JP2006332623A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板(100)上に形成されたAlGaAs層を含む活性層(103)と、活性層(103)の上方及び下方のうちの少なくとも一方に形成されたAlaGabIn1-a-bP(但し、0≦a≦1,0≦b≦1,0≦a+b≦1である。)よりなる上部スペーサ層(104)とを備える。上部スペーサ層(104)は、活性層(103)に注入される電子の障壁層として機能する組成を有している。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体レーザ装置の断面図である。
以下に、本発明の第2の実施形態に係る半導体レーザ装置ついて図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態の半導体レーザ装置の断面構造のうち、第1の実施形態の半導体レーザ装置の断面構造と共通する部分は、第1の実施形態における説明と同様である。したがって、以下では、第2の実施形態の半導体レーザ装置の構造うち、第1の実施形態の半導体レーザ装置の構造とは異なる部分について説明することとする。
以下に、本発明の第3の実施形態に係る半導体レーザ装置ついて図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態の半導体レーザ装置の断面構造のうち、第1の実施形態の半導体レーザ装置の断面構造と共通する部分は、第1の実施形態における説明と同様である。したがって、以下では、第3の実施形態の半導体レーザ装置の構造うち、第1の実施形態の半導体レーザ装置の構造とは異なる部分について説明することとする。
なお、第1から第3の実施の形態においては、n型GaAsからなる基板100上に、n型下部多層膜反射鏡101、p型上部多層膜反射鏡106、及びp型コンタクト層107を下からこの順に形成し、基板100側をn型とした場合について説明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではい。すなわち、p型GaAsからなる基板上に、p型下部多層膜反射鏡、n型上部多層膜反射鏡、及びn型コンタクト層を下からこの順に形成し、基板側をp型にすることも可能である。
100 基板
101 n型下部多層膜反射鏡
102 下部スペーサ層
103 活性層
103a 量子井戸層
103b 光ガイド層
104 上部スペーサ層
105 電流狭窄層
105a AlGaAs電流狭窄層
105b AlGaAs酸化物層
106 p型上部多層膜反射鏡
107 p型コンタクト層
108 第1の保護層
109 樹脂膜
110 第2の保護層
111 n側電極
112 p側電極
113 光出射窓
114 メサ状構造体
115 SiO2 膜
116 緩衝層
117 AlGaAs層
118 AlGaInP層
801 n型半導体基板
802 n型ミラー
803a アンドープスペーサ層
803b アンドープスペーサ層
804 活性層
805 p型AlAs層
805a p型AlAs層の酸化領域
805b p型AlAs層の非酸化領域
806 p型ミラー
807 p型GaAs層
808 n側電極
809 コンタクト電極
810 層間絶縁膜
811 配線電極
812 開口部
813 ポスト構造
Claims (15)
- 基板上に形成されたAlGaAs層を含む活性層と、
前記活性層の上方及び下方のうちの少なくとも一方に形成されたAlaGabIn1-a-bP(但し、0≦a≦1,0≦b≦1,0≦a+b≦1である。)層とを備え、
前記AlaGabIn1-a-bP層は、前記活性層に注入される電子の障壁層として機能する組成を有していることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 前記基板は第1導電型であり、
前記活性層の上方に形成された第2導電型の第1の反射鏡と、
前記活性層の下方に形成された第1導電型の第2の反射鏡とをさらに備え、
前記AlaGabIn1-a-bP層は、前記第1の反射鏡と前記活性層との間、及び前記第2の反射鏡と前記活性層との間のうちの少なくとも一方に介在していることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1の反射鏡と前記活性層との間に形成された第1のスペーサ層と、
前記第2の反射鏡と前記活性層との間に形成された第2のスペーサ層とをさらに備え、
前記第1のスペーサ層及び前記第2のスペーサ層の各々の膜厚は、所望のレーザ発振波長が得られるような膜厚を有していることを特徴とする請求項2に記載の半導体レーザ装置。 - 前記AlaGabIn1-a-bP層は、前記第1のスペーサ層及び前記第2のスペーサ層のうちの少なくとも一方における一部の層を構成していることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1の反射鏡における少なくとも一部の層は、AlGaAs層であり、
前記AlaGabIn1-a-bP層におけるアルミニウムの組成比aは、0.15よりも大きいことを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1の反射鏡における少なくとも一部の層は、AlGaAs層であり、
前記AlaGabIn1-a-bP層と前記AlGaAs層との間に形成されたAlcGadIn1-c-dP(但し、0≦c≦1,0≦d≦1,0≦c+d≦1である。)層よりなる緩衝層をさらに備えていることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ装置。 - 前記AlaGabIn1-a-bP層におけるインジウムの組成比aは、0.49以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記AlaGabIn1-a-bP層は、Mgがドーピングされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記AlaGabIn1-a-bP層は、Si又はSeがドーピングされていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記AlaGabIn1-a-bP層のドーピング濃度は、1×1017cm-3 以上であって且つ2×1018cm-3 以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1のスペーサ層及び前記第2のスペーサ層の各々は、少なくとも2層よりなり、
前記第1のスペーサ層及び前記第2のスペーサ層の各々における前記活性層側の一方の層が、AlGaAs層であり、
前記第1のスペーサ層及び前記第2のスペーサ層の各々における他方の層が、前記AlaGabIn1-a-bP層であることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1の反射鏡の少なくとも一部、前記第1のスペーサ層、前記活性層、前記第2のスペーサ層、及び前記第2の反射鏡によって構成されるメサ状構造を有していることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ装置。
- 前記第1の反射鏡における少なくとも一部の層は、AlGaAs層であり、
前記AlaGabIn1-a-bP層よりも上に存在する層によって構成されるメサ状構造を有しており、
前記メサ状構造における底部の縁部近傍には、前記AlaGabIn1-a-bP層の表面が露出していることを特徴とする請求項4に記載の半導体レーザ装置。 - 前記メサ状構造には、電流狭窄領域として機能する、選択的に酸化された領域又はプロトンが注入された領域が含まれていることを特徴とする請求項12又は13に記載の半導体レーザ装置。
- 前記メサ状構造の側面に接して形成された第1の保護層と、
前記第2の保護層に接して形成された樹脂膜と、
前記樹脂膜の上に接して形成された第2の保護層と、
前記メサ状構造の上部の一部を覆うと共に前記メサ状構造の表面の一部を露出する開口部を有する電極とをさらに備えていることを特徴とする請求項12〜14に記載の半導体レーザ装置。
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