KR920013756A - 화합물반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents
화합물반도체소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920013756A KR920013756A KR1019900020357A KR900020357A KR920013756A KR 920013756 A KR920013756 A KR 920013756A KR 1019900020357 A KR1019900020357 A KR 1019900020357A KR 900020357 A KR900020357 A KR 900020357A KR 920013756 A KR920013756 A KR 920013756A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- compound semiconductor
- semiconductor
- region
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 59
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 이 발명에 따른 화합물반도체소자의 수직단면도,제4(A)~(D)도는 이 발명에 따른 화합물반도체소자의 제조공정도이다
Claims (12)
- 이종접합 바이폴라트랜지스터와 델타도프드 전계효과트랜지스터를 구비한 화합물반도체소자에 있어서, 반절연성 화합물반도체 기판상의 일측에 형성되어 부콜렉터영역이 되는 제1도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층의 소정부분에 형성되며 콜렉터영역이 되는 제1도전형의 제2반도체층과, 상기 제2반도체층의 상부에 형성되며 베이스영역이 되는 제2도전형의 제3반도체층과, 상기 제3반도체층의 상부에 형성되며 에미터영역이 되는 제1도전형의 제4반도체층과, 상기 제4반도체층의 상부에 형성되며 캡층이 되는 제1도전형의 제5반도체층과, 상기 제5반도체층 상부의 소정부분에 형성된 T자형의 에미터전극과, 상기 에미터전극을 이온주입마스크로 이용하여 상기 제2반도체층과 소정두께가 겹치도록 형성된 제2도전형의 이온주입영역과, 상기 이온주입영역의 상부에 형성된 베이스전극과, 상기 노출된 제1반도체층상의 일측에 상기 반절연성 화합물반도체 기판과 겹치도록 형성된 소자분리영역과, 상기 노출된 제C반도체층상의 타측에 형성된 콜렉터전극으로 이루어진 이종접합 바이폴라트랜지스터와; 상기 반절연성 화합물반도체 기판상의 타측에 형성되며 버피층이 되는 제3도전형의 제6반도체층과, 상기 제6반도체층상에 형성되어 2차원전자를 발생하는 정전우물이 되는 스페이서층으로 이용되는 제3도전형의 제7반도체층과, 상기 제8반도체층상의 양측에 각각 형성되어 캡층으로 이용되는 제1도전형의 제9반도체층과,상기 제 8반도체층의 노출된 부분상에 형성된 게이트전극과, 상기 제9반도체 층상에 각각 형성된 소오스 및 드레인전극과, 상기 소오스 및 드레인전극의 하부에 상기 제6반도체층과 겹치는 제1도전형의 이온주입영역으로 이루어진 델타도프드전계효과 트랜지스터와; 상기 이종접합 바이콜라트랜지스터와 델타도프드 전계효과트랜지스터 사이를 전기적으로 분리하는 흠과; 로 이루어짐을 특징으로 하는 화합물반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 반절연성화합물반도체 기판은 GaAs임을 특징으로 하는 화합물반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 N형이고, 제2도전형은 P형이며, 제3도전형은 I형 임을 특징으로 하는 화합물반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 제3, 제5, 제6, 제8 및 제9 반도체층은 GaAs층이고, 제2 및 제4 반도체층은 AlGaAs층이며, 제7반도체층은 Si층임을 특징으로 하는 화합물반도체소자.
- 제4항에 있어서, 상기 GaAs층은 불순물의 농도가 높고, AlGaAs층은 불순물의 농도가 낮음을 특징으로 하는 화합물반도체소자.
- 제4항에 있어서, 상기 Si층은 단원자층임을 특징으로 하는 화합물반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 소자분리영역은 B또는 H의 이온을 주입영역임을 특징으로 하는 화합물반도체소자.
- 이종접합 바이폴라트랜지스터와 델타도프드 전계효과트랜지스터를 구비한 화합물반도체소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물반도체기판의 전표면에 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 반도체층을 순차적으로 형성한 후 메사에칭하여 소정부분을 제외한 나머지 부분의 제1반도체층을 노출하는 공정과, 상기 노출된 제1반도체층의 일측의 1반절연성 화합물반도체 기판을 노출시켜 이종접합 바이폴라트랜지스터의 영역을 한정하는 공정과, 상기 노출된 반절연성 화합물반도체 기판상에 델타도프드 전계효과트랜지스터의 영역에 제6, 제7, 제8및 제9 반도체층을 형성하는 공정과, 상기 제5반도체층의 표면상에 T자형의 에미터전극을 형성하는 공정과, 상기 에미터전극을 이온주입마스크로 하여 상기 제2반도체층의 일부분과 겹치도록 제2 도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과, 상기 제9반도체층의 소정부분에 상기 제6반도체층과 겹치도록 제1도전형의 이온주입영역을 형성하는 공정과, 상기 델타도프드 전계효과트랜지스터의 반대측에 노출된 제1반도체층에 상기 반절연성 화합물반도체 기판의 일부분과 겹치도록 소자분리영역을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형의 이온주입영역상에 베이스전극을 형성하는 공정과, 상기 제1반도체층의 노출된 부분과 제1도전형의 이온주입영역상에 이종법합 바이폴라트랜지스터의 콜렉터전극과 델타도프드 전계효과트랜지스터의 소오스 및 드레이 전극을 각각 형성하는 공정과, 상기 소오스 및 드레인 전극사이의 제9반도체층을 제거하여 노출된 제8반도체층상에 게이트전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 화합물반도체소자의 제조방법.
- 내용없음.
- 제9항에 있어서, 상기 제7반도체층을 Si단원자층으로 형성함을 특징으로 하는 화합물 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에미터전극은 반음이온에칭방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소자분리영역은 B또는 H의 이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020357A KR930007759B1 (ko) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900020357A KR930007759B1 (ko) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013756A true KR920013756A (ko) | 1992-07-29 |
| KR930007759B1 KR930007759B1 (ko) | 1993-08-18 |
Family
ID=19307358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900020357A KR930007759B1 (ko) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930007759B1 (ko) |
-
1990
- 1990-12-12 KR KR1019900020357A patent/KR930007759B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930007759B1 (ko) | 1993-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920020598A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR930005257A (ko) | 박막 전계효과 소자 및 그의 제조방법 | |
| KR870000763A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR890004441A (ko) | 화합물 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR920017279A (ko) | Mos형 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR980006542A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR910007133A (ko) | 고 성능 BiCMOS 회로를 제조하는 방법 | |
| KR950034822A (ko) | 고전압 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR880006789A (ko) | 고신뢰성 반도체 장치와 그 제조 방법 | |
| KR870006679A (ko) | 전기효과 트랜지스터 | |
| KR880005690A (ko) | 선택적인 에피켁샬층을 사용한 BiCMOS 제조방법 | |
| KR920013756A (ko) | 화합물반도체소자 및 그 제조방법 | |
| KR930022551A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPH02109360A (ja) | 半導体装置 | |
| KR920015453A (ko) | 스위칭 반도체장치의 제조방법 | |
| KR920013797A (ko) | 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR0152897B1 (ko) | 바이폴라소자 및 그 제조방법 | |
| KR890013792A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JPS62126678A (ja) | 接合型電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| JPH01302771A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS63124471A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH04154130A (ja) | 半導体装置 | |
| KR920013795A (ko) | 화합물 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| KR930020706A (ko) | 고전자이동도 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR930011305A (ko) | 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20020708 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |