JPH1154839A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH1154839A JPH1154839A JP9204127A JP20412797A JPH1154839A JP H1154839 A JPH1154839 A JP H1154839A JP 9204127 A JP9204127 A JP 9204127A JP 20412797 A JP20412797 A JP 20412797A JP H1154839 A JPH1154839 A JP H1154839A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サージ電流の耐圧を向上させるとともに、半
導体レーザ装置が組み込まれる機器の製造工程の簡略化
及びコストダウンを実現する半導体レーザ装置を提供す
る。 【解決手段】 電気信号を光信号に変換するレーザダイ
オード１を有する半導体レーザ装置において、レーザダ
イオード１と、レーザダイオード１を駆動する駆動用ト
ランジスタ３と、レーザダイオード１のサージ電流対策
として駆動用トランジスタ３に接続された抵抗４とを同
一のパッケージ内に納める。
導体レーザ装置が組み込まれる機器の製造工程の簡略化
及びコストダウンを実現する半導体レーザ装置を提供す
る。 【解決手段】 電気信号を光信号に変換するレーザダイ
オード１を有する半導体レーザ装置において、レーザダ
イオード１と、レーザダイオード１を駆動する駆動用ト
ランジスタ３と、レーザダイオード１のサージ電流対策
として駆動用トランジスタ３に接続された抵抗４とを同
一のパッケージ内に納める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコンパクト
ディスクプレイヤの光ピックアップなどに内蔵される半
導体レーザ装置に関するものである。
ディスクプレイヤの光ピックアップなどに内蔵される半
導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ装置では、通常、図
７に示すように、レーザダイオード１とレーザダイオー
ド１が発光するレーザ光の強度をモニタするためのモニ
タ用フォトダイオード２とが同一のパッケージ２００内
に納められており、レーザダイオード１及びモニタ用フ
ォトダイオード２の両端が外部に導出される構成となっ
ていた。
７に示すように、レーザダイオード１とレーザダイオー
ド１が発光するレーザ光の強度をモニタするためのモニ
タ用フォトダイオード２とが同一のパッケージ２００内
に納められており、レーザダイオード１及びモニタ用フ
ォトダイオード２の両端が外部に導出される構成となっ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、電源電圧が印
加されていない状態の回路には静電気が原因となって電
流が流れる場合がある（以下、この電流を「サージ電
流」と呼ぶ）が、レーザダイオードは、通常のＩＣに比
べて、このサージ電流に非常に弱く、容易に劣化あるい
は破壊されてしまう。
加されていない状態の回路には静電気が原因となって電
流が流れる場合がある（以下、この電流を「サージ電
流」と呼ぶ）が、レーザダイオードは、通常のＩＣに比
べて、このサージ電流に非常に弱く、容易に劣化あるい
は破壊されてしまう。
【０００４】そして、図７に示した従来の半導体レーザ
装置は、サージ電流が全てレーザダイオードに流れ込ん
でしまう構成であるので、レーザダイオードの劣化ある
いは破壊を容易に招くことになり、サージ電流の耐圧が
低いという問題があった。
装置は、サージ電流が全てレーザダイオードに流れ込ん
でしまう構成であるので、レーザダイオードの劣化ある
いは破壊を容易に招くことになり、サージ電流の耐圧が
低いという問題があった。
【０００５】また、レーザダイオードを動作させるため
には、ほとんどの場合、外部に駆動用トランジスタが必
要であり、このため、半導体レーザ装置を組み込む機器
の製造工程にて駆動用トランジスタが外付けされるわけ
であるが、半導体レーザ装置はサージ電流の耐圧が低い
ということから、この作業は非常に厄介なものであっ
た。そして、このような実状から、半導体レーザ装置が
組み込まれる機器のコストダウンの足かせとなってい
た。
には、ほとんどの場合、外部に駆動用トランジスタが必
要であり、このため、半導体レーザ装置を組み込む機器
の製造工程にて駆動用トランジスタが外付けされるわけ
であるが、半導体レーザ装置はサージ電流の耐圧が低い
ということから、この作業は非常に厄介なものであっ
た。そして、このような実状から、半導体レーザ装置が
組み込まれる機器のコストダウンの足かせとなってい
た。
【０００６】そこで、本発明は、サージ電流の耐圧を向
上させるとともに、半導体レーザ装置が組み込まれる機
器の製造工程の簡略化及びコストダウンを実現する半導
体レーザ装置を提供することを目的とする。
上させるとともに、半導体レーザ装置が組み込まれる機
器の製造工程の簡略化及びコストダウンを実現する半導
体レーザ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１に記載の半導体レーザ装置では、電気信号
を光信号に変換するレーザダイオードを有する半導体レ
ーザ装置において、前記レーザダイオードと、前記レー
ザダイオードを駆動する駆動用トランジスタと、前記レ
ーザダイオードのサージ電流対策として前記駆動用トラ
ンジスタに接続された抵抗とを同一のパッケージ内に納
めている。
め、請求項１に記載の半導体レーザ装置では、電気信号
を光信号に変換するレーザダイオードを有する半導体レ
ーザ装置において、前記レーザダイオードと、前記レー
ザダイオードを駆動する駆動用トランジスタと、前記レ
ーザダイオードのサージ電流対策として前記駆動用トラ
ンジスタに接続された抵抗とを同一のパッケージ内に納
めている。
【０００８】以上の構成により、レーザダイオードの一
端は駆動用トランジスタを介して外部に導出されること
になり、レーザダイオードの両端が直接パッケージの外
部に導出されることはなくなるので、半導体レーザ装置
としてのサージ電流の耐圧が向上する。また、駆動用ト
ランジスタに抵抗を接続しているので、サージ電流によ
ってレーザダイオードが劣化あるいは破壊されるという
不具合をより一層確実に防止することができる。その他
には、従来は、駆動用トランジスタが外付けであった
が、これをレーザダイオードと同一のパッケージに納め
たことで、外付けの部品点数が減少する。
端は駆動用トランジスタを介して外部に導出されること
になり、レーザダイオードの両端が直接パッケージの外
部に導出されることはなくなるので、半導体レーザ装置
としてのサージ電流の耐圧が向上する。また、駆動用ト
ランジスタに抵抗を接続しているので、サージ電流によ
ってレーザダイオードが劣化あるいは破壊されるという
不具合をより一層確実に防止することができる。その他
には、従来は、駆動用トランジスタが外付けであった
が、これをレーザダイオードと同一のパッケージに納め
たことで、外付けの部品点数が減少する。
【０００９】また、請求項２に記載の半導体レーザ装置
では、請求項１に記載の半導体レーザ装置において、前
記レーザダイオードが搭載されるサブマウントとして前
記駆動用トランジスタのチップを用いている。
では、請求項１に記載の半導体レーザ装置において、前
記レーザダイオードが搭載されるサブマウントとして前
記駆動用トランジスタのチップを用いている。
【００１０】また、請求項３に記載の半導体レーザ装置
では、請求項１に記載の半導体レーザ装置において、前
記レーザダイオードが搭載されるサブマウントに前記駆
動用トランジスタを集積化している。
では、請求項１に記載の半導体レーザ装置において、前
記レーザダイオードが搭載されるサブマウントに前記駆
動用トランジスタを集積化している。
【００１１】また、請求項４に記載の半導体レーザ装置
では、請求項３に記載の半導体レーザ装置において、前
記サブマウントに前記抵抗を集積化している。
では、請求項３に記載の半導体レーザ装置において、前
記サブマウントに前記抵抗を集積化している。
【００１２】ここで、レーザダイオードはチップ単品で
は非常にハンドリング性が悪いので、レーザダイオード
をサブマウントと呼ばれる基板に搭載するという手法が
従来からとられている。そこで、請求項２に記載の構成
のように、このサブマウントとして駆動用のトランジス
タのチップを用いる、もしくは、請求項３あるいは４に
記載の構成のように、このサブマウントに駆動用トラン
ジスタあるいは駆動用トランジスタ及び抵抗を集積化す
ることによって、半導体レーザ装置を寸法的に大きくす
ることなく、上記請求項１の構成による作用・効果が得
られる。
は非常にハンドリング性が悪いので、レーザダイオード
をサブマウントと呼ばれる基板に搭載するという手法が
従来からとられている。そこで、請求項２に記載の構成
のように、このサブマウントとして駆動用のトランジス
タのチップを用いる、もしくは、請求項３あるいは４に
記載の構成のように、このサブマウントに駆動用トラン
ジスタあるいは駆動用トランジスタ及び抵抗を集積化す
ることによって、半導体レーザ装置を寸法的に大きくす
ることなく、上記請求項１の構成による作用・効果が得
られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施形態で
ある半導体レーザ装置の回路構成を示す図であって、１
はレーザダイオード、２はモニタ用フォトダイオード、
３は駆動用トランジスタ（ＰＮＰ型トランジスタ）、４
はサージ電流対策用の抵抗であって、レーザダイオード
１は駆動用トランジスタ３のコレクタにそのアノード側
が接続されており、また、駆動用トランジスタ３のベー
スには抵抗４の一端が接続されている。そして、レーザ
ダイオード１、モニタ用フォトダイオード２、駆動用ト
ランジスタ３、及び、抵抗４が同一のパッケージ１００
内に納められており、抵抗４の他端、駆動用トランジス
タ３のエミッタ、モニタ用フォトダイオード２のアノー
ド側、及び、レーザダイオード１とモニタ用フォトダイ
オード２とのカソード側が、パッケージ１００の外部に
導出されている。
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施形態で
ある半導体レーザ装置の回路構成を示す図であって、１
はレーザダイオード、２はモニタ用フォトダイオード、
３は駆動用トランジスタ（ＰＮＰ型トランジスタ）、４
はサージ電流対策用の抵抗であって、レーザダイオード
１は駆動用トランジスタ３のコレクタにそのアノード側
が接続されており、また、駆動用トランジスタ３のベー
スには抵抗４の一端が接続されている。そして、レーザ
ダイオード１、モニタ用フォトダイオード２、駆動用ト
ランジスタ３、及び、抵抗４が同一のパッケージ１００
内に納められており、抵抗４の他端、駆動用トランジス
タ３のエミッタ、モニタ用フォトダイオード２のアノー
ド側、及び、レーザダイオード１とモニタ用フォトダイ
オード２とのカソード側が、パッケージ１００の外部に
導出されている。
【００１４】以上の構成により、レーザダイオード１の
一端は駆動用トランジスタ３を介して外部に導出される
ことになり、レーザダイオード１の両端が直接パッケー
ジの外部に導出されることはなくなるので、半導体レー
ザ装置としてのサージ電流の耐圧が向上する。また、駆
動用トランジスタ３に抵抗４を接続しているので、サー
ジ電流によってレーザダイオード１が劣化あるいは破壊
されるという不具合をより一層確実に防止することがで
きる。
一端は駆動用トランジスタ３を介して外部に導出される
ことになり、レーザダイオード１の両端が直接パッケー
ジの外部に導出されることはなくなるので、半導体レー
ザ装置としてのサージ電流の耐圧が向上する。また、駆
動用トランジスタ３に抵抗４を接続しているので、サー
ジ電流によってレーザダイオード１が劣化あるいは破壊
されるという不具合をより一層確実に防止することがで
きる。
【００１５】ここで、レーザダイオード１は、通常、チ
ップの状態で動作チェックが行われるわけであるが、そ
の際、チップ単品では非常にハンドリング性が悪い。こ
のため、図２の（イ）に示すように、レーザダイオード
１のチップよりも寸法的に十分大きな基板であるサブマ
ウント５にレーザダイオード１のチップを搭載して固定
することによって、ハンドリング性を改善することが従
来から行われている。
ップの状態で動作チェックが行われるわけであるが、そ
の際、チップ単品では非常にハンドリング性が悪い。こ
のため、図２の（イ）に示すように、レーザダイオード
１のチップよりも寸法的に十分大きな基板であるサブマ
ウント５にレーザダイオード１のチップを搭載して固定
することによって、ハンドリング性を改善することが従
来から行われている。
【００１６】そこで、図２の（ロ）に示すように、この
サブマウント５として駆動用トランジスタ３のチップを
用いる、または、図２の（ハ）に示すように、このサブ
マウント５に駆動用トランジスタ３、もしくは、駆動用
トランジスタ３と抵抗４とを集積化することによって、
図１に示した回路構成を実現することができる。
サブマウント５として駆動用トランジスタ３のチップを
用いる、または、図２の（ハ）に示すように、このサブ
マウント５に駆動用トランジスタ３、もしくは、駆動用
トランジスタ３と抵抗４とを集積化することによって、
図１に示した回路構成を実現することができる。
【００１７】このようにすれば、半導体レーザ装置を従
来よりも寸法的に大きくすることなく、駆動用トランジ
スタ３及び抵抗４を同一パッケージ内に納めることがで
きる。
来よりも寸法的に大きくすることなく、駆動用トランジ
スタ３及び抵抗４を同一パッケージ内に納めることがで
きる。
【００１８】以上のようにして構成された半導体レーザ
装置の内部構造の正面図、側面図をそれぞれ図３の
（イ）、（ロ）に示す。同図において、６、７、８、９
はリード、１０、１１、１２はワイヤ、１３はステム、
１４はキャップであり、キャップ１４にはレーザ光ＬＤ
を外部に発光できるようになっている。尚、図１、図２
と同一部分には同一符号を付している。
装置の内部構造の正面図、側面図をそれぞれ図３の
（イ）、（ロ）に示す。同図において、６、７、８、９
はリード、１０、１１、１２はワイヤ、１３はステム、
１４はキャップであり、キャップ１４にはレーザ光ＬＤ
を外部に発光できるようになっている。尚、図１、図２
と同一部分には同一符号を付している。
【００１９】ステム１３の側面には、レーザダイオード
１のチップを搭載したサブマウント５（または駆動用ト
ランジスタ３のチップ）が、サブマウント５とステム１
３とが導通状態で固定されており、また、ステム１３の
上面には、レーザダイオード１から発光されるレーザ光
を受光可能な位置に、そのカソード側とステム１３とが
導通状態で、モニタ用フォトダイオード２が固定されて
いる。リード６はステム１３の裏面にステム１３と導通
状態で直接固定されており、リード７、８、９はステム
１３と絶縁状態でステム１３を貫通しており、キャップ
１４内において、リード７はサブマウント５に集積化さ
れた駆動用トランジスタ３（またはサブマウントとして
用いられた駆動用トランジスタ３）のベース電極に抵抗
４を介して接続されており（但し、後述するように、サ
ブマウント５に駆動用トランジスタ３が集積化されて、
さらに、その駆動用トランジスタ３のベース領域内に抵
抗４を形成している場合は、そのベース電極にワイヤを
介してリード７が接続されている）、また、リード８は
駆動用トランジスタ３のエミッタにワイヤ１０を介して
接続されており、また、リード９はモニタ用フォトダイ
オード２のアノード側にワイヤ１１を介して接続されて
いる。
１のチップを搭載したサブマウント５（または駆動用ト
ランジスタ３のチップ）が、サブマウント５とステム１
３とが導通状態で固定されており、また、ステム１３の
上面には、レーザダイオード１から発光されるレーザ光
を受光可能な位置に、そのカソード側とステム１３とが
導通状態で、モニタ用フォトダイオード２が固定されて
いる。リード６はステム１３の裏面にステム１３と導通
状態で直接固定されており、リード７、８、９はステム
１３と絶縁状態でステム１３を貫通しており、キャップ
１４内において、リード７はサブマウント５に集積化さ
れた駆動用トランジスタ３（またはサブマウントとして
用いられた駆動用トランジスタ３）のベース電極に抵抗
４を介して接続されており（但し、後述するように、サ
ブマウント５に駆動用トランジスタ３が集積化されて、
さらに、その駆動用トランジスタ３のベース領域内に抵
抗４を形成している場合は、そのベース電極にワイヤを
介してリード７が接続されている）、また、リード８は
駆動用トランジスタ３のエミッタにワイヤ１０を介して
接続されており、また、リード９はモニタ用フォトダイ
オード２のアノード側にワイヤ１１を介して接続されて
いる。
【００２０】駆動用トランジスタ３が集積化されたサブ
マウント５の断面図を図４に示す。ｐ型シリコン基板か
らなるサブマウント５の表層部にｎ型エピタキシャル層
２１が形成されている。ｎ型エピタキシャル層２１の表
層部には、ｐ-型のコレクタ領域２２が形成されている
とともに、ｎ+型のコンタクト領域２５が形成されてい
る。コレクタ領域２２の表層部にはｎ−ＷＥＬＬ型のベ
ース領域２３が形成されている。ベース領域２３の表層
部にはｐ+型のエミッタ領域２４が形成されている。サ
ブマウント５の表面は絶縁膜２６で覆われているが、コ
レクタ領域２２、ベース領域２３、エミッタ領域２４、
コンタクト領域２５上は部分的に絶縁膜２６が除去され
ており、それぞれコレクタ電極２７、ベース電極２８、
エミッタ電極２９、アイソレーション電極３０が設けら
れている。そして、レーザダイオード１はそのアノード
側がコレクタ電極２７と電気的に接続された状態でサブ
マウント５に搭載されて固定されている。
マウント５の断面図を図４に示す。ｐ型シリコン基板か
らなるサブマウント５の表層部にｎ型エピタキシャル層
２１が形成されている。ｎ型エピタキシャル層２１の表
層部には、ｐ-型のコレクタ領域２２が形成されている
とともに、ｎ+型のコンタクト領域２５が形成されてい
る。コレクタ領域２２の表層部にはｎ−ＷＥＬＬ型のベ
ース領域２３が形成されている。ベース領域２３の表層
部にはｐ+型のエミッタ領域２４が形成されている。サ
ブマウント５の表面は絶縁膜２６で覆われているが、コ
レクタ領域２２、ベース領域２３、エミッタ領域２４、
コンタクト領域２５上は部分的に絶縁膜２６が除去され
ており、それぞれコレクタ電極２７、ベース電極２８、
エミッタ電極２９、アイソレーション電極３０が設けら
れている。そして、レーザダイオード１はそのアノード
側がコレクタ電極２７と電気的に接続された状態でサブ
マウント５に搭載されて固定されている。
【００２１】そして、図４中に波線で示すように、ｎ−
ＷＥＬＬ型のベース領域２３を横方向（チップ表面に平
行な方向）に大きく形成し、ベース活性領域（接合部）
から離れた部分にベース電極２８を設けることによっ
て、ベース領域内に抵抗領域３１を形成することができ
る。このようにした場合は、リード８とベース電極２８
とを導電性ワイヤによって直接接続することができる。
ＷＥＬＬ型のベース領域２３を横方向（チップ表面に平
行な方向）に大きく形成し、ベース活性領域（接合部）
から離れた部分にベース電極２８を設けることによっ
て、ベース領域内に抵抗領域３１を形成することができ
る。このようにした場合は、リード８とベース電極２８
とを導電性ワイヤによって直接接続することができる。
【００２２】尚、アイソレーション電極３０をワイヤを
介してリード７に接続することによって、ｎ型のエピタ
キシャル層２１には駆動用トランジスタ３のエミッタと
同じく最高電圧が印加されることになり、トランジスタ
３とサブマウント５とが電気的に絶縁される。
介してリード７に接続することによって、ｎ型のエピタ
キシャル層２１には駆動用トランジスタ３のエミッタと
同じく最高電圧が印加されることになり、トランジスタ
３とサブマウント５とが電気的に絶縁される。
【００２３】また、駆動用トランジスタとしてＮＰＮ型
トランジスタを用いる場合もあるので、そのときの半導
体レーザ装置の回路構成を図５に示しておく。同図にお
いて、３’がＮＰＮ型の駆動用トランジスタである。ま
た、ＮＰＮ型の駆動用トランジスタ３’が集積化された
サブマウント５の断面図を図６に示しておく。同図にお
いて、４１がｎ型のコレクタ領域、４２がｐ型のベース
領域、４３がｎ型のエミッタ領域である。この場合も、
同図中に波線で示すように、ベース領域４２を広げて活
性領域から離れた部分にベース電極４４を設けることに
よって、抵抗領域４５を形成することができる。
トランジスタを用いる場合もあるので、そのときの半導
体レーザ装置の回路構成を図５に示しておく。同図にお
いて、３’がＮＰＮ型の駆動用トランジスタである。ま
た、ＮＰＮ型の駆動用トランジスタ３’が集積化された
サブマウント５の断面図を図６に示しておく。同図にお
いて、４１がｎ型のコレクタ領域、４２がｐ型のベース
領域、４３がｎ型のエミッタ領域である。この場合も、
同図中に波線で示すように、ベース領域４２を広げて活
性領域から離れた部分にベース電極４４を設けることに
よって、抵抗領域４５を形成することができる。
【００２４】また、本実施形態の半導体レーザ装置で
は、駆動用トランジスタ３のベースにサージ電流対策用
の抵抗４を接続した構成となっているが、このようにす
る代わりに、駆動用トランジスタ３のコレクタとレーザ
ダイオード１との間に抵抗４を挿入するように構成して
もよいし、また、これらを組み合わせた構成にしてもよ
い。但し、コレクタに抵抗を接続すると、電圧降下が発
生してレーザダイオード１への印加電圧が低下してしま
うので、ベースのみに抵抗を接続してサージ電流対策と
するのが望ましい。
は、駆動用トランジスタ３のベースにサージ電流対策用
の抵抗４を接続した構成となっているが、このようにす
る代わりに、駆動用トランジスタ３のコレクタとレーザ
ダイオード１との間に抵抗４を挿入するように構成して
もよいし、また、これらを組み合わせた構成にしてもよ
い。但し、コレクタに抵抗を接続すると、電圧降下が発
生してレーザダイオード１への印加電圧が低下してしま
うので、ベースのみに抵抗を接続してサージ電流対策と
するのが望ましい。
【００２５】また、抵抗４については、サブマウント５
に集積化された駆動用トランジスタ３の内部に形成する
例を示したが、このようにする代わりに、駆動用トラン
ジスタ３とは別個に集積化した半導体チップをサブマウ
ント５にしてもよい、つまり、サブマウント５におい
て、駆動用トランジスタ３と抵抗４とをそれぞれ別々の
ランドに形成するようにしてもよく、抵抗４の抵抗値が
数ｋΩと大きい場合でも、それ程面積が大きくならない
ですむ。
に集積化された駆動用トランジスタ３の内部に形成する
例を示したが、このようにする代わりに、駆動用トラン
ジスタ３とは別個に集積化した半導体チップをサブマウ
ント５にしてもよい、つまり、サブマウント５におい
て、駆動用トランジスタ３と抵抗４とをそれぞれ別々の
ランドに形成するようにしてもよく、抵抗４の抵抗値が
数ｋΩと大きい場合でも、それ程面積が大きくならない
ですむ。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
半導体レーザ装置によれば、レーザダイオードの一端は
駆動用トランジスタを介して外部に導出されることにな
り、レーザダイオードの両端が直接パッケージの外部に
導出されることはなくなるので、半導体レーザ装置とし
てのサージ電流の耐圧が向上する。また、駆動用トラン
ジスタに抵抗を接続しているので、サージ電流によって
レーザダイオードが劣化あるいは破壊されるという不具
合をより一層確実に防止することができる。
半導体レーザ装置によれば、レーザダイオードの一端は
駆動用トランジスタを介して外部に導出されることにな
り、レーザダイオードの両端が直接パッケージの外部に
導出されることはなくなるので、半導体レーザ装置とし
てのサージ電流の耐圧が向上する。また、駆動用トラン
ジスタに抵抗を接続しているので、サージ電流によって
レーザダイオードが劣化あるいは破壊されるという不具
合をより一層確実に防止することができる。
【００２７】また、請求項２乃至４に記載の半導体レー
ザ装置によれば、半導体レーザのチップのハンドリング
性を向上させるために設けられるサブマウントあるいは
サブマウントが設けられる領域を有効に活用しているの
で、半導体レーザ装置を寸法的に大きくすることなく、
上記請求項１による効果が得られる。
ザ装置によれば、半導体レーザのチップのハンドリング
性を向上させるために設けられるサブマウントあるいは
サブマウントが設けられる領域を有効に活用しているの
で、半導体レーザ装置を寸法的に大きくすることなく、
上記請求項１による効果が得られる。
【００２８】その他には、本発明の半導体レーザ装置に
よれば、駆動用トランジスタを内蔵しているので、外付
けの部品点数が減少し、半導体レーザ装置としてのサー
ジ電流の耐圧が向上していることと相俟って、半導体レ
ーザ装置を組み込む機器の構成を簡略化することがで
き、そのコストダウンが期待される。
よれば、駆動用トランジスタを内蔵しているので、外付
けの部品点数が減少し、半導体レーザ装置としてのサー
ジ電流の耐圧が向上していることと相俟って、半導体レ
ーザ装置を組み込む機器の構成を簡略化することがで
き、そのコストダウンが期待される。
【図１】 本発明の一実施形態である半導体レーザ装置
の回路構成を示す図である。
の回路構成を示す図である。
【図２】（イ）レーザダイオード１のチップがサブマウ
ント５に搭載されている様子を示す図である。（ロ）サ
ブマウント５として駆動用トランジスタ３のチップを用
いることを示す図である。（ハ）サブマウント５に駆動
用トランジスタ３あるいは駆動用トランジスタ３と抵抗
４とを集積化することを示す図である。
ント５に搭載されている様子を示す図である。（ロ）サ
ブマウント５として駆動用トランジスタ３のチップを用
いることを示す図である。（ハ）サブマウント５に駆動
用トランジスタ３あるいは駆動用トランジスタ３と抵抗
４とを集積化することを示す図である。
【図３】 本発明の一実施形態である半導体レーザ装置
の内部構造を示す図である。
の内部構造を示す図である。
【図４】 ＰＮＰ型の駆動用トランジスタ３が集積化さ
れたサブマウント５の断面図である。
れたサブマウント５の断面図である。
【図５】 ＮＰＮ型の駆動用トランジスタ３’を有す
る、本発明の一実施形態である半導体レーザ装置の回路
構成を示す図である。
る、本発明の一実施形態である半導体レーザ装置の回路
構成を示す図である。
【図６】 ＮＰＮ型の駆動用トランジスタ３’が集積化
されたサブマウント５の断面図である。
されたサブマウント５の断面図である。
【図７】 従来の半導体レーザ装置の回路構成を示す図
である。
である。
１ レーザダイオード ２ モニタ用フォトダイオード ３ 駆動用トランジスタ（ＰＮＰ型） ３’ 駆動用トランジスタ（ＮＰＮ型） ４ サージ電流対策用の抵抗 ５ サブマウント ６、７、８、９ リード １０、１１、１２ 導電性ワイヤ １３ ステム １４ キャップ ２１ ｎ型エピタキシャル層 ２２ ｐ-型のコレクタ領域 ２３ ｎ−ＷＥＬＬ型のベース領域 ２４ ｐ+型のエミッタ領域 ２５ ｎ+型のコンタクト領域 ２６ 絶縁膜 ２７ コレクタ電極 ２８ ベース電極 ２９ エミッタ電極 ３０ アイソレーション電極 ３１ 抵抗領域 ４１ ｎ型のコレクタ領域 ４２ ｐ型のベース領域 ４３ ｎ型のエミッタ領域 ４４ ベース電極 １００、２００ パッケージ
Claims (4)
- 【請求項１】 電気信号を光信号に変換するレーザダイ
オードを有する半導体レーザ装置において、 前記レーザダイオードと、前記レーザダイオードを駆動
する駆動用トランジスタと、前記レーザダイオードのサ
ージ電流対策として前記駆動用トランジスタに接続され
た抵抗とを同一のパッケージ内に納めたことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記レーザダイオードが搭載されるサブ
マウントとして前記駆動用トランジスタのチップを用い
たことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項３】 前記レーザダイオードが搭載されるサブ
マウントに前記駆動用トランジスタを集積化したことを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記サブマウントに前記抵抗を集積化し
たことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204127A JPH1154839A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 半導体レーザ装置 |
| DE19834232A DE19834232A1 (de) | 1997-07-30 | 1998-07-29 | Halbleiterlaservorrichtung |
| CN98116668A CN1220508A (zh) | 1997-07-30 | 1998-07-30 | 半导体激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204127A JPH1154839A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154839A true JPH1154839A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16485284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9204127A Pending JPH1154839A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154839A (ja) |
| CN (1) | CN1220508A (ja) |
| DE (1) | DE19834232A1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2381656A (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-07 | Bookham Technology Plc | Hybridised laser transmitters |
| JP2009187995A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送モジュール |
| JP2009212524A (ja) * | 2009-04-10 | 2009-09-17 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| US7782915B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-24 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Optical transmitting module including laser diode mounted on driver circuit |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108039643B (zh) * | 2017-12-05 | 2020-03-24 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 同轴封装的激光器及具有该激光器的光模块 |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP9204127A patent/JPH1154839A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-29 DE DE19834232A patent/DE19834232A1/de not_active Withdrawn
- 1998-07-30 CN CN98116668A patent/CN1220508A/zh active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2381656A (en) * | 2001-11-01 | 2003-05-07 | Bookham Technology Plc | Hybridised laser transmitters |
| US7782915B2 (en) | 2005-08-25 | 2010-08-24 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Optical transmitting module including laser diode mounted on driver circuit |
| JP2009187995A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 光伝送モジュール |
| JP4645655B2 (ja) * | 2008-02-04 | 2011-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 光伝送モジュール |
| US8195045B2 (en) | 2008-02-04 | 2012-06-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical transmission module |
| JP2009212524A (ja) * | 2009-04-10 | 2009-09-17 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19834232A1 (de) | 1999-02-04 |
| CN1220508A (zh) | 1999-06-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040729 |
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070821 |