JP2002033361A - 半導体ウェハ - Google Patents

半導体ウェハ

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憲一 三木
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幸弘 寺田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ICチップを検査する検査用パッドを設ける
とともに、ICチップの小型化を実現する。 【解決手段】 ICチップ2を隔離し、後に切断される
スクライブライン3上に、ICチップ2の内部回路に電
気的に接続された検査用パッド4を形成する。検査用パ
ッド4は、検査工程において、ICチップ2の動作を検
査するために使用され、切断工程において、スクライブ
ライン3とともに切り落とされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハに関
し、詳しくは、スクライブラインによりそれぞれ隔離さ
れた複数のICチップと、各ICチップの動作を検査す
るための複数の検査用パッドが形成された半導体ウェハ
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェハ上に形成されたICチップ
の回路動作を検査するために、ICチップ内に検査用パ
ッドを形成することがある。このような検査用パッドを
備えるICチップが形成された半導体ウェハの一部を図
4に示す。半導体ウェハ41上には、複数のICチップ
42が形成されており、各ICチップ42は、スクライ
ブライン43により、それぞれ隔離されている。この半
導体ウェハ41は、所定の処理の後、スクライブライン
43を切り落とすことにより切断され、これにより各I
Cチップ42が分離される。
【0003】ICチップ42は、内部回路に接続された
検査用パッド44を備えている。この検査用パッド44
は、検査工程に使用されるものであり、ICチップの内
部回路の動作を検査するために、この検査用パッドに所
定の電圧を印加し、あるいは、内部回路に所定の電流を
流してこの検査用パッド44の電圧の変化を検出するな
どの処理により、ICチップ42の内部回路が適切に動
作しているか否かが検査される。さらに、このような検
査時に静電気等により検査用パッド44に不測の電圧が
印加され、内部回路に過電流が流れ込み、内部回路が破
壊されることを防止するために、検査用パッド44と内
部回路との間に静電破壊防止用の保護素子を設けること
もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】検査用パッド44及び
それに付随する保護素子は、検査工程にのみ必要であ
り、検査工程が完了した後は、使用されない。近年、I
Cチップの小型が望まれているが、ICチップに検査用
パッド及び保護素子を設けた場合、検査用パッド及び保
護素子がICチップ内で一定の面積を専有するため、I
Cチップの小型化が困難であった。したがって、一枚の
半導体ウェハ上に形成できるICチップの数が限定さ
れ、生産効率が向上しないという問題があった。
【0005】本発明は、上述のような課題に鑑みてなさ
れたものであり、検査工程に必要な検査用パッドを設け
るとともに、ICチップの小型化を実現できる半導体ウ
ェハを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明に係る半導体ウェハは、スクライブライン
によりそれぞれ隔離された複数のICチップが形成され
た半導体ウェハにおいて、上記ICチップの内部回路に
電気的に接続されて上記ICチップの動作を検査するた
めの検査用パッドが上記スクライブライン上に形成され
ていることを特徴とする。
【0007】検査用パッドをスクライブライン上に形成
することにより、ICチップ内に検査用パッドを設ける
必要がなくなり、ICチップの小型化が実現される。ス
クライブライン上に形成された検査用パッドは、切断工
程においてスクライブラインとともに切り落とされる。
【0008】また、本発明に係る半導体ウェハは、上記
検査用パッドと上記ICチップの内部回路との間に電気
的に接続されて過電流を防止する保護素子が上記スクラ
イブライン上に形成されていることを特徴とする。
【0009】保護素子は、例えばアノード側が接地され
たダイオードにより実現される。保護素子を設けること
により、検査時にICチップの内部回路内に過電流が流
れ込み、内部回路が破壊されることが防止される。この
保護素子を検査用パッドとともにスクライブライン上に
形成することにより、ICチップの小型化が実現され
る。
【0010】また、本発明に係る半導体ウェハにおい
て、上記検査用パッドと上記ICチップの内部回路とを
ポリシリコン層により電気的に接続する構成としてもよ
い。アルミ配線は、切断工程時に基板にショートするお
それがあるが、ポリシリコン層による接続を行えば、こ
のような問題が解決される。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウェハ
について、図面を参照して詳細に説明する。
【0012】図1(a)は、本発明の実施の形態として
示す半導体ウェハ1の平面図であり、図1(b)は、半
導体ウェハ1の要部断面図である。半導体ウェハ1上に
は、同一のICチップ2が複数個形成されている。各I
Cチップ2は、格子状のスクライブライン3により隔離
されている。これら複数のICチップ2は、所定の処理
の後、スクライブライン3を切断することにより、個別
に分離される。
【0013】また、図1(a)に示すように、スクライ
ブライン3上に検査用パッド4が形成されている。ま
た、図1(b)に示すように、検査用パッド4は、スク
ライブライン3の表面に露出するとともに、アルミ層5
を介して、ICチップ2内のNPNトランジスタのエミ
ッタに電気的に接続されている。
【0014】検査用パッド4は、半導体ウェハ1上に形
成されたICチップ2の動作を検査するために用いられ
る。すなわち、検査時には、検査用パッド4に所定の電
圧を印加し、あるいはICチップ2に電流を流すととも
に検査用パッド4における電圧の変化を検出することに
より、ICチップ2が正常に動作するか否かを判定す
る。この検査工程の後、スクライブライン3は切り落と
され、これにより複数のICチップ2が分離される。検
査工程の後に不要となる検査用パッド4は、この切断工
程においてスクライブライン3とともに切り落とされ
る。
【0015】このように、検査用パッド4をスクライブ
ライン3上に設けることにより、ICチップ2を検査用
パッド4の面積分小さく形成することが可能となり、し
たがって、1つの半導体ウェハ1から、より多くのIC
チップ2を作成することが可能となる。したがって、本
発明によれば、ICチップの生産効率を向上させること
ができる。
【0016】図2は、本発明の第2の実施の形態を示す
図である。この第2の実施の形態においては、半導体ウ
ェハ11上にスクライブライン13により隔離された複
数のICチップ12を形成し、図1に示す実施の形態と
同様にスクライブライン13上に検査用パッド14を形
成するとともに、検査用パッド14とICチップ12の
内部回路との間に保護素子16を設けている。
【0017】保護素子16は、図2(a)に示すよう
に、スクライブライン13上に形成されている。また、
この保護素子16は、図2(b)に示すように、N+拡
散層とP拡散層により構成されるダイオードである。こ
の保護素子16を用いた保護回路の等価回路を図2
(c)に示す。検査用パッド14は、内部回路のNPN
トランジスタのエミッタに接続されるとともに、アノー
ド端子が接地されたダイオード、すなわち保護素子16
のカソード端子に接続されている。これにより、ICチ
ップ12の検査時に静電気等により検査用パッド14に
不測の電圧が印加されてしまった場合に、過電流により
内部回路が破壊されてしまうことを防止する静電破壊防
止回路が構成されている。
【0018】検査用パッド14と保護素子16は、とも
にICチップ12の検査終了後は不要となる。したがっ
て、ICチップ12の切断工程において、スクライブラ
イン13とともに切り落とされてもなんら問題はない。
このように検査用パッド14と保護素子16をスクライ
ブライン13上に設けることにより、検査用パッド14
と保護素子16をICチップ12内に設ける必要がなく
なり、ICチップ12を小型化することができ、1つの
半導体ウェハ11上に、より多くのICチップ12を形
成することができる。
【0019】図3は、本発明の第3の実施の形態を示す
図である。図1及び図2に示す実施の形態では、検査用
パッド1、11とICチップ2、12の内部回路とをア
ルミ層5、15を介して接続していた。このような構成
においては、スクライブライン3、13を切断した際に
外部に露出するアルミ層5、15が基板にショートする
おそれがある。この第3の実施の形態においては、検査
用パッド21をアルミ端子として形成するとともに、検
査用パッド21と内部回路とを導電性のポリシリコン層
22を介して接続している。これにより、スクライブラ
イン23を切断した際に接続層が基板にショートする可
能性を低減することができ、したがって、より信頼性の
高いICチップを提供できる。
【0020】なお、図3において、検査終了後、内部回
路と検査用パッドとを接続しているポリシリコン層22
の点線で囲んだ部分Aをレーザー光等にてカットするこ
とにより、内部回路が基板にショートする可能性がなく
なるため、一層信頼性の高いICチップを提供できる。
このレーザー光等にてカットする場合は、図1、図2に
おけるアルミ層5,15も同様な箇所に、検査終了後カ
ットすることにより、一層信頼性の高いICチップを提
供できる。
【0021】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体ウェ
ハでは、ICチップの内部回路に電気的に接続されて上
記ICチップの動作を検査するための検査用パッドをス
クライブライン上に形成するので、ICチップ内に検査
用パッドを設ける必要がなくなり、ICチップの小型化
が実現される。これにより、1つの半導体ウェハ上に形
成できるICチップの数を増加させることができ、IC
チップの生産性を向上させることができる。
【0022】さらに、本発明に係る半導体ウェハは、検
査用パッドとICチップの内部回路との間に電気的に接
続されて過電流を防止する保護素子をスクライブライン
上に形成するので、ICチップの小型化が実現される。
また、検査用パッドとICチップの内部回路とをポリシ
リコン層により電気的に接続することにより、切断工程
時に接続層が基板にショートすることにより発生する不
良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した半導体ウェハの一部平面図及
び断面図である。
【図2】第2の実施の形態として示す半導体ウェハの平
面図、断面図及び保護回路の等価回路を示す図である。
【図3】第3の実施の形態として示す半導体ウェハの断
面図である。
【図4】 従来の半導体ウェハの一部平面図である。
【符号の説明】
1 半導体ウェハ 2 ICチップ 3 スクライブライン 4 検査用パッド

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スクライブラインによりそれぞれ隔離さ
    れた複数のICチップが形成された半導体ウェハにおい
    て、 上記ICチップの内部回路に電気的に接続されて上記I
    Cチップの動作を検査するための検査用パッドが上記ス
    クライブライン上に形成されていることを特徴とする半
    導体ウェハ。
  2. 【請求項2】 上記検査用パッドと上記ICチップの内
    部回路との間に電気的に接続されて過電流を防止する保
    護素子が上記スクライブライン上に形成されていること
    を特徴とする請求項1記載の半導体ウェハ。
  3. 【請求項3】 上記検査用パッドと上記ICチップの内
    部回路とは、ポリシリコン層を介して電気的に接続され
    ていることを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハ。
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