JPS61159788A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS61159788A JPS61159788A JP127285A JP127285A JPS61159788A JP S61159788 A JPS61159788 A JP S61159788A JP 127285 A JP127285 A JP 127285A JP 127285 A JP127285 A JP 127285A JP S61159788 A JPS61159788 A JP S61159788A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- etching
- heat sink
- elements
- laser array
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の目的
産業上の利用分野
本発明は光情報処理応用機器に用いることができる半導
体レーザアレイ装置に関するものである。
体レーザアレイ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザアレイ装置は、マルチビームによる
高速記録の点でプリンターの光源として利用でき、又デ
ィスクのピックアップに用いれば記録・再生・消去の各
々に適したビーム特性を持たせることができる等の利点
を有するため、これら光情報処理応用機器の光源として
の要望は益々増大している。
高速記録の点でプリンターの光源として利用でき、又デ
ィスクのピックアップに用いれば記録・再生・消去の各
々に適したビーム特性を持たせることができる等の利点
を有するため、これら光情報処理応用機器の光源として
の要望は益々増大している。
発明が解決しようとする問題点
これらの応用に際しては、集積化した半導体レーザ７レ
イの個々の半導体レーザ素子について光出力のモニタを
行なわなければならない、単一の半導体レーザ素子に対
しては、従来から行なわれているように半導体レーザ素
子の後方端面からの放出光をホトダイオードで受光すれ
ばよい。
イの個々の半導体レーザ素子について光出力のモニタを
行なわなければならない、単一の半導体レーザ素子に対
しては、従来から行なわれているように半導体レーザ素
子の後方端面からの放出光をホトダイオードで受光すれ
ばよい。
ところが、半導体レーザアレイに対しては、隣り合う半
導体レーザ素子の光を受光しないようにして、受光素子
を配置させる工夫が必要である。
導体レーザ素子の光を受光しないようにして、受光素子
を配置させる工夫が必要である。
未発明は上記の要望にこたえて、個々のレーザの光出力
を正確にモニタし、そのレーザ素子の駆動電流を制御す
ることのできる半導体レーザアレイ装置を提供しようと
するものである。
を正確にモニタし、そのレーザ素子の駆動電流を制御す
ることのできる半導体レーザアレイ装置を提供しようと
するものである。
（２）発明の構成
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明の半導体レーザアレイ
装置は、複数個の半導体レーザ素子を一体的に集積した
半導体レーザアレイを一導電型の半導体からなるヒート
シンク上に保持し、前記ヒートシンク上で個々の前記半
導体レーザ素子の直後に光出力のモニタを得るｐｎ接合
ホトダイオードを設け、かつ個々の前記ホトダイオード
の間にエツチングで残した領域を設けたものである。
装置は、複数個の半導体レーザ素子を一体的に集積した
半導体レーザアレイを一導電型の半導体からなるヒート
シンク上に保持し、前記ヒートシンク上で個々の前記半
導体レーザ素子の直後に光出力のモニタを得るｐｎ接合
ホトダイオードを設け、かつ個々の前記ホトダイオード
の間にエツチングで残した領域を設けたものである。
作 用
このように構成することによって、個々の半導体レーザ
素子の後方端面から放出されるレーザ光はｐｎ接合ホト
ダイオードによって正確にモニタできると共に隣接する
ホ］・ダイオード同志の間にはエツチングで残した領域
があるので、個別的にそれぞれのレーザ光のみを正確に
モニタできるようになった。
素子の後方端面から放出されるレーザ光はｐｎ接合ホト
ダイオードによって正確にモニタできると共に隣接する
ホ］・ダイオード同志の間にはエツチングで残した領域
があるので、個別的にそれぞれのレーザ光のみを正確に
モニタできるようになった。
実施例
以下、本発明の一実施例として示した図面につき説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例における半導体レーザアレイ装
置のマウント構造を示すもので、ｌは２個の半導体レー
ザ素子を横方向に集積したアレイである。２はｎ型Ｇａ
Ａｓヒートシンク、３は光検出素子で、前記ｎ型ＧａＡ
ｓヒートシンク上に亜鉛拡散によるｐｎ接合を作り、Ｏ
ｒ／Ａｕ電極４を蒸着してエツチングで島状の素子とし
た。この光検出素子３を、レーザ素子の後方端面の直後
に一体的に（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）に集積作製しであ
る。５はｃｒ／Ａｕ電極、６は金属細線で、電極５から
半導体レーザ素子の駆動電流を印加している。電極５と
ヒートシンク２間はショットキーバリアによる高インピ
ーダンスのため、電気的に分離される。７は底面のＡｕ
、／Ｓｎオーミック電極である。８はマウントする部分
をエツチングで残した領域で、半導体レーザ素子ｌが個
々に駆動することができるように分離されている。
置のマウント構造を示すもので、ｌは２個の半導体レー
ザ素子を横方向に集積したアレイである。２はｎ型Ｇａ
Ａｓヒートシンク、３は光検出素子で、前記ｎ型ＧａＡ
ｓヒートシンク上に亜鉛拡散によるｐｎ接合を作り、Ｏ
ｒ／Ａｕ電極４を蒸着してエツチングで島状の素子とし
た。この光検出素子３を、レーザ素子の後方端面の直後
に一体的に（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）に集積作製しであ
る。５はｃｒ／Ａｕ電極、６は金属細線で、電極５から
半導体レーザ素子の駆動電流を印加している。電極５と
ヒートシンク２間はショットキーバリアによる高インピ
ーダンスのため、電気的に分離される。７は底面のＡｕ
、／Ｓｎオーミック電極である。８はマウントする部分
をエツチングで残した領域で、半導体レーザ素子ｌが個
々に駆動することができるように分離されている。
上記のように構成された半導体レーザアレイ装置につい
て、以下その動作を説明する。まず、個々の半導体レー
ザ素子ｌの後方端面から放出されるレーザ光は、ｐｎ接
合ホトダイオード３に入射し、モニタ光電流を発生する
。隣り合った素子からのレーザ光は、エツチングで残し
た領域８により阻止されている。第２図に、半導体レー
ザ素子の前方光の光出力−駆動電流特性（イ）と、後方
光のモニタ電流−駆動電流特性（ロ）を示す、前方光出
力に対応したモニタ電流出力が得られているのがわかる
。また、隣接するホトダイオードの出力（ハ）を同図中
に示したが、極めて小さく、光の漏洩は無視し得ること
がわかる。
て、以下その動作を説明する。まず、個々の半導体レー
ザ素子ｌの後方端面から放出されるレーザ光は、ｐｎ接
合ホトダイオード３に入射し、モニタ光電流を発生する
。隣り合った素子からのレーザ光は、エツチングで残し
た領域８により阻止されている。第２図に、半導体レー
ザ素子の前方光の光出力−駆動電流特性（イ）と、後方
光のモニタ電流−駆動電流特性（ロ）を示す、前方光出
力に対応したモニタ電流出力が得られているのがわかる
。また、隣接するホトダイオードの出力（ハ）を同図中
に示したが、極めて小さく、光の漏洩は無視し得ること
がわかる。
上記のように本実施例によれば、半導体レーザアレイを
マウントするヒートシンク上に、個々の半導体レーザ素
子を設けると共に個々のレーザ素子の直後にｐｎ接合ホ
トダイオードの光検出素子を作製し、かつ個々のホトダ
イオード間にはエツチングで残した領域８が存在するこ
とにより、アレイを構成する個々の半導体レーザ素子の
出力を正確にモニタすることができる。
マウントするヒートシンク上に、個々の半導体レーザ素
子を設けると共に個々のレーザ素子の直後にｐｎ接合ホ
トダイオードの光検出素子を作製し、かつ個々のホトダ
イオード間にはエツチングで残した領域８が存在するこ
とにより、アレイを構成する個々の半導体レーザ素子の
出力を正確にモニタすることができる。
さらに、レーザアレイ装置を構成しているＧａＡｓと同
じ材料のヒートシンクを用いると、熱膨張係数の違いに
よるポンディング時の歪の問題もない。
じ材料のヒートシンクを用いると、熱膨張係数の違いに
よるポンディング時の歪の問題もない。
（３）発明の効果
本発明は、複数の半導体レーザ素子をマウントするＧａ
Ａｓヒートシンク上にそれぞれ対応してｐｎ接合ホトダ
イオードを一体的（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）に集積し、
かつそれぞれをエツチングで残した領域で分離している
ので、半導体レーザアレイ装置において個々のｐｎ接合
ホトダイオードにより光出力をそれぞれ正確にモニタす
ることができるようになった。
Ａｓヒートシンク上にそれぞれ対応してｐｎ接合ホトダ
イオードを一体的（ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ）に集積し、
かつそれぞれをエツチングで残した領域で分離している
ので、半導体レーザアレイ装置において個々のｐｎ接合
ホトダイオードにより光出力をそれぞれ正確にモニタす
ることができるようになった。
第１図は本発明の実施例として示した半導体レーザアレ
イ装置の構造図、第２図はレーザ駆動電流と光出力及び
モニタ電流出力特性を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザアレイ ２・・・ヒートシンク
３・・・ｐｎ接合ホトダイオード ８・・・エツチングで残した領域 代理人 弁理士 大 島 −公 第１図
イ装置の構造図、第２図はレーザ駆動電流と光出力及び
モニタ電流出力特性を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザアレイ ２・・・ヒートシンク
３・・・ｐｎ接合ホトダイオード ８・・・エツチングで残した領域 代理人 弁理士 大 島 −公 第１図
Claims (5)
- （１）複数個の半導体レーザ素子を一体的に集積した半
導体レーザアレイを一導電型の半導体からなるヒートシ
ンク上に保持し、前記ヒートシンク上で個々の前記半導
体レーザ素子の直後に光出力のモニタを得るｐｎ接合ホ
トダイオードを設け、かつ個々の前記ホトダイオードの
間にエッチングで残した領域を設けたことを特徴とする
半導体レーザアレイ装置。 - （２）一導電型の半導体が、ＧａＡｓである特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザアレイ装置。 - （３）一導電型の半導体が、ＧａＡｓを含む混合結晶で
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザアレイ装
置。 - （４）一導電型の半導体が、ＩｎＰである特許請求の範
囲第１項記載の半導体レーザアレイ装置。 - （５）一導電型の半導体が、ＩｎＰを含む混合結晶であ
る特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザアレイ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP127285A JPS61159788A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP127285A JPS61159788A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159788A true JPS61159788A (ja) | 1986-07-19 |
Family
ID=11496820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP127285A Pending JPS61159788A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159788A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5022035A (en) * | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5257790A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-12 | Sharp Corp | Semiconductor scanner |
| JPS57160189A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor luminous device incorporated with photodetector |
| JPS61152088A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Canon Inc | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-01-07 JP JP127285A patent/JPS61159788A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5257790A (en) * | 1975-11-06 | 1977-05-12 | Sharp Corp | Semiconductor scanner |
| JPS57160189A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor luminous device incorporated with photodetector |
| JPS61152088A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Canon Inc | 半導体レ−ザ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5022035A (en) * | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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