JPH0318193Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0318193Y2 JPH0318193Y2 JP1983099151U JP9915183U JPH0318193Y2 JP H0318193 Y2 JPH0318193 Y2 JP H0318193Y2 JP 1983099151 U JP1983099151 U JP 1983099151U JP 9915183 U JP9915183 U JP 9915183U JP H0318193 Y2 JPH0318193 Y2 JP H0318193Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning direction
- electrodes
- type
- type region
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
技術分野
この考案は、電子写真方式を用いたノンインパ
クトプリンタにおける光書込みヘツド用のLED
アレイ光源に関する。
クトプリンタにおける光書込みヘツド用のLED
アレイ光源に関する。
従来技術
まず、第1図はLEDアレイを光源とするプリ
ンタの概要を示すもので、感光体ドラム1表面を
帯電チヤージヤ2により一様帯電した後、LED
アレイと結像素子を組込んだ光書込みヘツド3に
おける各LED素子のON・OFFによる光スイツチ
ングで感光体ドラム1上に静電潜像を形成する。
その後、現像ユニツト4により潜像を顕像化し、
給紙ローラ5によつて給紙された転写紙6上に転
写チヤージヤ7により転写する。転写後、転写紙
6は搬送ベルト8により定着ユニツト9に送られ
て定着され、排紙ローラ10により排紙される。
一方、感光体ドラム1はクリーニングユニツト1
1により表面がクリーニングされ次の作像に備え
る。
ンタの概要を示すもので、感光体ドラム1表面を
帯電チヤージヤ2により一様帯電した後、LED
アレイと結像素子を組込んだ光書込みヘツド3に
おける各LED素子のON・OFFによる光スイツチ
ングで感光体ドラム1上に静電潜像を形成する。
その後、現像ユニツト4により潜像を顕像化し、
給紙ローラ5によつて給紙された転写紙6上に転
写チヤージヤ7により転写する。転写後、転写紙
6は搬送ベルト8により定着ユニツト9に送られ
て定着され、排紙ローラ10により排紙される。
一方、感光体ドラム1はクリーニングユニツト1
1により表面がクリーニングされ次の作像に備え
る。
ここで、光書込みヘツド3は第2図および第3
図に示すように、LEDアレイ12と結像素子、
例えばセルフオツクレンズ13とからなり、
LEDアレイ12は放熱板14上にセラミツク基
板15を貼付け、このセラミツク基板15の中央
にLEDアレイチツプを並べて発光部16とする
方式が一般的である。LEDの構造は第4図に示
すようにN型間接遷移形結晶17の表層にP型領
域18を設け、このP型領域18に対する通電用
の電極19を設けてなる。20は絶縁膜、21は
N型用の電極である。そして、P型領域18は平
面的にみると第5図に示すように、所定間隔で一
列に配列されており、各々のP型領域18に対す
る電極19は列の両側に交互に配置されている。
電極19を交互に配置するのは、P型領域18の
ピツチが書込み密度によつて決まりたとえば10
本/mmで100μmピツチと非常に間隔が狭いため
である。
図に示すように、LEDアレイ12と結像素子、
例えばセルフオツクレンズ13とからなり、
LEDアレイ12は放熱板14上にセラミツク基
板15を貼付け、このセラミツク基板15の中央
にLEDアレイチツプを並べて発光部16とする
方式が一般的である。LEDの構造は第4図に示
すようにN型間接遷移形結晶17の表層にP型領
域18を設け、このP型領域18に対する通電用
の電極19を設けてなる。20は絶縁膜、21は
N型用の電極である。そして、P型領域18は平
面的にみると第5図に示すように、所定間隔で一
列に配列されており、各々のP型領域18に対す
る電極19は列の両側に交互に配置されている。
電極19を交互に配置するのは、P型領域18の
ピツチが書込み密度によつて決まりたとえば10
本/mmで100μmピツチと非常に間隔が狭いため
である。
このようなパターンを持つたLEDアレイを発
光させると、その発光状態は均一でなく、第6図
に示すように電極19側に輝度のピークがずれた
分布となつてしまう。すなわち、第6図は第5図
のアレイ方向に対して直角方向の輝度分布を示し
ている。また、第4図において電極19から電極
21へ流れる電流は均一でなく、どうしても電極
19の近くに片寄つてしまう。そのため、電極1
9側に輝度のピークがずれてしまう。これによ
り、結像面において副走査方向に光のにじみが生
じ、画像の解像度が低下してしまう。
光させると、その発光状態は均一でなく、第6図
に示すように電極19側に輝度のピークがずれた
分布となつてしまう。すなわち、第6図は第5図
のアレイ方向に対して直角方向の輝度分布を示し
ている。また、第4図において電極19から電極
21へ流れる電流は均一でなく、どうしても電極
19の近くに片寄つてしまう。そのため、電極1
9側に輝度のピークがずれてしまう。これによ
り、結像面において副走査方向に光のにじみが生
じ、画像の解像度が低下してしまう。
これを防止するためには、第7図ないし第9図
に示すようにP型領域18の周りにコンタクトホ
ール22を形成して電極19を設けることが考え
られる。しかし、この方式の場合、電極幅をWE
とすると、発光ピツチPに対し主走査方向の発光
幅PEが、PE<P−2WEの関係により狭くなり、主
走査方向の発光分布が不均一となつてしまう。
に示すようにP型領域18の周りにコンタクトホ
ール22を形成して電極19を設けることが考え
られる。しかし、この方式の場合、電極幅をWE
とすると、発光ピツチPに対し主走査方向の発光
幅PEが、PE<P−2WEの関係により狭くなり、主
走査方向の発光分布が不均一となつてしまう。
このようなことから、第10図ないし第12図
に示すようなものが考えられる。すなわち、P型
領域18の副走査方向両側にのみコンタクトホー
ル22を形成して電極19a,19bを設け、両
電極19a,19b間をP型領域18の片側にて
導電部19cで接続し通電がなされるようにした
ものである。ここで、電極19aは第5図におけ
る電極19に相当し、列の両側に交互に配列され
ており、電極19bは補助的なものであり小面積
とされている。また、導電部19cの下にはコン
タクトホール22が形成されていない。
に示すようなものが考えられる。すなわち、P型
領域18の副走査方向両側にのみコンタクトホー
ル22を形成して電極19a,19bを設け、両
電極19a,19b間をP型領域18の片側にて
導電部19cで接続し通電がなされるようにした
ものである。ここで、電極19aは第5図におけ
る電極19に相当し、列の両側に交互に配列され
ており、電極19bは補助的なものであり小面積
とされている。また、導電部19cの下にはコン
タクトホール22が形成されていない。
このような構成によれば、P型領域18の発光
分布が電極19a側に片寄つてしまうことはな
く、副走査方向の発光分布が均一化される。この
際、発光ピツチPに対し主走査方向の発光幅PE
が、PE<P−WEの関係により狭くなることはな
く、主走査方向の発光分布の不均一を防止でき
る。また、P型領域18の両側に電極19a,1
9bを設けることにより、漏れ光の遮光ともな
る。
分布が電極19a側に片寄つてしまうことはな
く、副走査方向の発光分布が均一化される。この
際、発光ピツチPに対し主走査方向の発光幅PE
が、PE<P−WEの関係により狭くなることはな
く、主走査方向の発光分布の不均一を防止でき
る。また、P型領域18の両側に電極19a,1
9bを設けることにより、漏れ光の遮光ともな
る。
しかしながら、この形状のものにおいても、電
極19cがP型領域18の上にあり、主走査方向
の発光分布の均一化をある程度は達成しているも
のではあるが、充分ではない。
極19cがP型領域18の上にあり、主走査方向
の発光分布の均一化をある程度は達成しているも
のではあるが、充分ではない。
目 的
この考案は、このような点に鑑みなされたもの
で、主走査方向、副走査方向いずれの発光分布を
より一層均一化することができるLEDアレイ光
源を得ることを目的とする。
で、主走査方向、副走査方向いずれの発光分布を
より一層均一化することができるLEDアレイ光
源を得ることを目的とする。
構 成
この考案の一実施例を第13図に基づいて説明
する。第10図乃至第12図について説明したも
のと同一部分については説明を省略する。本実施
例においては、導電部19cに代えて導電部材と
してのボンデングワイヤ23により両電極19
a,19bを接続したものである。そして、これ
らのボンデングワイヤ23は、P型領域18の領
域外に位置している。
する。第10図乃至第12図について説明したも
のと同一部分については説明を省略する。本実施
例においては、導電部19cに代えて導電部材と
してのボンデングワイヤ23により両電極19
a,19bを接続したものである。そして、これ
らのボンデングワイヤ23は、P型領域18の領
域外に位置している。
このような構成により、主走査方向の発光幅
PEがより広くなり、その主走査方向の発光分布
をより一層均一化することができるものである。
PEがより広くなり、その主走査方向の発光分布
をより一層均一化することができるものである。
効 果
この考案は上述のように、各々のP型領域の副
走査方向の両側にのみコンタクトホールを形成し
て前記電極を接続し、これらの両側の電極を前記
P型領域の領域外で導通接続する導電部材を設け
たので、主走査方向、副走査方向いずれの方向の
発光分布をも均一化することができ、画像品質を
向上させることができるものである。
走査方向の両側にのみコンタクトホールを形成し
て前記電極を接続し、これらの両側の電極を前記
P型領域の領域外で導通接続する導電部材を設け
たので、主走査方向、副走査方向いずれの方向の
発光分布をも均一化することができ、画像品質を
向上させることができるものである。
第1図はプリンタの概略側面図、第2図はその
光書込みヘツドの正面図、第3図は側面図、第4
図はLED構造を示す断面図、第5図は従来例を
示す平面図、第6図は輝度分布特性図、第7図は
平面図、第8図は副走査方向の断面図、第9図は
主走査方向の断面図、第10図は他の例を示す平
面図、第11図は副走査方向の断面図、第12図
は主走査方向の断面図、第13図はこの考案の一
実施例を示す平面図である。 18……P型領域、19a〜19b……電極、
22……コンタクトホール。
光書込みヘツドの正面図、第3図は側面図、第4
図はLED構造を示す断面図、第5図は従来例を
示す平面図、第6図は輝度分布特性図、第7図は
平面図、第8図は副走査方向の断面図、第9図は
主走査方向の断面図、第10図は他の例を示す平
面図、第11図は副走査方向の断面図、第12図
は主走査方向の断面図、第13図はこの考案の一
実施例を示す平面図である。 18……P型領域、19a〜19b……電極、
22……コンタクトホール。
Claims (1)
- N型間接遷移形結晶にP型領域を一列に配列
し、これらのP型領域の副走査方向からスイツチ
ングの信号を伝達する電極を設けたLEDアレイ
光源において、各々のP型領域の副走査方向の両
側にのみコンタクトホールを形成して前記電極を
接続し、これらの両側の電極を前記P型領域の領
域外で導通接続する導電部材を設けたことを特徴
とするLEDアレイ光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1983099151U JPS608049U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | Ledアレイ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1983099151U JPS608049U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | Ledアレイ光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS608049U JPS608049U (ja) | 1985-01-21 |
JPH0318193Y2 true JPH0318193Y2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=30235097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1983099151U Granted JPS608049U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | Ledアレイ光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608049U (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0777809B2 (ja) * | 1986-05-16 | 1995-08-23 | 株式会社日立製作所 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5169991A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-17 | Hitachi Ltd | |
JPS57169280A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-18 | Nec Corp | Compound semiconductor device |
JPS5866370A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレイ |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP1983099151U patent/JPS608049U/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5169991A (ja) * | 1974-12-16 | 1976-06-17 | Hitachi Ltd | |
JPS57169280A (en) * | 1981-04-10 | 1982-10-18 | Nec Corp | Compound semiconductor device |
JPS5866370A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS608049U (ja) | 1985-01-21 |
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