JPH11163067A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェハ・バーンイン検査装置のプローブの印
加圧力により、パッド電極の表面が破損してしまうのを
防止することができる半導体装置及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 ボンディング用のパッド電極３（通常の
端子として用いるパッド電極）とは別にバーイン検査用
のパッド電極４を新たに設け、バーイン検査時にはパッ
ド電極４を用いてバーイン検査を行うことによって、通
常端子として使用されるボンディング用のパッド電極３
の表面が破損するのを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置を使用した電子機器
は、半導体製造プロセスの微細化が進み、１チップ上に
複数のシステムを混載し、大規模で高集積な半導体装置
の開発や、複数チップを実装するＭＣＭ（Multi Chip M
odule）の開発が可能になってきている。このため、前
記半導体回路装置の歩留り向上を図り、高信頼性な半導
体回路装置を大量に低コストで製造するために、ウェハ
・バーンイン検査によるスクリーニングが必須となって
きている。

【０００３】しかしながら、ウェハの中には、電源回路
とＧＮＤ（グランド）回路とが短絡して過大な電源電流
が流れる不良チップや、信号端子に過大な電流が流れる
不良チップがあり、このような不良チップが混在した状
態でウェハ・バーンイン検査を実施した場合、ウェハ・
バーンイン装置やプローブカードを破損する可能性があ
るという問題があった。

【０００４】そこで、すでに、特開平８−３２１５３１
号に記載されているように、不良チップのパッド電極の
配線に切断加工を施し、不良チップがバーンイン・スク
リーニングの対象から除外される技術が提案されてい
る。

【０００５】図１４及び図１５を参照しながら従来の半
導体装置及びその製造方法について説明する。

【０００６】図１４は従来の半導体装置のパッド電極切
断工程前の構造を示しており、図１５は従来の半導体装
置のパッド電極切断工程後の構造を示している。

【０００７】図１４に示すように、従来の半導体装置で
は、不良チップと判断されたものについては、パッド電
極１３が形成されている配線１１をレーザー光にて切断
する。図１５に示すようにパッド電極切断工程後の構造
では、配線切断部１２０で切断されているのでパッド電
極１３に電圧印加しても内部回路（図示せず）に電圧が
印加されなくなる。このような方法により、ウェハ・バ
ーンイン検査を実施する際、電源回路とＧＮＤ（グラン
ド）回路とが短絡して過大な電源電流が流れる不良チッ
プによるウェハ・バーンイン検査装置の破損や電圧降下
を防ぎ、良品チップに対してだけ正規の電圧印加を実現
することができた。

【０００８】なお、５は、半導体ウェハの一部を示して
いる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置では、最終製品になった時に通常端子として
使用されるパッド電極（以下、ボンディング用パッド電
極と表す）を用いてウェハ・バーンイン検査が実施され
るため、ウェハ・バーンイン検査装置のプローブの印加
圧力により、ボンディング用パッド電極の表面が破損し
てしまい、製品組立工程におけるボンディング用のパッ
ド電極へのワイヤー未接着の問題や、配線を施した基板
等に半導体装置のパッド電極を直接接触させて製品組立
を行う場合、半導体装置のボンディング用パッド電極の
表面にバンプ（図面での説明は省略する）等を形成する
が、前記理由と同じく、ボンディング用パッド電極の表
面がウェハ・バーンイン検査工程により破損されるた
め、正常なパンプを形成できない等の問題が発生してい
た。

【００１０】また、第２の課題として、従来の半導体装
置では、図１４に示すパッド電極１３が形成されている
配線１１の幅は、電流能力を確保するために内部の配線
幅よりかなり広く形成するのが一般的であった。つま
り、半導体装置（半導体チップ１０）の全体の構成を示
す図である図９からも明らかなように、半導体装置の周
辺部の配線１１ａは、内部の配線１１ｂの幅よりかなり
広く形成されていた。そのため、周辺部の配線を切断し
ていた従来の製造方法では、パッド電極１３が形成され
ている配線１１の切断時に高エネルギーのレーザー光及
び長時間の照射が必要となり、量産時においての実用化
が困難であるという問題があった。

【００１１】本発明は、上記問題を解決するもので、ボ
ンディング用のパッド電極の検査時における破損を防止
することができる半導体装置および、その製造方法を提
供することを目的としており、また、不良チップに対し
て容易にパッド電極を切断できる半導体装置及びその製
造方法を提供することを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明は、ボンディング用パッド電極とは別に、バー
ンイン用パッド電極を設けたものである。

【００１３】また、バーンイン用のパッド電極が形成さ
れている配線を、ボンディング用のパッド電極が形成さ
れている配線より配線幅を狭くしたことを特徴とした
り、ボンディング用のパッド電極及びバーンイン用のパ
ッド電極とを接続する配線が、ボンディング用のパッド
電極が設けられている配線より高抵抗にしたことを特徴
とするものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１〜４に記載の発
明は、同一ノードのパッド電極を２つ設けたことを特徴
とする半導体装置であり、ボンディング用のパッド電極
とバーンイン検査用のパッド電極とを別々に設け、使用
目的に応じてパッド電極を使い分けることができるとい
う作用を有する。

【００１５】請求項５、６に記載の発明は、同一ノード
のパッド電極を２つ設けた半導体装置の製造方法に関す
るものであり、一方のパッド電極を他方のパッド電極か
ら切断加工する工程に特徴がある。特に、請求項５に記
載の発明は、パッド電極が設けられている配線よりも配
線幅を狭い部分で切断加工することに特徴があり、請求
項６に記載の発明は、電流印加により切断加工すること
に特徴があるもので、効率よく一方のパッド電極から他
方のパッド電極を切断加工することができるという作用
を有する。

【００１６】請求項７、８に記載の発明は、同一ノード
のパッド電極を複数個設けたことを特徴とする半導体装
置であり、請求項１の作用に加え、ボンディング用のパ
ッド電極、バーンイン検査用のパッド電極、さらに別の
検査用のパッド電極とを別々に設け、使用目的に応じて
パッド電極を使い分けることができるという作用を有す
る。

【００１７】請求項９に記載の発明は、同一ノードのパ
ッド電極を３つ設けた半導体装置の製造方法に関するも
のであり、第２及び第３のパッド電極を他方のパッド電
極から切断加工する工程に特徴があり、効率よく第１の
パッド電極から第２及び第３のパッド電極を切断加工す
ることができるという作用を有する。

【００１８】請求項１０、１２、１３に記載の発明は、
請求項１、２、８のうちいずれか１項に記載の半導体装
置において、第１のパッド電極及び第２のパッド電極の
配置に特徴があるものであり、請求項１、２、８と同様
の作用を有するものである。

【００１９】請求項１１に記載の発明は、請求項１、
２、４、８のうちいずれか１項に記載の半導体装置にお
いて、第１のパッド電極及び第２のパッド電極の配置に
特徴があるものであり、請求項１、２、４、８と同様の
作用を有するものである。

【００２０】以下、本発明の実施形態について、図１か
ら図１３を用いて説明する。 （実施の形態１）本発明の実施の形態１について説明す
る。

【００２１】図１は、本実施の形態１の半導体装置の構
成を示す図である。図１において、配線１は製品専用電
源電圧印加用配線（以下、ボンディング用パッド電極が
形成される配線と表す）で、製品として使用する際に印
加された電源電圧を内部回路装置に伝搬するための配線
である。ボンディング用パッド電極３は、製品として使
用する際に電源電圧を印加するパッド電極である。ボン
ディング用パッド電極３の上には、バンプ電極（図示せ
ず）が形成され、検査工程を経て、最終的に製品となっ
た時に通常端子として使われる電極である。一方、配線
２は配線ウェハ・バーンイン検査専用電源電圧印加配線
で、ウェハ・バーンイン検査時に印加された電源電圧を
内部回路装置に伝搬する配線である。４はパッド電極
で、ウェハ・バーンイン検査時に電源電圧を印加するパ
ッド電極である。そして、配線１と配線２は接続配線６
で同一ノードとして接続されている。

【００２２】なお、５は半導体ウェハの一部を示すもの
とする。次に、図１を用いて上記で説明した半導体装置
の製造方法について、図１、図２及び図７を用いて簡単
に説明する。

【００２３】図２は、レーザー光による配線切断後の半
導体装置を示す図で、図７はレーザー光による配線切断
時の本実施の形態の処理工程フローを示す図である。

【００２４】なお、図１に示した半導体装置は、図９に
示すような半導体チップ１０の一部を示しているもので
あり、ウェハ・バーンイン検査工程時には、半導体チッ
プ１０は１枚の半導体ウェハ（全体の構成は図示せず）
上に多数存在する状態である。

【００２５】図７に示すように図１に示した半導体装置
は、拡散工程終了後、ウェハ検査工程２０で、検査対象
となる半導体装置の良否を判定する検査と不良チップの
ウェハ上の位置を記録するデータ作成処理を実施する。
次に、検査した半導体装置のウェハと不良チップのウェ
ハ上の位置を記録したデータは、レーザー切断工程２１
へ移行し、レーザー切断工程２１において、前記不良チ
ップのウェハ上の位置を記録したデータに基づいて、不
良半導体チップのパッド電極４を切り離すための配線６
を切断する（１００は配線６の配線切断部である）。そ
の後、ウェハ・バーンイン検査工程２２で、ウェハ・バ
ーンイン検査を行う。

【００２６】このように、レーザ切断工程２１を行った
後は、図２に示すように、不良半導体チップのバーンイ
ン検査用のパッド電極４は切り離されるため、レーザ切
断工程２１後にウェハをバーンイン検査しても、不良チ
ップ上で発生する過大な電源電流が流れること等を原因
とするウェハ・バーンイン検査装置や、プローブカード
の破損を防止することができる。その上、本実施の形態
１では、ボンディング用のパッド電極３とは別にボンデ
ィング用のパッド電極４を設けているので、最終製品に
なった時に使用されるボンディング用パッド電極は、バ
ーンイン検査用のパッド電極としては使用されず、ウェ
ハ・バーンイン検査時にボンディング用のパッド電極３
が破損することを防止することができる。

【００２７】また、本実施の形態１では、ボンディング
用のパッド電極３が形成されている配線１や、バーンイ
ン検査用のパッド電極４が形成されている配線２より
も、接続部となる配線６の配線幅を狭くすることによっ
て、レーザ切断を施す際、切断作業が軽減される。

【００２８】また、本実施の形態１では、パッド電極３
が形成されている配線１の幅とパッド電極４が形成され
ている配線２との幅を同じにし、接続部分の配線６の幅
を狭くしているが、図５に示すように、バーンイン検査
用のパッド電極４を形成する配線２の配線幅は、ボンデ
ィング用のパッド電極４が形成されている配線２の配線
幅を同じにする必要はなく、図５の別の半導体装置の構
成を示す図に示すように、バーンイン検査用のパッド電
極４が形成されている配線２の配線幅を狭くしてもよ
く、この場合、レーザ切断を配線２に施しても、配線６
を切断する場合と同様の効果が得られる。

【００２９】また、図１を用いて説明した実施の形態１
の半導体装置と比較して、図５に示した半導体装置で
は、バーンイン検査用のパッド電極４が形成されている
配線２の幅が狭いため、パッド電極３ａとパッド電極３
ｂとの間隔をより狭くすることができる。

【００３０】次に、バーンイン検査用のパッド電極を切
り離す第２の方法について、図１、図８を参照しながら
説明する。

【００３１】図８は、電流印加による配線切断時の処理
工程フローを示す図である。図１に示すように、接続用
の配線６の配線幅を細くすることによって接続用の配線
６の部分が、高抵抗になっている。このような接続用の
配線６が高抵抗となっているものにおいて、ボンディン
グ用のパッド電極３とバーンイン検査用のパッド電極４
の間に電流を流すと、接続用の配線６は切断される。

【００３２】ここで、図８を参照しながら工程を順に説
明する。まず、ウェハ検査工程２０では、図７を用いて
説明した方法と同様に、不良チップのウェハ上の位置を
記録するデータ作成処理が行われる。次に、電圧印加に
よる切断工程２３で、不良チップのウェハ上の位置を記
録するデータに基づいて、ボンディング用のパッド電極
３とバーンイン検査用のパッド電極４との間に電流を流
し、接続用の配線６を切断する。さらにウェハ・バーン
イン検査工程２２では同様に、ウェハ・バーンイン検査
が実施される。

【００３３】以上のような第２の切断方法により、図７
を参照しながら説明した切断方法と比較して、電流の印
加だけで不良チップのバーンイン検査用のパッド電極を
切断できるため、レーザー切断という大がかりな装置を
必要としなくてすむことができる。

【００３４】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２について説明する。

【００３５】図３は、本実施の形態２の半導体装置の構
成を示す図である。なお、図１を用いて説明した実施の
形態１と同様の構成については、同一の符号を付して説
明を省略する。

【００３６】図１を用いて説明した実施の形態１の構成
と違う点は、ボンディング用のパッド電極３が形成され
る配線１とバーンイン検査用のパッド電極４が形成され
る配線２を接続用の配線７とコンタクトホール８及び９
とで同一ノードとして接続している点である。

【００３７】以上のように構成された半導体装置では、
半導体ウェハ５上のボンディング用パッド電極３とバー
ンイン検査用パッド電極４を別々に設けることによっ
て、実施の形態１と同様の効果が得られる。

【００３８】次に上記実施の形態２の半導体装置の製造
方法について、図３、図４、図７、図８を用いて説明す
る。

【００３９】図３に示す実施の形態２の半導体装置につ
いては、既に図７を用いて説明した製造方法と同様に、
電極７にレーザ光を連続照射し、図４の配線切断後の半
導体装置の構成図に示すように、切断部１１０を設ける
ことにより切断し、ウェハ・バーンイン検査時にバーン
イン検査用のパッド電極４に印加される高電圧・信号を
接続配線７を介して、内部回路に伝搬させなくできる。

【００４０】また、接続用の配線７はボンディング用の
配線１及びバーンイン検査用の配線２と異なる材質の配
線として形成することが可能となるため、接続用の配線
７の材料を変えることにより、高抵抗配線を実現するこ
とが可能となる。従って、既に上記で説明した図８を用
いて説明した切断方法をとることも容易に実現できる。

【００４１】高抵抗化が実現しやすい材質としては、例
えば、ポリシリコンが挙げられる。 （実施の形態３）次に、本発明の実施の形態３について
説明する。

【００４２】図６は、本実施の形態３の半導体装置の構
成を示す図である。なお、図１を用いて説明した実施の
形態１と同様の構成については、同一の符号を付して説
明を省略する。

【００４３】図６に示すように、本実施の形態３では、
ボンディング用のパッド電極３、バーンイン検査用のパ
ッド電極４に追加して、新たに、別の検査に用いるパッ
ド電極１２及びパッド電極１２を形成する配線１４を設
けている。

【００４４】上記した実施の形態３についても、実施の
形態１及び２と同様の方法で不良チップのバーンイン検
査用のパッド電極４を切断することができる。

【００４５】上記半導体装置を用いて、ウェハ・バーン
イン検査の他に、最終製品の評価を行うテストをパッド
電極１２を用いて行うと次のような効果が得られる。

【００４６】つまり、新たなパッド電極１２を用いて評
価を行った場合、パッド電極１２の状態は最終製品とな
った時に用いられるボンディング用のパッド電極４と同
条件として扱うことができる。半導体装置においては、
１度でも検査のために検査用のプローブを半導体チップ
に直接あてると、表面に傷が付き、同条件での評価結果
を得ることはできない。

【００４７】従って、封止前に複数の検査が必要な場合
に、図６に示すようにパッド電極３と同一ノードの専用
の端子（パッド電極１２）を設け、パッド電極１２を用
いてテストすることにより、最終製品時に使用されるパ
ッド電極３から得られる評価結果により近い評価結果を
得ることができる。この時のパッド電極１２の切断方法
としては、パッド電極３と同一条件にするために、接続
用の配線１５は同一材料にすることが望ましい。

【００４８】なお、本実施の形態３ではパッド電極を３
つ設けているが、更にパッド電極の数を増やしても何ら
問題はない。

【００４９】次に上記で説明した実施の形態１〜３にお
ける半導体装置の別の構成例について、図１０〜図１３
を用いて説明する。

【００５０】実施の形態１〜３は、ボンディング用のパ
ッド電極３と同様に、バーンイン検査用のパッド電極４
についても半導体チップの周辺部分に配置しているが、
実際にはウェハ・バーンイン検査は、ウェハ状態で行わ
れ封止される前の状態であるので、必ずしも周辺部分に
設ける必要がない点に着目して、バーンイン検査用のパ
ッド電極４を設ける配置の別の例を以下に挙げて説明す
る。

【００５１】（実施の形態４）図１０に示すように、ボ
ンディング用のパッド電極３が形成される配線１ａは、
図９を用いて上記で説明したとおり、電流能力を確保す
るために内部の配線幅よりかなり広く形成するのが一般
的であったが、バーンイン検査用のパッド電極は必ずし
もその必要はなく、内部回路に近い配線１ｂにバーンイ
ン検査用のパッド電極４を設けても実施の形態１及び２
と同様の効果が得られる。

【００５２】本実施の形態４では、実施の形態１等のよ
うにバーンイン検査用のパッド電極４及び配線２を形成
する必要がないため、隣の配線との間隔を狭くすること
ができるという利点がある。

【００５３】本実施の形態４の半導体装置では、バーン
イン検査用のパッド電極４と内部回路との間で配線を切
断すれば、実施の形態１と同様の効果が得られる。

【００５４】（実施の形態５）別のパッド電極４の配置
の例では、図１１に示すように、実施の形態４で説明し
たように、内部回路に近い付近の配線幅が狭いところに
バーンイン検査用のパッド電極４を設ける代わりに、配
線幅の広いところにバーンイン検査用のパッド電極４を
設けてもよい。

【００５５】このような構成にすることにより、実施の
形態４と同様の効果が得られる。 （実施の形態６）別のパッド電極４の配置の例では図１
２に示すように内部配線を分岐させ、その分岐された配
線上にパッド電極４を設けてもよい。

【００５６】実施の形態６についても、上記実施の形態
と同様の方法でパッド電極４を切り離すことができ、同
様の効果が得られる。

【００５７】（実施の形態７）別のパッド電極４の配置
の例では図１３に示すようにボンディング用のパッド電
極３よりも外側にバーンイン検査用のパッド電極４を設
けてもよい。

【００５８】実施の形態７についても、上記実施の形態
と同様の方法でパッド電極４を切り離すことができ、同
様の効果が得られる。

【００５９】なお、上記実施の形態５〜７についても、
３つのパッド電極を設けてもよい。また、実施の形態６
については、実施の形態２と同様に配線１と配線２との
間の配線を別の材料の配線にしてもよい。

【００６０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、製品とし
て組み立て時にはボンディング用パッド電極を使用し、
ウェハ・バーンイン検査時にはウェハ・バーンイン検査
用のパッド電極に電源電圧を印加することで、製品とし
ての電源電流能力を充分に確保する配線を提供すること
ができるうえ、不良チップのウェハ・バーンイン検査時
にバーンイン検査用のパッド電極側の配線を切断加工し
やすい構造にすることができる。

【００６１】また、ウェハ・バーンイン検査以前に不良
チップのウェハ・バーンイン検査用のパッド電極を切り
離すことにより、全チップにプローブを立てて高電圧印
加を行うウェハ・バーンイン検査工程において電源回路
とＧＮＤ（グランド）回路とが短絡して過大な電源電流
が流れる不良チップによるウェハ・バーンイン検査装置
の破損や電圧降下を防ぎ、良品チップに対して正規の電
圧印加を実現できるという効果を有する。

【００６２】また、不良チップの電源パッド切断方法に
おいては、従来のレーザー光による切断方法に加えて、
同一ノードのパッドを新たに追加することにより、ウェ
ハ検査工程における電流印加という手段でパッド電極を
切断することが可能となり、ウェハ検査工程後、直ち
に、ウェハ・バーンイン検査工程にてウェハ・バーンイ
ン検査を実施することが可能となり、検査効率の向上と
検査コストの削減を図ることができるという効果を有す
る。

【００６３】また、ウェハ検査工程及びウェハ・バーン
イン検査工程のプローブ検査時に使用するパッド電極と
製品としての組み立て時に使用するパッド電極を分離す
ることにより、製品組み立て時に使用するパッド電極の
表面が破損することを避けることができ、パッド電極破
損による歩留まり低下を防ぐことができるという効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態１の半導体装置の構成を示す図

【図２】本実施の形態１のレーザー光による配線切断後
の半導体装置の構成を示す図

【図３】本実施の形態２の半導体装置の構成を示す図

【図４】本実施の形態２の配線切断後の半導体装置の構
成を示す図

【図５】本実施の形態１の別の半導体装置の構成を示す
図

【図６】本実施の形態３の半導体装置の構成を示す図

【図７】半導体装置のレーザー光による配線切断処理工
程フローを示す図

【図８】電流印加による配線切断時の本実施の形態の処
理工程フローを示す図

【図９】半導体装置の全体の構成を表す図

【図１０】本実施の形態４の半導体装置の構成を示す図

【図１１】本実施の形態５の半導体装置の構成を示す図

【図１２】本実施の形態６の半導体装置の構成を示す図

【図１３】本実施の形態７の半導体装置の構成を示す図

【図１４】従来の半導体装置のパッド電極切断工程前の
構造を示す図

【図１５】従来の半導体装置のパッド電極切断工程後の
構造を示す図

【符号の説明】

１ 配線 ２ 配線 ３ パッド電極 ４ パッド電極 ５ 半導体ウェハ ６ 接続用の配線 ７ 配線 ８ コンタクトホール ９ コンタクトホール １０ 半導体チップ １１ 配線 １２ パッド電極 １３ パッド電極 １４ 配線 １５ 配線 ２０ ウェハ検査工程 ２１ レーザー切断工程 ２２ ウェハ・バーンイン検査工程 ２３ 電圧印加による切断工程 １００ 配線切断部 １１０ 配線切断部 １２０ 配線切断部

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１のパッド電極と、 前記第１のパッド電極と同一ノードの第２のパッド電極
   と、 前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極とを接続
   する配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】請求項１記載の半導体装置において、第１
   のパッド電極をボンディング用とし、第２のパッド電極
   を高電圧を印加するバーンイン検査用とすることを特徴
   とする半導体装置。
3. 【請求項３】請求項２記載の半導体装置において、第１
   のパッド電極及び第２のパッド電極とを接続する配線
   が、前記第１のパッド電極が設けられている配線より配
   線幅が狭いことを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】請求項２記載の半導体装置において、第１
   のパッド電極及び第２のパッド電極とを接続する配線
   が、前記第１のパッド電極が設けられている配線より高
   抵抗であることを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】半導体ウェハが、ボンディング用の第１の
   パッド電極と、 前記第１のパッド電極と同一ノードのバーンイン検査用
   の第２のパッド電極と、 前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極とを接続
   する配線とを備え、 第１のパッド電極及び第２のパッド電極とを接続する配
   線が、前記第１のパッド電極が設けられている配線より
   配線幅が狭い半導体装置を複数有しており、 前記半導体ウェハの上の前記複数の半導体装置のうち、
   不良の半導体装置を求める工程と、 前記不良の半導体装置の第１のパッド電極と第２のパッ
   ド電極とを接続する配線のうち、前記第１のパッド電極
   が設けられている配線より配線幅が狭い部分で切断加工
   する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
6. 【請求項６】半導体ウェハが、ボンディング用の第１の
   パッド電極と、 前記第１のパッド電極と同一ノードのバーンイン検査用
   の第２のパッド電極と、 前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極とを接続
   する配線とを備え、 第１のパッド電極及び第２のパッド電極とを接続する配
   線が、前記第１のパッド電極が設けられている配線より
   高抵抗である半導体装置を複数有しており、 前記半導体ウェハの上の前記複数の半導体装置のうち、
   不良の半導体装置を求める工程と、 前記不良の半導体装置の前記第１のパッド電極と前記第
   ２のパッド電極とを接続する配線を、前記２のパッド電
   極からの電流印加により切断加工する工程とを有するこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】第１のパッド電極と、 前記第１のパッド電極と同一ノードの別の複数のパッド
   電極と、 前記第１のパッド電極と前記別の複数のパッド電極とを
   接続する配線とを備えたことを特徴とする半導体装置。
8. 【請求項８】第１のパッド電極と、 前記第１のパッド電極と同一ノードの第２のパッド電極
   と、 前記第１のパッド電極と同一ノードの第３のパッド電極
   と、 前記第１のパッド電極と前記第２のパッド電極と前記第
   ３のパッド電極とを接続する配線とを備え、第１のパッ
   ド電極をボンディング用とし、第２のパッド電極を高電
   圧を印加するバーンイン検査用とし、第３のパッド電極
   を別の検査用とすることを特徴とする半導体装置。
9. 【請求項９】請求項８記載の半導体装置において、第１
   のパッド電極及び第２のパッド電極とを接続する配線
   が、前記第１のパッド電極が設けられている配線より高
   抵抗であり、第１のパッド電極と第３のパッド電極を接
   続する配線は、同抵抗であることを特徴とする半導体装
   置。
10. 【請求項１０】請求項１、請求項２、請求項８のうちい
    ずれか１項に記載の半導体装置において、第２のパッド
    電極が内部回路と第１のパッド電極との間に位置するこ
    とを特徴とする半導体装置。
11. 【請求項１１】請求項１、請求項２、請求項４、請求項
    ８のうちいずれか１項に記載の半導体装置において、第
    １のパッド電極、第２のパッド電極、及び、内部回路と
    を接続する配線の形状が、第２のパッド電極が形成され
    る配線幅の方が、第１のパッド電極が形成される配線幅
    より狭いことを特徴とする半導体装置。
12. 【請求項１２】請求項１、請求項２、請求項８のうちい
    ずれか１項に記載の半導体装置において、第１のパッド
    電極、第２のパッド電極、及び、内部回路とを接続する
    配線の形状が、内部回路と第１のパッド電極を接続する
    配線から分岐した配線上に第２のパッド電極が設けら
    れ、かつ、半導体装置の周辺を基準として第２のパッド
    電極が第１のパッド電極より内側に設けられていること
    を特徴とする半導体装置。
13. 【請求項１３】請求項１、請求項２、請求項８のうちい
    ずれか１項に記載の半導体装置において、第１のパッド
    電極が内部回路と第２のパッド電極との間に位置するこ
    とを特徴とする半導体装置。