JP4542193B2 - 光マイクロカンチレバーの製造方法 - Google Patents
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なお、チップ部103は、光導波路プローブ110の先端部を、図示しない試料に向けて湾曲されることにより形成されている。
更に、従来は、図13に示したような光マイクロカンチレバーが知られている(T. Niwa et al., Journal of Microscopy, vol. 194, pt. 2/3, pp.388-392)。この光マイクロカンチレバー120では、光導波路111をコアとクラッドの積層により構成し、光導波路111の表面には金属膜112が設けられている。
光マイクロカンチレバー120の一端には先鋭化されたチップ部119、他端には光マイクロカンチレバー120を固定するための支持部114が形成されている。チップ部119の先端には、近視野光を発生させるための微小開口113が設けられている。
ファイバ130のアライメントの手間が省ける。
上記光マイクロカンチレバーの製造方法は、基板に、光導波路の型とする段差形成工程と、基板上に反射膜を堆積する反射膜堆積工程と、その反射膜上に光導波路を堆積する光導波路堆積工程と、光導波路を加工してチップ部を形成するチップ部形成工程と、光導波路上に遮光膜を堆積する遮光膜堆積工程と、チップ部の先端に微小開口を形成する微小開口形成工程と、光入射/出射端となる側の基板を残して自由端となる側の基板を除去することにより支持部を形成する支持部形成工程とを含む。これにより、光入射/出射端からの伝播光を微小開口に導くように反射し、または微小開口からの伝播光を光入射/出射端に導くように反射する反射膜を形成することができるから、伝播光を効率良く反射することができ、伝播光の損失を低減することができる。また、これらの工程は、シリコンプロセスを用いたバッチ処理が可能なため、量産性や均一性に優れた光マイクロカンチレバーを作成することができる。
また、上記の目的を達成するために、請求項9に係る光マイクロカンチレバーの製造方法は、走査型近視野顕微鏡に用いる光マイクロカンチレバーの製造方法において、基板に、光導波路の型とする段差を形成する段差形成工程と、前記基板に、光学素子用ガイドを形成する光学素子用ガイド形成工程と、前記基板上に反射膜を堆積する反射膜堆積工程と、前記反射膜上に光導波路を堆積する光導波路堆積工程と、前記光導波路を加工してチップ部を形成するチップ部形成工程と、前記光導波路上に遮光膜を堆積する遮光膜堆積工程と、前記チップ部の先端に微小開口を形成する微小開口形成工程と、前記光導波路の光入射/出射端となる部分の前記遮光膜と前記光導波路と前記反射膜とを除去して光導波路の光入射・出射端を形成する光入射/出射端形成工程と、前記光入射/出射端と前記光学素子用ガイドとの間の前記基板を加工して溝を形成する溝形成工程と、前記光学素子用ガイド上の前記遮光膜と前記光導波路と前記反射膜とを除去して前記光学素子用ガイドを露出する光学素子用ガイド露出工程と、光入射/出射端となる側の前記基板を残して自由端となる側の前記基板を除去することにより支持部を形成する支持部形成工程と、を含むことを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、請求項19に係る光マイクロカンチレバーは、基部と、前記基部に形成された片持ち梁状の光導波路と、前記光導波路の固定端側に位置する光入射/出射端と、前記片持ち梁の自由端側に設けられ、先端に微小開口を有するチップ部からなり、前記光入射/出射端における散乱光が、前記チップ部の方向に伝搬しないような遮光手段を備えていることを特徴とする。また、請求項20に係る光マイクロカンチレバーは、請求項19に記載の光マイクロカンチレバーにおいて、前記遮光手段が、前記基部および前記光導波路上に配置され、前記散乱光を遮光する壁であることを特徴とする。
また、請求項21に係る光マイクロカンチレバーは、請求項19に記載の光マイクロカンチレバーにおいて、前記遮光手段が、前記基部および前記光導波路上に形成された遮光剤と、前記遮光剤の上に形成された遮光フィルムからなり、前記遮光フィルムが、少なくとも前記光入射/出射端を覆うように配置されていることを特徴とする。
また、請求項22に係る光マイクロカンチレバーは、請求項19に記載の光マイクロカンチレバーにおいて、前記遮光手段が、前記基部および前記光導波路上に配置された遮光フィルムと、前記遮光フィルムの端の少なくとも一部を覆うように配置された遮光剤からなり、前記遮光フィルムが、少なくとも前記入射/出射端を覆うように配置されていることを特徴とする。また、請求項23に係る光マイクロカンチレバーは、請求項21から請求項22のいずれか一つに記載の光マイクロカンチレバーにおいて、前記遮光フィルムが、可動であることを特徴とする。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係る光マイクロカンチレバーの側断面図である。この光マイクロカンチレバー10は、支持部1と、光導波路2と、遮光膜3と、反射膜4と、先鋭化されたチップ部5と、そのチップ部5の先端に形成された微小開口6と、ミラー7と、から構成されている。なお、光マイクロカンチレバー10では、支持部1が形成されている端を光入射/出射端と言い、チップ部5が形成されている端を自由端と言う。
ライエッチングまたはウェットエッチングを施すことにより、図中の点線に沿って除去する。これにより、図2(e)に示すように、先鋭化されたチップ部5が形成される。また、前記反射膜材料51の不要な部分はチップ形成とともに除去されてもよいし、後の工程で除去されてもよい。次に、図2(f)に示すように、シリコン基板50と反射膜材料51と導波路材料52とを覆うように、遮光膜材料55を堆積する。前記遮光膜材料55は例えばクロムやアルミやチタンなどである。
(実施の形態2)
図4は、本発明の実施の形態2に係る光マイクロカンチレバーの側断面図である。この光マイクロカンチレバー20では、光導波路2の光入射/出射端8を伝播する伝播光の光軸に対して角度を有するノーズ部9が形成され、そのノーズ部9の先端にチップ部5が形成されている。なお、これ以外の構成に関しては、実施の形態1の上記光マイクロカンチレバー10の構成と同じであるため、その説明は省略する。
(実施の形態3)
図5は、本発明の実施の形態3に係る光マイクロカンチレバーの側断面図である。この光マイクロカンチレバー30は、支持部31に、光ファイバを支持するための光ファイバ用ガイド溝32と、その光ファイバ用ガイド溝32と光導波路2の光入射/出射端8との間に溝33と、が形成されている。光ファイバ用ガイド溝32は、例えばV溝である。なお、これ以外の構成は実施の形態1の上記光マイクロカンチレバー10の構成と同じであるためその説明は省略する。なお、光ファイバの他に光導波路に入射する光、または、光導波路から出射する光に作用する光学素子は例えば、発光ダイオードや半導体レーザやレンズやビームスプリッターやフォトダイオードなどがある。その場合、光ファイバ用ガイド溝32は、それぞれの素子の形態にあわせた光学素子用ガイドとなる。
(実施の形態4)
図9は、本発明の実施の形態4に係る光マイクロカンチレバーホルダの模式図である。この光マイクロカンチレバーホルダ40では、シリコンやステンレスやプラスチック製の基板41に、V字型のガイド溝42とガイド溝43が形成されている。なお、ガイド溝43は、ガイド溝42より深い。
(実施の形態5)
である。光マイクロカンチレバー80は、本発明の実施の形態2で説明した光マイクロカンチレバー20におけるノーズ部9の先に、ヘッド部81を有している。ヘッド部81は、チップ部5を有している。チップ部5の先端には、微小開口6が形成されている。ヘッド部81の長さは、10〜100μmである。なお、これ以外の構成に関しては、実施の形態1の上記光マイクロカンチレバー10の構成と同じであるため、その説明は省略する。
(実施の形態6)
図17は、本発明の実施の形態6に係る光マイクロカンチレバー90の構成図である。光マイクロカンチレバー90のチップ部5は、光導波路2を構成する材料よりも高い屈折率を有するチップ材料91からなっており、光導波路2とチップ材料91の界面に、レンズ92が設けられている。レンズ92は、図17に示すような凸レンズやフレネルレンズなどである。また、光マイクロカンチレバー90は、支持部1上に光導波路2が直接形成されている。光マイクロカンチレバー90は、光マイクロカンチレバー10と同様に、支持部1と光導波路2との間に、反射膜7が形成されていても良い。支持部1と光導波路2間の反射膜7の有無は、前述の実施の形態および後述の実施の形態においても同様である。なお、これ以外の構成は、光マイクロカンチレバー10と同じであるため、説明を省略する。
(実施の形態7)
図19は、本発明の実施の形態7に係る光マイクロカンチレバー100の側断面図である。この光マイクロカンチレバー100は、支持部31に、光ファイバを支持するための光ファイバ用ガイド溝32が形成され、光導波路2は、光ファイバー用ガイド溝32上に飛び出した突出部777を有している。光ファイバ用ガイド溝32は、例えばV溝である。なお、これ以外の構成は実施の形態1の光マイクロカンチレバー10の構成と同じであるためその説明は省略する。なお、光ファイバの他に光導波路に入射する光、または、光導波路から出射する光に作用する光学素子は例えば、発光ダイオードや半導体レーザやレンズやビームスプリッターやフォトダイオードなどがある。その場合、光ファイバ用ガイド溝32は、それぞれの素子の形態にあわせた光学素子用ガイドとなる。
光マイクロカンチレバー10に代えて用いることができる。
(実施の形態8)
図24は、本発明の実施の形態8に係る光マイクロカンチレバーへの光導入部の構成図である。
(実施の形態9)
図25は、本発明の実施の形態9に係る光マイクロカンチレバー200の構成図である。光マイクロカンチレバー200は、光マイクロカンチレバー100の構成要素の他に、遮光壁758を有している。遮光壁758は、シリコーンゴムをはじめとする樹脂や粘土からなる。遮光壁758の高さは、数100μm〜数mmであり、厚さは、数10μm〜数mmである。
(実施の形態10)
図26は、本発明の実施の形態10に係る光マイクロカンチレバー300の構成図である。光マイクロカンチレバー300は、光マイクロカンチレバー100の構成要素の他に、遮光材759と遮光フィルム760を有している。遮光材759は、遮光膜3上に形成されている。遮光フィルム760は、遮光材759によって固定され、遮光フィルム760の他端は、光ファイバー130の出射端を覆っている。
(実施の形態11)
図27は、本発明の実施の形態10に係る光マイクロカンチレバー400の構成図である。光マイクロカンチレバー400は、光マイクロカンチレバー100の構成要素の他に、遮光材759と遮光フィルム760を有している。遮光フィルム760は、遮光材759によって遮光膜3上に直接固定されている。
2 光導波路
3 遮光膜
4 反射膜
5 チップ部
6 微小開口
7 ミラー
8 光入射/出射端
9 ノーズ部
10 光マイクロカンチレバー
20,30,80,90,100,200,300,400 光マイクロカンチ
レバー
31 支持部
32 ファイバー用ガイド溝
33 溝
41 基板
42,43 ガイド溝
50 シリコン基板
51 反射膜材料
52 導波路材料
53 マスク
55 遮光膜材料
56 マスク
58 フォトレジスト
70 シリコン基板
71,72 段差
74 反射膜材料
75 導波路材料
77 遮光膜材料
81 ヘッド部
91 チップ材料
92 レンズ
130 光ファイバー
501 試料
502 プリズム
503 微動機構
504 粗動機構
505 レンズ
506 光検出部
507 コンピュータ
508 サーボ機構
509 光源
510 レンズ
511 光電変換部
512 レーザ発振器
513 ミラー
758 遮光壁
759 遮光剤
760 遮光フィルム
1000 走査型近視野顕微鏡
Claims (2)
- 走査型近視野顕微鏡に用いる光マイクロカンチレバーの製造方法において、
基板に、光導波路の型とする段差を複数形成する段差形成工程と、
前記段差のそれぞれの配列方向に沿う光学素子用のガイドを形成する光学素子用ガイド形成工程と、
前記基板上に前記光導波路を堆積する光導波路堆積工程と、
前記光導波路の光入射/出射端を形成する光入射/出射端形成工程と、
前記光入射/出射端と前記光学素子用ガイドとの間の前記基板を加工して溝を形成する溝形成工程と、
光学素子用ガイド露出工程と、
前記光入射/出射端となる側の前記基板を残して自由端となる側の前記基板を除去することにより前記光導波路を支持する支持部を形成する支持部形成工程と、を含むことを特徴とする光マイクロカンチレバーの製造方法。 - 走査型近視野顕微鏡に用いる光マイクロカンチレバーの製造方法において、
基板に、光導波路の型とする段差を形成する段差形成工程と、
前記基板に、前記光導波路への入射光または、前記光導波路からの出射光に作用する光学素子の位置を固定する光学素子用ガイドを形成する光学素子用ガイド形成工程と、
前記基板上に反射膜を堆積する反射膜堆積工程と、
前記反射膜上に前記光導波路を堆積する光導波路堆積工程と、
前記光導波路を加工してチップ部を形成するチップ部形成工程と、
前記光導波路上に遮光膜を堆積する遮光膜堆積工程と、
前記チップ部の先端に微小開口を形成する微小開口形成工程と、
前記光導波路の光入射/出射端となる部分の前記遮光膜と前記光導波路と前記反射膜とを除去して前記光導波路の光入射・出射端を形成する光入射/出射端形成工程と、
前記光入射/出射端と前記光学素子用ガイドとの間の前記基板を加工して溝を形成する溝形成工程と、
前記光学素子用ガイド上の前記遮光膜と前記光導波路と前記反射膜とを除去して前記光学素子用のガイドを露出するガイド露出工程と、
前記光入射/出射端となる側の前記基板を残して自由端となる側の前記基板を除去することにより支持部を形成する支持部形成工程と、を含むことを特徴とする光マイクロカンチレバーの製造方法。
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