KR970017963A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR970017963A
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류지 오바
도모히사 미즈노
마코토 요시미
가즈야 오우치
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니시무로 타이조
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명의 MISFET를 갖는 반도체 장치는, 표면상에 반도체 영역을 갖는 실리콘 기판(2)과; 상기 반도체영역 내에서 분리되어 형성되는 소스 영역(10a) 및 드레인 영역(10b); 상기 반도체 영역 내에서 그리고 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에서 형성되는 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 전극(6) 및; 상기 소스 영역 내에서 겹치지고 또한 그 내부의 에너지 갭을 상기 채널 영역에서의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소농도를 갖는 Si1-xCx로 형성된 영역(8a)을 포함한다. 상기 Si1-xCx로 형성된 영역과 상기 채널 영역의 측면상의 상기 반도체 영역의 또 다른 부분 사이에 형성되는 면은 상기 반도체 장치가 미세화되더라도 고속도 동작을 실현하기 위해 상기 소스 영역(10a)과 상기 채널 영역 사이의 접촉면, 또는 이들 영역의 부근에서 존재한다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제1특징의 제1실시예를 도시한 단면도,
제1b도는 제1a도에 도시된 것과 동일한 반도체 장치의 기판 표면 부근에서의 에너지 밴드를 도시한 다이아그램.

Claims (20)

  1. 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 장치는 표면 상에 반도체영역을 갖는 실리콘 기판과; 상기 반도체 영역 내에서 분리되어 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 반도체 영역 내에서 그리고 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에서 형성되는 체널 영역; 상기 채널 영역상에 형성되는 게이트 전극 및; 상기 소스 영역 내에서 겹쳐지고 또한 그 내부의 에너지 갭을 상기 채널 영역에서의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 Si1-xCx로 형성된 영역을 포함하고, 상기 금속절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역과 상기 채널 영역의 측면상의 상기 반도체영역의 또 다른 부분 사이에 형성되는 헤테로 접합면이 상기 소스 영역과 상기 채널 영역 사이의 접촉면, 또는 이들 영역의 부근에서 존재하는 방식으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 헤테로 접합면은 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터의 상기 소스 영역과 상기 채널 영역 사이의 pn 접합면과 일치하거나 또는 상기 채널 영역 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 헤테로 접합면 내의 캐리어의 에너지 갭은 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터가 n형일 때는 상기 반도체 영역을 구성하는 물질의 k-공간 내의 전도대 에너지의 제1최저최소점과 제2최저최소점 사이의 에너지 차의 절대값보다 작지만, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터가 p형일때는 가전자대 에너지의 제1최고최대점과 제2최고최대점 사이의 에너지 차의 절대값보다 작은 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 헤테로 접합면 내의 캐리어의 에너지 갭은 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터가 n형일 때는 상기 반도체 영역을 구성하는 물질의 k-공간 내의 전도대 에너지의 제1최저최소점과 제2최저최소점 사이의 에너지 차의 절대값보다 작지만, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터가 p형일 때는 가전자대 에너지의 제1최고최대점과 제2최고최대점 사이의 에너지 차의 절대값보다 작은 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 벌크 구조이고, 내부의 에너지 갭을 상기 채널 영역에서의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 Si1-xCx로 형성되는 또 다른 영역이 또한 상기 드레인 영역에 겹쳐서 형성되고, 상기 드레인 영역에 겹쳐서 Si1-xCx로 형성되는 또 다른 영역과 상기 반도체 영역의 상기 또 다른 부분 사이의 헤테로 접합면이 상기 드레인 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  6. 내용 없음.
  7. 제3항에 있어서, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 벌크 구조이고, 내부의 에너지 갭을 상기 채널 영역에서의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 Si1-xCx로 형성되는 또 다른 영역이 또한 상기 드레인 영역에 겹쳐져서 형성되고, 상기 드레인 영역에서 겹쳐져서 Si1-xCx로 형성되는 또 다른 영역과 상기 반도체 영역의 상기 또 다른 부분 사이의 헤테로 접합면이 상기 드레인 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 벌크 구조이고, 내부의 에너지 갭을 상기 채널 영역에서의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 Si1-xCx로 형성되는 또 다른 영역이 또한 상기 드레인 영역에 겹쳐져서 형성되고, 상기 드레인 영역에 겹쳐져서 Si1-xCx로 형성되는 또 다른 영역과 상기 반도체 영역의 상기 또 다른 부분 사이의 헤테로 접합면이 상기 드레인 영역 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  9. 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 장치는 표면상에 p형 반도체 영역 및 n형 반도체 영역을 갖는 실리콘 기판과; 상기 p형 반도체 영역 내에 형성되는 n채널 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터 및, 상기 n형 반도체 영역 내에 형성되는 p채널 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 포함하고, 상기 n채널 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 상기 p형 반도체 영역 내에서 분리되어 형성되는 n형 소스 영역 및 n형 드레인 영역과; 상기 p형 반도체 영역 내에 그리고 상기 n형 소스 영역 및 상기 n형 드레인 영역 사이에 형성되는 제1채널 영역; 상기 제1채널 영역 상에 형성되는 제1게이트 전극; 상기 n형 소스 영역 내에서 겹쳐지고 또한 그 내부의 에너지 갭을 상기 제1채널 영역 내의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 Si1-xCx로 형성되는 제1영역 및; 상기 Si1-xCx로 형성되는 제1영역과 상기 제1채널 영역이 측면상의 상기 p형 반도체 영역의 상기 또 다른 부분 사이에 형성되고, 상기 n형 소스 영역과 상기 제1채널 영역 사이의 접촉면 또는 이들 영역의 부근에서 존재하는 헤테로 접합면을 포함하고, 상기 p채널 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 상기 n형 반도체 영역 내에서 분리되어 형성되는 p형 소스 영역 및 p형 드레인 영역과, 상기 n형 반도체 영역 내에 그리고 상기 p형 소스 영역 및 상기 p형 드레인 영역 사이에 형성되는 제2채널 영역; 상기 제2채널 영역 상에 형성되는 제2게이트 전극; 상기 P형 소스영역에서 겹쳐지고 또한 그 내부의 에너지 갭을 상기 제2채널 영역 내의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 Si1-xCx로 형성되는 제2영역 및; 상기 Si1-xCx로 형성되는 제2영역과 상기 제2채널 영역의 측면상의 상기 n형 반도체 영역의 상기 또 다른 부분 사이에 형성되고, 상기 p형 소스 영역과 상기 제2채널 영역 사이의 접촉면 또는 이들 영역의 부근에서 존재하는 헤테로 접합면을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  10. 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 장치는 표면상에 형성된 절연 기판 상에 실리콘으로 형성된 반도체층을 갖는 절연물상의 실리콘(SOI)기판과; 상기 반도체층 내에 분리되어 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 반도체층 내에 그리고 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 전극 및; 상기 드레인 영역 내에서 Si1-xCx로 형성되고 또한 그 내부의 에너지 갭을 상기 채널 영역 내의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소농도를 갖는 영역을 포함하고, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역과 상기 반도체층의 상기 또 다른 부분 사이에 형성되는 헤테로 접합면이 상기 채널 영역의 상기 드레인 영역측상에 존재하는 방식으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  11. 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치에 있어서, 상기 장치는 표면상에 반도체 영역을 갖는 실리콘 기판과; 상기 반도체 영역 내에 분리되어 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 반도체 영역 내에 그리고 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 형성되는 게이트 전극, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역의 적어도 한 영역에서 겹쳐지고 또한 그 내부의 에너지 갭을 상기 채널 영역 내의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 Si1-xCx로 형성되는 영역 및; 상기 적어도 한 영역 상에 금속으로 형성되는 전극을 포함하고, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 상기 기판의 깊이 방향을 따라 상기 적어도 하나의 영역과 상기 적어도 하나의 영역 상에 형성되는 상기 전극 사이의 접촉면으로부터 시작하는 탄소 원자의 농도 분포가 상기 기판에서 최대가 되는 방식으로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 표면채널형이고, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역은 상기 적어도 하나의 영역의 표면 부근에서 형성되고, 상기 적어도 하나의 영역의 전도형태와 동일한 전도형태를 갖는 실리콘 반도체층이 상기 적어도 하나의 영역과 상기 적어도 하나의 영역 상에 형성되는 상기 전극 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 표면채널형이고, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역은 상기 채널 영역 부근보다 상기 적어도 하나의 영역의 상기 전극 아래에서 더 깊게 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터는 매립채널형이고, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역은 상기 매립된 채널에 연결되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역은 상기 소스 영역에 겹쳐져서 형성되고, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역과 상기 채널 영역의 측면상의 상기 반도체 영역의 상기 다른 부분 사이의 헤테로 접합면은 상기 소스 영역과 상기 채널 영역 사이의 접촉면 또는 이들 영역의 부근에서 존재하는 것을 특징으로 하는 금속 절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역은 상기 소스 영역에 겹쳐져서 형성되고, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역과 상기 채널 영역의 측면상의 상기 반도체 영역의 상기 다른 부분 사이의 헤테로 접합면은 상기 소스 영역과 상기 채널 영역 사이의 접촉면 또는 이들 영역의 부근에서 존재하는 것을 특징으로 하는 금속절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역은 상기 소스 영역에 겹쳐져서 형성되고, 상기 Si1-xCx로 형성되는 영역과 상기 채널 영역의 측면상의 상기 반도체 영역의 상기 다른 부분 사이의 헤테로 접합면은 상기 소스 영역과 상기 채널 영역 사이의 접촉면 또는 이들 영역의 부근에서 존재하는 것을 특징으로 하는 금속절연물 반도체 전계효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치.
  18. 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은 실리콘 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 형성된 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 탄소 이온을 주입시켜 Si1-xCx층을 형성하는 단계 및; 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 Si1-xCx층은 그 내부의 에너지 갭을 상기 게이트 전극 아래에 형성되는 채널 영역내 및 상기 실리콘 기판 내의 에너지 갭 이상으로 증가시키기에 충분한 탄소 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  20. 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은 표면상에 형성되는 절연 기판 상에 실리콘층을 갖는 절연물 상의 실리콘(SOI)기판의 실리콘층 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 형성된 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 소스 영역 및 드레인 영역을 형성하는 단계 및; 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 탄소 이온을 주입시켜 Si1-xCx층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 탄소 이온 주입은 상기 드레인 영역 상에 형성되는 상기 Si1-xCx층이 상기 실리콘층 내에 그리고 상기 게이트 전극 아래에 형성되는 상기 채널 영역까지 연장되도록 경사진 주입 각도로 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6965123B1 (en) 1997-07-29 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US6936849B1 (en) 1997-07-29 2005-08-30 Micron Technology, Inc. Silicon carbide gate transistor
US6794255B1 (en) 1997-07-29 2004-09-21 Micron Technology, Inc. Carburized silicon gate insulators for integrated circuits
US7154153B1 (en) 1997-07-29 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Memory device
US6031263A (en) 1997-07-29 2000-02-29 Micron Technology, Inc. DEAPROM and transistor with gallium nitride or gallium aluminum nitride gate
US6746893B1 (en) 1997-07-29 2004-06-08 Micron Technology, Inc. Transistor with variable electron affinity gate and methods of fabrication and use
US7196929B1 (en) * 1997-07-29 2007-03-27 Micron Technology Inc Method for operating a memory device having an amorphous silicon carbide gate insulator
US6531751B1 (en) * 1998-12-03 2003-03-11 Agere Systems Inc. Semiconductor device with increased gate insulator lifetime
US6124627A (en) * 1998-12-03 2000-09-26 Texas Instruments Incorporated Lateral MOSFET having a barrier between the source/drain region and the channel region using a heterostructure raised source/drain region
JP2002270833A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3597831B2 (ja) * 2002-07-01 2004-12-08 株式会社東芝 電界効果トランジスタ及びその製造方法
US20040102013A1 (en) * 2002-11-27 2004-05-27 Jack Hwang Codoping of source drains using carbon or fluorine ion implants to improve polysilicon depletion
US6927414B2 (en) * 2003-06-17 2005-08-09 International Business Machines Corporation High speed lateral heterojunction MISFETs realized by 2-dimensional bandgap engineering and methods thereof
FR2868207B1 (fr) * 2004-03-25 2006-09-08 Commissariat Energie Atomique Transistor a effet de champ a materiaux de source, de drain et de canal adaptes et circuit integre comportant un tel transistor
US7598134B2 (en) * 2004-07-28 2009-10-06 Micron Technology, Inc. Memory device forming methods
JP5114829B2 (ja) * 2005-05-13 2013-01-09 ソニー株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102006019835B4 (de) * 2006-04-28 2011-05-12 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Transistor mit einem Kanal mit Zugverformung, der entlang einer kristallographischen Orientierung mit erhöhter Ladungsträgerbeweglichkeit orientiert ist
WO2007130240A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Advanced Micro Devices , Inc. A transistor having a channel with tensile strain and oriented along a crystallographic orientation with increased charge carrier mobility
JP2010123866A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Sharp Corp 半導体装置及びその製造方法
US7977178B2 (en) * 2009-03-02 2011-07-12 International Business Machines Corporation Asymmetric source/drain junctions for low power silicon on insulator devices
US8101474B2 (en) * 2010-01-06 2012-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method of forming buried-channel graphene field effect device
US20110212590A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High temperature implantation method for stressor formation
CN104241375B (zh) * 2014-08-29 2017-03-22 北京大学 一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法
US9853148B2 (en) * 2016-02-02 2017-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Power MOSFETs and methods for manufacturing the same
US10685958B2 (en) * 2016-05-11 2020-06-16 Sony Corporation Composite transistor including two complementary active regions
CN214300348U (zh) * 2021-01-26 2021-09-28 苏州晶湛半导体有限公司 石墨盘

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834825B2 (ja) * 1976-09-22 1983-07-29 富士通株式会社 酸化亜鉛の製造方法
JP2546696B2 (ja) * 1987-12-17 1996-10-23 富士通株式会社 シリコン炭化層構造
JP2847745B2 (ja) * 1989-04-25 1999-01-20 日本電気株式会社 薄膜トランジスタ
JP2760576B2 (ja) * 1989-06-15 1998-06-04 株式会社東芝 半導体装置
US5561302A (en) * 1994-09-26 1996-10-01 Motorola, Inc. Enhanced mobility MOSFET device and method

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Publication number Publication date
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JP3305197B2 (ja) 2002-07-22

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