JPH08213708A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】プラス電源の共用を可能として、マイナス電源
の設置を不要とした半導体レーザ装置を提供する。 【構成】半導体チップ部品１４をパッケージとなるステ
ム１上に実装した半導体レーザ装置であって、ステム１
を、アース電位に保たれる第１の導電部材１１と、半導
体チップ部品１４を実装するための平坦領域１２２を有
するプラス電位に保たれる第２の導電部材１２と、これ
ら第１の導電部材１１及び第２の導電部材１２を絶縁状
態で接合する絶縁部材１３とで形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ部品をパ
ッケージとなるステム上に実装した半導体レーザ装置に
関し、例えば光ディスク装置の光ピックアップにおける
光源として、またその読み取り装置として利用される。

【０００２】

【従来の技術】一般に半導体レーザ装置は、レーザチッ
プや光出力検出用フォトダイオード（以下、モニタ用Ｄ
Ｐという）、光ディスクからの変調光を受ける信号検出
用フォトダイオード（以下、信号検出用ＤＰという）等
の半導体チップ部品を、パッケージとなるステム上に実
装する形態の構造となっている。

【０００３】そして、このような構造の半導体レーザ装
置を機器に組み込んで実際に駆動する場合には、パッケ
ージの最外形部分となるステムを機器のＧＮＤ（通常
は、機器の筐体部分に接続して、アース電位として用い
られる）に接地し、半導体レーザ装置のレーザ駆動電流
注入用リードピンから駆動電流を注入して、半導体レー
ザ装置を駆動する。

【０００４】図１４は、このような半導体レーザ装置の
従来の構造の一例を示している。

【０００５】すなわち、ステム９１の中央部に形成され
た突起部９２の平坦面９２１に、レーザチップ９３がダ
イボンディングされている。そして、ダイボンディング
する場合に、レーザチップ９３がステム９１の平坦面９
２１と接する面は、レーザチップ９３の放熱の関係か
ら、半導体基板面９３１側ではなく、この半導体基板面
９３１上に形成された各層（活性層、電流ブロッキング
層、バリア層等の、レーザチップを製造する過程で形成
される層）の最上層の面９３２の側となる（図１５参
照）。

【０００６】ところで、ＡｌＧａＩｎＰ系のレーザチッ
プ（例えば、発振波長６３５ｎｍ帯域、６８５ｎｍ帯域
等のレーザチップ）は、ｎ型半導体（例えば、ｎ−Ｇａ
Ａｓ）基板上に、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐの元素を用いた
各層を形成して製造する。各層の具体的構成について
は、図１５中に直接記入している。

【０００７】この場合、電流注入方向は、図１５中に矢
符９５により示す方向となる。そのため、ダイボンディ
ングは、ｎ型基板上に形成した各層側９３２を、ステム
９１の平坦面９２１と接する方向で行うことになる。な
お、絶縁部材９６により絶縁された状態でステム９１に
接続されたリードピン９７と、レーザチップ９３とは、
例えばＡｕ線９６によりワイヤボンディングによって接
続されている。

【０００８】そのため、半導体レーザ装置として駆動す
る場合には、図１５中の矢符９５により示す方向に駆動
電流を注入する必要があることから、ステム９１の電流
注入用のリードピン９８をＧＮＤに接続し、リードピン
９７をマイナス側にバイアスして駆動するマイナス電源
回路を構成しなければならない。

【０００９】図１６は、このような半導体レーザ装置の
駆動回路の一例であって、ＡＰＣ回路例を示している。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ステム
に実装されるその他の回路は、プラス電源駆動方式とな
っている。そのため、半導体レーザ装置のみがマイナス
電源駆動方式であると、機器のプラス電源を共用するこ
とができないため、新たにマイナス電源を設置する必要
があり、システム設計が複雑になるといった問題があっ
た。

【００１１】本発明はこのような問題点を解決すべく創
案されたもので、その目的は、プラス電源の共用を可能
として、マイナス電源の設置を不要とした半導体レーザ
装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１記載の半導体レーザ装置は、半導
体チップ部品のパッケージとなるステムを、アース電位
に保たれる第１の導電部材と、前記半導体チップ部品を
実装するための平坦領域を有するプラス電位に保たれる
第２の導電部材と、これら第１の導電部材及び第２の導
電部材を絶縁状態で接合する絶縁部材とで形成する。

【００１３】また、本発明の請求項２記載の半導体レー
ザ装置は、レーザチップのパッケージとなるステムを、
アース電位に保たれる第１の導電部材と、前記レーザチ
ップを実装するための平坦領域を有するプラス電位に保
たれる第２の導電部材と、これら第１の導電部材及び第
２の導電部材を絶縁状態で接合する気密封止用ガラス部
材と、前記第２の導電部材に実装された前記レーザチッ
プを密封するとともに、レーザビームを外部に放射する
ための透過用ガラス窓を有する保護キャップとで形成す
る。

【００１４】また、本発明の請求項３記載の半導体レー
ザ装置は、請求項２記載の半導体レーザ装置において、
ステムの平坦領域に光ディスクからの変調光を受ける信
号検出用フォトダイオードを実装するとともに、保護キ
ャップ上にトラッキング用副ビーム生成のための回折格
子及び前記光ディスクからの反射による変調光を前記信
号検出用フォトダイオードに回折するための回折格子を
有するホログラム素子を備えた構成とする。

【００１５】

【作用】請求項１記載の半導体レーザ装置の作用につい
て述べる。

【００１６】第１の導電部材をリング状に形成し、第２
の導電部材を棒状又は板状に形成して、第１の導電部材
の中に第２の導電部材を遊嵌する。そして、第１の導電
部材と第２の導電部材との隙間に、絶縁部材を嵌め込む
ようにして、第１の導電部材と第２の導電部材とを電気
的に絶縁して固定している。

【００１７】ここで、第１の導電部材及び第２の導電部
材は、金属で形成されるか、又は樹脂の表面に金属製の
メッキを施して形成される。また、絶縁部材は、樹脂、
セラミック、誘電体材料、ガラス等の不導体で形成され
る。

【００１８】そして、半導体チップ部品である例えばレ
ーザチップのｎ型基板上に形成した最上層の面を、第２
の導電部材の平坦領域と接する方向でダイボンディング
し、レーザチップのｎ型基板側から、第１の導電部材の
表面にワイヤーボンディングする。

【００１９】そのため、ＡｌＧａＩｎＰ系のレーザチッ
プに必要な電流注入方向を考慮すれば、第１の導電部材
をアース電位（ＧＮＤ）とし、第２の導電部材をプラス
電位にバイアスして電流を注入することが可能となる。

【００２０】ここで、第１の導電部材は、半導体レーザ
装置をシステム等の機器に装着する場合、半導体レーザ
装置と、機器の半導体レーザ装置取り付け部分（ＧＮＤ
電位となっている）とを直接接触させて固定することに
なるが、上述の如く第１の導電部材はＧＮＤ電位、第２
の導電部材はプラス電位にバイアスして駆動することが
可能であるので、半導体レーザ装置をプラス電源駆動方
式として用いることができることから、機器のプラス電
源の共用が可能となるものである。

【００２１】請求項２記載の半導体レーザ装置の作用に
ついて述べる。

【００２２】第１の導電部材をリング状に形成し、第２
の導電部材を棒状又は板状に形成して、第１の導電部材
の中に第２の導電部材を遊嵌する。そして、第１の導電
部材と第２の導電部材との隙間に、気密封止用ガラス部
材を嵌め込むようにして、第１の導電部材と第２の導電
部材とを電気的に絶縁し、かつ密封して固定している。
ここで、第１の導電部材及び第２の導電部材は、金属
で形成されるか、又は樹脂の表面に金属製のメッキを施
して形成される。

【００２３】そして、半導体チップ部品である例えばレ
ーザチップのｎ型基板上に形成した最上層の面を、第２
の導電部材の平坦領域と接する方向でダイボンディング
する。

【００２４】また、第２の導電部材に実装されたレーザ
チップを密封するために、第１の導電部材に保護キャッ
プを装着する。また、この保護キャップには、レーザビ
ームを外部に放射するための透過用ガラス窓が形成され
ている。

【００２５】このようにして、保護キャップ内の気密性
を保ことにより、レーザチップが外部環境から永久に保
護されることになる。

【００２６】また、ＡｌＧａＩｎＰ系のレーザチップに
必要な電流注入方向を考慮すれば、第１の導電部材をア
ース電位（ＧＮＤ）とし、第２の導電部材をプラス側に
バイアスして電流を注入することが可能となる。つま
り、半導体レーザ装置をプラス電源駆動方式として用い
ることができ、プラス電源の共用が可能となる。

【００２７】請求項３記載の半導体レーザ装置の作用に
ついて述べる。

【００２８】請求項２記載の半導体レーザ装置におい
て、ステムの平坦領域に光ディスクからの変調光を受け
る信号検出用フォトダイオードを実装するとともに、保
護キャップ上にトラッキング用副ビーム生成のための回
折格子及び光ディスクからの反射による変調光を前記信
号検出用フォトダイオードに回折するための回折格子を
有するホログラム素子を備える。

【００２９】これにより、トラッキング用副ビームの生
成が可能であって、ディスクからの反射による変調光を
信号検出用フォトダイオードで受けることにより、ディ
スクに記録された情報を光学的に検出できる半導体レー
ザ装置とすることができる。

【００３０】また、ＡｌＧａＩｎＰ系のレーザチップに
必要な電流注入方向を考慮すれば、第１の導電部材をア
ース電位（ＧＮＤ）とし、第２の導電部材をプラス側に
バイアスして電流を注入することが可能となる。つま
り、半導体レーザ装置をプラス電源駆動方式として用い
ることができ、プラス電源の共用が可能となる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００３２】図１乃至図５は請求項１記載の発明の実施
例を示し、図１及び図２はステムの構造を示す斜視図及
び縦断面図、図３はステムにレーザチップを実装した構
造を示す斜視図、図４はレーザチップの拡大図、図５は
ステムの構造の他の実施例を示す斜視図である。

【００３３】図１及び図２において、本実施例のステム
１は、リング状に形成された第１の導電部材１１に、棒
状又は板状に形成された第２の導電部材１２を遊嵌した
状態とし、これら第１の導電部材１１と第２の導電部材
１２との隙間に、ドーナツ形状の絶縁部材１３を嵌め込
むようにして、第１の導電部材１１と第２の導電部材１
２とを、電気的に絶縁した状態で一体的に固定した構造
となっている。

【００３４】第１の導電部材１１及び第２の導電部材１
２は、金属で形成されるか、又は樹脂の表面に金属製の
メッキを施して形成される。また、絶縁部材１３は、樹
脂、セラミック、誘電体材料、ガラス等の不導体で形成
される。

【００３５】樹脂、誘電体材料、ガラス等の絶縁部材１
３は、高温状態にして液体化させ、これを第１の導電部
材１１と第２の導電部材１２との隙間に流し込み、その
後冷却して固定する。また、セラミックの絶縁部材１３
の場合には、粉状にした材料を第１の導電部材１１と第
２の導電部材１２との隙間に流し込み、その後焼結して
固化する。

【００３６】また、第１の導電部材１１にはＧＮＤ用の
リードピン１１１が、第２の導電部材１２にはプラス端
子用のリードピン１２１が、それぞれ溶接等の方法で接
続固定されている。

【００３７】そして、半導体チップ部品である例えばＡ
ｌＧａＩｎＰ系のレーザチップ１４が、そのｎ型基板１
４１上に形成した最上層の面（Ａｕ電極）１４２を、第
２の導電部材１２に形成された平坦領域１２２と接する
方向でダイボンディングされている。また、レーザチッ
プ１４の他方の面（ｎ型基板面）１４３にはＡｌ，Ａｕ
等の材料で電極１４５が形成されており、この電極１４
５と第１導電部材１１とがＡｕ線１５で接続されている
（図３参照）。なお、レーザチップ１４の各層の具体的
構成については、図４中に直接記入している。

【００３８】上記構成の半導体レーザ装置において、リ
ードピン１１１はＧＮＤにバイアスし、リードピン１２
１はプラス側にバイアスして電流を注入することによ
り、半導体レーザ装置は駆動される。

【００３９】つまり、図４に示すＡｌＧａＩｎＰ系のレ
ーザチップ１４に必要な電流注入方向（図中に矢符で示
す）を考慮すれば、第１の導電部材１１をＧＮＤにバイ
アスし、第２の導電部材１２をプラス側にバイアスして
機器に装着できるので、半導体レーザ装置をプラス電源
駆動方式として用いることができることから、機器のプ
ラス電源の共用が可能となるものである。

【００４０】また、必要に応じて、第１の導電部材１１
には、図５に示すような１本又は複数本のリードピン１
１２，１１３を設けることができる。これらのリードピ
ン１１２，１１３は、第２の導電部材１２と同様に、樹
脂、セラミック、誘電体材料、ガラス等の絶縁部材１３
で、第１の導電部材１１と接触しないように一体的に固
定した構造となっている。また、これらのリードピン１
１２，１１３は、例えばモニタ用ＰＤや信号検出用ＰＤ
等の半導体チップ部品を半導体レーザ装置内に実装する
場合に、その入出力端子として用いることができる。

【００４１】なお、本実施例の半導体レーザ装置の最も
簡単な駆動回路例を図６に示す。

【００４２】このような構成の半導体レーザ装置は、気
密性を重視しない用途、例えば実験室における用途等に
多く用いられる。

【００４３】図７乃至図９は請求項２記載の発明の実施
例を示し、図７及び図８はレーザチップを実装したステ
ムの構造を示す斜視図及び縦断面図、図９はレーザチッ
プの拡大図である。

【００４４】図７及び図８において、本実施例のステム
２は、リング状に形成された第１の導電部材２１に、棒
状又は板状に形成された第２の導電部材２２を遊嵌した
状態とし、これら第１の導電部材２１と第２の導電部材
２２との隙間に、ドーナツ形状の気密封止用ガラス部材
２３を嵌め込むようにして、第１の導電部材２１と第２
の導電部材２２とを、電気的に絶縁した状態で一体的に
固定した構造となっている。

【００４５】第１の導電部材２１及び第２の導電部材２
２は、金属で形成されるか、又は樹脂の表面に金属製の
メッキを施して形成される。また、気密封止用ガラス部
材２３としては、通称ハーメチックシール用ガラスが用
いられる。

【００４６】気密封止用ガラス部材２３は、高温状態に
して液体化させ、これを第１の導電部材２１と第２の導
電部材２２との隙間に流し込み、その後冷却して固定す
る。

【００４７】また、第１の導電部材２１にはＧＮＤ用の
リードピン２１１が、第２の導電部材２２にはプラス端
子用のリードピン２２１が、それぞれ溶接等の方法で接
続固定されている。

【００４８】そして、半導体チップ部品である例えばＡ
ｌＧａＩｎＰ系のレーザチップ２４が、そのｎ型基板２
４１上に形成した最上層の面（Ａｕ電極）２４２を、第
２の導電部材２２に形成された平坦領域２２２と接する
方向でダイボンディングされている。また、レーザチッ
プ２４の他方の面（ｎ型基板面）２４３にはＡｌ，Ａｕ
等の材料で電極２４５が形成されており、この電極２４
５と第１導電部材２１とがＡｕ線２５で接続されてい
る。なお、レーザチップ２４の各層の具体的構成につい
ては、図９中に直接記入している。

【００４９】また、第２の導電部材２２に実装されたレ
ーザチップ２４を密封するために、第１の導電部材２１
に円筒形状の保護キャップ２６が装着されており、この
保護キャップ２６には、レーザビームを外部に放射する
ための透過用ガラス窓２７が形成されている。そして、
透過用ガラス窓２７の周縁部は、封止用ガラス２８によ
って保護キャップ２６に密着されている。

【００５０】このように形成された保護キャップ２６の
内部にＮ₂ 等の準不活性ガスを充填し、第１の導電部材
２１と保護キャップ２６とを溶接することにより、保護
キャップ２６内部の気密性が保たれることになる。その
ため、保護キャップ２６内に実装されるレーザチップ２
４が、外部環境から永久に保護されることになる。

【００５１】上記構成の半導体レーザ装置において、リ
ードピン２１１はＧＮＤにバイアスし、リードピン２２
１はプラス側にバイアスして電流を注入することによ
り、半導体レーザ装置は駆動される。

【００５２】つまり、図９に示すＡｌＧａＩｎＰ系のレ
ーザチップ２４に必要な電流注入方向（図中に矢符で示
す）を考慮すれば、第１の導電部材２１をＧＮＤにバイ
アスし、第２の導電部材２２をプラス側にバイアスして
機器に装着できるので、半導体レーザ装置をプラス電源
駆動方式として用いることができることから、機器のプ
ラス電源の共用が可能となるものである。

【００５３】なお、本実施例の半導体レーザ装置の最も
簡単な駆動回路例を図１０に示す。

【００５４】このような構成の半導体レーザ装置は、装
置内部の気密を重視する用途、例えば市販される光学式
情報記録／再生装置等に多く用いられる。

【００５５】また、図１１は、図７に示した半導体レー
ザ装置の内部に、光出力検出用フォトダイオード（モニ
タ用ＰＤ）３６を新たに実装したものである。すなわ
ち、第２導電部材２２に形成された平坦領域２２２とは
別の平坦領域２２３にモニタ用ＰＤ３６を実装したもの
である。これにより、図示しない光出力の自動制御回路
（ＡＰＣ回路）によってモニタ用ＰＤ３６の駆動が可能
となるものである。

【００５６】つまり、第１の導電部材２１をＧＮＤにバ
イアスし、第２の導電部材２２をプラス側にバイアスし
て機器に装着できるので、半導体レーザ装置をプラス電
源駆動方式として用いることができることから、機器の
プラス電源の共用が可能となるものである。

【００５７】なお、本実施例の半導体レーザ装置の駆動
回路例を図１２に示す。

【００５８】また、図１３は請求項３記載の発明の実施
例を示し、レーザチップ等を実装したステムの構造を示
す斜視図である。

【００５９】同図において、本実施例のステム４は、リ
ング状に形成された第１の導電部材４１に、棒状又は板
状に形成された第２の導電部材４２を遊嵌した状態と
し、これら第１の導電部材４１と第２の導電部材４２と
の隙間に、ドーナツ形状の気密封止用ガラス部材４３を
嵌め込むようにして、第１の導電部材４１と第２の導電
部材４２とを、電気的に絶縁した状態で一体的に固定し
た構造となっている。

【００６０】第１の導電部材４１及び第２の導電部材４
２は、金属で形成されるか、又は樹脂の表面に金属製の
メッキを施して形成される。また、気密封止用ガラス部
材４３としては、通称ハーメチックシール用ガラスが用
いられる。

【００６１】気密封止用ガラス部材４３は、高温状態に
して液体化させ、これを第１の導電部材４１と第２の導
電部材４２との隙間に流し込み、その後冷却して固定す
る。

【００６２】また、第１の導電部材４１にはＧＮＤ用の
リードピン４１１が、第２の導電部材４２にはプラス端
子用のリードピン（図示省略）が、それぞれ溶接等の方
法で接続固定されている。

【００６３】そして、半導体チップ部品である例えばＡ
ｌＧａＩｎＰ系のレーザチップ４４が、そのｎ型基板上
に形成した最上層の面（Ａｕ電極）４４２を、第２の導
電部材４２に形成された垂直方向の平坦領域４２２と接
する方向でダイボンディングされている。また、レーザ
チップ４４の他方の面（ｎ型基板面）にはＡｌ，Ａｕ等
の材料で電極４４５が形成されており、この電極４４５
と第１導電部材４１とがＡｕ線４５で接続されている。

【００６４】また、第２の導電部材４２に形成された水
平方向の平坦領域４２３に、モニタ用ＰＤ４９が実装さ
れ、別の水平方向の平坦領域４２４に、図示しない光デ
ィスクからの変調光を受ける信号検出用フォトダイオー
ド（信号検出用ＰＤ）５０が実装されている。

【００６５】また、第１の導電部材４１には、複数本の
リードピン４１２，４１３・・・が設けられており、こ
れらのリードピン４１２，４１３・・・は、第２の導電
部材４２と同様に、気密封止用ガラス部材４３で、第１
の導電部材４１と接触しないように一体的に固定された
構造となっている。そして、リードピン４１２はモニタ
用ＰＤ４９にワイヤボンディングされており、他のリー
ドピン４１３，４１４・・・は、信号検出用ＰＤ５０に
それぞれワイヤボンディングされている。

【００６６】そして、このように実装されたレーザチッ
プ４４、モニタ用ＰＤ４９、信号検出用ＰＤ５０を密封
するために、第１の導電部材４１に円筒形状の保護キャ
ップ４６が装着されており、この保護キャップ４６に
は、レーザビームを外部に放射するための透過用ガラス
窓（図示省略）が形成されている。そして、この透過用
ガラス窓の周縁部は、図８に示す構造と同様となってお
り、封止用ガラスによって保護キャップ４６に密着され
ている。

【００６７】このように形成された保護キャップ４６の
内部にＮ₂ 等の準不活性ガスを充填し、第１の導電部材
４１と保護キャップ４６とを溶接することにより、保護
キャップ４６内部の気密性が保たれることになる。その
ため、この保護キャップ４６内部に実装されるレーザチ
ップ４４、モニタ用ＰＤ４９、信号検出用ＰＤ５０等
が、外部環境から永久に保護されることになる。

【００６８】そして、この保護キャップ４６の透過用ガ
ラス窓４７上に、トラッキング用副ビーム生成のための
回折格子及び光ディスクからの反射による変調光を信号
検出用ＰＤ５０に回折するための回折格子を有するホロ
グラム素子５１が取り付けられた構造となっている。

【００６９】これにより、トラッキング用副ビームの生
成が可能であって、ディスクからの反射による変調光を
信号検出用ＰＤ５０で受けることにより、ディスクに記
録された情報を光学的に検出できる半導体レーザ装置と
することができる。

【００７０】上記構成の半導体レーザ装置において、リ
ードピン４１１はＧＮＤにバイアスし、その他のリード
ピン４２１，４１２，４１３・・・はプラス側にバイア
スして電流を注入することにより、半導体レーザ装置は
駆動される。

【００７１】つまり、第１の導電部材４１をＧＮＤにバ
イアスし、第２の導電部材４２をプラス側にバイアスし
て機器に装着できるので、半導体レーザ装置をプラス電
源駆動方式として用いることができることから、機器の
プラス電源の共用が可能となるものである。

【００７２】なお、図７及び図８に示す保護キャップ２
６、透過用ガラス窓２７、封止用ガラス２８、図１１に
示す保護キャップ２６、透過用ガラス窓２７、図１３に
示す保護キャップ４６、ホログラム素子５１は、テスム
自体の構造を理解しやすくするために２点鎖線により図
示している。

【００７３】

【発明の効果】本発明の請求項１記載の半導体レーザ装
置は、第１の導電部材をリング状に形成し、第２の導電
部材を棒状又は板状に形成して、第１の導電部材の中に
第２の導電部材を遊嵌し、第１の導電部材と第２の導電
部材との隙間に、絶縁部材を嵌め込むようにして、第１
の導電部材と第２の導電部材とを電気的に絶縁して固定
する。そして、半導体チップ部品である例えばレーザチ
ップのｎ型基板上に形成した最上層の面を、第２の導電
部材の平坦領域と接する方向でダイボンディングし、レ
ーザチップのｎ型基板側から、第１の導電部材の表面に
ワイヤーボンディングすることにより、第１の導電部材
をアース電位（ＧＮＤ）とし、第２の導電部材をプラス
電位にバイアスして電流を注入することが可能となる。
つまり、半導体レーザ装置をプラス電源駆動方式として
用いることができることから、機器のプラス電源の共用
が可能となるものである。

【００７４】本発明の請求項２記載の半導体レーザ装置
は、第１の導電部材をリング状に形成し、第２の導電部
材を棒状又は板状に形成して、第１の導電部材の中に第
２の導電部材を遊嵌し、第１の導電部材と第２の導電部
材との隙間に、気密封止用ガラス部材を嵌め込むように
して、第１の導電部材と第２の導電部材とを電気的に絶
縁し、かつ密封して固定する。そして、半導体チップ部
品である例えばレーザチップのｎ型基板上に形成した最
上層の面を、第２の導電部材の平坦領域と接する方向で
ダイボンディングするとともに、第２の導電部材に実装
されたレーザチップを密封するために、第１の導電部材
に保護キャップを装着し、この保護キャップに、レーザ
ビームを外部に放射するための透過用ガラス窓を形成し
た構造とする。そのため、保護キャップ内の気密性が保
たれることから、レーザチップが外部環境から永久に保
護される。また、半導体レーザ装置をプラス電源駆動方
式として用いることができるので、半導体レーザ装置が
装着される機器のプラス電源の共用が可能となるもので
ある。

【００７５】本発明の請求項３記載の半導体レーザ装置
は、ステムの平坦領域に光ディスクからの変調光を受け
る信号検出用フォトダイオードを実装するとともに、保
護キャップ上にトラッキング用副ビーム生成のための回
折格子及び光ディスクからの反射による変調光を信号検
出用フォトダイオードに回折するための回折格子を有す
るホログラム素子を備えた構造としている。そのため、
トラッキング用副ビームの生成が可能であって、ディス
クからの反射による変調光を信号検出用フォトダイオー
ドで受けることにより、ディスクに記録された情報を光
学的に検出できる半導体レーザ装置とすることができ
る。また、半導体レーザ装置をプラス電源駆動方式とし
て用いることができるので、半導体レーザ装置が装着さ
れる機器のプラス電源の共用が可能となるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体レーザ装置のステムの構造を示
す斜視図である。

【図２】本発明の半導体レーザ装置のステムの構造を示
す縦断面図である。

【図３】ステムにレーザチップを実装した構造を示す斜
視図である。

【図４】レーザチップの拡大図である。

【図５】ステムの構造の他の実施例を示す斜視図であ
る。

【図６】図３に示す半導体レーザ装置の最も簡単な駆動
回路図である。

【図７】レーザチップを実装したステムの構造を示す斜
視図である。

【図８】レーザチップを実装したステムの構造を示す縦
断面図である。

【図９】レーザチップの拡大図である。

【図１０】図７に示す半導体レーザ装置の最も簡単な駆
動回路図である。

【図１１】レーザチップ等を実装したステムの構造を示
す斜視図である。

【図１２】図１１に示す半導体レーザ装置の駆動回路図
である。

【図１３】レーザチップ等を実装したステムの構造を示
す斜視図である。

【図１４】半導体レーザ装置の従来のステムの構造を示
す斜視図である。

【図１５】レーザチップの拡大図である。

【図１６】図１４に示す従来の半導体レーザ装置の駆動
回路図である。

【符号の説明】

１，２，４ ステム １１，２１，４１ 第１の導電部材 １２，２２，４２ 第２の導電部材 １３ 絶縁部材 １４，２４，４４ レーザチップ ２３，４３ 気密封止用ガラス部材 ２６，４６ 保護キャップ ２７，４７ 透過用ガラス窓 ３６，４９ モニタ用フォトダイオード ５０ 信号検出用フォトダイオード １２２，２２２，２２３，４２２，４２３，４２４ 平
坦領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップ部品をパッケージとなるス
   テム上に実装した半導体レーザ装置において、 前記ステムは、アース電位に保たれる第１の導電部材
   と、前記半導体チップ部品を実装するための平坦領域を
   有するプラス電位に保たれる第２の導電部材と、これら
   第１の導電部材及び第２の導電部材を絶縁状態で接合す
   る絶縁部材とで形成されたことを特徴とする半導体レー
   ザ装置。
2. 【請求項２】 レーザチップをパッケージとなるステム
   上に実装した半導体レーザ装置において、 前記ステムは、アース電位に保たれる第１の導電部材
   と、前記レーザチップを実装するための平坦領域を有す
   るプラス電位に保たれる第２の導電部材と、これら第１
   の導電部材及び第２の導電部材を絶縁状態で接合する気
   密封止用ガラス部材と、前記第２の導電部材に実装され
   た前記レーザチップを密封するとともに、レーザビーム
   を外部に放射するための透過用ガラス窓を有する保護キ
   ャップとで形成されたことを特徴とする半導体レーザ装
   置。
3. 【請求項３】 前記平坦領域に光ディスクからの変調光
   を受ける信号検出用フォトダイオードを実装するととも
   に、前記保護キャップ上にトラッキング用副ビーム生成
   のための回折格子及び前記光ディスクからの反射による
   変調光を前記信号検出用フォトダイオードに回折するた
   めの回折格子を有するホログラム素子を備えたことを特
   徴とする請求項２記載の半導体レーザ装置。