JPH0831654B2 - 半導体レーザ装置用サブマウント - Google Patents
半導体レーザ装置用サブマウントInfo
- Publication number
- JPH0831654B2 JPH0831654B2 JP29811387A JP29811387A JPH0831654B2 JP H0831654 B2 JPH0831654 B2 JP H0831654B2 JP 29811387 A JP29811387 A JP 29811387A JP 29811387 A JP29811387 A JP 29811387A JP H0831654 B2 JPH0831654 B2 JP H0831654B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- submount
- solder flow
- flow preventing
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、多点発光型半導体レーザ装置のボンディ
ング時の接合用、半田等の流出による電気的短絡の発生
を低減した半導体レーザ装置用サブマウントに関するも
のである。
ング時の接合用、半田等の流出による電気的短絡の発生
を低減した半導体レーザ装置用サブマウントに関するも
のである。
多点発光型半導体レーザ装置においては、その応用や
製造面からの要請により、通常、各発光点の間隔は、数
10μｍから数100μｍと、極めて隣接した構造を有して
いる。
製造面からの要請により、通常、各発光点の間隔は、数
10μｍから数100μｍと、極めて隣接した構造を有して
いる。
特に、各発光点が独立に駆動できる構造のものでは、
陰極か陽極の少なくとも一方の電極は、電気的に分離さ
れていなければならない。
陰極か陽極の少なくとも一方の電極は、電気的に分離さ
れていなければならない。
第３図に一般的な２点発光型半導体レーザ装置の構造
例を示す。第３図において、11はｎ型基板、12はｐ型電
流ブロック層、13はｎ型下クラッド層、14は活性層、15
はｐ型上クラッド層、16はｐ型コンタクト層、17は一方
の発光点、18は他方の発光点、19は一方のｐ電極、20は
他方のｐ電極、21はｎ電極,22は電気的分離溝である。
例を示す。第３図において、11はｎ型基板、12はｐ型電
流ブロック層、13はｎ型下クラッド層、14は活性層、15
はｐ型上クラッド層、16はｐ型コンタクト層、17は一方
の発光点、18は他方の発光点、19は一方のｐ電極、20は
他方のｐ電極、21はｎ電極,22は電気的分離溝である。
この第３図に示す２点発光型半導体レーザ装置の場
合、発光点17,18は、ｐ電極19,20側に近く位置している
ため、発光点17,18からの動作時の発熱の放熱特性をよ
くして、自己発熱による光出力の変動を抑制し、また、
発光点17,18間の熱的クロストークを抑制するために、
ｐ電極19,20側を、サブマウント側にボンディングする
必要がある。通常のボンディングをジャンクション・ダ
ウン・ボンディングと呼んでいる。
合、発光点17,18は、ｐ電極19,20側に近く位置している
ため、発光点17,18からの動作時の発熱の放熱特性をよ
くして、自己発熱による光出力の変動を抑制し、また、
発光点17,18間の熱的クロストークを抑制するために、
ｐ電極19,20側を、サブマウント側にボンディングする
必要がある。通常のボンディングをジャンクション・ダ
ウン・ボンディングと呼んでいる。
第４図は、上記第３図に示したような２点発光型半導
体レーザ装置をボンディングする従来のサブマウントを
示す斜視図である。この図で、１は電気的に絶縁性の材
質からなる基板、2,3は第３図に示した半導体レーザ装
置の各電極19,20がそれぞれボンディングされる電極パ
ターンである。
体レーザ装置をボンディングする従来のサブマウントを
示す斜視図である。この図で、１は電気的に絶縁性の材
質からなる基板、2,3は第３図に示した半導体レーザ装
置の各電極19,20がそれぞれボンディングされる電極パ
ターンである。
上記のサブマウントは、電気的に分離された２つの電
極パターン2,3を有するので、第３図に示した２点発光
型半導体レーザ装置の両ｐ電極19,20をそれぞれ電気的
に分離してボンディングすることができる。
極パターン2,3を有するので、第３図に示した２点発光
型半導体レーザ装置の両ｐ電極19,20をそれぞれ電気的
に分離してボンディングすることができる。
しかしながら、上記のような従来のサブマウントで
は、ボンディングされる電極パターン2,3がｎ型基板11
の同一レベルの面に形成されているため、ボンディング
時に半田等と接合材が流れ出して、半導体レーザ装置の
電極19,20が電気的に短絡する確率が高く、効率的な製
造ができない等の問題点があった。
は、ボンディングされる電極パターン2,3がｎ型基板11
の同一レベルの面に形成されているため、ボンディング
時に半田等と接合材が流れ出して、半導体レーザ装置の
電極19,20が電気的に短絡する確率が高く、効率的な製
造ができない等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を除去するためにな
されたもので、多点発光型半導体レーザ装置のジャンク
ション・ダウン・ボンディングにおける各電極間の電気
的短絡の発生確率を低減し、高効率のボンディングを実
現できる半導体レーザ装置用サブマウントを提供するこ
とを目的とする。
されたもので、多点発光型半導体レーザ装置のジャンク
ション・ダウン・ボンディングにおける各電極間の電気
的短絡の発生確率を低減し、高効率のボンディングを実
現できる半導体レーザ装置用サブマウントを提供するこ
とを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置用サブマウントは、
サブマウント上に形成された各電極パターン間のそれぞ
れに該電極端に平行な凹溝複数本からなる半田流れ防止
用溝を形成したものである。
サブマウント上に形成された各電極パターン間のそれぞ
れに該電極端に平行な凹溝複数本からなる半田流れ防止
用溝を形成したものである。
この発明においては、半導体レーザ装置の各電極がボ
ンディングされるサブマウントの各電極パターン間のそ
れぞれに半田流れ防止用溝として、溝の中央に半田流れ
防止用堤を形成したことから、ボンディング時に流れ出
した半田は各半田流れ防止用溝に流れ込み、流れ出した
半田どうしが接触することがなくなる。
ンディングされるサブマウントの各電極パターン間のそ
れぞれに半田流れ防止用溝として、溝の中央に半田流れ
防止用堤を形成したことから、ボンディング時に流れ出
した半田は各半田流れ防止用溝に流れ込み、流れ出した
半田どうしが接触することがなくなる。
以下、この発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図において、第４図と同一符号は同じものを示
し、４と５は前記基板１に形成された半田流れ防止用
溝、６は前記両溝4,5間の半田流れ防止用堤である。
し、４と５は前記基板１に形成された半田流れ防止用
溝、６は前記両溝4,5間の半田流れ防止用堤である。
次に第２図（ａ），（ｂ）によって、第４図に示した
従来のサブマウントと、第１図に示したこの発明による
サブマウント上に、第３図に示した２点発光型半導体レ
ーザ装置をそれぞれジャンクション・ダウン・ボンディ
ングした場合の半田流れの様子を説明する。
従来のサブマウントと、第１図に示したこの発明による
サブマウント上に、第３図に示した２点発光型半導体レ
ーザ装置をそれぞれジャンクション・ダウン・ボンディ
ングした場合の半田流れの様子を説明する。
第２図（ａ）に示す従来のサブマウントでは、電極パ
ターン2,3の間隔をある程度離しても、半田付けの条件
によっては、半田が平面上を流れ、この流れ出た半田3
1,32どうしが接触し、電気的短絡が発生する。また、電
極パターン2,3間の距離は、発光点17,18の間隔によって
制限されるので、著しいボンディング性の改善は困難で
ある。
ターン2,3の間隔をある程度離しても、半田付けの条件
によっては、半田が平面上を流れ、この流れ出た半田3
1,32どうしが接触し、電気的短絡が発生する。また、電
極パターン2,3間の距離は、発光点17,18の間隔によって
制限されるので、著しいボンディング性の改善は困難で
ある。
また、第２図（ｂ）に示すように、この発明によるサ
ブマウントに２点発光型半導体レーザ装置をボンディン
グした場合には、半田の流れを、半田流れ防止用溝4,5
と半田流れ防止用堤６で防いでいるため、流れ出た半田
31,32による電気的短絡の発生は大幅に抑制される。
ブマウントに２点発光型半導体レーザ装置をボンディン
グした場合には、半田の流れを、半田流れ防止用溝4,5
と半田流れ防止用堤６で防いでいるため、流れ出た半田
31,32による電気的短絡の発生は大幅に抑制される。
なお、上記実施例では、半田流れ防止用堤６は、電極
パターン2,3面と同じ高さになっているが、この半田流
れ防止用堤６は電極パターン2,3面に対し、高くなる構
造にしてもよい。また、半田流れ防止用溝4,5の溝幅
は、５〜100μｍにし、かつ溝深さは、５〜150μｍにす
るのが最適である。
パターン2,3面と同じ高さになっているが、この半田流
れ防止用堤６は電極パターン2,3面に対し、高くなる構
造にしてもよい。また、半田流れ防止用溝4,5の溝幅
は、５〜100μｍにし、かつ溝深さは、５〜150μｍにす
るのが最適である。
また、上記実施例では、半田流れ防止用溝は２本の場
合を示したが、これは複数本でよく、両接合部からの半
田流れが合流して接触しなければ１本であってもよい。
合を示したが、これは複数本でよく、両接合部からの半
田流れが合流して接触しなければ１本であってもよい。
さらに、上記実施例では２点発光型半導体レーザ装置
のジャンクション・ダウン・ボンディングについて説明
したが、２点以上の多点発光型半導体レーザ装置にも同
様に適用できることは明らかである。
のジャンクション・ダウン・ボンディングについて説明
したが、２点以上の多点発光型半導体レーザ装置にも同
様に適用できることは明らかである。
以上説明したように、この発明は、各電極パターン間
のそれぞれに該電極端に平行な凹溝複数本からなる半田
流れ防止用溝を形成したので、多点発光型半導体レーザ
装置のジャンクション・ダウン・ボンディングにおける
各電極間の電気的短絡の発生を大幅に抑制することがで
きる効果が得られる。
のそれぞれに該電極端に平行な凹溝複数本からなる半田
流れ防止用溝を形成したので、多点発光型半導体レーザ
装置のジャンクション・ダウン・ボンディングにおける
各電極間の電気的短絡の発生を大幅に抑制することがで
きる効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例を示す２点発光型半導体レ
ーザ装置用サブマウントの斜視図、第２図（ａ），
（ｂ）は従来のサブマウントとこの発明によるサブマウ
ントに、２点発光型半導体レーザ装置をジャンクション
・ダウン・ボンディングした場合の半田流れ状況を示す
断面図、第３図は２点発光型半導体レーザ装置の一例を
示す斜視図、第４図は従来の２点発光型半導体レーザ装
置用サブマウントの斜視図である。 図において、１は基板、2,3は電極パターン、4,5は半田
流れ防止用溝、６は半田流れ防止用堤である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
ーザ装置用サブマウントの斜視図、第２図（ａ），
（ｂ）は従来のサブマウントとこの発明によるサブマウ
ントに、２点発光型半導体レーザ装置をジャンクション
・ダウン・ボンディングした場合の半田流れ状況を示す
断面図、第３図は２点発光型半導体レーザ装置の一例を
示す斜視図、第４図は従来の２点発光型半導体レーザ装
置用サブマウントの斜視図である。 図において、１は基板、2,3は電極パターン、4,5は半田
流れ防止用溝、６は半田流れ防止用堤である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】複数の発光点をそれぞれ独立に駆動するこ
とができる多点発光型半導体レーザ装置の前記各発光点
に対して電気的に分離されて形成された電極側の面がボ
ンディングされる電極パターンを絶縁基板上に形成した
サブマウントにおいて、前記各電極パターン間のそれぞ
れに該電極端に平行な凹溝複数本からなる半田流れ防止
用溝を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置用サ
ブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29811387A JPH0831654B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザ装置用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29811387A JPH0831654B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザ装置用サブマウント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138776A JPH01138776A (ja) | 1989-05-31 |
| JPH0831654B2 true JPH0831654B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17855334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29811387A Expired - Lifetime JPH0831654B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザ装置用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831654B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8581106B2 (en) | 2005-03-18 | 2013-11-12 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Submount |
| KR20170099967A (ko) * | 2014-12-19 | 2017-09-01 | 알페스 라제르스 에스아 | 에피택셜 사이드-다운 장착용 양자 폭포 레이저 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0476971A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置用ステム |
| JP3274647B2 (ja) | 1998-05-15 | 2002-04-15 | 日本電気株式会社 | 光半導体素子の実装構造 |
| TWI674375B (zh) * | 2019-03-15 | 2019-10-11 | 聯鈞光電股份有限公司 | 發光裝置及其製作方法 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP29811387A patent/JPH0831654B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8581106B2 (en) | 2005-03-18 | 2013-11-12 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Submount |
| KR20170099967A (ko) * | 2014-12-19 | 2017-09-01 | 알페스 라제르스 에스아 | 에피택셜 사이드-다운 장착용 양자 폭포 레이저 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01138776A (ja) | 1989-05-31 |
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