JP5261201B2 - 面発光レーザ、面発光レーザアレイ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、及び、面発光レーザの製造方法に関し、更に詳しくは、垂直共振器型の面発光レーザの構造の改良に関する。

垂直共振器型面発光半導体レーザ素子（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser、以下、単に面発光レーザと称する）は、その名の通り、光の共振する方向が基板面に対して垂直であり、光インターコネクションをはじめ、通信用光源として、また、センサー用途などの様々なアプリケーション用デバイスとして注目されている。その理由として、面発光レーザは、従来の端面発光型半導体レーザと比較して、レーザ素子の２次元配列を容易に形成できること、ミラー形成のための劈開が必要でないためウエハレベルでテストできること、活性層体積が格段に小さいので極低しきい値で発振できること、及び、消費電力が小さいことなどの種々の利点を有していることが挙げられる。

面発光レーザで、イントラ・キャビティ構造のものが知られている。図７は、イントラ・キャビティ構造の面発光レーザの一例として、８５０ｎｍ波長のレーザを発生する面発光レーザを示している。面発光レーザ１００Ａは、ＧａＡｓ基板１０と、その表面上に積層され且つ一部がメサポスト４２に形成された積層構造とを有する。積層構造は、ＧａＡｓ基板１０の側から見て順次に、半導体多層膜から成る下部ＤＢＲミラー１２、バッファ層１４、下部コンタクト層１６、量子井戸構造を有する活性層１８、電流狭窄層２０、ｐ型クラッド層２２、ｐ型（ｐ^＋）コンタクト層２４、リング状のｐ側電極２６、及び、誘電体多層膜から成る上部ＤＢＲミラー２８を含む。電流狭窄層２０は、外周側の電流狭窄部２０ｂ及び中央側の電流開口２０ａとを含む。

上記積層構造の内で、上部ＤＢＲミラー２８、ｐ側電極２６、ｐ型コンタクト層２４、ｐ型クラッド層２２、電流狭窄層２０、及び、活性層１８までは、その外周部分が除去されてメサポスト４２を形成している。ｐ側電極２６は、ｐ側引出し配線３０を介して、メサポストの外周側に引き出され、外部電源に接続される。また、下部コンタクト層１６の、メサポスト外周側で露出した表面には、ｎ側電極３２が形成され、ｎ側電極３２は、ｎ側引出し配線３４を介して更に外周側に引き出され、外部電源に接続される。上記面発光レーザの構造は、例えば特許文献１にその記載がある。

特開２００８-２４４４７０号公報

図７に示した面発光レーザ１００Ａでは、メサポスト４２の側面に金属膜からなるｐ側引出し配線３０、及び、積層された誘電体膜から成る上部ＤＢＲミラー２８が接している。また、上部ＤＢＲミラー２８を構成する誘電体膜は、素子に平坦性を持たせるために、それらの厚さが数μｍ程度と大きな厚みを有する。これら金属膜や厚い誘電体膜が、メサポスト４２の側面に接することによって、メサポスト４２の側面から半導体積層膜に応力を与え、半導体積層膜の特性を劣化させるため、面発光レーザの劣化を引き起こすことが、種々の実験の結果として判明した。

本発明は、上記に鑑み、メサポストの側面を覆う膜が形成された面発光レーザを改良し、もって、メサポストの側面からの応力によって発生する半導体積層膜の劣化を抑制することで、信頼性に優れた面発光レーザを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、基板上に、下部ＤＢＲミラー、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層、電流狭窄層、及び、上部ＤＢＲミラーを含む積層構造を有し、少なくとも上部ＤＢＲミラーから活性層までがメサポストに形成された面発光レーザにおいて、
メサポストの側面と該メサポストの側面に延びる配線層との間に空隙が形成されていることを特徴とする面発光レーザを提供する。

また、本発明は、複数の上記本発明の面発光レーザがアレイ状に配列されたことを特徴とする面発光レーザアレイを提供する。

更に、本発明は、基板上に、下部ＤＢＲミラー、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層、電流狭窄層、及び、上部ＤＢＲミラーを含む積層を堆積する工程と、
少なくとも上部ＤＢＲミラーから活性層までの積層をエッチングし、該エッチングされた積層の側面の少なくとも一部が上方に向かって径方向外側に突出する逆テーパ形状又は庇形状を有するメサポストを形成する工程と、
前記メサポストの上面及び該メサポストの前記逆テーパ形状又は庇形状の側面部分に隣接する平坦面上に第１配線層部分を堆積する工程と、
前記第１配線層部分の表面及び前記メサポストの逆テーパ形状又は庇形状の側面部分を覆い、前記第１配線層部分に接続すると共に前記メサポストの逆テーパ形状又は庇形状の側面部分との間に空隙を有する第２配線層部分を堆積する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法を提供する。

本発明の面発光レーザ、面発光レーザアレイ中の面発光レーザ、及び、面発光レーザの製造方法によって製造された面発光レーザでは、配線層とメサポストの側面との間に形成される空隙により、配線層からメサポストの積層に引加される応力が低減し、その結果、応力に起因する面発光レーザの劣化が抑えられる効果がある。

本発明の一実施形態に係る面発光レーザの模式的な断面図である。 図１の面発光レーザの一部詳細断面図。 第１配線層部分のスパッタリング工程を示す断面図。 第２配線層部分のスパッタリング工程を示す断面図。 比較例（従来）の面発光レーザのメサポストの顕微鏡写真。 本発明の実施例の面発光レーザのメサポストの顕微鏡写真。 従来の面発光レーザの断面図。

以下、本発明の一実施形態に係る面発光レーザについて、図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る面発光レーザ１００の模式的な断面図である。面発光レーザ１００は、レーザ発振波長が１１００ｎｍ帯であり、イントラ・キャビティ構造を有する。

面発光レーザ１００は、基板１０１と、基板１０１上に順次に形成された、下部多層膜反射鏡である下部ＤＢＲミラー１０２、バッファ層１０３、ｎ型コンタクト層１０４、多重量子井戸構造を有する活性層１０５、下部傾斜組成層１０６、電流狭窄層１０７、上部傾斜組成層１０８、ｐ型スペーサ層１０９、ｐ^＋型電流経路層１１０、ｐ型スペーサ層１１１、及び、ｐ^＋型コンタクト層１１２を含む積層構造とを有する。積層構造のうち、活性層１０５からｐ^＋型コンタクト層１１２までが、円柱状のメサポスト１２２を構成している。電流狭窄層１０７は、メサポスト１２２の外周側に位置する電流狭窄部１０７ａと、電流狭窄部１０７ａの内側に位置する円形の電流注入部１０７ｂとを有する。

基板１０１は、アンドープのＧａＡｓ半導体からなる。下部ＤＢＲミラー１０２は、ＧａＡｓ層／Ａｌ_0.9Ｇａ_0.1Ａｓ層から成るペア層を３４含む。ｎ型コンタクト層１０４は、ｎ型ＧａＡｓ半導体からなる。活性層１０５は、層数が３のＧａＩｎＮＡｓ井戸層と、層数が４のＧａＡｓ障壁層とが交互に積層した多重量子構造を有しており、最下層のＧａＡｓ障壁層がｎ型クラッド層としても機能する。電流狭窄層１０７は、Ａｌ₂Ｏ₃からなる外周側の電流狭窄部１０７ａと、直径が６〜７μｍの内周側のＡｌＡｓ層からなる電流注入部１０７ｂとからなる。

下部傾斜組成層１０６及び上部傾斜組成層１０８は、ＡｌＧａＡｓ半導体からなり、厚さ方向に見て電流狭窄層１０７に近づくにつれて、Ａｓ組成が段階的に増加する構成を有する。ｐ型スペーサ層１０９、１１１と、ｐ^＋型電流経路層１１０、ｐ^＋型コンタクト層１１２とは、それぞれ炭素をドープしたｐ型、ｐ^＋型のＧａＡｓ半導体からなる。なお、各ｐ型またはｎ型層のアクセプタまたはドナー濃度は、例えば１×１０¹⁸ｃｍ^-3程度であり、ｐ^＋型層のアクセプタ濃度は、例えば１×１０¹⁹ｃｍ^-3以上である。ＧａＡｓからなる各半導体層の屈折率は約３．４５である。

ｐ^＋型コンタクト層１１２上には、Ｐｔ／Ｔｉからなり、中心部に開口部１１３ａを有し、メサポスト１２２の外周と一致する外周を有するｐ側円環電極１１３が形成されている。ｐ側円環電極１１３の外径は、例えば３０μｍであり、開口部１１３ａの内径は、例えば１１〜１４μｍである。

メサポストのｐ側円環電極１１３の上部、メサポストの側面、ｎ側電極１１７の上部及びその外周側には、表面保護の目的でＳｉＮｘなどの誘電体からなる２層のパッシベーション膜１１８が形成されている。上部多層膜反射鏡として、誘電体からなる上部ＤＢＲミラー１１６が形成されている。上部ＤＢＲミラー１１６は、例えばＳｉＮｘ／ＳｉＯ_２層の１０〜１２ペアからなるペア層で構成される。なお、これに代えて、例えばα−Ｓｉ層／ＳｉＯ_２層又はα−Ｓｉ層／Ａｌ_２Ｏ_３層のペアを、その材料の屈折率に応じて９９％程度の適切な反射率が得られるようなペア数で構成したものでもよい。ｎ型コンタクト層１０４は、メサポスト１２２の下部からその半径方向外側に延びており、ｎ型コンタクト層１０４の表面には、例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ層からなる半円環状のｎ側電極１１７が形成されている。ｎ側電極１１７は、例えば外径が８２μｍ、内径が４２μｍである。

ｎ側電極１１７は、パッシベーション膜１１８に形成された開口部を介してｎ側電極１１７に接触する、Ａｕからなるｎ側引出し配線（インターコネクト配線）１１９が接続している。また、ｐ側円環電極１１３には、パッシベーション膜１１８に形成された開口部を介してｐ側円環電極１１３に接触する、Ａｕからなるｐ側引出し配線（インターコネクト配線）１２０が接続している。ｐ側引出し配線１２０は、同じ材料からなる２層構造に形成され、下層側の第１配線層部分１２０ａ、及び、上層側の第２配線層部分１２０ｂから成る。ｎ側引出し配線１１９及びｐ側引出し配線１２０は、外部に設けた図示しない電流供給回路と、ｎ側電極１１７及びｐ側円環電極１１３とを、それぞれ電気的に接続している。

メサポスト１２２は、高さが４μｍ〜５μｍであり、メサポストの側面は、メサポストの底部からメサポストの頂部に向かって、径方向外側に突出する逆テーパ形状を有する。メサポスト１２２の側面に形成されたパッシベーション膜１１８の部分と、ｐ側引出し配線１２０との間には、空隙が形成されている。この構造の詳細を図２に示した。ｐ側引出し配線１２０は、メサポスト１２２の側面の底部に隣接する平坦面、及び、メサポスト１２２の頂面に堆積された第１配線層部分１２０ａと、メサポスト１２２の底部に隣接する平坦面に形成された第１配線層部分１２０ａとメサポスト１２２の頂面に形成された第１配線層部分１２０ａとを接続する第２配線層部分１２０ｂとからなる。第１配線層部分１２０ａの厚みとメサポスト１２２の高さはほぼ同じである。第１配線層部分１２０ａの側面は、ほぼ基板面と垂直であり、このため、メサポスト１２２の傾斜した側面と第１配線層部分１２０ａのメサポストに隣接する側面との間には空隙１３０が形成されている。メサポスト１２２の側面の傾きは、例えばメサポストの頂面の外縁から基板に向かって引いた垂直線から３０〜６０度程度、好ましくは３０〜５０度程度傾ける。

本実施形態では、上記空隙１３０を形成したことにより、ｐ側引出し配線１２０からメサポスト１２２の側面に引加される応力が低減し、メサポスト１２２の側面に隣接する各層の劣化を防止している。また、メサポストの側面に、上部ＤＢＲミラー１１６を構成する厚い誘電体膜が形成されていないので、この誘電体膜からの応力も引加されない。

つぎに、上記実施形態に係る面発光レーザ１００の製造方法について説明する。始めに、エピタキシャル成長法によって、基板１０１上に下部ＤＢＲミラー１０２、バッファ層１０３、ｎ型コンタクト層１０４、活性層１０５、下部傾斜組成層１０６、ＡｌＡｓ層、上部傾斜組成層１０８、ｐ型スペーサ層１０９、ｐ^＋型電流経路層１１０、ｐ型スペーサ層１１１、及び、ｐ^＋型コンタクト層１１２を順次に積層する。更に、ＣＶＤ法によって、ｐ^＋型コンタクト層１１２の一部領域に、ＳｉＮｘからなる円板状の第１誘電体層１１４を形成する。

つぎに、リフトオフ法を用いて、ｐ^＋型コンタクト層１１２上に、ｐ側円環電極１１３を、開口部１１３ａ内に第１誘電体層１１４が配置されるように形成する。具体的には、第１誘電体層１１４上とｐ^＋型コンタクト層１１２上とに、ネガ型からなるフォトレジストを塗布し、ｐ側円環電極１１３の形状を有する環状パターンを形成する。この環状パターンは、フォトレジストの表面から下方に向かって環状パターンの幅が拡大するように形成する。

つぎに、フォトレジストの上方からＰｔ／Ｔｉ層を蒸着し、環状パターン内のｐ^＋型コンタクト層１１２上に、ｐ側円環電極１１３を形成する。このとき、ｐ側円環電極１１３は、フォトレジストの最表面におけるパターンの形状と同じ形状に形成される。

つぎに、例えばプラズマＣＶＤ法によって、第１誘電体層１１４と、間隙１２１とを覆うようにＳｉＮｘからなる第２誘電体層１１５を形成する。第２誘電体層１１５は、ｐ側円環電極１１３の表面を完全には覆わず、ｐ側円環電極１１３の外縁部が露出するように形成する。

次いで、第２誘電体層１１５を、第１誘電体層１１４と第２誘電体層１１５の光学厚みの合計がλ／４となるように形成する。ＳｉＮｘは、その組成比によって屈折率が異なるため、第１誘電体層１１４及び第２誘電体層１１５の具体的層厚については、その組成比に応じて決定する。

次いで、ｐ側円環電極１１３を金属マスクとして、酸エッチング液等を用いてｎ型コンタクト層１０４に到る深さまで、半導体積層をウエットエッチングして、円柱状のメサポスト１２２を形成する。このとき、メサポストの側面が逆テーパ形状になるように形成する。逆テーパ形状の傾斜は、例えば垂直面から４０度の傾きを有するようにエッチング条件を調整する。次いで、メサポストの直径よりも大きな直径を有する別のマスクを形成し、バッファ層１０３に到る深さまでｎ型コンタクト層１０４をエッチングする。

その結果、図１に示す形状のメサポスト１２２が形成される。上記双方のエッチング工程において、第２誘電体層１１５が間隙１２１を覆うように形成されているため、間隙１２１から酸エッチング液が進入してｐ^＋型コンタクト層１１２を侵食するおそれを除いている。また、第２誘電体層１１５を形成する際に、ｐ側円環電極１１３の外周の領域が露出するように第２誘電体層１１５を形成しているので、第２誘電体層１１５の外周がｐ側円環電極１１３の外周からはみ出すこともない。その結果、ｐ側円環電極１１３の外周とメサポスト１２２の外周とが高精度に一致する構造が得られる。

次いで、水蒸気雰囲気中において熱処理を行って、ＡｌＡｓ層を、メサポスト１２２の外周側から選択酸化する。この選択酸化では、ＡｌＡｓ層で、ＡｌＡｓ＋Ｈ_２Ｏ→Ａｌ_２Ｏ_３＋ＡｓＨ_３なる化学反応が起こる。この化学反応によって、ＡｌＡｓ層の外周側のＡｌＡｓがＡｌ_２Ｏ_３となり、電流狭窄部１０７ａが形成される。上記化学反応は、ＡｌＡｓ層の外周側から均一に進行し、ＡｌＡｓ層の中央部の領域は、ＡｌＡｓ層のまま残され、電流注入部１０７ｂが形成される。この選択酸化では、熱処理時間等を調整して、電流注入部１０７ｂの直径を６〜７μｍとする。選択酸化による電流注入部１０７ｂの形成により、メサポスト１２２の中心と、電流注入部１０７ｂの中心と、ｐ側円環電極１１３の開口部１１３ａの中心とを、高精度に一致させることができる。その結果、面発光レーザ１００における横モードを安定的に制御することができる。

次いで、メサポスト１２２の外周側のｎ型コンタクト層１０４の表面に、半円環状のｎ側電極１１７を形成する。更に、全面に薄いパッシベーション膜１１８を形成した後に、ｎ側電極１１７及びｐ側円環電極１１３上のパッシベーション膜１１８及び第２誘電体層１１５を開口する。

次いで、開口部から露出するｐ側円環電極１１３及びｎ側電極１１７上に、Ｔｉ／Ｐｔ等の電極材料をターゲットとするスパッタリング法によって、ｐ側引出し配線１２０の第１配線層部分１２０ａ、及び、ｎ側引出し配線１１９を堆積する。第１配線層部分１２０ａ及びｎ側引出し配線１１９の厚みは、メサポスト１２２の高さに相当する４〜５μｍ程度とする。このスパッタリングでは、平行平板方式を用い、基板面と垂直方向に第１配線層部分１２０ａを堆積する。平行平板方式によるスパッタリングの様子を図３に示した。スパッタリング・ターゲット１４０から叩き出された電極材料のビーム１４１は、ビーム１４１と垂直となるように配置された各ウエハ１４２に向かい、ウエハ１４２上に堆積される。堆積されたｐ側配線層の第１配線層部分１２０ａは、図２に示すように、メサポスト１２２の側面に隣接する部分と、メサポスト１２２の頂面に形成される部分とを含む。

次いで、図４に示すように、ウエハ１４２を所定角度傾け、例えばウエハの垂線がスパッタリング・ターゲット１４０から叩き出されるビーム１４１と約４０度の角度を成すように垂直方向から傾けて、引き続きプラネタリー方式によるスパッタリングを行う。このスパッタリングによって、メサポスト１２２の頂面に形成された第１配線層部分１２０ａと、メサポストの側面に隣接して形成された第１配線層部分１２０ａとを接続する、ｐ側引出し配線１２０の第２配線層部分１２０ｂが形成される。第１配線層部分１２０ａと第２配線層部分１２０ｂとの間には、出来るだけ継ぎ目が残らないように形成する。なお、ウエハを傾ける角度は、例えば垂直方向から４０〜６０度傾ける程度とする。

次いで、ＣＶＤ法を用いて、メサポスト１２２の頂面にｐ側引出し配線１２０に隣接して、誘電体層からなる上部ＤＢＲミラー１１６を形成する。その後、基板１０１の裏面を研磨し、基板１０１の厚さを例えば１５０μｍに調整する。その後、素子分離を行い、図１に示す面発光レーザ１００が完成する。

図５及び６はそれぞれ、従来の面発光レーザ及び本発明を適用した実施例の面発光レーザの顕微鏡写真図である。図５の従来構造の面発光レーザでは、メサポストの側面にｐ側引出し配線からの応力が観測された。図６の実施例の面発光レーザでは、上記実施形態のメサポストの逆テーパ形状の側面に代えて、メサポストの直径方向に突出する突出部分をメサポストの頂面近傍に有する庇形状のメサポスト側面とした。ｐ側引出し配線の堆積には、上記実施形態に従い、平行平板方式のスパッタリング、及び、プレネタリー方式のスパッタリングを順次に採用した。試作したメサポストでは、ｐ側引出し配線からの応力がメサポストの側面に引加されず、半導体積層における特性の劣化が見られなかった。

なお、上記実施形態では、ＡｌＡｓ層を用いて電流狭窄層１０７を形成したが、ＡｌＡｓ層に代えて、Ａｌ_1-xＧａ_ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）層を用いてもよい。電流狭窄層をＡｌ_1-xＧａ_ｘＡｓ層から形成する場合には、電流狭窄部は（Ａｌ_1-xＧａ_ｘ）_２Ｏ_３からなり、電流注入部がＡｌ_1-xＧａ_ｘＡｓからなる。

また、上記実施形態では、リフトオフ法を用いてｐ側円環電極１１３を形成した例を示したが、ｐ側円環電極１１３の形成方法については特に限定されない。また、上記実施形態では、誘電体ＤＢＲミラー１０２、１１６を用いたイントラ・キャビティ構造の面発光レーザを例示したが、この例には限定されず、通常の半導体ＤＢＲミラーを用いた面発光レーザにも本発明の適用は可能である。

以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明の面発光レーザ、面発光レーザアレイ及びその製造方法は、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

１００ 面発光レーザ
１０１ 基板
１０２ 下部ＤＢＲミラー
１０３ バッファ層
１０４ ｎ型コンタクト層
１０５ 活性層
１０６ 下部傾斜組成層
１０７ 電流狭窄層
１０７ａ 電流狭窄部
１０７ｂ 電流注入部
１０８ 上部傾斜組成層
１０９、１１１ ｐ型スペーサ層
１１０ ｐ^＋型電流経路層
１１２ ｐ^＋型コンタクト層
１１３ ｐ側円環電極
１１３ａ 開口部
１１４ 第１誘電体層
１１５ 第２誘電体層
１１６ 上部ＤＢＲミラー
１１７ ｎ側電極
１１８ パッシベーション膜
１１９ ｎ側引出し配線
１２０ ｐ側引出し配線
１２０ａ 第１配線層部分
１２０ｂ 第２配線層部分
１２１ 間隙
１２２ メサポスト
１３０ 空隙
１４０ スパッタリング・ターゲット
１４１ ビーム
１４２ ウエハ

Claims (11)

1. 基板上に、下部ＤＢＲミラー、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層、電流狭窄層、コンタクト層、電極および上部ＤＢＲミラーを含む積層構造を有し、少なくとも前記電極から活性層までがメサポストに形成された面発光レーザにおいて、
   前記電極と電気的に接続された引出し配線を備え、
   前記引出し配線は、前記メサポストの側面に隣接しかつ該メサポストと離間して形成された第１配線層部分と、前記第１配線層部分の直上に、前記メサポストの側面または上面の少なくとも一部に接するように形成され、前記メサポストの側面と前記第１配線層部分との間に空隙を形成する第２配線層部分とを有することを特徴とする面発光レーザ。
2. 前記メサポストが、少なくとも前記空隙に隣接する側面で、上方に向かって径方向外側に突出する逆テーパ形状を有する、請求項１に記載の面発光レーザ。
3. 前記メサポストが、少なくとも前記空隙に隣接する側面で、上部が下部よりも径方向外側に突出する庇形状を有する、請求項１に記載の面発光レーザ。
4. 前記メサポストの上面に上面用第１配線層部分が形成され、
   前記第２配線層部分は、前記上面用第１配線層部分とは電気的に接続されている、請求項１〜３の何れか一に記載の面発光レーザ。
5. 前記下部ＤＢＲミラー及び上部ＤＢＲミラーのうち少なくとも一方が誘電体からなり、イントラ・キャビティー型構造を有する、請求項１〜４の何れか一に記載の面発光レーザ。
6. 前記上部ＤＢＲミラーが誘電体からなり、当該上部ＤＢＲミラーは、前記メサポストの上に前記引出し配線に隣接して形成されている、請求項１〜５の何れか一に記載の面発光レーザ。
7. 請求項１〜５の何れか一に記載の複数の前記面発光レーザがアレイ状に配列されたことを特徴とする面発光レーザアレイ。
8. 基板上に、下部ＤＢＲミラー、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層、電流狭窄層、コンタクト層、電極及び、上部ＤＢＲミラーを含む積層を堆積する工程と、
   少なくとも前記電極から活性層までの積層をエッチングし、該エッチングされた積層の側面の少なくとも一部が上方に向かって径方向外側に突出する逆テーパ形状又は庇形状を有するメサポストを形成する工程と、
   前記メサポストの前記逆テーパ形状又は庇形状の側面部分に隣接する平坦面上に、該メサポストと離間して第１配線層部分を堆積する工程と、
   前記第１配線層部分の直上に、前記メサポストの側面または上面の少なくとも一部に接し、前記メサポストの逆テーパ形状又は庇形状の側面部分と前記第１配線層部分との間に空隙を形成する第２配線層部分を堆積する工程と、
   を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
9. 前記第１配線層部分を堆積する工程において、前記メサポストの上面に上面用第１配線層部分を形成し、
   前記第２配線層部分を堆積する工程において、前記第２配線層部分は、前記上面用第１配線層部分と電気的に接続されている、請求項８に記載の面発光レーザの製造方法。
10. 前記第１配線層部分の堆積は、平行平板方式のスパッタリング法を用い、前記第２配線層部分の堆積は、プラネタリー方式のスパッタリング法を用いる、請求項８又は９に記載の面発光レーザの製造方法。
11. 前記メサポストの形成は、ウエットエッチングを用いる、請求項８〜１０何れか一に記載の面発光レーザの製造方法。

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