JPS5866370A - 発光ダイオ−ドアレイ - Google Patents
発光ダイオ−ドアレイInfo
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- JPS5866370A JPS5866370A JP56164252A JP16425281A JPS5866370A JP S5866370 A JPS5866370 A JP S5866370A JP 56164252 A JP56164252 A JP 56164252A JP 16425281 A JP16425281 A JP 16425281A JP S5866370 A JPS5866370 A JP S5866370A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- emitting diode
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- array
- array direction
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、微細なピッチを有する発光ダイオードアレ
イに関するものである、 非接触で印字できること、および高速性を得やすいこと
から、プリンタやファクシミリなどの情報機器に発光ダ
イオードやレーザダイオードのような光半導体が多く用
いられている。このような場合に、高速性能を実現する
ためおよび機構系を簡易化するために光半導体をアレイ
化する必要がある。
イに関するものである、 非接触で印字できること、および高速性を得やすいこと
から、プリンタやファクシミリなどの情報機器に発光ダ
イオードやレーザダイオードのような光半導体が多く用
いられている。このような場合に、高速性能を実現する
ためおよび機構系を簡易化するために光半導体をアレイ
化する必要がある。
従来、前述した必要性に応えるため、第１図に示す発光
ダイオードアレイが使用されている。第゛１図において
、１はｐＨ電極、２は発光領域、３はコンタクト部であ
る。この発光ダイオードアレイは、ｐ側電極１が交互に
両側に形成されているため、電極ピッチが発光ダイオー
ドアレイピッチの号テあシ、電極の幅を十分に取ること
ができて、断線による不良率を低減させることができる
上。
ダイオードアレイが使用されている。第゛１図において
、１はｐＨ電極、２は発光領域、３はコンタクト部であ
る。この発光ダイオードアレイは、ｐ側電極１が交互に
両側に形成されているため、電極ピッチが発光ダイオー
ドアレイピッチの号テあシ、電極の幅を十分に取ること
ができて、断線による不良率を低減させることができる
上。
ヘッダまた紘発光ダイオード駆動回路との接続が容易で
あシ、さらｔ接合領域と電極のコンタクト部３が接合領
域の一端部に偏在してお〉、ＩＩ接する発光ダイオード
の電極間隔を十分に取ることができるので、短絡による
不良率を低減させることができるという利点がある。し
嘉し、第１図に示す従来の発光ダイオードプレイは次の
ような欠点がある。す々わち、第１図の１−ＩＪ＋ＩＫ
沿う断面図である第２図において、１はｐ側電極、２は
発光領域、３はコンタクト部、−４はｐ型領域、５は絶
縁膜、６はｐ −ｎ接合部であ如、ｐｍ領域４の拡が夛
抵抗のためにｐ −ｎ接合部６を流れる電流密度がアレ
イの直角方向に対して均一でなく、第２図に）に示すよ
うに、コンタクト部３から遠い部分では低いが、コンタ
クト部の近傍では非常に高く、これは素子の寿命を低下
させる原因となる。
あシ、さらｔ接合領域と電極のコンタクト部３が接合領
域の一端部に偏在してお〉、ＩＩ接する発光ダイオード
の電極間隔を十分に取ることができるので、短絡による
不良率を低減させることができるという利点がある。し
嘉し、第１図に示す従来の発光ダイオードプレイは次の
ような欠点がある。す々わち、第１図の１−ＩＪ＋ＩＫ
沿う断面図である第２図において、１はｐ側電極、２は
発光領域、３はコンタクト部、−４はｐ型領域、５は絶
縁膜、６はｐ −ｎ接合部であ如、ｐｍ領域４の拡が夛
抵抗のためにｐ −ｎ接合部６を流れる電流密度がアレ
イの直角方向に対して均一でなく、第２図に）に示すよ
うに、コンタクト部３から遠い部分では低いが、コンタ
クト部の近傍では非常に高く、これは素子の寿命を低下
させる原因となる。
また、発光輝度は電流密度に比例するために、輝度の不
均一を生じる。従って、発光ダイオードアレイ全体から
見ると、電極が交互に両側に形成され、コンタクト部も
ｐ−ｎ接合部の電極側の端部に形成されているので、高
輝度部分がほぼ発光領域の幅だけうねることとなり、印
字品質の低下につながる。さらに、輝度の不均一は駆動
電流の増加に伴なって顕著になってくるので、とくに発
光輝＆を高めて、印字速度を向上させる上で問題となっ
てくるという欠点があった。
均一を生じる。従って、発光ダイオードアレイ全体から
見ると、電極が交互に両側に形成され、コンタクト部も
ｐ−ｎ接合部の電極側の端部に形成されているので、高
輝度部分がほぼ発光領域の幅だけうねることとなり、印
字品質の低下につながる。さらに、輝度の不均一は駆動
電流の増加に伴なって顕著になってくるので、とくに発
光輝＆を高めて、印字速度を向上させる上で問題となっ
てくるという欠点があった。
？−Ｏ発明は、・前述し九従来の発光ダイオードアレイ
電極パターンの長所を維持しつつ、その前述した欠点を
除去することを目的とし、発光〆イオードアレイに対し
て直角方向の電流密ｆを均一化するために、プレイ方向
に対して直角方向に凸形で、接合領域の７レイ方向と平
行な辺の長さよりも小さい幅の電極を形成したものであ
る。
電極パターンの長所を維持しつつ、その前述した欠点を
除去することを目的とし、発光〆イオードアレイに対し
て直角方向の電流密ｆを均一化するために、プレイ方向
に対して直角方向に凸形で、接合領域の７レイ方向と平
行な辺の長さよりも小さい幅の電極を形成したものであ
る。
以下、この発明の実施例につき図面を参照して説明する
。
。
第３図はこの発明の第１実施例を示す。第３図において
、１けｐＨ電極、２は発光領域、３けコンタクト伊を示
す。第１実施例では、ｐ側電極１による被覆は、従来の
ものとは＃！同梯（プレイ方向に対して凸形の形状をも
ち、発光ダイオードプレイの接合領域のアレイに対して
直角方向の幅よりも十分に長く、アレイの他側にまで達
してぃゐ。
、１けｐＨ電極、２は発光領域、３けコンタクト伊を示
す。第１実施例では、ｐ側電極１による被覆は、従来の
ものとは＃！同梯（プレイ方向に対して凸形の形状をも
ち、発光ダイオードプレイの接合領域のアレイに対して
直角方向の幅よりも十分に長く、アレイの他側にまで達
してぃゐ。
前述のように構成した第１実施例の発光ダイオードアレ
イは、凸形のｐ側電極ｌの電気抵抗が発光ダイオードの
ｐ型切域の電気抵抗と比べてきわめて小さく、コンタク
ト部３がほぼ全域にわたって等電位と考えてよい。従っ
て、発光領域の全面にわたって、発光ダイオードアレイ
に直角方向の電流分布に対する条件が等しく、この方向
に対し°Ｃ電流密密度均一であり、発光密度も均一とな
る。
イは、凸形のｐ側電極ｌの電気抵抗が発光ダイオードの
ｐ型切域の電気抵抗と比べてきわめて小さく、コンタク
ト部３がほぼ全域にわたって等電位と考えてよい。従っ
て、発光領域の全面にわたって、発光ダイオードアレイ
に直角方向の電流分布に対する条件が等しく、この方向
に対し°Ｃ電流密密度均一であり、発光密度も均一とな
る。
また、オーム性電極がアレイの他側まで達しているので
、電極形成の際にアレイに対して直角方向に多少のずれ
が生じても、電極被覆率が変化せず、このた１６％発光
ダイオードプレイの発光出方の不均一を低減させること
ができる。そして、発光領域の幅は、通常アレイ方向の
方が短いため、この方向の電流密度の不均一性は小さく
、通常は問題がない。
、電極形成の際にアレイに対して直角方向に多少のずれ
が生じても、電極被覆率が変化せず、このた１６％発光
ダイオードプレイの発光出方の不均一を低減させること
ができる。そして、発光領域の幅は、通常アレイ方向の
方が短いため、この方向の電流密度の不均一性は小さく
、通常は問題がない。
なお、この発明において、アレイに対して直角方向の電
流密度分布を改善するためには、必ずしも第１実施例の
ように凸形の電極が７レイの他側まで違している必要は
なく、接合領域幅の３まで達していれば十分である。
流密度分布を改善するためには、必ずしも第１実施例の
ように凸形の電極が７レイの他側まで違している必要は
なく、接合領域幅の３まで達していれば十分である。
第４図はこの発明の第、２夾施例を示し、第４図におい
て、ｌは凸形のｐ側電極、２祉発光領域、３はコンタク
ト部であや。そして、前述した第１夾施例では発光領域
２が凸形のＰ側電極ＩＫよって２分され丁しまうために
、印字された一点は２個の小さな点から構成されること
になるが、これを避ける丸めに、第２実施例で畔発光領
域２のアレイ方向の端部に凸形のｐ側電極を構成し九も
のである。
て、ｌは凸形のｐ側電極、２祉発光領域、３はコンタク
ト部であや。そして、前述した第１夾施例では発光領域
２が凸形のＰ側電極ＩＫよって２分され丁しまうために
、印字された一点は２個の小さな点から構成されること
になるが、これを避ける丸めに、第２実施例で畔発光領
域２のアレイ方向の端部に凸形のｐ側電極を構成し九も
のである。
第５図はこの発明の第３実施例を示し、第′５卸におい
て、１は１個の発光ダイオードに２本形成された凸形の
電極、２は発光領域、３はコンタクト部である。そして
、前述した第１．第２実施例では、アレイ方向の直向発
光輝度分布の均一性についてはあまシ考慮されておらず
、通常はアレイ方向の発光領域幅が小さいので、前記発
光輝度分布の不均一性はあｔｂ問題とならないが、よシ
高度の印字品質を得ようセする場合に、前記発光輝度分
布の不均一性を改善するために１．第３実施例では２本
の凸形の電極１を形成したもやである。
て、１は１個の発光ダイオードに２本形成された凸形の
電極、２は発光領域、３はコンタクト部である。そして
、前述した第１．第２実施例では、アレイ方向の直向発
光輝度分布の均一性についてはあまシ考慮されておらず
、通常はアレイ方向の発光領域幅が小さいので、前記発
光輝度分布の不均一性はあｔｂ問題とならないが、よシ
高度の印字品質を得ようセする場合に、前記発光輝度分
布の不均一性を改善するために１．第３実施例では２本
の凸形の電極１を形成したもやである。
なお、第２．第３実施例の前述した以外の構成。
作用は、第１実施声のものと同様であるから、説明を省
略する。
略する。
以上説明したように、この発明による発光〆イオードア
レイは、発光領域の電流密度、発光輝度の均一性を向上
させ得るという効果があハ高速。
レイは、発光領域の電流密度、発光輝度の均一性を向上
させ得るという効果があハ高速。
高印字品質、高分解能の発光ダイオードプリンタ用の光
源として好適なものである。、 ４、図面の簡単な説明 −８第１１！ｌは従
来の発光ダイオードプレイの平面図、第２図は第１図の
ト１線に沿う断面図、第２図（４）は従来の発光ダイオ
ードアレイのｐ −ｎ接合部を流れる電流密度分布図、
第３図はこの発明の第１実施例による発光ダイオードプ
レイの平面図、第４図および第５図はこの発明の第２実
施例および第３実施例による発光ダイオードプレイをそ
れぞれ示す平面図である。
源として好適なものである。、 ４、図面の簡単な説明 −８第１１！ｌは従
来の発光ダイオードプレイの平面図、第２図は第１図の
ト１線に沿う断面図、第２図（４）は従来の発光ダイオ
ードアレイのｐ −ｎ接合部を流れる電流密度分布図、
第３図はこの発明の第１実施例による発光ダイオードプ
レイの平面図、第４図および第５図はこの発明の第２実
施例および第３実施例による発光ダイオードプレイをそ
れぞれ示す平面図である。
１・・・ｐ側電極、２・・・発光領域、３・・・コンタ
クト部。
クト部。
才１図
第１頁の続き
０発 明 者 星野坦之
横須賀布拭１丁目２３５６＠地日本
０出 願 人 日本電信電話公社
東京都千代田区内幸町１丁目１
番６号
Claims (1)
- アレイ方向に対して直角方向に凸形で、コンタクト部の
幅がプレイ方向の接合領域幅よシも小さく、さらに長さ
がアレイ方向と直角方向の接合領域幅の少なくとも占以
上あるぞ一ム性電極を備え九ことを特徴とする発光ダイ
オードプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164252A JPS5866370A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56164252A JPS5866370A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866370A true JPS5866370A (ja) | 1983-04-20 |
Family
ID=15789563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56164252A Pending JPS5866370A (ja) | 1981-10-16 | 1981-10-16 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866370A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608049U (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-21 | 株式会社リコー | Ｌｅｄアレイ光源 |
| JPS6083384A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Ricoh Co Ltd | Ｌｅｄアレイ光源 |
| JPS6190260U (ja) * | 1984-11-17 | 1986-06-12 | ||
| JPS61147582A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ドアセンブリ |
| JPS62267169A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-19 | Hitachi Ltd | 発光ダイオ−ドアレイ |
| JPS6482574A (en) * | 1987-08-18 | 1989-03-28 | Telefunken Electronic Gmbh | Optoelectronics device |
| JPH01165665U (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-20 | ||
| US4984035A (en) * | 1984-11-26 | 1991-01-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Monolithic light emitting diode array |
| US5821567A (en) * | 1995-12-13 | 1998-10-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array |
| JP2002337686A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | East Japan Railway Co | 有絶縁軌道回路用地上受信装置及び列車制御装置 |
| US7005682B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element |
-
1981
- 1981-10-16 JP JP56164252A patent/JPS5866370A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0318193Y2 (ja) * | 1983-06-27 | 1991-04-17 | ||
| JPS608049U (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-21 | 株式会社リコー | Ｌｅｄアレイ光源 |
| JPS6083384A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Ricoh Co Ltd | Ｌｅｄアレイ光源 |
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| US5821567A (en) * | 1995-12-13 | 1998-10-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array |
| US6136627A (en) * | 1995-12-13 | 2000-10-24 | Oki Data Corporation | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array and fabrication method thereof |
| JP2002337686A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | East Japan Railway Co | 有絶縁軌道回路用地上受信装置及び列車制御装置 |
| US7005682B2 (en) | 2003-02-12 | 2006-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting element |
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