JPH11251641A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH11251641A JPH11251641A JP10064454A JP6445498A JPH11251641A JP H11251641 A JPH11251641 A JP H11251641A JP 10064454 A JP10064454 A JP 10064454A JP 6445498 A JP6445498 A JP 6445498A JP H11251641 A JPH11251641 A JP H11251641A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- terminal
- emitting element
- chip resistance
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部に別途に抵抗器を介在させて配線する必
要がなく、高い電圧を直接両端子間に印加することがで
き、配線基盤にスペースのない状況でも取り付けが可能
で、配線組み立て作業等を容易ならしめる。 【解決手段】 ＰＮ接合からなる半導体発光素子２と直
列に電圧降下用のチップ抵抗６を接続し、該半導体発光
素子およびチップ抵抗をレンズ８とパッケージを兼ねる
透明樹脂７中にインサートしてなる。
要がなく、高い電圧を直接両端子間に印加することがで
き、配線基盤にスペースのない状況でも取り付けが可能
で、配線組み立て作業等を容易ならしめる。 【解決手段】 ＰＮ接合からなる半導体発光素子２と直
列に電圧降下用のチップ抵抗６を接続し、該半導体発光
素子およびチップ抵抗をレンズ８とパッケージを兼ねる
透明樹脂７中にインサートしてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レンズとパッケー
ジを兼ねる透明樹脂中に半導体発光素子がインサートさ
れた発光ダイオードに関するものである。
ジを兼ねる透明樹脂中に半導体発光素子がインサートさ
れた発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードは、周知のようにガリウ
ム・ヒ素などの化合物半導体からなるＰＮ接合部に順バ
イアス電圧を印加し電流を流すことにより発光するもの
で、高輝度，低消費電力，高寿命という特長がある。こ
のため従来から種々の電子機器，パチンコ等の遊技機で
タングステン・ランプに代わり得る光源として使用され
ている。
ム・ヒ素などの化合物半導体からなるＰＮ接合部に順バ
イアス電圧を印加し電流を流すことにより発光するもの
で、高輝度，低消費電力，高寿命という特長がある。こ
のため従来から種々の電子機器，パチンコ等の遊技機で
タングステン・ランプに代わり得る光源として使用され
ている。
【０００３】ところで、パチンコ遊技機では一般に２４
Ｖの交流電源が使用され、その交流電源を機内に設けら
れた整流装置によって直流に変換してヤクモノ駆動用の
ソレノイド等を作動させているが、発光ダイオードはソ
レノイドのように適正印加電圧が高くなく、１．５〜３
Ｖを適正電圧とするものであるので、例えば遊技盤面の
レール脇に設けられる電飾部材では、図３の回路図に例
示したように、数個の発光ダイオードＤ１〜Ｄ５を直列
に接続し、なおかつこれと直列に電圧降下用の抵抗器Ｒ
を接続する必要があった。
Ｖの交流電源が使用され、その交流電源を機内に設けら
れた整流装置によって直流に変換してヤクモノ駆動用の
ソレノイド等を作動させているが、発光ダイオードはソ
レノイドのように適正印加電圧が高くなく、１．５〜３
Ｖを適正電圧とするものであるので、例えば遊技盤面の
レール脇に設けられる電飾部材では、図３の回路図に例
示したように、数個の発光ダイオードＤ１〜Ｄ５を直列
に接続し、なおかつこれと直列に電圧降下用の抵抗器Ｒ
を接続する必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このため、発光ダイオ
ード取付用の配線基盤に抵抗器Ｒを実装しなければなら
ず、そのような部品を配線基盤に実装していると組み立
て工数が増しコストが高くなるおそれがあった。また、
パチンコ遊技機の盤面のように限られた大きさのものに
取り付ける配線基盤では、そのような抵抗器の実装のス
ペースが充分でないと言う事情がある。
ード取付用の配線基盤に抵抗器Ｒを実装しなければなら
ず、そのような部品を配線基盤に実装していると組み立
て工数が増しコストが高くなるおそれがあった。また、
パチンコ遊技機の盤面のように限られた大きさのものに
取り付ける配線基盤では、そのような抵抗器の実装のス
ペースが充分でないと言う事情がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
は上記課題を解決しようとするもので、ＰＮ接合からな
る半導体発光素子と直列に電圧降下用のチップ抵抗を接
続し、該半導体発光素子およびチップ抵抗をレンズとパ
ッケージを兼ねる透明樹脂中にインサートしてなること
を特徴とする。
は上記課題を解決しようとするもので、ＰＮ接合からな
る半導体発光素子と直列に電圧降下用のチップ抵抗を接
続し、該半導体発光素子およびチップ抵抗をレンズとパ
ッケージを兼ねる透明樹脂中にインサートしてなること
を特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に図面に従い本発明の実施の形
態を説明する。図１に本発明に係る発光ダイオードを縦
断面図にて示し、１は皿状の中央部上面にＰＮ接合から
なる半導体発光素子２が設けられたアノード側端子、３
は該アノード側端子の隣に並設され該発光素子２に細線
４をもって導通させているカソード側端子、５はアノー
ド側端子１の他方の隣に並設された接続端子で、該アノ
ード側端子１と接続端子５とはチップ抵抗６を介して接
続されている。
態を説明する。図１に本発明に係る発光ダイオードを縦
断面図にて示し、１は皿状の中央部上面にＰＮ接合から
なる半導体発光素子２が設けられたアノード側端子、３
は該アノード側端子の隣に並設され該発光素子２に細線
４をもって導通させているカソード側端子、５はアノー
ド側端子１の他方の隣に並設された接続端子で、該アノ
ード側端子１と接続端子５とはチップ抵抗６を介して接
続されている。
【０００７】そして、該アノード側端子１と発光素子２
とカソード側端子３と細線４と接続端子５とチップ抵抗
６とはパッケージのためにエポキシ等の透明樹脂７中に
インサート成形され、該アノード側端子１とカソード側
端子３と接続端子５の下端を該透明樹脂７外に突出させ
ている。なお、該透明樹脂７の上端は半球状のレンズ８
に形成される。
とカソード側端子３と細線４と接続端子５とチップ抵抗
６とはパッケージのためにエポキシ等の透明樹脂７中に
インサート成形され、該アノード側端子１とカソード側
端子３と接続端子５の下端を該透明樹脂７外に突出させ
ている。なお、該透明樹脂７の上端は半球状のレンズ８
に形成される。
【０００８】このように構成された発光ダイオードで
は、端子３と端子５間に直流電圧を印加すれば、発光素
子２にはチップ抵抗６による分電圧が印加するので、該
チップ抵抗の抵抗値を適宜選定することにより、該端子
３と端子５間に直接高い電圧を印加させてもよくなり、
従来のように配線基盤に抵抗器を別途実装する必要性も
なくなる。このため、パチンコ遊技機ではソレノイドと
同じ電源から同等の電圧を直接該端子３，５間に印加す
ることもでき、使い勝手が向上する。
は、端子３と端子５間に直流電圧を印加すれば、発光素
子２にはチップ抵抗６による分電圧が印加するので、該
チップ抵抗の抵抗値を適宜選定することにより、該端子
３と端子５間に直接高い電圧を印加させてもよくなり、
従来のように配線基盤に抵抗器を別途実装する必要性も
なくなる。このため、パチンコ遊技機ではソレノイドと
同じ電源から同等の電圧を直接該端子３，５間に印加す
ることもでき、使い勝手が向上する。
【０００９】
【発明の効果】このように本発明の発光ダイオードは、
半導体発光素子と直列に電圧降下用のチップ抵抗を接続
し、該半導体発光素子およびチップ抵抗をレンズとパッ
ケージを兼ねる透明樹脂中にインサートしてなるので、
従来の発光ダイオードと比べ高電圧を直接両端子間に印
加することができ、外部に別途に抵抗器を介在させて配
線する必要がなくなったので、配線基盤にスペースのな
い状況でも取り付けが可能で、組み立て作業も工程が少
なく容易になるなど顕著な効果がある。
半導体発光素子と直列に電圧降下用のチップ抵抗を接続
し、該半導体発光素子およびチップ抵抗をレンズとパッ
ケージを兼ねる透明樹脂中にインサートしてなるので、
従来の発光ダイオードと比べ高電圧を直接両端子間に印
加することができ、外部に別途に抵抗器を介在させて配
線する必要がなくなったので、配線基盤にスペースのな
い状況でも取り付けが可能で、組み立て作業も工程が少
なく容易になるなど顕著な効果がある。
【図１】本発明に係る発光ダイオードの縦断面図。
【図２】本発明に係る発光ダイオードの外観斜視図。
【図３】従来の発光ダイオードの使用状態を示す回路
図。
図。
１ アノード側端子 ２ 半導体発光素子 ３ カソード側端子 ５ 接続端子 ６ チップ抵抗 ７ 透明樹脂 ８ レンズ
Claims (1)
- 【請求項１】 ＰＮ接合からなる半導体発光素子と直列
に電圧降下用のチップ抵抗を接続し、該半導体発光素子
およびチップ抵抗をレンズとパッケージを兼ねる透明樹
脂中にインサートしてなることを特徴とした発光ダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064454A JPH11251641A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10064454A JPH11251641A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251641A true JPH11251641A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13258717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10064454A Pending JPH11251641A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251641A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1160881A1 (en) * | 2000-05-27 | 2001-12-05 | Mu-Chin Yu | Light emitting diode encapsulation |
| WO2006134410A3 (en) * | 2004-02-05 | 2007-04-19 | Marpole International Inc | Light-emitting structures |
| JP2009021616A (ja) * | 2001-12-26 | 2009-01-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄランプ装置 |
| KR20150107105A (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 모듈 |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP10064454A patent/JPH11251641A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1160881A1 (en) * | 2000-05-27 | 2001-12-05 | Mu-Chin Yu | Light emitting diode encapsulation |
| JP2009021616A (ja) * | 2001-12-26 | 2009-01-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄランプ装置 |
| WO2006134410A3 (en) * | 2004-02-05 | 2007-04-19 | Marpole International Inc | Light-emitting structures |
| US7332861B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-02-19 | Agilight, Inc. | Light-emitting structures |
| KR20150107105A (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 모듈 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |