JPH01138776A - 半導体レーザ装置用サブマウント - Google Patents
半導体レーザ装置用サブマウントInfo
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- JPH01138776A JPH01138776A JP29811387A JP29811387A JPH01138776A JP H01138776 A JPH01138776 A JP H01138776A JP 29811387 A JP29811387 A JP 29811387A JP 29811387 A JP29811387 A JP 29811387A JP H01138776 A JPH01138776 A JP H01138776A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、多点発光型半導体レーザ装置のボンディン
グ時の接合用、半田等の流出による電気的短絡の発生を
低減した半導体レーザ装置用サブマウントに関するもの
である。
グ時の接合用、半田等の流出による電気的短絡の発生を
低減した半導体レーザ装置用サブマウントに関するもの
である。
（従来の技術）
多点発光型半導体レーザ装置においては、その応用や製
造面からの要請により、通常、各発光点の間隔は、数ｌ
ｏＡＬｍから数１００μｍと、極めて隣接した構造を有
している。
造面からの要請により、通常、各発光点の間隔は、数ｌ
ｏＡＬｍから数１００μｍと、極めて隣接した構造を有
している。
特に、各発光点が独立に駆動できる構造のものでは、陰
極か陽極の少なくとも一方の電極は、電気的に分離され
ていなければならない。
極か陽極の少なくとも一方の電極は、電気的に分離され
ていなければならない。
第３図に一般的な２点発光型半導体レーザ装置の構造例
を示す。第３図において、１１はｎ型基板、１２はρ型
電流ブロック層、１３はｎ型下クラッド層、１４は活性
層、１５はｐ型上クラッド層、１６はｐ型コンタクト層
、１７は一方の発光点、１８は他方の発光点、１９は一
方のｐ電極、２０は他方のｐ電極、２１はｎ電極、２２
は電気的分離溝である。
を示す。第３図において、１１はｎ型基板、１２はρ型
電流ブロック層、１３はｎ型下クラッド層、１４は活性
層、１５はｐ型上クラッド層、１６はｐ型コンタクト層
、１７は一方の発光点、１８は他方の発光点、１９は一
方のｐ電極、２０は他方のｐ電極、２１はｎ電極、２２
は電気的分離溝である。
この第３図に示す２点発光型半導体レーザ装置の場合、
発光点１７．１８は、ｐ電極１９．２０側に近く位置し
ているため、発光点１７．１８からの動作時の発熱の放
熱特性をよくして、自己発熱による光出力の変動を抑制
し、また、発光点１７．１８間の熱的クロストークを抑
制するために、ｐ電極１９゜２０側を、サブマウント側
にボンディングする必要がある。通常のボンディングを
ジャンクション・ダウン・ボンディングと呼んでいる。
発光点１７．１８は、ｐ電極１９．２０側に近く位置し
ているため、発光点１７．１８からの動作時の発熱の放
熱特性をよくして、自己発熱による光出力の変動を抑制
し、また、発光点１７．１８間の熱的クロストークを抑
制するために、ｐ電極１９゜２０側を、サブマウント側
にボンディングする必要がある。通常のボンディングを
ジャンクション・ダウン・ボンディングと呼んでいる。
第４図は、上記第３図に示したような２点発光型半導体
レーザ装置をボンディングする従来のサブマウントを示
す斜視図である。この図で、１は電気的に絶縁性の材質
からなる基板、２．３は第３図に示した半導体レーザ装
置の各電極１９．２０がそれぞれボンディングされる電
極パターンである。
レーザ装置をボンディングする従来のサブマウントを示
す斜視図である。この図で、１は電気的に絶縁性の材質
からなる基板、２．３は第３図に示した半導体レーザ装
置の各電極１９．２０がそれぞれボンディングされる電
極パターンである。
上記のサブマウントは、電気的に分離された２つの電極
パターン２．３を有するので、第３図に示した２点発光
型半導体レーザ装置の両ｐ電極１９．２０をそれぞれ電
気的に分離してボンディングすることができる。
パターン２．３を有するので、第３図に示した２点発光
型半導体レーザ装置の両ｐ電極１９．２０をそれぞれ電
気的に分離してボンディングすることができる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のような従来のサブマウントでは、
ボンディングされる電極パターン２．３がｎ型基板１１
の同一レベルの面に形成されているため、ボンディング
時に半田等の接合材が流れ出して、半導体レーザ装置の
電極１９．２０が電気的に短絡する確率が高く、効率的
な製造ができない等の問題点があった。
ボンディングされる電極パターン２．３がｎ型基板１１
の同一レベルの面に形成されているため、ボンディング
時に半田等の接合材が流れ出して、半導体レーザ装置の
電極１９．２０が電気的に短絡する確率が高く、効率的
な製造ができない等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を除去するためになさ
れたもので、多点発光型半導体レーザ装置のジャンクシ
ョン・ダウン・ボンディングにおける各電極間の電気的
短絡の発生確率を低減し、高効率のボンディングを実現
できる半導体レーザ装置用ザブマウントを提供すること
を目的とする。
れたもので、多点発光型半導体レーザ装置のジャンクシ
ョン・ダウン・ボンディングにおける各電極間の電気的
短絡の発生確率を低減し、高効率のボンディングを実現
できる半導体レーザ装置用ザブマウントを提供すること
を目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置用サブマウントは、サ
ブマウント上に形成された各電極パターン間のそれぞれ
に半田流れ防止用溝を形成したものである。
ブマウント上に形成された各電極パターン間のそれぞれ
に半田流れ防止用溝を形成したものである。
この発明においては、半導体レーザ装置の各Ｅｇがボン
ディングされるサブマウントの各電極パターン間のそれ
ぞれに半田流れ防止用溝を形成したことから、ボンディ
ング時に流れ出した半田は各半田流れ防止用溝に流れ込
み、流れ出した半田どうしが接触することがなくなる。
ディングされるサブマウントの各電極パターン間のそれ
ぞれに半田流れ防止用溝を形成したことから、ボンディ
ング時に流れ出した半田は各半田流れ防止用溝に流れ込
み、流れ出した半田どうしが接触することがなくなる。
以下、この発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図において、第４図と同一符号は同じものを示し、
４と５は前記基板１に形成された半田流れ防止用溝、６
は前記両溝４．５間の半田流れ防止川堤である。
４と５は前記基板１に形成された半田流れ防止用溝、６
は前記両溝４．５間の半田流れ防止川堤である。
次に第２図（ａ）。（ｂ）によって、第４図に示した従
来のサブマウントと、第１図に示したこの発明によるサ
ブマウント上に、第３図に示した２点発光型半導体レー
ザ装置をそれぞれジャンクション・ダウン・ボンディン
グした場合の半田流れの様子を説明する。
来のサブマウントと、第１図に示したこの発明によるサ
ブマウント上に、第３図に示した２点発光型半導体レー
ザ装置をそれぞれジャンクション・ダウン・ボンディン
グした場合の半田流れの様子を説明する。
第２図（ａ）に示す従来のサブマウントでは、電極パタ
ーン２．３の間隔をある程度前しても、半田付けの条件
によっては、半田が平面上を流れ、この流れ出た半田３
１．３２どうしが接触し、電気的短絡が発生する。また
、電極パターン２．３間の距離は、発光点１７．１８の
間隔によって制限されるので、著しいボンディング性の
改善は困難である。
ーン２．３の間隔をある程度前しても、半田付けの条件
によっては、半田が平面上を流れ、この流れ出た半田３
１．３２どうしが接触し、電気的短絡が発生する。また
、電極パターン２．３間の距離は、発光点１７．１８の
間隔によって制限されるので、著しいボンディング性の
改善は困難である。
また、第２図（ｂ）に示すように、この発明によるサブ
マウントに２点発光型半導体レーザ装置をボンディング
した場合には、半田の流れを、半田流れ防止用溝４，５
と半田流れ防止川堤６で防いでいるため、流れ出た半田
３１．３２による電気的短絡の発生は大幅に抑制される
。
マウントに２点発光型半導体レーザ装置をボンディング
した場合には、半田の流れを、半田流れ防止用溝４，５
と半田流れ防止川堤６で防いでいるため、流れ出た半田
３１．３２による電気的短絡の発生は大幅に抑制される
。
なお、上記実施例では、半田流れ防止川堤６は、電極パ
ターン２．３面と同じ高さになっているが、この半田流
れ防止川堤６は電極パターン２，３面に対し、高くなる
構造にしてもよい。また、半田流れ防止用溝４．５の溝
幅は、５〜１００μｍにし、かつ溝深さは、５〜１５０
μｍにするのが最適である。
ターン２．３面と同じ高さになっているが、この半田流
れ防止川堤６は電極パターン２，３面に対し、高くなる
構造にしてもよい。また、半田流れ防止用溝４．５の溝
幅は、５〜１００μｍにし、かつ溝深さは、５〜１５０
μｍにするのが最適である。
また、上記実施例では、半田流れ防止用溝は２本の場合
を示したが、これは複数本でよく、面接合部からの半田
流れが合流して接触しなければ１木であってもよい。
を示したが、これは複数本でよく、面接合部からの半田
流れが合流して接触しなければ１木であってもよい。
さらに、上記実施例では２点発光型半導体レーザ装置の
ジャンクション・ダウン・ボンディングについて説明し
たが、２点以上の多点発光型半導体レーザ装置にも同様
に適用できることは明らかである。
ジャンクション・ダウン・ボンディングについて説明し
たが、２点以上の多点発光型半導体レーザ装置にも同様
に適用できることは明らかである。
以上説明したように、この発明は、各電極パターン間の
それぞれに半田流れ防止用溝を形成したので、多点発光
型半導体レーザ装置のジャンクション・ダウン・ボンデ
ィングにおける各電極間の電気的短絡の発生を大幅に抑
制することができる効果が得られる。
それぞれに半田流れ防止用溝を形成したので、多点発光
型半導体レーザ装置のジャンクション・ダウン・ボンデ
ィングにおける各電極間の電気的短絡の発生を大幅に抑
制することができる効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例を示す２点発光型半導体レ
ーザ装置用サブマウントの斜視図、第２図（ａ）、（ｂ
）は従来のサブマウントとこの発明によるサブマウント
に、２点発光型半導体レーザ装置をジャンクション・ダ
ウン・ボンディングした場合の半田流れ状況を示す断面
図、第３図は２点発光型半導体レーザ装置の一例を示す
斜視図、第４図は従来の２点発光型半導体レーザ装置用
サブマウントの斜視図である。 図において、１は基板、２，３は電極パターン、４，５
は半田流れ防止用溝、６は半田流れ防止川堤である。 なお、各図中の同一・−符号は同一または相当部分を示
す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第７図 （ａ） 第２図 第３図 ン］ 第４図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿
＋、 ’、−、７−１で−−１ １、事件の表示 特願昭６２−２９８１１３号２、
発明の名称 半導体レーザ装置用サブマウント３、補
正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ＋（ 、−・□′ １（−′−′ ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 成」を、いずれも「半田流れ防止用溝として、溝の中央
に半田流れ防止川堤を形成」と補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲
ーザ装置用サブマウントの斜視図、第２図（ａ）、（ｂ
）は従来のサブマウントとこの発明によるサブマウント
に、２点発光型半導体レーザ装置をジャンクション・ダ
ウン・ボンディングした場合の半田流れ状況を示す断面
図、第３図は２点発光型半導体レーザ装置の一例を示す
斜視図、第４図は従来の２点発光型半導体レーザ装置用
サブマウントの斜視図である。 図において、１は基板、２，３は電極パターン、４，５
は半田流れ防止用溝、６は半田流れ防止川堤である。 なお、各図中の同一・−符号は同一または相当部分を示
す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第７図 （ａ） 第２図 第３図 ン］ 第４図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿
＋、 ’、−、７−１で−−１ １、事件の表示 特願昭６２−２９８１１３号２、
発明の名称 半導体レーザ装置用サブマウント３、補
正をする者 代表者志岐守哉 ４、代理人 ＋（ 、−・□′ １（−′−′ ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正
する。 成」を、いずれも「半田流れ防止用溝として、溝の中央
に半田流れ防止川堤を形成」と補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の発光点をそれぞれ独立に駆動するこ とができる多点発光型半導体レーザ装置の前記各発光点
に対して電気的に分離されて形成された電極側の面がボ
ンディングされる電極パターンを絶縁基板上に形成した
サブマウントにおいて、前記各電極パターン間のそれぞ
れに半田流れ防止用溝を形成したことを特徴とする半導
体レーザ装置用サブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29811387A JPH0831654B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザ装置用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29811387A JPH0831654B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザ装置用サブマウント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138776A true JPH01138776A (ja) | 1989-05-31 |
| JPH0831654B2 JPH0831654B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17855334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29811387A Expired - Lifetime JPH0831654B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体レーザ装置用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831654B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0476971A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置用ステム |
| EP0961327A1 (en) * | 1998-05-15 | 1999-12-01 | Nec Corporation | Photosemiconductor device mounted structure |
| TWI674375B (zh) * | 2019-03-15 | 2019-10-11 | 聯鈞光電股份有限公司 | 發光裝置及其製作方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI462236B (zh) | 2005-03-18 | 2014-11-21 | Dowa Electronics Materials Co | 副載置片及其製造方法 |
| EP3235077B1 (en) * | 2014-12-19 | 2020-09-30 | Alpes Lasers S.A. | Quantum cascade laser optimized for epitaxial side-down mounting |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP29811387A patent/JPH0831654B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0476971A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置用ステム |
| EP0961327A1 (en) * | 1998-05-15 | 1999-12-01 | Nec Corporation | Photosemiconductor device mounted structure |
| US6184560B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Photosemiconductor device mounted structure |
| TWI674375B (zh) * | 2019-03-15 | 2019-10-11 | 聯鈞光電股份有限公司 | 發光裝置及其製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831654B2 (ja) | 1996-03-27 |
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