JP2007311617A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度上昇を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置100は、n型またはp型の導電型のGaAs基板101と、エピタキシャル成長によって前記GaAs基板上に形成された放熱層110と、エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたn型またはp型の半導体層140と、を含み、前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、xは、0≦x≦1を満たす。
【選択図】図1
【解決手段】本発明にかかる半導体装置100は、n型またはp型の導電型のGaAs基板101と、エピタキシャル成長によって前記GaAs基板上に形成された放熱層110と、エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたn型またはp型の半導体層140と、を含み、前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、xは、0≦x≦1を満たす。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
一般に面発光半導体レーザ等の半導体装置は、駆動時の発熱による温度上昇により出力が制限される等の誤動作を招く場合がある。この温度上昇を抑制するためには、種々の方法があるが、たとえば特許文献1には、放熱性の高い材料を半導体装置の周囲に埋め込む方法が記載されている。
特開平9−45985号公報
本発明の目的は、温度上昇を抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明にかかる半導体装置は、
n型またはp型の導電型のGaAs基板と、
エピタキシャル成長によって前記GaAs基板上に形成された放熱層と、
エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたn型またはp型の半導体層と、
を含み、
前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、
xは、0≦x≦1を満たす。
n型またはp型の導電型のGaAs基板と、
エピタキシャル成長によって前記GaAs基板上に形成された放熱層と、
エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたn型またはp型の半導体層と、
を含み、
前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、
xは、0≦x≦1を満たす。
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層を有することができる。
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層を有することができる。
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のGaAs層を有することができる。
前記放熱層は、半絶縁性のGaAs層を有することができる。
本発明にかかる半導体装置において、
当該半導体装置は、面発光型半導体レーザであり、
前記半導体層は、
前記放熱層の上方に形成された第1導電型の第1ミラーと、
前記第1ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2導電型の第2ミラーと、
を有することができる。
当該半導体装置は、面発光型半導体レーザであり、
前記半導体層は、
前記放熱層の上方に形成された第1導電型の第1ミラーと、
前記第1ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2導電型の第2ミラーと、
を有することができる。
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、ミラーとして機能するように半導体多層膜からなることができる。
前記放熱層は、ミラーとして機能するように半導体多層膜からなることができる。
本発明にかかる半導体装置において、
前記活性層は、GaAs層とAlGaAs層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のAlGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
前記活性層は、GaAs層とAlGaAs層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のAlGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
本発明にかかる半導体装置において、
前記活性層は、InGaAs層とGaAs層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
前記活性層は、InGaAs層とGaAs層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
本発明にかかる半導体装置において、
前記第1ミラーの上面に形成された第1電極と、
前記第2ミラーの上面に形成された第2電極と、
をさらに含むことができる。
前記第1ミラーの上面に形成された第1電極と、
前記第2ミラーの上面に形成された第2電極と、
をさらに含むことができる。
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層からなり、
前記第1ミラーは、x値の異なる2種類のAlxGa1−xAs層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第1ミラーの最下層は、x値の低いAlxGa1−xAs層からなることができる。
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層からなり、
前記第1ミラーは、x値の異なる2種類のAlxGa1−xAs層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第1ミラーの最下層は、x値の低いAlxGa1−xAs層からなることができる。
本発明にかかる半導体装置において、
前記放熱層は、半絶縁性のGaAs層からなり、
前記第1ミラーは、x値の異なる2種類のAlxGa1−xAs層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第1ミラーの最下層は、x値の高いAlxGa1−xAs層からなることができる。
前記放熱層は、半絶縁性のGaAs層からなり、
前記第1ミラーは、x値の異なる2種類のAlxGa1−xAs層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第1ミラーの最下層は、x値の高いAlxGa1−xAs層からなることができる。
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
n型またはp型の導電型のGaAs基板を準備する工程と、
前記GaAs基板の上方に、基板側から放熱層、第1ミラー、活性層、および第2ミラーを構成するための半導体多層膜をエピタキシャル成長によって形成する工程と、
前記半導体多層膜をパターニングすることにより、活性層および第2ミラーを含む柱状部を形成する工程と、
を含み、
前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、
xは、0≦x≦1を満たす。
n型またはp型の導電型のGaAs基板を準備する工程と、
前記GaAs基板の上方に、基板側から放熱層、第1ミラー、活性層、および第2ミラーを構成するための半導体多層膜をエピタキシャル成長によって形成する工程と、
前記半導体多層膜をパターニングすることにより、活性層および第2ミラーを含む柱状部を形成する工程と、
を含み、
前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、
xは、0≦x≦1を満たす。
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
1.半導体装置の構成
本実施の形態では、半導体装置の一例として面発光型半導体レーザ100を適用した場合について説明する。図1は、本発明を適用した実施の形態に係る面発光型半導体レーザ100を模式的に示す断面図である。
本実施の形態では、半導体装置の一例として面発光型半導体レーザ100を適用した場合について説明する。図1は、本発明を適用した実施の形態に係る面発光型半導体レーザ100を模式的に示す断面図である。
面発光型半導体レーザ100は、n型またはp型の導電型のGaAs基板(本実施の形態ではn型GaAs基板)101と、エピタキシャル成長によってn型GaAs基板101上に形成された放熱層110と、エピタキシャル成長によって放熱層110の上方に形成された半導体層140とを含む。
放熱層110は、n型GaAs基板101より熱伝導率が高く、かつn型GaAs基板101上にエピタキシャル成長可能な材質、即ちn型GaAsからなる結晶と格子整合する材質からなる。具体的に放熱層110は、AlxGa1−xAs層からなる。このときxは、0≦x≦1を満たす。放熱層110は、たとえば半絶縁性のAlAs層または半絶縁性のGaAs層であることができる。半絶縁性のAlAs層は、アンドープのAlAs層であることができる。また半絶縁性のGaAs層は、アンドープのGaAs層またはCrを添加したGaAs層であることができる。
面発光型半導体レーザ100において、半導体層140がレーザを発振する機能を有する。この面発光型半導体レーザ100は垂直共振器を有する。また、この面発光型半導体レーザ100は、柱状の半導体堆積体(以下「柱状部」とする)130を含むことができる。
半導体層140は、例えば、n型Al0.9Ga0.1As層とn型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した40ペアの分布反射型多層膜ミラー(以下、「第1ミラー」という)102と、GaAsウエル層とAl0.3Ga0.7Asバリア層からなり、ウエル層が3層で構成される量子井戸構造を含む活性層103と、p型Al0.9Ga0.1As層とp型Al0.15Ga0.85As層とを交互に積層した25ペアの分布反射型多層膜ミラー(以下、「第2ミラー」という)104と、が順次積層されて構成されている。
第1ミラー102の最下層12は、たとえばAl組成の高い半導体層からなることができる。具体的には、放熱層110として半絶縁性のGaAs層を適用した場合には、最下層12は、上述した第1ミラー102のAl組成の大きい方、すなわちn型Al0.9Ga0.1As層となるように形成されている。一方、放熱層110として半絶縁性のAlAs層を適用した場合には、最下層12は、上述した第1ミラー102のAl組成の小さい方、すなわちn型Al0.15Ga0.85Asとなるように形成されている。
第2ミラー104の最上層14は、たとえばAl組成の低い半導体層、もしくはGaAs層からなることができる。具体的に最上層14は、上述した第2ミラー104のAl組成の小さい方、すなわちp型Al0.15Ga0.85As層、またはp型GaAs層となるように形成されている。
第2ミラー104は、たとえば炭素(C)がドーピングされることによりp型にされ、第1ミラー102は、たとえばケイ素(Si)がドーピングされることによりn型にされている。したがって、p型の第2ミラー104、不純物がドーピングされていない活性層103、およびn型の第1ミラー102により、pinダイオードが形成される。
また、面発光型半導体レーザ100のうち、第2ミラー104から第1ミラー102の途中にかけての部分が、第2ミラー104の上面からみて円形の形状にエッチングされて柱状部130が形成されている。なお、本実施の形態では、柱状部130の平面形状を円形としたが、この形状は任意の形状をとることができる。
さらに、面発光型半導体レーザ100は、活性層103の上方に酸化狭窄層105をさらに含む。具体的に酸化狭窄層105は、第2ミラー104を構成する層のうち活性層103に近い領域の、AlxGa1-xAs(x>0.95)層を側面から酸化することにより得られる。この酸化狭窄層105はたとえばリング状に形成されている。すなわち、この酸化狭窄層105は、図1に示すn型GaAs基板101の表面101aと平行な面で切断した場合における断面形状が、柱状部130の平面形状の円形と同心の円のリング状であることができる。
また、面発光型半導体レーザ100は、第1電極107および第2電極109をさらに含む。この第1電極107および第2電極109は、面発光型半導体レーザ100を駆動するために使用される。
第1電極107は、図1に示すように、第1ミラー102の上面に設けられている。これにより第1電極107は、第1ミラー102と電気的に接続されている。第2電極109は、第2ミラー104の上面に設けられている。
第1電極107は、例えば金(Au)とゲルマニウム(Ge)の合金と、金(Au)との積層膜からなる。また、第2電極109は、例えば白金(Pt)、チタン(Ti)および金(Au)の積層膜からなる。第1電極107と第2電極109とによって活性層103に電流が注入される。なお、第1電極107および第2電極109を形成するための材料は、前述したものに限定されるわけではなく、例えば金(Au)と亜鉛(Zn)との合金などが利用可能である。
また面発光型半導体レーザ100は、第1絶縁層30を含む。第1絶縁層30は、主として柱状部130を取り囲むように、かつ第1ミラー102の上面に形成されている。第1絶縁層30は、絶縁性材料からなり、たとえばポリイミドからなることができる。
本実施の形態の面発光型半導体レーザ100の動作を以下に示す。まず、第1電極107と第2電極109とで、pinダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層103において、電子と正孔との再結合が起こり、該再結合による発光が生じる。そこで生じた光が第2ミラー104と第1ミラー102との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、第2ミラー104の上面(出射面115)からレーザ光が出射する。
本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザ100では、n型GaAs基板101と半導体層140との間に放熱層110が設けられている。これにより、面発光型半導体レーザ100が駆動する際に半導体層140において発熱した場合に、効率よく放熱して温度上昇するのを抑制することができる。これにより、面発光型半導体レーザ100の信頼性を向上させることができる。
また本実施の形態にかかる面発光型半導体レーザ100では、n型またはp型のGaAs基板101を用いている。これにより、半絶縁性のGaAs基板を用いる場合と比べて、半導体層140の結晶性を良好にすることができる。
2.半導体装置の製造方法
本実施の形態では、半導体装置の製造方法一例として面発光型半導体レーザ100の製造方法を説明する。図2および図3は、図1に示す面発光型半導体レーザ100の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図1に示す断面図に対応している。
本実施の形態では、半導体装置の製造方法一例として面発光型半導体レーザ100の製造方法を説明する。図2および図3は、図1に示す面発光型半導体レーザ100の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図1に示す断面図に対応している。
(1)まず、n型GaAs基板101の表面101aに、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図2に示すように、半導体多層膜150が形成される。ここで、半導体多層膜150は例えば、半絶縁性のGaAs層からなる放熱層110a、n型Al0.9Ga0.1As層とn型Al0.1Ga0.9As層とを交互に積層した38.5ペアの第1ミラー102a、GaAsウエル層とAl0.3Ga0.7Asバリア層からなり、ウエル層が3層で構成される量子井戸構造を含む活性層103a、p型Al0.9Ga0.1As層とp型Al0.1Ga0.9As層とを交互に積層した24ペアの第2ミラー104aからなる。これらの層を順にn型GaAs基板101上に積層させることにより、半導体多層膜150が形成される。
なお、第2ミラー104aを成長させる際に、活性層103a近傍の少なくとも1層を、後に酸化されて酸化狭窄層105となるAlAs層またはAlGaAs層に形成することができる。この酸化狭窄層105となるAlGaAs層のAl組成は、例えば0.95以上である。本実施の形態において、AlGaAs層のAl組成とは、3族元素に対するアルミニウム(Al)の組成である。AlGaAs層のAl組成は、0から1までである。すなわち、AlGaAs層は、GaAs層(Al組成が0の場合)およびAlAs層(Al組成が1の場合)を含む。また、第2ミラー104a最表面の層は、キャリア密度を高くし、第2電極109とのオーミック接触をとりやすくしておくのが望ましい。
エピタキシャル成長を行う際の温度は、成長方法や原料、n型GaAs基板101の種類、あるいは形成する半導体多層膜150の種類、厚さ、およびキャリア密度によって適宜決定されるが、一般に、450℃〜800℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行う際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長(MOVPE:Metal−Organic Vapor Phase Epitaxy)法や、MBE法(Molecular Beam Epitaxy)法、あるいはLPE法(Liquid Phase Epitaxy)を用いることができる。
なお、放熱層110aとして半絶縁性のGaAs層を成長させる際には、GaAs層にCrをドープするか、または通常よりも低い温度で窒素過剰の条件下で成長させることが好ましい。
(2)次に、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、半導体多層膜150をパターニングする。これにより、図3に示すように、柱状部130が形成される。
(3)次いで、例えば400℃程度の水蒸気雰囲気中に、上記工程によって柱状部130が形成されたn型GaAs基板101を投入することにより、前述の第2ミラー104中のAl組成が高い層を側面から酸化して、酸化狭窄層105が形成される(図1参照)。
酸化レートは、炉の温度、水蒸気の供給量、酸化すべき層のAl組成および膜厚に依存する。酸化により形成される酸化狭窄層105を備えた面発光型半導体レーザ100では、駆動する際に、酸化狭窄層105が形成されていない部分(酸化されていない部分)のみに電流が流れる。従って、酸化によって酸化狭窄層105を形成する工程において、形成する酸化狭窄層105の範囲を制御することにより、電流密度の制御が可能となる。
(4)次いで、図1に示すように、第1絶縁層30が形成される。第1絶縁層30は、たとえば、熱または光等のエネルギーによって硬化可能な液体材料(例えば紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂の前駆体)を硬化させることにより得られるものを用いることができる。紫外線硬化型樹脂としては、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂が挙げられる。また、熱硬化型樹脂としては、熱硬化型のポリイミド系樹脂等が例示できる。また、絶縁層106は、たとえば、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの無機系の誘電体膜を用いることができる。また、第1絶縁層30は、たとえば上記材料を複数用いて積層膜とすることもできる。
(5)次いで、図1に示すように、第2ミラー104の上面に第2電極109が形成される。まず、第2電極109を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、第2ミラー104の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。
次いで、例えば真空蒸着法により、例えばチタン(Ti)、白金(Pt)、金(Au)の積層膜(図示せず)を形成する。次いで、リフトオフ法により、所定の位置以外の積層膜を除去することにより、第2電極109が形成される。本工程では、熱処理を行わずに、第2電極109と第2ミラー104の最上面はオーミックコンタクトを得ることができる。
(6)次いで、図1に示すように、第1ミラー102の上面に第1電極107が形成される。まず、第1電極107を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、第1ミラー102の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。
次いで、例えば真空蒸着法により、例えば金(Au)とゲルマニウム(Ge)の合金、ニッケル(Ni)、および金(Au)の積層膜(図示せず)を形成する。次に、公知のリフトオフ技術を用いて、所定の位置以外の積層膜を除去することで、第1ミラー102の上面に第1電極107が形成される。
次いで、例えば窒素雰囲気中において、アニール処理を行う。アニール処理の温度は、例えば400℃前後で行う。アニール処理の時間は、例えば3分程度行う。
以上の工程により、図1に示すように、本実施形態の面発光型半導体レーザ100が得られる。
3.変形例
次に本実施の形態にかかる変形例を説明する。上述した面発光型半導体レーザ100の放熱層は、単層の半導体層であったが、これにかえて半導体多層膜からなっていてもよい。この場合には、放熱層は、下部ミラーの一部として機能することができる。
次に本実施の形態にかかる変形例を説明する。上述した面発光型半導体レーザ100の放熱層は、単層の半導体層であったが、これにかえて半導体多層膜からなっていてもよい。この場合には、放熱層は、下部ミラーの一部として機能することができる。
図4は、変形例にかかる面発光型半導体レーザ200を模式的に示す断面図である。図5は、変形例にかかる面発光型半導体レーザ200を模式的に示す拡大図であり、図4の領域Vを示す断面図である。面発光型半導体レーザ200は、半導体多層膜からなる放熱層210を含む。放熱層210は、x値の異なる2種類の半絶縁性のAlxGa1−xAs層を交互に積層した半導体多層膜からなることができ、活性層103からの光を吸収しない材質からなる。
具体的には、活性層103がGaAs層とAlGaAs層からなる場合には、レーザ波長が780nm〜860nmであるため、放熱層210は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のAlGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。また、活性層103がInGaAs層とGaAs層からなる場合には、レーザ波長が900nm〜1200nmであるため、放熱層210は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなることができる。
第1ミラー202は、図5に示すように、たとえば2層からなることができ、n型Al0.9Ga0.1As層212とn型Al0.1Ga0.9As層213とを含むことができる。このとき放熱層210は、半絶縁性のAlAs層210aと半絶縁性のAlGaAs層210bとを含むことができる。
このように、放熱層210がミラーとして機能することにより、放熱層210の上に形成されている第1ミラー202のペア数を減らすことができる。即ち、放熱層210の膜厚を大きく形成することができ、効率よく面発光型半導体レーザ100の放熱を行うことができる。
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば実施の形態において、各半導体層におけるp型とn型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
100、200 面発光型半導体レーザ、101 GaAs基板、102 第1ミラー、103 活性層、104 第2ミラー、105 酸化狭窄層、107 第1電極、109 第2電極、110 放熱層、115 出射面、150 半導体多層膜
Claims (11)
- n型またはp型の導電型のGaAs基板と、
エピタキシャル成長によって前記GaAs基板上に形成された放熱層と、
エピタキシャル成長によって前記放熱層の上方に形成されたn型またはp型の半導体層と、
を含み、
前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、
xは、0≦x≦1を満たす、半導体装置。 - 請求項1において、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層を有する、半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記放熱層は、半絶縁性のGaAs層を有する、半導体装置。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
当該半導体装置は、面発光型半導体レーザであり、
前記半導体層は、
前記放熱層の上方に形成された第1導電型の第1ミラーと、
前記第1ミラーの上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第2導電型の第2ミラーと、
を有する、半導体装置。 - 請求項4において、
前記放熱層は、ミラーとして機能するように半導体多層膜からなる、半導体装置。 - 請求項5において、
前記活性層は、GaAs層とAlGaAs層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のAlGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなる、半導体装置。 - 請求項5において、
前記活性層は、InGaAs層とGaAs層からなり、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層と半絶縁性のGaAs層を交互に積層した半導体多層膜からなる、半導体装置。 - 請求項5において、
前記第1ミラーの上面に形成された第1電極と、
前記第2ミラーの上面に形成された第2電極と、
をさらに含む、半導体装置。 - 請求項4において、
前記放熱層は、半絶縁性のAlAs層からなり、
前記第1ミラーは、x値の異なる2種類のAlxGa1−xAs層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第1ミラーの最下層は、x値の低いAlxGa1−xAs層からなる、半導体装置。 - 請求項4において、
前記放熱層は、半絶縁性のGaAs層からなり、
前記第1ミラーは、x値の異なる2種類のAlxGa1−xAs層を交互に積層した半導体多層膜からなり、
前記第1ミラーの最下層は、x値の高いAlxGa1−xAs層からなる、半導体装置。 - n型またはp型の導電型のGaAs基板を準備する工程と、
前記GaAs基板の上方に、基板側から放熱層、第1ミラー、活性層、および第2ミラーを構成するための半導体多層膜をエピタキシャル成長によって形成する工程と、
前記半導体多層膜をパターニングすることにより、活性層および第2ミラーを含む柱状部を形成する工程と、
を含み、
前記放熱層は、AlxGa1−xAs層からなり、
xは、0≦x≦1を満たす、半導体装置の製造方法。
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JP2006140119A JP2007311617A (ja) | 2006-05-19 | 2006-05-19 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018152467A (ja) * | 2017-03-13 | 2018-09-27 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、光源ユニット、レーザ装置、点火装置 |
-
2006
- 2006-05-19 JP JP2006140119A patent/JP2007311617A/ja not_active Withdrawn
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US9014225B2 (en) | 2013-09-18 | 2015-04-21 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Vertical cavity surface emitting laser device |
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