KR860008615A - 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 - Google Patents

금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 Download PDF

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KR860008615A
KR860008615A KR1019860002746A KR860002746A KR860008615A KR 860008615 A KR860008615 A KR 860008615A KR 1019860002746 A KR1019860002746 A KR 1019860002746A KR 860002746 A KR860002746 A KR 860002746A KR 860008615 A KR860008615 A KR 860008615A
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KR1019860002746A
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Inventor
핌블리 죠셉맥스웰
칭유웨이
Original Assignee
샘슨 헬프고트
제너럴 일렉트릭 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 제조된 MOSFET 소자의 단면도.
제2도는 본 발명의 사상인 매입된 드레인을 포함하는 여러 가지 소스 및 드레인 주입형태에 대한 채널위치의 함수로 반도체 표면에서의 측면전기장 세기의 컴퓨터 구성그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
99 : 기판 100 : P도프된웰
115 : 산화규소층 130 : 게이트전극

Claims (16)

  1. 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터에 있어서, 제1극성의 도펀트로 도프된 반도체 몸체와, 상기 몸체 부분상에 배치된 절연층과, 상기 반도체 몸체로부터 전기적으로 절연되기 위해 상기 절연체상에 배치된 전기적 도전게이트 전극을 구비하여, 상기 반도체 몸체는 제2극성의 도펀트로 강하게 도프된 소스영역과 제2극성의 도펀트로 강하게 도프된 드레인 영역을 가지며, 상기 소스 및 드레인 영역은 상기 게이트 전극의 어느 한 측면상에 특정깊이로 상기 반도체 몸체에 배치되어 있으며, 상기 반도체 몸체는 상기 소스 및 드레인 영역중 최소한 하나로부터 연장되어 약하게 도프된 돌출부를 가지며, 상기 약한 도펀트는 제2극성의 도펀트이며, 상기 약하게 도프된 돌출부는 상기 반도체 몸체의 표면 하부에 배치되어 상기 게이트 전극 아래에 있는 영역폭으로 연장이 되고, 상기 약하게 도프된 돌출부는 상기 반도체 몸체와 상기 절연층 사이 경계로부터 간격을 두고 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 약하게 오프된 제1영역부분은 상기 소스영역으로부터 연장이 되고, 약하게 도프된 제2영역은 상기 드레인 영역으로부터 연장이 되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 스페이스는 상기 게이트 전극의 어느 한편에 있는 것을 특징으로 하는 금속산화를 반도체 전계효과 트랜지스터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스페이서는 폭이 약 0.1 내지 0.2미크론 사이인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  5. 제2항에 있어서, 상기 약하게 도프된 돌출부는 약 0.1 내지 0.2미크론 사이의 거리를 두고 강하게 도프된 인접 부분으로부터 외부쪽으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  6. 제2항에 있어서, 강하게 도프된 상기 영역은 약 1500 내지 4000옹거스트롬의 깊이로 상기 반도체 몸체의 표면으로부터 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 상기 강하게 도프된 영역은 상기 반도체 몸체의 표면으로부터 약 1500 내지 4000옹거스트롱의 깊이로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1극성의 도펀트는 P형 도펀트이며, 상기 제2극성의 도펀트는 n형 도펀트인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  9. 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 n채널소자인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2극성의 도펀트는 비소 및 인으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재질인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반도체 몸체는 실리콘인 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  12. 제1항에 있어서, 상기 반도체 몸체는 P형 도프웰을 포함하는 n형 도프된 반도체 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  13. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 산화실리콘을 구비하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  14. 제1항에 있어서, 상기 전기 도전게이트는 금속 및 도프된 다결정 실리콘으로 구성된 그룹으로부터 선택된 재질을 구비하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  15. 제1항에 있어서, 상기 강하게 도프된 영역은 평방 센티당 약 8×1015개 도펀트의 원자의 주입량으로 형성이 되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  16. 제1항에 있어서, 상기 약하게 도프된 영역은 평방 센티당 약 1012내지 1014도펀트 원자의 주입량으로 형성이 되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860002746A 1985-04-12 1986-04-11 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 KR860008615A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
US72264185A 1985-04-12 1985-04-12
US722,641 1985-04-12

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KR860008615A true KR860008615A (ko) 1986-11-17

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ID=24902729

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KR1019860002746A KR860008615A (ko) 1985-04-12 1986-04-11 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터

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JP (1) JPS61259574A (ko)
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680603A (en) * 1985-04-12 1987-07-14 General Electric Company Graded extended drain concept for reduced hot electron effect
JPH02101749A (ja) * 1988-10-11 1990-04-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US5264384A (en) * 1991-08-30 1993-11-23 Texas Instruments Incorporated Method of making a non-volatile memory cell
US5349225A (en) * 1993-04-12 1994-09-20 Texas Instruments Incorporated Field effect transistor with a lightly doped drain

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5636585B2 (ko) * 1973-07-02 1981-08-25
DE2834724A1 (de) * 1978-08-08 1980-02-14 Siemens Ag Mos-feldeffekttransistoren fuer hoehere spannungen
JPS55136513A (en) * 1979-04-13 1980-10-24 Tanaka Atsuen Kiko:Kk Knockout table of cooling bed
JPS58131773A (ja) * 1982-02-01 1983-08-05 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JPS59121878A (ja) * 1982-12-28 1984-07-14 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS60177677A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPS60247974A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Toshiba Corp 半導体装置

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EP0197501A2 (en) 1986-10-15
EP0197501A3 (en) 1986-12-17
JPS61259574A (ja) 1986-11-17

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