JP2005210092A - 光送信モジュール - Google Patents

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啓之 酒井
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誠一郎 玉井
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Abstract

【課題】基板上に発光素子と駆動素子を近接配置し、且つ従来のものより簡易に製造することができる光送信モジュールを提供する。
【解決手段】発光素子１２と、発光素子１２から出射された後方光をモニターするモニタ用受光素子１４とを基板１１の主表面上に配置し、発光素子１２とモニタ用受光素子１４との間の基板部位に形成された凹部１１７の底部に駆動素子１３を搭載し、駆動素子１３の頂部を、発光素子１２の後方光発光点と受光素子１２の受光点とを結ぶ直線よりも低く位置させている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、高速光ファイバ通信に用いられる光送信モジュールに関し、特に光送信モジュールの低コスト化に関する。
一般的な光送信モジュールは、基板上に発光素子と、発光素子から出射される後方光をモニタする受光素子と、発光素子を駆動する駆動素子とが配置されて成り、当該基板には、各素子を電気的に接続する配線パターンが形成されている。
ところで、駆動素子と発光素子とを接続する配線パターンには、発光素子を高速駆動させるための高周波電流が流れるため、高周波電流に影響を与える寄生インダクタンス及び寄生容量を考慮して光送信モジュールを設計する必要がある。
下記の特許文献１に開示されている発光装置は、発光素子、駆動素子、受光素子をこの順に基板上に配置し、発光素子の後方光が、基板に形成された光ガイド溝によって駆動素子を迂回して受光素子に導かれるようにしている。この構成により、発光素子と駆動素子を近接配置することができるので、発光素子と駆動素子を接続する配線パターンの長さを短縮することができる。すなわち、当該配線パターンに生じる寄生インダクタンス及び寄生容量を小さくすることができる。
図１４は、上記特許文献に開示されている発光装置の平面図であり、図１５は当該発光装置の断面図である。
発光装置２０００は、ＬＤ（発光素子）２００２、ＩＣ（駆動素子）２００３、ＰＤ（モニタ用受光素子）２００４がこの順で基板２０１０上に配置され成る。
ＬＤ２００２の後方光２００６が、ＩＣ２００３を迂回してＰＤ２００４の受光部２００７に到達するように、基板２０１０には、光ガイド溝２００５が形成されている。
特開２００２−１５１７８２号公報
しかしながら、上記特許文献の発光装置２０００を製造するには、ＬＤ２００２から発光された後方光２００６を、光ガイド溝２００５を介してＰＤ２００４の受光部２００７に受光させるために、ＬＤ２００２及びＰＤ２００４の配置位置を精密に調整する必要があり、また、光ガイド溝２００５を精密に形成しなければならないので、量産性や製造コストの面で問題がある。
そこで、本発明は、基板上に発光素子と駆動素子を近接配置して、発光素子と駆動素子とを接続する配線パターンの短縮を実現しつつ、上記特許文献に開示されている発光装置より簡易に製造することができる光送信モジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る光送信モジュールは、発光素子と、発光素子から出射される後方光をモニターする受光素子と、発光素子を駆動する駆動素子とが基板上に配置されて成る光送信モジュールであって、前記駆動素子は、前記発光素子と前記受光素子との間に配置され、その頂部を、発光素子の後方光発光点と前記受光素子の受光点とを結ぶ直線よりも低く位置させてあることを特徴とする。
上記構成の光送信モジュールは、発光素子の後方光が駆動素子の頂部を通過するように発光素子と駆動素子とが近接配置されており、発光素子と駆動素子とを接続する配線パターンを短縮することができる。また、上記特許文献に開示されている発光装置のように各素子の配置位置の精密調整や、光ガイド溝等を基板に精密に形成する必要がないので、より低コストで製造することができる。
また、上記光送信モジュールは、前記発光素子と前記受光素子との間の基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子が配置されているとしてもよいし、前記駆動素子の前後の基板部位に凸部が形成され、前側に形成された凸部の頂面に前記発光素子が配置され、後側に形成された凸部の頂面に前記受光素子が配置されているとしてもよい。
この構成により駆動素子は、発光素子や受光素子より低い位置に配置されているので、発光素子の後方光を駆動素子が遮らないようにすることが可能である。
また、前記凹部の深さは、凹部の底面に配置された前記駆動素子の頂部から底面までの距離と概略同じであり、前記基板上には、発光素子と駆動素子とを電気的接続するための配線パターンが形成され、当該配線パターンと駆動素子とが導線で接続されているとしてもよい。
この構成により、頂部に電極を有する駆動素子と基板上に形成された配線パターンとを接続する導線の長さを従来より短くすることができる。
また、前記導線はリボンワイヤであってもよい。
この構成により、高周波特性のよい接続を実現することができる。
また、前記発光素子の後方光発光側の基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子と前記受光素子とが配置されているとしてもよい。
この構成により、発光素子の後方出射光に合わせて受光素子の受光面の高さ位置を凹部の深さで調整することができる。
また、前記駆動素子には、前記後方光を通過させるための溝が形成されているとしてもよい。
この構成により、発光素子の後方光を遮ることなく、駆動素子を発光素子に近接配置することができる。
また、本発明に係る光送信モジュールは、第１基板上に発光素子と、発光素子を駆動する駆動素子とが配置されて成る光送信モジュールであって、前記発光素子の後方光発光側の第１基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子が配置され、前記凹部に第２基板を被せ、第２基板上に、前記発光素子から出射される後方光をモニターする受光素子が配置されているとしてもよいし、基板上に発光素子と、発光素子を駆動する駆動素子とが配置されて成る光送信モジュールであって、前記発光素子の後方光発光側の基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子が配置され、当該駆動素子の頂部に、前記発光素子から出射される後方光をモニターする受光素子が配置されているとしてもよい。
これらの構成により、従来の光送信モジュールより、発光素子と駆動素子を近接配置することができるので、発光素子と駆動素子とを接続する配線パターンを短くすることができる。
また、駆動素子頂部に受光素子を配置しているため、発光素子と受光素子とを近接配置することができ、受光素子は測定するのに十分な光量の光を発光素子から受光することができる。更に、光送信モジュールを従来より小型にすることができる。
以下、本発明に係る光送信モジュールについて、図面を用いて説明する。
＜実施形態１＞
図１は、実施形態１の光送信モジュールを示した立体斜視図であり、図２は図１に示した光送信モジュールの平面図である。また、図３は、図２に示したＡ−Ａ’軸で光送信モジュールを垂直に分断した断面図である。
光送信モジュール１は、基板１１、発光素子１２、駆動素子１３、モニタ用受光素子１４、ワイヤ２１〜２８で構成される。
図１に示すように、発光素子１２、駆動素子１３、モニタ用受光素子１４は、この順に、基板１１の前側から一列に、基板１１上に配置されている。
基板１１に配置される各素子は、各辺が２００〜４００ミクロン程度の微小素子である。
基板１１は、Ｓｉ基板であり、Ｖ溝１１０、配線パターン１１１〜１１３、ビア１１４〜１１６及び凹部１１７が形成されている。
Ｖ溝１１０は、外径１２５ミクロンの光ファイバを配置するために形成されたＶ形状に切り欠いた溝であり、通常、マスクアライメント装置（図示せず）及びエッチング装置（図示せず）を用いて形成される。
半導体基板の結晶構造の特性上、溝幅によって一義的にエッチング溝の角度が決まるので、Ｖ溝１１０の溝の深さは、溝幅の大きさで調整することができる。
凹部１１７は、その底面に駆動素子１３を配置するために形成された矩形状の凹みである。その大きさは、駆動素子１３の大きさに応じて決定されている。
発光素子１２は、前方発光点１２２、後方発光点１２３、電源電極１２１、グランド電極（図示せず）を有する端面発光型の半導体レーザである。
発光素子１２は積層構造を成しており、表面に電源電極１２１、裏面にグランド電極が形成されており、前方発光点１２２、後方発光点１２３を含む発光層（活性層）は、電源電極１２１側に形成されている。
発光素子１２は、電源電極１２１を上にして、グランド電極と基板１１上の配線パターン１１２とを半田接合する、いわゆるジャンクションアップ方式で基板１１上に実装されている。
電源電極１２１は、ワイヤ２２によって配線パターン１１１と接続されている。
発光素子１２は、前方発光点１２２及び後方発光点１２３から光を出射する。その光量は、駆動素子１３から送られてくる高周波電流に応じて変化する。
前方発光点１２２から出射された光は、Ｖ溝１１０に配置される光ファイバ（図示せず）の端面に入射し、後方発光点１２３から出射された光は、凹部１１７に配置された駆動素子１３の頭上を通過して、駆動素子１３後方に配置されるモニタ用受光素子１４の前側面にある受光部１４１に入射する。
図３に後方光軸１２００及び前方光軸１２０１を示す。
駆動素子１３は、高周波電流を発光素子１２に送って発光素子１２を駆動させるＩＣチップであり、モニタ用受光素子１４が検出した発光素子１２の後方光の出力強度に応じて、発光素子１２に供給する電流量を調整し、発光素子１２の光出力を一定に保つようにするＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）機能を備える。
駆動素子１３は、その頂部に６つの端子を有する。
端子１３１は、ワイヤ２１によって配線パターン１１１と接続されており、発光素子１２に高周波電流を供給する。
端子１３２は、電源入力端子であり、ワイヤ２２によって、ビア１１４と接続されている。
端子１３３は、グランド端子であり、ワイヤ２３によって、配線パターン１１２と接続されている。
端子１３４は、モニタ用受光素子１４から、受光によって生じた起電流を受け付ける端子であり、ワイヤ２４によって、配線パターン１１３と接続されている。
端子１３５は、制御信号入力端子であり、ワイヤ２５によって、ビア１１５と接続されている。
端子１３６は、制御信号出力端子であり、ワイヤ２６によって、ビア１１６と接続されている。
駆動素子１３を凹部１１７の底面に配置することにより、駆動素子１３が後方光軸１２００を遮らない様にすることができ、且つ駆動素子１３の各端子と基板１１上の配線パターン又はビアとを接続するワイヤを短縮できるという利点がある。
この利点について、図４及び図５を用いて説明する。
図４は、基板１１ａ上に配置されたチップ１３ａの端子１３１ａと、基板１１ａ上の電極パット１１１ａとをワイヤボンディングする状況を示した図である。
ワイヤボンディングには、先端が円錐形状のキャピラリと呼ばれるワイヤボンディング専用ツールが用いられる。ワイヤの材料には、主にＡｕ（金）が用いられる。
図４に示す端子１３１ａと電極パット１１１ａとのワイヤ接続間は、ワイヤ２０ａの曲線部分２０１ａが急激な曲線角度を描かないようにし、また、キャピラリ３１がチップ１３ａに接触しないようにするために、ある程度の距離がとられている。
曲線部分２０１ａが急激な曲線角度を描くと、ワイヤ２０ａが切断する可能性が高くなる。また、キャピラリ３１がチップ１３ａに接触するとチップ１３ａを破壊する恐れがある。
図５は、基板１１ｂ上に形成された凹部に配置されたチップ１３ｂの端子１３１ｂと、基板１１ｂ上の電極パット１１１ｂとをワイヤボンディングした状況を示す図である。
図５に示すように、端子１３１ｂと電極パット１１０ｂのワイヤ接続間の高低差が小さいので、ワイヤ２０ｂの曲線部分２０１ｂは緩やかな曲線角度を描く。また、キャピラリ３１がチップ１３ｂに接触することもないので、接続間距離を短縮することができる。すなわち、ワイヤ２０ｂの長さを短縮することができ、また、基板面積を縮小することができる。
モニタ用受光素子１４は、前側面に受光部１４１、頂部に電極１４２、底部にグランド電極（図示せず）を有するフォトダイオードである。
電極１４２は、ワイヤ２８によって配線パターン１１３と接続されている。
モニタ用受光素子１４のグランド電極は、配線パターン１１２と半田接続されている。
上述の光送信モジュール１は、発光素子と駆動素子が近接配置されているので、配線パターン１１１を短縮することができ、配線パターン１１１に生じる寄生インダクタンス及び寄生容量を小さくすることができる。また、基板１１の凹部１１７底面に駆動素子１３を配置することで、駆動素子１３が、発光素子１２の後方発光点１２３から発光された後方光を遮らないようにすることができる。
光送信モジュール１は、上述の特許文献に開示されている発光装置のように、発光素子と受光素子の精密な配置位置調整や、光ガイド溝等を必要としないため、極めて簡易に低コストで製造することができる。
＜実施形態２＞
発光素子後方から出射される光強度が弱い場合、モニタ用受光素子を発光素子に接近させて配置しなければならない場合がある。
以下に、発光素子と駆動素子を接続する配線パターンを短くしつつ、発光素子とモニタ用受光素子を近接配置した実施形態２の光送信モジュールについて説明する。
図６は、実施形態２の光送信モジュールの分解斜視図であり、図７は、図６に示した光送信モジュールの平面図である。また、図９は、図７に示したＢ−Ｂ’軸で光送信モジュールを垂直に分断した断面図である。
光送信モジュール１Ａは、基板１１Ａ、発光素子１２、駆動素子１３、モニタ用受光素子１４、サブ基板５１及びワイヤ２７Ａ、２８Ａで構成される。
光送信モジュール１Ａが、実施の形態１で説明した光送信モジュール１と異なる点は、光送信モジュール１の基板１１より長手方向が短い基板１１Ａと、サブ基板５１を用いている点である。
基板１１ＡはＳｉ基板であり、Ｖ溝１１０Ａ、配線パターン１１１Ａ、１１２Ａ、ビア１１４Ａ〜１１６Ａ及び凹部１１７Ａが形成されている。
基板１１Ａは、実施形態１の基板１１のように駆動素子１３の配置位置後方にモニタ用受光素子１４が配置されないので、その分、基板１１より長手方向を短くすることができる。
サブ基板５１は、駆動素子１３が基板１１Ａの凹部１１７底面に配置された後、凹部１１７に蓋をする形で基板１１Ａに配置される。
図８は、サブ基板５１の裏平面を示す平面図である。
サブ基板５１の表平面には、配線パターン５１１、５１２が形成されている。
サブ基板５１の裏平面には、配線パターン５１４〜５１８及びビア５１３、５１９が形成されている。ビア５１３は、表平面の配線パターン５１１とつながっており、ビア５１９は、表平面の配線パターン５１２とつながっている。
配線パターン５１１は、モニタ用受光素子１４のグランド端子と半田接合され、また、ビア５１３を介して配線パターン１１２Ａと半田接合される。
配線パターン５１２は、電極１４２とワイヤで接続され、また、ビア５１９を介して端子１３４と半田接合される。
配線パターン５１４は、端子１３３及び配線パターン１１２Ａと半田接合される。
配線パターン５１５は、端子１３２及びビア１１４Ａと半田接合される。
配線パターン５１６は、端子１３１及び配線パターン１１１Ａと半田接合される。
配線パターン５１７は、端子１３６及びビア１１６Ａと半田接合される。
配線パターン５１８は、端子１３５及びビア１１５Ａと半田接合される。
実施形態２の光送信モジュール１Ａは、モニタ用受光素子１４が発光素子１２の直後に配置されるため、モニタする後方光を十分に受光することができ、また、光送信モジュール１より小型にすることができる。
また、サブ基板５１を用いることで、高周波特性が悪いワイヤの接続数を減らすことができる。
＜その他の変形例＞
本発明は上述の実施形態１及び実施形態２の光送信モジュールに限定されない。以下に説明する変形例に係る光送信モジュールも本発明に含まれる。
＜変形例１＞
図１０は、変形例１の光送信モジュールの立体斜視図である。
光送信モジュール１Ｂは、基板１１Ａ、発光素子１２、駆動素子１３Ｂ、モニタ用受光素子１４、ワイヤ２１Ｂ、２３Ｂ、２７Ａ、２８Ｂで構成される。
光送信モジュール１Ｂが、実施形態２の光送信モジュール１Ａと異なる点は、サブ基板５１を用いずに、モニタ用受光素子１４を駆動素子１３Ｂの頂部に直接配置している点である。
基板１１Ａは、実施形態２で説明したものと同じである。
駆動素子１３Ｂは、実施形態１及び実施形態２で説明した駆動素子１３と同様の機能を有し、端子１３１、１３２、１３３Ｂ、１３４、１３５、１３６を有する。
端子１３３Ｂは、グランド端子であり、ワイヤ２３Ｂによって、配線パターン１１２Ａと接続され、モニタ用受光素子１４のグランド電極と半田接合される。
端子１３４は、ワイヤ２４によって電極１４２と接続されている。
＜変形例２＞
図１１は、変形例２の光送信モジュールの立体斜視図である。
光送信モジュール１Ｃは、基板１１Ｃ、土台基板６０、土台基板６１、発光素子１２、駆動素子１３Ｃ、モニタ用受光素子１４、ワイヤ２７Ｃ及びワイヤ２８Ｃで構成される。
上述の各実施形態及び変形例と異なる点は、基板に凹部を形成する代わりに、駆動素子１３Ｃの配置位置前後の基板部位に土台基板６０、６１を配置して、土台基板６０の上に発光素子１２を、土台基板６１の上にモニタ用受光素子１４を配置している点である。
駆動素子１３Ｃは、下面に端子を有するＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型チップであり、基板１１Ｃの主表面上の配線パターン（図示せず）と半田接合されている。
土台基板６０はＳｉ基板であり、その主表面には光ファイバを配置するＶ溝１１０Ｃ、ビア１１１Ｃ、グランド電極（図示せず）が形成されている。
ビア１１１Ｃは、土台基板６０の裏面に通じており、基板１１Ｃの主表面に形成されている配線パターン（図示せず）と半田接合されている。その配線パターンは、駆動素子１３Ｃの高周波電流供給端子と接続されている。
グランド電極（図示せず）には、発光素子１２が配置されて、半田接合される。
土台基板６１はＳｉ基板であり、その主表面にはビア１１３Ｃ及び電源電極（図示せず）が形成されている。
ビア１１３Ｃは、土台基板６１の裏面に通じており、基板１１Ｃの主表面に形成されている配線パターン（図示せず）と半田接合されている。その配線パターンは、駆動素子１３Ｃの起電流入力端子に接続されている。
＜変形例３＞
図１２は、変形例３の光送信モジュールの立体斜視図である。
光送信モジュール１Ｄは、基板１１Ｄ、発光素子１２、駆動素子１３Ｄ、モニタ用受光素子１４、ワイヤ２７Ｄ及びワイヤ２８Ｄで構成される。
上述の各実施形態及び変形例と異なる点は、駆動素子１３Ｄの頂部のモールド樹脂部分に、発光素子１２の後方光を通過させるための溝７０が形成されている点である。
駆動素子１３Ｄは、下面に端子を有するＢＧＡ型チップであり、基板１１Ｄの主表面上の配線パターン（図示せず）と半田接合されている。
基板１１Ｄは、Ｓｉ基板であり、その主表面にはビア１１１Ｄ、グランド配線パターン１１２Ｄ、ビア１１３Ｄ等が形成されている。
発光素子１２は、ワイヤ２７Ｄによってビア１１１Ｄと接続されており、受光素子１４は、ワイヤ２８Ｄによってビア１１３Ｄと接続されている。また、発光素子１２のグランド電極と受光素子１４のグランド電極は、グランド配線パターン１１２Ｄと接続されている。
＜変形例４＞
図１３は、変形例４の光送信モジュールの立体斜視図である。
光送信モジュール１Ｅは、基板１１Ｅ、発光素子１２、駆動素子１３、モニタ用受光素子１４Ｅ、ワイヤ２１Ｅ〜２８Ｅで構成される。
基板１１ＥはＳｉ基板であり、Ｖ溝１１０、配線パターン１１１、１１２、ビア１１４（図示せず）、１１５Ｅ、１１６Ｅ及び凹部１１７Ｅが形成されている。
凹部１１７Ｅは、その底面に駆動素子１３とモニタ用受光素子１４Ｅを配置するために形成された矩形状の凹みである。その大きさは、駆動素子１３とモニタ用受光素子１４Ｅの大きさに応じて決定されている。
上述の各実施形態及び変形例と異なる点は、基板１１Ｅに形成された凹部１１７Ｅの底部に、駆動素子１３とモニタ用受光素子１４Ｅが配置されている点である。
＜補足＞
（１）本発明に係る光送信モジュールに備わる各素子間を接続する電気的接続配線として、高周波特性が良いコプレーナ線路、マイクロストリップ線路等を用いてもよいし、素子間を接続するワイヤとして、リボンワイヤを用いてもよい。これにより、寄生インダクタンスを小さくすることができる。
（２）基板に凹部を設けて、その凹部の底部に素子を配置することで、素子の上部に形成されている電極と基板上の配線パターンとの高低差を縮める方法は、光送信モジュール以外の高周波モジュールの回路実装に適用することができる。
（３）本発明に係る光送信モジュールに用いられる基板は、半導体基板に限らず、例えば、セラミック、金属等を材料とする基板であってもよい。
（４）本発明に係る光送信モジュールは、アクティブアライメント方式で製造されるものであってもよい。
（５）本発明に係る光送信モジュールに用いられる基板に、Ｖ溝が形成されてなくてよい。
（６）上述の各実施の形態及び変形例では、発光素子をジャンクションアップの状態で実装していたが、ジャンクションダウンの状態で実装してもよい。ジャンクションダウンとは、積層構造体である半導体レーザの発光層（活性層）に近い側の外面（以下、「表面」と言い、当該表面に対して反対側の外面を「裏面」と言う。）を下（半導体基板側）にした状態のことであり、当該表面と半導体基板とを接合することをジャンクションダウン実装という。反対に、ジャンクションアップとは、半導体レーザの表面を上にした状態のことであり、半導体レーザの裏面と半導体基板とを接合することをジャンクションアップ実装という。
（７）実施形態２の光送信モジュール１Ａにおいて、サブ基板５１は、凹部１１７Ａ全体を覆う大きさであったが、一部だけを覆う大きさであってもよい。
（８）基板に形成された凹部の底面に配置される駆動素子の高さと、凹部の深さは、概略同じ距離であることが望ましいが、そうでなくてもよい。
本発明は、高速光ファイバ通信に用いられる光送信モジュールに適用することができる。
実施形態１の光送信モジュールの立体斜視図である。 実施形態１の光送信モジュールの平面図である。 実施形態１の光送信モジュールの断面図である。 ワイヤボンディングを説明するための図である。 ワイヤボンディングを説明するための図である。 実施形態２の光送信モジュールの分解斜視図である。 実施形態２の光送信モジュールの平面図である。 サブ基板５１の裏面を示す平面図である。 実施形態２の光送信モジュールの断面図である。 変形例１の光送信モジュールの立体斜視図である。 変形例２の光送信モジュールの立体斜視図である。 変形例３の光送信モジュールの立体斜視図である。 変形例４の光送信モジュールの立体斜視図である。 特許文献に開示されている発光装置の平面図である。 特許文献に開示されている発光装置の断面図である。
符号の説明
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ 光送信モジュール
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ、１１Ｅ 基板
１２ 発光素子
１３、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄ 駆動素子
１３ａ、１３ｂ チップ
１４、１４Ｅ モニタ用受光素子
２１〜２９、２０ａ、２０ｂ ワイヤ
３１ キャピラリ
５１ サブ基板
６０、６１ 土台基板
７０ 溝
１１０、１１０Ａ、１１０Ｃ、１１０Ｄ Ｖ溝
１１１、１１２、１１３、５１１、５１２ 配線パターン
１１７、１１７Ｅ 凹部
１２２、１２３ 発光点
１３１〜１３６ 端子
１４１ 受光部

Claims (9)

  1. 発光素子と、発光素子から出射される後方光をモニターする受光素子と、発光素子を駆動する駆動素子とが基板上に配置されて成る光送信モジュールであって、
    前記駆動素子は、前記発光素子と前記受光素子との間に配置され、その頂部を、発光素子の後方光発光点と前記受光素子の受光点とを結ぶ直線よりも低く位置させてあることを特徴とする光送信モジュール。
  2. 前記発光素子と前記受光素子との間の基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュール。
  3. 前記凹部の深さは、凹部の底面に配置された前記駆動素子の頂部から底面までの距離と概略同じであり、前記基板上には、発光素子と駆動素子とを電気的接続するための配線パターンが形成され、当該配線パターンと駆動素子とが導線で接続されていることを特徴とする請求項２に記載の光送信モジュール。
  4. 前記導線はリボンワイヤであることを特徴とする請求項３に記載の光送信モジュール。
  5. 前記発光素子の後方光発光側の基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子と前記受光素子とが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュール。
  6. 前記駆動素子の前後の基板部位に凸部が形成され、前側に形成された凸部の頂面に前記発光素子が配置され、後側に形成された凸部の頂面に前記受光素子が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュール。
  7. 前記駆動素子には、前記後方光を通過させるための溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュール。
  8. 第１基板上に発光素子と、発光素子を駆動する駆動素子とが配置されて成る光送信モジュールであって、
    前記発光素子の後方光発光側の第１基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子が配置され、
    前記凹部に第２基板を被せ、第２基板上に、前記発光素子から出射される後方光をモニターする受光素子が配置されている
    ことを特徴とする光送信モジュール。
  9. 基板上に発光素子と、発光素子を駆動する駆動素子とが配置されて成る光送信モジュールであって、
    前記発光素子の後方光発光側の基板部位に凹部が形成され、当該凹部の底面に前記駆動素子が配置され、当該駆動素子の頂部に、前記発光素子から出射される後方光をモニターする受光素子が配置されている
    ことを特徴とする光送信モジュール。
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