に接続された外部リードとを含む半導体発光装置であって、
前記素子形成領域に1つの半導体発光素子が形成されている場合には、当該1つの半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって被覆されており、かつ当該1つの樹脂が前記疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、
前記素子形成領域に複数の半導体発光素子が形成されている場合であって、複数の半導体発光素子の発光部が複数の樹脂によってそれぞれ被覆されているときには、当該複数の樹脂がそれぞれの疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、複数の半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって一括して被覆されているときには、当該樹脂が、複数の半導体発光素子を取り囲む疎水化領域により囲まれた領域内に形成されている、半導体発光装置。 - 請求項1ないし7いずれか1つに記載の前記素子形成領域を含む半導体チップと、前記半導体チップと光学的に結合される光学部材とを有する光伝送装置であって、
前記素子形成領域に1つの半導体発光素子が形成されている場合には、当該1つの半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって被覆されており、かつ当該1つの樹脂が前記疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、
前記素子形成領域に複数の半導体発光素子が形成されている場合であって、複数の半導体発光素子の発光部が複数の樹脂によってそれぞれ被覆されているときには、当該複数の樹脂がそれぞれの疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、複数の半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって一括して被覆されているときには、当該樹脂が、複数の半導体発光素子を取り囲む疎水化領域により囲まれた領域内に形成されている、光伝送装置。 - 前記半導体チップは、複数の面発光型半導体レーザ素子を含み、
前記光学部材は、1本の光ファイバ内に複数のコアが形成されたマルチコアファイバであり、
前記複数の面発光型半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、前記マルチコアファイバの複数のコアのそれぞれに入射される、請求項9に記載の光伝送装置。 - 前記半導体チップと前記マルチコアファイバとの間にレンズを含む、請求項10に記載の光伝送装置。
- 請求項1ないし7いずれか1つに記載の前記素子形成領域を含む半導体チップを含む面発光型半導体レーザ装置と、
前記面発光型半導体レーザ装置から出射されるレーザ光を記録媒体に集光する集光手段と、
前記集光手段により集光されたレーザ光を前記記録媒体上で走査する機構と、を有する情報処理装置であって、
前記素子形成領域に1つの半導体発光素子が形成されている場合には、当該1つの半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって被覆されており、かつ当該1つの樹脂が前記疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、
前記素子形成領域に複数の半導体発光素子が形成されている場合であって、複数の半導体発光素子の発光部が複数の樹脂によってそれぞれ被覆されているときには、当該複数の樹脂がそれぞれの疎水化領域により囲まれた領域内に形成されており、複数の半導体発光素子の発光部が1つの樹脂によって一括して被覆されているときには、当該樹脂が、複数の半導体発光素子を取り囲む疎水化領域により囲まれた領域内に形成されている、情報処理装置。 - 複数の素子形成領域を含む半導体ウエハー上の各素子形成領域内に1つもしくは複数の面発光型の半導体発光素子を形成し、
1つもしくは複数の半導体発光素子を取り囲むように各素子形成領域内に溝を形成し、
前記溝を含む前記素子形成領域上に絶縁膜を形成し、
前記溝自体の内部および前記溝よりも内側の絶縁膜の表面を疎水化し、
前記疎水化された領域内の半導体発光素子の発光部を被覆するように光透過性の樹脂を滴下し、
前記素子形成領域を隔離する領域に沿って半導体ウエハーを切断する、工程を含む半導体発光素子の製造方法。 - 複数の素子形成領域を含む半導体ウエハー上の各素子形成領域内に複数の面発光型の半導体発光素子を形成し、
前記複数の半導体発光素子を取り囲むように各素子形成領域内に溝を形成し、
前記溝を含む前記素子形成領域上に絶縁膜を形成し、
少なくとも前記溝よりも内側の絶縁膜の表面を疎水化し、
前記疎水化された領域内の複数の半導体発光素子の発光部を一括して被覆するように光透過性の樹脂を滴下し、
前記素子形成領域を隔離する領域に沿って半導体ウエハーを切断する、工程を含む半導体発光素子の製造方法。 - 前記疎水化された領域は、前記絶縁膜をフッ素処理することにより形成される、請求項13または14に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記樹脂は、ポッティングにより形成される、請求項13または14に記載の半導体発光素子の製造方法。
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