JP3274647B2 - 光半導体素子の実装構造 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体素子の実装
構造に関し、特に光通信用光モジュールに用いられる光
半導体素子を基板上に実装するための光半導体素子の実
装構造に関する。
構造に関し、特に光通信用光モジュールに用いられる光
半導体素子を基板上に実装するための光半導体素子の実
装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】基板上に光半導体素子を実装する方法と
して、例えば特公平5−53315号公報には、基板上
の所定の位置にSn膜を蒸着によって形成し、このSn
膜と光半導体素子側のAu電極とを融着することが開示
されている。しかし、この方法の場合、光半導体素子の
位置決め調整に手間がかかるため、近年における光通信
用モジュールの低価格化の要求に答えられない。
して、例えば特公平5−53315号公報には、基板上
の所定の位置にSn膜を蒸着によって形成し、このSn
膜と光半導体素子側のAu電極とを融着することが開示
されている。しかし、この方法の場合、光半導体素子の
位置決め調整に手間がかかるため、近年における光通信
用モジュールの低価格化の要求に答えられない。
【0003】そこで、光半導体素子を用いたモジュール
において、Si基板上に光半導体素子をAuSn等の半
田(ハンダ)で接合するモジュールが提案されている。
この接合方法は、溶融したハンダ片の表面張力に起因す
るセルフアライン効果により、Si基板上のパッドで規
定された接合位置に光半導体素子を無調整で位置決めで
きるという特徴を持ち、モジュール低価格化の有効な手
段として注目されている。このような光モジュール構造
は、例えば '95年電子情報通信学会エレクトロニクス
ソサイエティ大会講演集、蔵田 他「表面実装型光モジ
ュールの開発」(講演番号SC-1-12)に示されている。
図5はハンダ接合法を用いた従来の光半導体素子の実装
構造を示したものである。この図に示すように、光半導
体素子101のAu電極102に対応してSi基板10
3上に設けられたパッド状のAu電極104に薄片状の
AuSnハンダ105を置き、さらに、このAuSnハ
ンダ105を介してSi基板103上に光半導体素子1
01を置いてAuSnハンダ105を溶融、凝固するこ
とで、光半導体素子101が高精度に実装されている。
において、Si基板上に光半導体素子をAuSn等の半
田(ハンダ)で接合するモジュールが提案されている。
この接合方法は、溶融したハンダ片の表面張力に起因す
るセルフアライン効果により、Si基板上のパッドで規
定された接合位置に光半導体素子を無調整で位置決めで
きるという特徴を持ち、モジュール低価格化の有効な手
段として注目されている。このような光モジュール構造
は、例えば '95年電子情報通信学会エレクトロニクス
ソサイエティ大会講演集、蔵田 他「表面実装型光モジ
ュールの開発」(講演番号SC-1-12)に示されている。
図5はハンダ接合法を用いた従来の光半導体素子の実装
構造を示したものである。この図に示すように、光半導
体素子101のAu電極102に対応してSi基板10
3上に設けられたパッド状のAu電極104に薄片状の
AuSnハンダ105を置き、さらに、このAuSnハ
ンダ105を介してSi基板103上に光半導体素子1
01を置いてAuSnハンダ105を溶融、凝固するこ
とで、光半導体素子101が高精度に実装されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図5で示した
従来技術には次のような問題点がある。
従来技術には次のような問題点がある。
【0005】第1の問題点としては、光半導体素子及び
Si基板の熱膨張係数に大きな差異があるため、ハンダ
(AuSn等)を溶融、凝固した時、光半導体素子に歪
み及び応力が発生する。最悪の場合、光半導体素子に欠
けや割れが発生する。そのため、光半導体素子が短命と
なり、光半導体素子を用いたモジュールの信頼性が低下
する。
Si基板の熱膨張係数に大きな差異があるため、ハンダ
(AuSn等)を溶融、凝固した時、光半導体素子に歪
み及び応力が発生する。最悪の場合、光半導体素子に欠
けや割れが発生する。そのため、光半導体素子が短命と
なり、光半導体素子を用いたモジュールの信頼性が低下
する。
【0006】更に、光半導体素子アレイの場合はチャン
ネル数分の光半導体素子を一括して造り込んでいるた
め、光半導体素子アレイは、光半導体素子と比べて大型
化する。そのため、光半導体素子アレイを用いた場合、
ハンダの溶融、凝固時に、光半導体素子アレイには歪み
や応力だけでなく、反りや撓みが発生する。そのため、
光半導体素子アレイの寿命を劣化させるだけでなく、光
半導体素子アレイの各チャンネルの活性層(発光素子の
場合)あるいは吸収層(受光素子の場合)と光ファイバ
との光学的な結合が劣化し、モジュールの信頼性が低下
する。
ネル数分の光半導体素子を一括して造り込んでいるた
め、光半導体素子アレイは、光半導体素子と比べて大型
化する。そのため、光半導体素子アレイを用いた場合、
ハンダの溶融、凝固時に、光半導体素子アレイには歪み
や応力だけでなく、反りや撓みが発生する。そのため、
光半導体素子アレイの寿命を劣化させるだけでなく、光
半導体素子アレイの各チャンネルの活性層(発光素子の
場合)あるいは吸収層(受光素子の場合)と光ファイバ
との光学的な結合が劣化し、モジュールの信頼性が低下
する。
【0007】第2の問題点として、光半導体素子を安定
して動作することができない。これは、光半導体素子の
活性層(LD素子の場合)及び吸収層(PD素子の場
合)に歪みや応力が発生するためである。特に、光半導
体素子に分布帰還型LD素子(DFB−LD)を用いた
場合、従来の方法では活性層の回折格子に歪み及び応力
が発生し、安定した単一モード動作が難しいとの問題点
がある。
して動作することができない。これは、光半導体素子の
活性層(LD素子の場合)及び吸収層(PD素子の場
合)に歪みや応力が発生するためである。特に、光半導
体素子に分布帰還型LD素子(DFB−LD)を用いた
場合、従来の方法では活性層の回折格子に歪み及び応力
が発生し、安定した単一モード動作が難しいとの問題点
がある。
【0008】そこで本発明の目的は、上述した従来技術
の問題点に鑑み、ハンダ接合時や環境温度変動時の光半
導体素子における応力や歪みを大きく低減して、信頼性
を向上することが可能な光半導体素子の実装構造を提供
することにある。
の問題点に鑑み、ハンダ接合時や環境温度変動時の光半
導体素子における応力や歪みを大きく低減して、信頼性
を向上することが可能な光半導体素子の実装構造を提供
することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、1つ以上の活性層を有する光半導体素子の
電極パッドに対応して基板上に電極パッドが設けられ、
光半導体素子および基板の電極パッド間がハンダで接合
されている光半導体素子の実装構造であって、前記基板
の電極パッドは、前記基板に複数のV溝を平行に設ける
ことで形成された複数個のテーパ状凸部の上面にそれぞ
れ設けられており、前記光半導体素子の各活性層部分の
両側部分に前記複数個のテーパ状凸部の各々が接合さ
れ、かつ前記光半導体素子の活性層が前記複数個のテー
パ状凸部のうちの中央のテーパ状凸部に対応して配され
ていることを特徴とする。
に本発明は、1つ以上の活性層を有する光半導体素子の
電極パッドに対応して基板上に電極パッドが設けられ、
光半導体素子および基板の電極パッド間がハンダで接合
されている光半導体素子の実装構造であって、前記基板
の電極パッドは、前記基板に複数のV溝を平行に設ける
ことで形成された複数個のテーパ状凸部の上面にそれぞ
れ設けられており、前記光半導体素子の各活性層部分の
両側部分に前記複数個のテーパ状凸部の各々が接合さ
れ、かつ前記光半導体素子の活性層が前記複数個のテー
パ状凸部のうちの中央のテーパ状凸部に対応して配され
ていることを特徴とする。
【0010】また、前記基板としてはシリコン基板又は
セラミック基板が適用でき、前記ハンダとしてはAuS
n又はPbSnが適用できる。
セラミック基板が適用でき、前記ハンダとしてはAuS
n又はPbSnが適用できる。
【0011】このような構成によれば、ハンダ接合の際
に溶融したハンダが凝固する時あるいは環境温度変動
時、光半導体素子及びSi基板の熱膨張係数差によって
生じる、光半導体素子への歪み及び応力が、凸部の弾性
変形により大幅に低減される。この構造は素子がアレイ
化して大型になっても、ハンダ凝固時にアレイ状素子に
発生する反りや撓みを抑制するが可能である。
に溶融したハンダが凝固する時あるいは環境温度変動
時、光半導体素子及びSi基板の熱膨張係数差によって
生じる、光半導体素子への歪み及び応力が、凸部の弾性
変形により大幅に低減される。この構造は素子がアレイ
化して大型になっても、ハンダ凝固時にアレイ状素子に
発生する反りや撓みを抑制するが可能である。
【0012】特に、1つ以上の活性層を有する光半導体
素子(例えばLD素子)を実装する場合、前記光半導体
素子の活性層は前記複数個の凸部のうちの中央の凸部の
位置に対応して配されていることにより、光半導体素子
の活性層で発生する熱を、中央の凸部より効果的に放熱
することが可能である。
素子(例えばLD素子)を実装する場合、前記光半導体
素子の活性層は前記複数個の凸部のうちの中央の凸部の
位置に対応して配されていることにより、光半導体素子
の活性層で発生する熱を、中央の凸部より効果的に放熱
することが可能である。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0014】(第1の実施の形態)図1は、本発明の第
1の実施の形態である光半導体素子の実装構造を示す断
面図である。この図に示すように、光半導体素子1の下
面に設けられた金属パッドとしてのAu電極2は、Au
Snハンダ6を介してSi基板3上の金属パッドとして
のAu電極5に接合されている。このAu電極5は光半
導体素子1のAu電極2に対応して2個のテーパ状凸部
7の上面にそれぞれ設けられている。2個のテーパ状凸
部7は、Si基板3に3本の平行なV溝4を設けること
で形成されている。テーパ状凸部7の間隔は、光半導体
素子1の幅と等しいか、もしくは短くなっている。
1の実施の形態である光半導体素子の実装構造を示す断
面図である。この図に示すように、光半導体素子1の下
面に設けられた金属パッドとしてのAu電極2は、Au
Snハンダ6を介してSi基板3上の金属パッドとして
のAu電極5に接合されている。このAu電極5は光半
導体素子1のAu電極2に対応して2個のテーパ状凸部
7の上面にそれぞれ設けられている。2個のテーパ状凸
部7は、Si基板3に3本の平行なV溝4を設けること
で形成されている。テーパ状凸部7の間隔は、光半導体
素子1の幅と等しいか、もしくは短くなっている。
【0015】なお、光半導体素子1は、発光素子〔例え
ばレーザダイオード(LD)〕及び受光素子〔例えばフォ
トダイオード(PD)〕のいずれでも良い。また、基板3
の材質をSiとしているが、セラミック等の材質でも何
ら問題はない。また、AuSnハンダ6を用いている
が、他の成分を有するハンダ〔例えばPbSn〕を用い
ても問題はない。
ばレーザダイオード(LD)〕及び受光素子〔例えばフォ
トダイオード(PD)〕のいずれでも良い。また、基板3
の材質をSiとしているが、セラミック等の材質でも何
ら問題はない。また、AuSnハンダ6を用いている
が、他の成分を有するハンダ〔例えばPbSn〕を用い
ても問題はない。
【0016】次に図1を用いて、本形態の実装構造によ
る作用を説明する。先ず、ユーザーが光半導体素子1
を、2つのテーパ状凸部7の上部にAuSnハンダ6を
設置する。そして、AuSnハンダ6を溶融、凝固さ
せ、光半導体素子1をテーパ状凸部7と固定する。も
し、2本のテーパ状凸部がなく、平坦なSi基板に光半
導体素子をAuSnハンダで固定する場合、溶融したA
uSnハンダの凝固時、光半導体素子とSi基板との熱
膨張係数に大きな差があるため、光半導体素子に大きな
歪みや応力が発生する。しかし、図1に示す構造では、
光半導体素子1は2本のテーパ状凸部7を用いてSi基
板3に接合されている。そのため、AuSnハンダの凝
固する時あるいは環境温度変動時、光半導体素子1及び
Si基板3が収縮すると、テーパ状凸部7が弾性変形す
る。その結果、光半導体素子1への残留応力や歪みを大
幅に低減することができる。
る作用を説明する。先ず、ユーザーが光半導体素子1
を、2つのテーパ状凸部7の上部にAuSnハンダ6を
設置する。そして、AuSnハンダ6を溶融、凝固さ
せ、光半導体素子1をテーパ状凸部7と固定する。も
し、2本のテーパ状凸部がなく、平坦なSi基板に光半
導体素子をAuSnハンダで固定する場合、溶融したA
uSnハンダの凝固時、光半導体素子とSi基板との熱
膨張係数に大きな差があるため、光半導体素子に大きな
歪みや応力が発生する。しかし、図1に示す構造では、
光半導体素子1は2本のテーパ状凸部7を用いてSi基
板3に接合されている。そのため、AuSnハンダの凝
固する時あるいは環境温度変動時、光半導体素子1及び
Si基板3が収縮すると、テーパ状凸部7が弾性変形す
る。その結果、光半導体素子1への残留応力や歪みを大
幅に低減することができる。
【0017】(第2の実施の形態)図2は、本発明の第
2の実施の形態である光半導体素子の実装構造を示す断
面図である。ここでは光半導体素子としてレーザダイオ
ード(LD)素子等の発光素子を用いた例を示し、第1の
実施形態と同一要素には同一符号を用いている。この図
において、発光素子8の下面に設けられたAu電極2は
AuSnハンダ6を介してSi基板3上のAu電極5に
接合されている。このAu電極5は光半導体素子1のA
u電極2に対応して3個のテーパ状凸部7の上面にそれ
ぞれ設けられている。3個のテーパ状凸部7は、Si基
板3に4本の平行なV溝4を設けることで形成されてい
る。そして、3個のテーパ状凸部7のうちの中心のテー
パ状凸部に発光素子8の活性層9の位置が一致するよう
に、発光素子8はAuSnハンダ6にて固定されてい
る。この事により、発光素子8の活性層9で発生する熱
を、中心のテーパ状凸部7より効果的に放熱することが
可能である。
2の実施の形態である光半導体素子の実装構造を示す断
面図である。ここでは光半導体素子としてレーザダイオ
ード(LD)素子等の発光素子を用いた例を示し、第1の
実施形態と同一要素には同一符号を用いている。この図
において、発光素子8の下面に設けられたAu電極2は
AuSnハンダ6を介してSi基板3上のAu電極5に
接合されている。このAu電極5は光半導体素子1のA
u電極2に対応して3個のテーパ状凸部7の上面にそれ
ぞれ設けられている。3個のテーパ状凸部7は、Si基
板3に4本の平行なV溝4を設けることで形成されてい
る。そして、3個のテーパ状凸部7のうちの中心のテー
パ状凸部に発光素子8の活性層9の位置が一致するよう
に、発光素子8はAuSnハンダ6にて固定されてい
る。この事により、発光素子8の活性層9で発生する熱
を、中心のテーパ状凸部7より効果的に放熱することが
可能である。
【0018】本形態の実装構造においても、溶融ハンダ
の凝固時や環境温度変動時にテーパ状凸部7が弾性変形
により発光素子8への残留応力や歪みを大幅に低減し、
発光素子8の信頼性向上が可能であることは言うまでも
ない。
の凝固時や環境温度変動時にテーパ状凸部7が弾性変形
により発光素子8への残留応力や歪みを大幅に低減し、
発光素子8の信頼性向上が可能であることは言うまでも
ない。
【0019】なお、基板3の材質をSiとしているが、
セラミック等の材質でも何ら問題はない。また、AuS
nハンダ6を用いているが、他の成分を有するハンダ
〔例えばPbSn〕を用いても問題はない。
セラミック等の材質でも何ら問題はない。また、AuS
nハンダ6を用いているが、他の成分を有するハンダ
〔例えばPbSn〕を用いても問題はない。
【0020】(第3の実施の形態)図3は、本発明の第
3の実施の形態である光半導体素子の実装構造を示す断
面図である。ここでは光半導体素子として3チャンネル
の発光素子アレイを用いた例を示し、第1の実施形態と
同一要素には同一符号を用いている。この図において、
発光素子アレイ10の下面に設けられたAu電極2はA
uSnハンダ6を介してSi基板3上のAu電極5に接
合されている。このAu電極5は発光素子アレイ10の
Au電極2に対応して5個のテーパ状凸部7の上面にそ
れぞれ設けられている。5個のテーパ状凸部7は、Si
基板3に6本の平行なV溝4を設けることで形成されて
いる。そして、5個のテーパ状凸部7のうちの中央の3
個のテーパ状凸部に発光素子アレイ10の活性層9の位
置が一致するように、発光素子アレイ10はAuSnハ
ンダ6にて固定されている。
3の実施の形態である光半導体素子の実装構造を示す断
面図である。ここでは光半導体素子として3チャンネル
の発光素子アレイを用いた例を示し、第1の実施形態と
同一要素には同一符号を用いている。この図において、
発光素子アレイ10の下面に設けられたAu電極2はA
uSnハンダ6を介してSi基板3上のAu電極5に接
合されている。このAu電極5は発光素子アレイ10の
Au電極2に対応して5個のテーパ状凸部7の上面にそ
れぞれ設けられている。5個のテーパ状凸部7は、Si
基板3に6本の平行なV溝4を設けることで形成されて
いる。そして、5個のテーパ状凸部7のうちの中央の3
個のテーパ状凸部に発光素子アレイ10の活性層9の位
置が一致するように、発光素子アレイ10はAuSnハ
ンダ6にて固定されている。
【0021】図1に示した単体の光半導体素子1と比較
すると、発光素子アレイ10はチャンネル数分だけ幅が
広く大型化するため、AuSnハンダ6の凝固・固定時
の発光素子アレイ10への応力や歪みが大きくなり、光
半導体素子アレイ10に反りや撓みが発生する場合があ
る。しかし、図3に示す構造では、5個のテーパ状凸部
7が弾性変形することによって、発光素子アレイ10へ
の残留応力及び歪み、あるいは反りや撓みを抑制するこ
とができる。その結果、光半導体素子アレイ10の高信
頼性化が達成できる。更に、光半導体素子アレイ10の
反りや撓みを防止できるので、光半導体素子アレイ10
の活性層9と光ファイバ(不図示)との光学的結合の劣
化を防止でき、この光半導体素子アレイ10を用いた光
モジュールの高信頼性化も可能である。
すると、発光素子アレイ10はチャンネル数分だけ幅が
広く大型化するため、AuSnハンダ6の凝固・固定時
の発光素子アレイ10への応力や歪みが大きくなり、光
半導体素子アレイ10に反りや撓みが発生する場合があ
る。しかし、図3に示す構造では、5個のテーパ状凸部
7が弾性変形することによって、発光素子アレイ10へ
の残留応力及び歪み、あるいは反りや撓みを抑制するこ
とができる。その結果、光半導体素子アレイ10の高信
頼性化が達成できる。更に、光半導体素子アレイ10の
反りや撓みを防止できるので、光半導体素子アレイ10
の活性層9と光ファイバ(不図示)との光学的結合の劣
化を防止でき、この光半導体素子アレイ10を用いた光
モジュールの高信頼性化も可能である。
【0022】また、発光素子アレイ10は、各チャンネ
ル毎に発熱するため、発光素子アレイ10全体の発熱量
は大きくなる。しかし、本形態のように各活性層9の位
置に合わせてテーパ状凸部7を設けることで、発光素子
アレイ10の各活性層9で発生する熱を各テーパ状凸部
7より効果的に放熱することが可能である。よって、発
光素子アレイ10の放熱特性の改善も可能になる。
ル毎に発熱するため、発光素子アレイ10全体の発熱量
は大きくなる。しかし、本形態のように各活性層9の位
置に合わせてテーパ状凸部7を設けることで、発光素子
アレイ10の各活性層9で発生する熱を各テーパ状凸部
7より効果的に放熱することが可能である。よって、発
光素子アレイ10の放熱特性の改善も可能になる。
【0023】このような形態では、Si基板3に6本の
平行なV溝4を設けることにより、発光素子アレイ10
のAu電極2および活性層9に対応した5個のテーパ状
凸部7を形成している。しかし、テーパ状凸部7に代
え、図4に示すような矩形状凸部12を、発光素子アレ
イ10のAu電極2および活性層9の位置に対応して設
けてもよい。この場合、矩形状凸部12は、Si基板3
に矩形状の溝11を設けることで形成されている。この
構造においても、矩形状凸部が弾性変形することで、溶
融したAuSnハンダ6の凝固時あるいは環境温度変動
時に発生する発光素子アレイ10の応力や歪み、あるい
は反りや撓みを抑制可能である。
平行なV溝4を設けることにより、発光素子アレイ10
のAu電極2および活性層9に対応した5個のテーパ状
凸部7を形成している。しかし、テーパ状凸部7に代
え、図4に示すような矩形状凸部12を、発光素子アレ
イ10のAu電極2および活性層9の位置に対応して設
けてもよい。この場合、矩形状凸部12は、Si基板3
に矩形状の溝11を設けることで形成されている。この
構造においても、矩形状凸部が弾性変形することで、溶
融したAuSnハンダ6の凝固時あるいは環境温度変動
時に発生する発光素子アレイ10の応力や歪み、あるい
は反りや撓みを抑制可能である。
【0024】なお、図3及び図4に示した形態では基板
3の材質をSiとしているが、セラミック等の材質でも
何ら問題はない。また、AuSnハンダ6を用いている
が、他の成分を有するハンダ〔例えばPbSn〕を用い
ても問題はない。
3の材質をSiとしているが、セラミック等の材質でも
何ら問題はない。また、AuSnハンダ6を用いている
が、他の成分を有するハンダ〔例えばPbSn〕を用い
ても問題はない。
【0025】
【効果の説明】本発明は、以上のとおり構成されている
ので以下の効果を奏する。
ので以下の効果を奏する。
【0026】第一に、光半導体素子の信頼性の向上が可
能である。これは、ハンダ接合時に光半導体素子に発生
する応力や歪みを大きく低減でき、光半導体素子の欠け
や割れを防止することができるからである。
能である。これは、ハンダ接合時に光半導体素子に発生
する応力や歪みを大きく低減でき、光半導体素子の欠け
や割れを防止することができるからである。
【0027】第二に、光半導体素子の安定した動作が可
能である。光半導体素子の活性層(LD素子の場合)や
吸収層(PD素子の場合)に発生する応力や歪みを大き
く低減できるからである。特に光半導体素子に分布帰還
型LD素子(DFB−LD素子)を用いた場合、回折格
子を設けた活性層に応力や歪が発生しないため、安定し
た単一モード発振が可能になる。
能である。光半導体素子の活性層(LD素子の場合)や
吸収層(PD素子の場合)に発生する応力や歪みを大き
く低減できるからである。特に光半導体素子に分布帰還
型LD素子(DFB−LD素子)を用いた場合、回折格
子を設けた活性層に応力や歪が発生しないため、安定し
た単一モード発振が可能になる。
【0028】第三に、環境温度変動対しても、この光半
導体素子の信頼性の向上が可能である。これは、Si基
板と光半導体素子との熱膨張係数差によって、環境温度
が変動した場合でも光半導体素子に更に応力や歪みが発
生するが、本発明の実装構造ではSi基板の凸部が弾性
変形して、光半導体素子に加わる歪み及び応力を緩和す
ることができるからである。
導体素子の信頼性の向上が可能である。これは、Si基
板と光半導体素子との熱膨張係数差によって、環境温度
が変動した場合でも光半導体素子に更に応力や歪みが発
生するが、本発明の実装構造ではSi基板の凸部が弾性
変形して、光半導体素子に加わる歪み及び応力を緩和す
ることができるからである。
【図1】本発明の第1の実施の形態である光半導体素子
の実装構造を示す断面図である。
の実装構造を示す断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態である光半導体素子
の実装構造を示す断面図である。
の実装構造を示す断面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態である光半導体素子
の実装構造を示す断面図である。
の実装構造を示す断面図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態である光半導体素子
の実装構造を示す断面図である。
の実装構造を示す断面図である。
【図5】従来の光半導体素子の実装構造を示す断面図で
ある。
ある。
1 光半導体素子 2、5 Au電極 3 Si基板 4 V溝 6 AuSnハンダ 7 テーパ状凸部 8 発熱素子 9 活性層 10 発光素子アレイ 11 矩形状の溝 12 矩形状凸部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−112596(JP,A) 特開 平6−310617(JP,A) 特開 平4−72688(JP,A) 特開 平9−307191(JP,A) 特開 平9−36274(JP,A) 特開 平6−120270(JP,A) 実開 昭53−145466(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/02
Claims (2)
- 【請求項1】 1つ以上の活性層を有する光半導体素子
の電極パッドに対応して基板上に電極パッドが設けら
れ、光半導体素子および基板の電極パッド間がハンダで
接合されている光半導体素子の実装構造であって、 前記基板の電極パッドは、前記基板に複数のV溝を平行
に設けることで形成された複数個のテーパ状凸部の上面
にそれぞれ設けられており、前記光半導体素子の各活性
層部分の両側部分に前記複数個のテーパ状凸部の各々が
接合され、かつ前記光半導体素子の活性層が前記複数個
のテーパ状凸部のうちの中央のテーパ状凸部に対応して
配されていることを特徴とする光半導体素子の実装構
造。 - 【請求項2】 前記基板はシリコン又はセラミックであ
る請求項1に記載の光半導体素子の実装構造。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13345898A JP3274647B2 (ja) | 1998-05-15 | 1998-05-15 | 光半導体素子の実装構造 |
US09/304,559 US6184560B1 (en) | 1998-05-15 | 1999-05-04 | Photosemiconductor device mounted structure |
EP99108619A EP0961327B1 (en) | 1998-05-15 | 1999-05-11 | Photosemiconductor device mounted structure |
DE69938272T DE69938272T2 (de) | 1998-05-15 | 1999-05-11 | Montierungsstruktur für Photohalbleitervorrichtung |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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JPH11330617A JPH11330617A (ja) | 1999-11-30 |
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Family
ID=15105263
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---|---|---|---|
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US7042103B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-05-09 | Motorola, Inc. | Low stress semiconductor die attach |
JP3791501B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2006-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、半導体装置、半導体製造装置、回路基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2008153502A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Sony Corp | 発光装置、発光装置の製造方法および画像出力装置 |
JP6110673B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-04-05 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 光センサ装置 |
JP2014216615A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | キヤノン株式会社 | 電子部品の実装方法、回路基板及び画像形成装置 |
DE102014008839B4 (de) | 2014-06-20 | 2021-09-30 | Kunststoff-Zentrum In Leipzig Gemeinnützige Gmbh | Dehnungskompensierendes Verbindungselement für ein Mikroelektroniksystem |
DE102014008838B4 (de) | 2014-06-20 | 2021-09-30 | Kunststoff-Zentrum In Leipzig Gemeinnützige Gmbh | Spannungsreduzierendes flexibles Verbindungselement für ein Mikroelektroniksystem |
US10044171B2 (en) * | 2015-01-27 | 2018-08-07 | TeraDiode, Inc. | Solder-creep management in high-power laser devices |
JP6520481B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-05-29 | 富士電機株式会社 | 電子部品モジュール |
JP7407531B2 (ja) * | 2019-07-12 | 2024-01-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Ledモジュール及びledモジュールを含む表示装置 |
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JPH0831654B2 (ja) | 1987-11-25 | 1996-03-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置用サブマウント |
JPH02103987A (ja) | 1988-07-22 | 1990-04-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイ装置 |
US5081520A (en) | 1989-05-16 | 1992-01-14 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern |
JP2622029B2 (ja) * | 1990-05-18 | 1997-06-18 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JPH0529389A (ja) | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Sharp Corp | 半導体素子の接続構造 |
JP3013529B2 (ja) | 1991-08-26 | 2000-02-28 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
JP2976642B2 (ja) | 1991-11-07 | 1999-11-10 | 日本電気株式会社 | 光結合回路 |
US5249733A (en) | 1992-07-16 | 1993-10-05 | At&T Bell Laboratories | Solder self-alignment methods |
JPH06310617A (ja) * | 1993-04-22 | 1994-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子用サブマウント |
JPH07193091A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
JP3165779B2 (ja) * | 1995-07-18 | 2001-05-14 | 株式会社トクヤマ | サブマウント |
JPH09307191A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザダイオードモジュール |
JPH1090576A (ja) | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学部材の固定構造 |
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- 1998-05-15 JP JP13345898A patent/JP3274647B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1999
- 1999-05-04 US US09/304,559 patent/US6184560B1/en not_active Expired - Fee Related
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DE69938272T2 (de) | 2008-06-12 |
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