KR870006679A - 전기효과 트랜지스터 - Google Patents

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KR870006679A
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스미도모 덴기 고오교오 가부시기 가이샤
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    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material

Abstract

내용 없음.

Description

전기효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예인 전계효과트랜지스터 구성을 도시한 단면도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예인 2층의 광금지띠폭층(廣禁制帶巾層)을 구비한 전계효과트랜지스터의 구성을 도시한 단면도.
제6도는 본 발명의 또다른 실시예인 2층의 광금지띠폭층을 구비한 전계효과트랜지스터의 구성을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 반절연성인인듐·인기판 22 : 인듐·인층
23 : 갈륨·인듐·비소혼정반도체층
24 : 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층 5 : 게이트전극
6 : 소오스전극 7 : 드레인전극
8 : 2차원전자층 25 25′ : 이온주입층
32 : 알루미늄·인듐·비소혼정반도체. (제2)
34 : 인듐·인층
40 : 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(제3)

Claims (17)

  1. 반도 헤테로 접합을 이용한 전계효과트랜지스터에 있어서, 반절연성인듐·인기판(21)과 상기 반절연성인듐·인기판(21)에 형성되고, 그 내부에 전류경로가 형성되는 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23)과, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층 (23)상에 광금지퍼폭층으로서 형성되는 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(24)과, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23)의 하층에 형성되는 인듐·인층(22)과, 상기 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(24)표면의 소정영역에 형성되는 게이트전극(5)과 상기 게이트전극(5)의 양쪽에 대향해서 형성되는 소오스전극(6) 및 드레인 전극(7)과, 적어도 상기 게이트전극(5)과 상기 소오스전극(6)과의 사이 및 상기 게이트전극(5)과 드레인전극(7)과의 사이의 영역에 불순물 이온을 주입하여 형성되는 이온주입층(25)을 구비한, 전계효과 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광금지띠폭층은 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(24)의 단일층으로 구성되는 전계효과트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이온주입층(25)은, 적어도 상기 인듐·인층(22)에 도달하는 깊이까지 형성되는 전계효과트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 인듐·인층(22)의 층두께는 약 1μm인 전계효과트랜지스터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 인듐·인층(22)은, 불순물첨가량 1015／cm3이하의 n형층으로서 형성되는 전계효과트랜지스터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 인듐·인층(22)은, 불순물첨가량 1016／cm3의 P형층으로서 형성되는 전계효과트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄 인듐 비소혼정반도체층(24)은, 층두께 400Å, 불순물첨가량 1018／cm3의 오오더의 n형층으로서 층성되는, 전계효과트랜지스터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 이온주입층(25)은 가속전압 100KeV 이상, 불순물주입량 1014／cm3이상의 조건으로 n형 불순물이 주입된 n형층인, 전계효과트랜지스터.
  9. 반도체헤테로접합을 이용한 전계효과트랜지스터에 있어서, 반절연성인듐·인기판(21)과, 상기 반절연성인듐·인기판(21)상에 완충층으로서 형성되는 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(32)과, 상기 알루미늄·비소혼정반도체층(32)상에 형성되고, 그 내부에 전류경로가 형성되는 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23)과, 상기 칼륨·인듐·비소혼정반도체층(23)의 상층에 형성되고, 적어도 2층으로 이루어지는 광금지띠폭층(39)과, 상기 광금지띠폭층(39)표면의 소정영역에 형성된 게이트전극(5)과 상기 게이트전극(5)의 양쪽에 대향해서 형성되는 소오스전극(6) 및 드레인전극(7)과, 적어도 상기 게이트전극(5)과 상기 소오스전극(6)과의 사이 및 상기 게이트(5)과 드레인전극(7)과의 사이의 영역에 불순물이온을 주입하여 형성되는 이온주입층(25′)을 구비한 전계효과트랜지스터.
  10. 제9항에 있어서, 상기 광금지띠폭층(39)은, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23) 표면상에 형성되는 인듐·인층(34)과, 상기 인듐·인층(34)표면상에 형성되는 제1의 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(24)으로 구성되는 전계효과트랜지스터.
  11. 제9항에 있어서, 상기 반절연성기판(21)과, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23)과의 사이에, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23)에 당접해서 제2의 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(32)이 형성되는 전계효솨트랜지스터.
  12. 제9항에 있어서, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23)과 상기 인듐·인층(34)과의 사이에 상기 양층(23)(34)에 당접해서 제3의 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(40)이 형성되는 전계효과트랜지스터.
  13. 제9항에 있어서, 상기 이온주입층(25′)은, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23) 내부에 도달하는 깊이까지 형성되는 전계효과트랜지스터.
  14. 제10항에 있어서, 적어도 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23), 상기 인듐·인층(34) 및 상기 제1의 알루미늄·인듐·비소혼정반도체층(24)은 모두 불순물 무첨가로 형성되는 전계효과트랜지스터.
  15. 제10항에 있어서, 상기 인듐·인층(34)은, n형 불순물첨가량이 1018／cm3의 오오더의 조건으로 형성되는 전계효과트랜지스터.
  16. 제15항에 있어서, 상기 인듐·인층(34)은, 상기 갈륨·인듐·비소혼정반도체층(23)에 접촉하는 표면으로부터 약 10nm의 범위의 영역이 불순물 무첨가의 조건으로 형성되는 전계효과트랜지스터.
  17. 제13항에 있어서, 상기 이온주주입층(25′)은 가속전압 100KeV 이상, 불순물주입량 1014cm-2이상의 조건으로 n형 불순물이온이 주입된 n형층인, 전계효과트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860010809A 1985-12-19 1986-12-17 전계효과트랜지스터 KR900000073B1 (ko)

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