KR950704815A - 실리콘 카바이드로 형성된 파워 mosfet(power mosfet in silicon carbide) - Google Patents

실리콘 카바이드로 형성된 파워 mosfet(power mosfet in silicon carbide)

Info

Publication number
KR950704815A
KR950704815A KR1019950702077A KR19950702077A KR950704815A KR 950704815 A KR950704815 A KR 950704815A KR 1019950702077 A KR1019950702077 A KR 1019950702077A KR 19950702077 A KR19950702077 A KR 19950702077A KR 950704815 A KR950704815 A KR 950704815A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
silicon carbide
drain
conductivity type
power mosfet
Prior art date
Application number
KR1019950702077A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100271106B1 (ko
Inventor
더블유. 팔머 존
Original Assignee
에프. 니일 헌터
크리 리서치 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에프. 니일 헌터, 크리 리서치 인코퍼레이티드 filed Critical 에프. 니일 헌터
Publication of KR950704815A publication Critical patent/KR950704815A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100271106B1 publication Critical patent/KR100271106B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)는 실리콘 카바이드로 형성된 드레인 영역, 채널 영역 및 소스 영역을 가진다. 드레인 영역은 제1도전형의 실리콘 카바이드로 형성된 기판 및 동일 도전형을 갖는 기판에 인접한 실리콘 카바이드로 형성된 드레인-표류 영역를 갖는다. 채널 영역은 드레인-표류 영역과 인접하며 드레인-표류 영역과는 반대의 도전형을 갖는다. 소스 영역은 채널 영역과 인접하며 드레인-표류영역과 동일한 도전형을 갖는다. MOSFET는 소스 영역의 제1부분, 채널 영역의 제1부분, 드레인 영역의 제1부분상에 형성된 게이트 전극을 갖는 게이트 영역을 갖는다. 소스 전극은 소스 영역의 제2부분 및 채널 영역의 제2부분상에서 형성된다. 또한, 드레인 전극은 드레인 영역상의 제2부분 상에서 형성된다.

Description

실리콘 카바이드로 형성된 파워 MOSFET(POWER MOSFET IN SILICON CARBIDE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 U형태로 된 게이트 콘택트 영역을 갖는 실리콘 카바이드로 형성된 수직형 MOSFET의 개략적인 부분 단면도, 제2도는 본 발명의 다른 실시예에 따라 실리콘 카바이드로 형성된 V형태로 된 게이트 콘택트 영역을 갖는 수직형 MOSFET("VMOSFET")의 개략적인 부분 단면도, 제3도는 본 발명의 추가 실시예에 따라 실리콘 카바이드로 형성된 VMOSFET의 개략적인 단면도, 제4도는 본 발명의 또다른 실시예에 따라 실리콘 카바이드로 형성된 VMOSFET의 개략적인 부분 단면도.

Claims (40)

  1. 실리콘 카바이드로 형성된 기판과 이 기판에 인접한 실리콘 카바이드로 형성된 드레인-표류 영역을 가지며, 실리콘 카바이드로 형성된 드레인 영역; 상기 드레인-표류 영역에 인접하여 상기 드레인-표류 영역과는 반대 도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성된 채널 영역; 상기 채널 영역에 인접하여 상기 드레인-표류 영역과 동일한 도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성된 소스영역; 상기 채널 영역에 인접한 절연층; 상기 절연층에 인접하여 형성된 게이트 영역; 상기 소스 영역의 제2부분과 인접하여 형성된 소스 전극 및 상기 드레인영역의 제2부분에 인접하여 형성된 드레인 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 작은 온-저항과 고온범위를 갖는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET).
  2. 제1항에 있어서, 상기 소스 전극은 상기 채널 영역의 제2부분과 인접하여 확장하는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 드레인 영역의 상기 기판은 제1도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성되고, 상기 드레인 영역의 상기 드레인-표류 영역은 상기 제1도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 드레인 영역의 상기 기판은 제1도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성되고, 상기 드레인 영역의 상기 드레인-표류 영역은 상기 제1도전형과는 반대 도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 추가로 상기 소스 영역, 상기 채널 영역 및 상기 드레인-표류 영역의 메사에지 터미네이션으로 구성되는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  6. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 이산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  7. 제1항에 있어서, 실리콘 카바이드로 형성된 상기 영역중의 적어도 하나는 3C, 2H, 4H, 6H 및 15R로 이루어지는 그룹으로 부터 선택된 폴리타입을 갖는 것을 특징으로 하는 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  8. 제1항, 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1도전형은 n-형 실리콘 카바이드로 이루어지고 상기 반대 도전형은 p-형 실리콘 카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  9. 제1항, 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제1도전형은 p-형 실리콘 카바이드로 이루어지고 상기 반대 도전형은 n-형 실리콘 카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  10. 제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 니켈로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  11. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 금속으로 형성되는 게이트 콘택트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터.
  12. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 다결정 실리콘으로 형성되는 게이트 콘택트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 채널 층은 알루미늄으로 도우프된 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 채널 층은 보론으로 도우프된 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET.
  15. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 채널 영역은 2E15원자/㎤로 부터 5E18원자/㎤까지의 도핑 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET.
  16. 제1도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성된 기판; 드레인-표류 영역를 형성하기 위해 상기 제1도전형을 가지는 상기 기판상에 실리콘 카바이드로 형성된 제1층; 채널 영역을 형성하며, 제2도전형 가지는, 상기 제1층상에 실리콘 카바이드로 형성된 제2층; 소스 영역을 형성하며, 상기 제1도전형을 가지는 상기 제2층상에 실리콘 카바이드로 형성된 제3층; 상기 드레인 영역; 상기 채널 영역 및 상기 소스 영역의 제1부분상의 절연층; 상기 절연층상의 게이트 전극; 상기 소스 영역의 제2부분상에 형성된 소스 전극과, 상기 드레인 영역의 제2부분상에 형성된 드레인 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 작은 온-저항과 고온범위를 갖는 수직(vertical) 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET).
  17. 제16항에 있어서, 상기 소스 전극은 상기 채널 영역의 제2부분상에서 확장하는 것을 특징으로 하는 수직파워 MOSFET.
  18. 제16항에 있어서, 상기 소스 영역, 상기 채널 영역 및 상기 드레인-표류 영역의 메사 에지 터미네이션으로 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  19. 제16항에 있어서, 실리콘 카바이드의 상기 영역중의 적어도 하나는 3C, 2H, 4H, 6H 및 15R로 이루어지는 그룹으로 부터 선택된 폴리타입을 갖는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  20. 제16항에 있어서, 상기 제1도전형은 n-형 실리콘 카바이드로 이루어지고 상기 반대 도전형은 p-형 실리콘 카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  21. 제16항에 있어서, 상기 제1도전형을 p-형 실리콘 카바이드로 이루어지고 상기 반대 도전형은 n-형 실리콘 카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  22. 제16항에 있어서, 상기 채널 영역은 알루미늄으로 도우프된 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  23. 제16항에 있어서, 상기 채널 영역은 보론으로 도우프된 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  24. 제16항에 있어서, 상기 채널 영역은 2E15원자/㎤로 부터 5E18원자/㎤까지의 도핑 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  25. 실리콘 카바이드로 형성된 제1도전형의 기판 및 상기 제1도전형을 갖는 상기 기판상에 실리콘 카바이드로 형성된 드레인-표류 영역을 가지는 실리콘 카바이드로 형성된 드레인 영역; 상기 드레인-표류 영역으로부터 제2도전형을 가지며, 실리콘 카바이드로 형성된 상기 드레인-표류 영역상의 채널 영역; 상기 제1도전형을 가지며, 상기 채널 영역상의 소스 영역; 상기 소스 영역의 제1부분상에 형성된 소스 전극; 상기 드레인 영역의 제1부분상에 형성된 드레인 전극; 상기 드레인 영역 및 상기 소스 영역의 제2부분과 상기 드레인 영역의 제1부분에 형성된 트렌치; 상기 트렌치상에 형성되고 상기 드레인 영역 및 상기 소스 영역의 제2부분에 인접하여 형성하며, 상기 채널 영역의 상기 제1부분에 형성된 게이트 영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 작은 온-저항과 고온범위를 갖는 수직 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET).
  26. 제25항에 있어서, 상기 소스 전극은 상기 채널 영역의 제2부분상에 확장하는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  27. 제25항에 있어서, 상기 소스 영역, 상기 채널 영역 및 상기 드레인-표류 영역의 메사 에지 터미네이션으로 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  28. 제25항에 있어서, 상기 제1도전형은 n-형 실리콘 카바이드로 이루어지고 상기 제2도전형은 p-형 실리콘 카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  29. 제25항에 있어서, 상기 제1도전형은 p-형 실리콘 카바이드로 이루어지고 상기 제2도전형은 n-형 실리콘 카바이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  30. 제25항에 있어서, 상기 채널 영역은 알루미늄으로 도우프된 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  31. 제25항에 있어서, 상기 채널 영역은 보론으로 도우프된 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  32. 제25항에 있어서, 상기 채널 영역은 2E15원자/㎤로 부터 5E18원자/㎤까지의 도핑 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  33. 제25항에 있어서, 상기 트렌치는 실질적으로 U-형태를 갖는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  34. 제25항에 있어서, 상기 트렌치는 실질적으로 V-형태를 갖는 것을 특징으로 하는 수직 파워 MOSFET.
  35. 드레인 영역을 정의하는 제1도전형을 갖는 실리콘 카바이드로 형성되는 제1영역을 형성하는 단계; 채널영역을 정의하는 제2도전형을 갖는 상기 제1영역에 인접하는 실리콘 카바이드로 형성되는 제2영역을 형성하는 단계; 소스 영역을 형성하기 위해 상기 제1도전형을 가지며 상기 제2영역에 인접하는 실리콘 카바이드로 형성되는 제3영역을 형성하는 단계; 상기 채널 영역에 인접하는 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층에 인접하는 게이트 층을 형성단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 작은 온-저항과 고온 범위를 갖는 파워 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 제조하는 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 소스 영역, 상기 채널 영역 및 상기 드레인-표류영역의 메사 에지 테미네이션을 형성하는 단계로 추가로 구성되는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET 제조방법.
  37. 제35항에 있어서, 실리콘 카바이드로 형성되는 상기 영역들중의 적어도 하나는 3C, 2H, 4H, 6H 및 15R로 이루어지는 그룹으로 부터 선택되는 폴리타입을 갖는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET 제조방법.
  38. 제35항에 있어서, 실리콘 카바이드로 형성되는 영역을 형성하는 단계는 이전층(previouslayer)상에 실리콘 카바이드를 에피택셜하게 성장시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET 제조방법.
  39. 제35항에 있어서, 실리콘 카바이드로 형성되는 제3영역을 형성하는 단계는 실리콘 카바이드로 형성되는 제2영역의 부분에 고온으로 실리콘 카바이드를 주입하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET 제조방법.
  40. 제35항에 있어서, 소스 영역에 소스 콘택트를 형성하는 단계와 드레인 영역에 드레인 콘택트를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 파워 MOSFET 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950702077A 1992-11-24 1993-10-27 실리콘 카바이드로 형성된 파워 mosfet(power mosfet in silicon carbide) KR100271106B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US980753 1992-11-24
US07/980,753 US5506421A (en) 1992-11-24 1992-11-24 Power MOSFET in silicon carbide
PCT/US1993/010490 WO1994013017A1 (en) 1992-11-24 1993-10-27 Power mosfet in silicon carbide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950704815A true KR950704815A (ko) 1995-11-20
KR100271106B1 KR100271106B1 (ko) 2000-11-01

Family

ID=25527819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950702077A KR100271106B1 (ko) 1992-11-24 1993-10-27 실리콘 카바이드로 형성된 파워 mosfet(power mosfet in silicon carbide)

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5506421A (ko)
EP (1) EP0671056B1 (ko)
JP (1) JPH08505492A (ko)
KR (1) KR100271106B1 (ko)
AT (1) ATE225568T1 (ko)
AU (1) AU5545894A (ko)
DE (1) DE69332358T2 (ko)
WO (1) WO1994013017A1 (ko)

Families Citing this family (168)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344663B1 (en) 1992-06-05 2002-02-05 Cree, Inc. Silicon carbide CMOS devices
US5399515A (en) * 1993-07-12 1995-03-21 Motorola, Inc. Method of fabricating a silicon carbide vertical MOSFET and device
JP3334290B2 (ja) * 1993-11-12 2002-10-15 株式会社デンソー 半導体装置
EP0676814B1 (en) * 1994-04-06 2006-03-22 Denso Corporation Process of producing trench semiconductor device
US5723376A (en) * 1994-06-23 1998-03-03 Nippondenso Co., Ltd. Method of manufacturing SiC semiconductor device having double oxide film formation to reduce film defects
DE4423068C1 (de) * 1994-07-01 1995-08-17 Daimler Benz Ag Feldeffekt-Transistoren aus SiC und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5686737A (en) * 1994-09-16 1997-11-11 Cree Research, Inc. Self-aligned field-effect transistor for high frequency applications
US5705835A (en) * 1994-11-25 1998-01-06 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH08204179A (ja) * 1995-01-26 1996-08-09 Fuji Electric Co Ltd 炭化ケイ素トレンチｍｏｓｆｅｔ
JPH08213607A (ja) * 1995-02-08 1996-08-20 Ngk Insulators Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5661312A (en) * 1995-03-30 1997-08-26 Motorola Silicon carbide MOSFET
KR100199997B1 (ko) * 1995-09-06 1999-07-01 오카메 히로무 탄화규소 반도체장치
US6573534B1 (en) 1995-09-06 2003-06-03 Denso Corporation Silicon carbide semiconductor device
US5877515A (en) * 1995-10-10 1999-03-02 International Rectifier Corporation SiC semiconductor device
US5972801A (en) * 1995-11-08 1999-10-26 Cree Research, Inc. Process for reducing defects in oxide layers on silicon carbide
US6133587A (en) * 1996-01-23 2000-10-17 Denso Corporation Silicon carbide semiconductor device and process for manufacturing same
JP3471509B2 (ja) * 1996-01-23 2003-12-02 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置
SE9601172D0 (sv) * 1996-03-27 1996-03-27 Abb Research Ltd Insulated gate bipolar transistor having a trench and a method for procuction thereof
US5612232A (en) * 1996-03-29 1997-03-18 Motorola Method of fabricating semiconductor devices and the devices
US5909039A (en) * 1996-04-24 1999-06-01 Abb Research Ltd. Insulated gate bipolar transistor having a trench
US5719409A (en) * 1996-06-06 1998-02-17 Cree Research, Inc. Silicon carbide metal-insulator semiconductor field effect transistor
US5952679A (en) * 1996-10-17 1999-09-14 Denso Corporation Semiconductor substrate and method for straightening warp of semiconductor substrate
US6180958B1 (en) 1997-02-07 2001-01-30 James Albert Cooper, Jr. Structure for increasing the maximum voltage of silicon carbide power transistors
US6570185B1 (en) 1997-02-07 2003-05-27 Purdue Research Foundation Structure to reduce the on-resistance of power transistors
JP5054255B2 (ja) * 1997-02-07 2012-10-24 クーパー，ジェームズ・アルバート，ジュニアー シリコン・カーバイド・パワー・トランジスタの最大電圧を増大させるための構造
DE19705516C2 (de) * 1997-02-13 1999-01-07 Siemens Ag Halbleiter-Anordnung aus Siliziumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6057558A (en) * 1997-03-05 2000-05-02 Denson Corporation Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method thereof
US5969378A (en) * 1997-06-12 1999-10-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power UMOS-bipolar transistor
US6121633A (en) * 1997-06-12 2000-09-19 Cree Research, Inc. Latch-up free power MOS-bipolar transistor
US6054752A (en) * 1997-06-30 2000-04-25 Denso Corporation Semiconductor device
EP1014455B1 (en) 1997-07-25 2006-07-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
EP1010204A1 (de) 1997-08-20 2000-06-21 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterstruktur mit einem alpha-siliziumcarbidbereich sowie verwendung dieser halbleiterstruktur
US6011278A (en) * 1997-10-28 2000-01-04 Philips Electronics North America Corporation Lateral silicon carbide semiconductor device having a drift region with a varying doping level
US6472300B2 (en) 1997-11-18 2002-10-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing p-n homojunction-based structures utilizing HVPE techniques
US20020047135A1 (en) * 1997-11-18 2002-04-25 Nikolaev Audrey E. P-N junction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers
US6476420B2 (en) 1997-11-18 2002-11-05 Technologies And Devices International, Inc. P-N homojunction-based structures utilizing HVPE growth III-V compound layers
US6555452B2 (en) 1997-11-18 2003-04-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing p-type III-V compound material utilizing HVPE techniques
US6599133B2 (en) 1997-11-18 2003-07-29 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing III-V compound semiconductor structures with an integral non-continuous quantum dot layer utilizing HVPE techniques
US6559467B2 (en) 1997-11-18 2003-05-06 Technologies And Devices International, Inc. P-n heterojunction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers
US6479839B2 (en) 1997-11-18 2002-11-12 Technologies & Devices International, Inc. III-V compounds semiconductor device with an AlxByInzGa1-x-y-zN non continuous quantum dot layer
US6849862B2 (en) * 1997-11-18 2005-02-01 Technologies And Devices International, Inc. III-V compound semiconductor device with an AlxByInzGa1-x-y-zN1-a-bPaAsb non-continuous quantum dot layer
US6559038B2 (en) 1997-11-18 2003-05-06 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing p-n heterojunction-based structures utilizing HVPE techniques
US6890809B2 (en) * 1997-11-18 2005-05-10 Technologies And Deviles International, Inc. Method for fabricating a P-N heterojunction device utilizing HVPE grown III-V compound layers and resultant device
JP4192281B2 (ja) 1997-11-28 2008-12-10 株式会社デンソー 炭化珪素半導体装置
JPH11251592A (ja) * 1998-01-05 1999-09-07 Denso Corp 炭化珪素半導体装置
SE9800286D0 (sv) * 1998-02-02 1998-02-02 Abb Research Ltd A transistor of SiC
US6362495B1 (en) 1998-03-05 2002-03-26 Purdue Research Foundation Dual-metal-trench silicon carbide Schottky pinch rectifier
CN1166002C (zh) * 1998-04-23 2004-09-08 国际整流器有限公司 P沟道槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构
US6083806A (en) * 1998-07-06 2000-07-04 Motorola, Inc. Method of forming an alignment mark
US6221700B1 (en) 1998-07-31 2001-04-24 Denso Corporation Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device with high activation rate of impurities
US6972436B2 (en) * 1998-08-28 2005-12-06 Cree, Inc. High voltage, high temperature capacitor and interconnection structures
US6246076B1 (en) * 1998-08-28 2001-06-12 Cree, Inc. Layered dielectric on silicon carbide semiconductor structures
JP3428459B2 (ja) * 1998-09-01 2003-07-22 富士電機株式会社 炭化けい素ｎチャネルＭＯＳ半導体素子およびその製造方法
US7462910B1 (en) 1998-10-14 2008-12-09 International Rectifier Corporation P-channel trench MOSFET structure
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
ATE452445T1 (de) * 1999-03-04 2010-01-15 Nichia Corp Nitridhalbleiterlaserelement
US6399506B2 (en) * 1999-04-07 2002-06-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for planarizing an oxide layer
US6368514B1 (en) 1999-09-01 2002-04-09 Luminous Intent, Inc. Method and apparatus for batch processed capacitors using masking techniques
US6420757B1 (en) 1999-09-14 2002-07-16 Vram Technologies, Llc Semiconductor diodes having low forward conduction voltage drop, low reverse current leakage, and high avalanche energy capability
CA2328628A1 (en) * 1999-12-21 2001-06-21 Cecile J. Schoenheider Moldable compositions
US6433370B1 (en) 2000-02-10 2002-08-13 Vram Technologies, Llc Method and apparatus for cylindrical semiconductor diodes
US6630746B1 (en) 2000-05-09 2003-10-07 Motorola, Inc. Semiconductor device and method of making the same
JP2003533050A (ja) * 2000-05-10 2003-11-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体デバイス
US6429041B1 (en) 2000-07-13 2002-08-06 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide inversion channel devices without the need to utilize P-type implantation
US6610366B2 (en) 2000-10-03 2003-08-26 Cree, Inc. Method of N2O annealing an oxide layer on a silicon carbide layer
US6767843B2 (en) 2000-10-03 2004-07-27 Cree, Inc. Method of N2O growth of an oxide layer on a silicon carbide layer
US7067176B2 (en) 2000-10-03 2006-06-27 Cree, Inc. Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment
US6956238B2 (en) 2000-10-03 2005-10-18 Cree, Inc. Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel
US6580150B1 (en) 2000-11-13 2003-06-17 Vram Technologies, Llc Vertical junction field effect semiconductor diodes
US6537921B2 (en) 2001-05-23 2003-03-25 Vram Technologies, Llc Vertical metal oxide silicon field effect semiconductor diodes
KR20030078867A (ko) * 2002-01-28 2003-10-08 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치
US7022378B2 (en) * 2002-08-30 2006-04-04 Cree, Inc. Nitrogen passivation of interface states in SiO2/SiC structures
US7221010B2 (en) 2002-12-20 2007-05-22 Cree, Inc. Vertical JFET limited silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors
TW588460B (en) * 2003-01-24 2004-05-21 Ind Tech Res Inst Trench power MOSFET and method of making the same
JP3794637B2 (ja) 2003-03-07 2006-07-05 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US6958275B2 (en) * 2003-03-11 2005-10-25 Integrated Discrete Devices, Llc MOSFET power transistors and methods
US8133789B1 (en) 2003-04-11 2012-03-13 Purdue Research Foundation Short-channel silicon carbide power mosfet
US6979863B2 (en) * 2003-04-24 2005-12-27 Cree, Inc. Silicon carbide MOSFETs with integrated antiparallel junction barrier Schottky free wheeling diodes and methods of fabricating the same
US7074643B2 (en) * 2003-04-24 2006-07-11 Cree, Inc. Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions and methods of fabricating same
US7015104B1 (en) * 2003-05-29 2006-03-21 Third Dimension Semiconductor, Inc. Technique for forming the deep doped columns in superjunction
US6974720B2 (en) * 2003-10-16 2005-12-13 Cree, Inc. Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby
KR20080100265A (ko) * 2003-12-19 2008-11-14 써드 디멘존 세미컨덕터, 인코포레이티드 종래의 종단을 갖는 수퍼 접합 장치를 제조하는 방법
US7052982B2 (en) * 2003-12-19 2006-05-30 Third Dimension (3D) Semiconductor, Inc. Method for manufacturing a superjunction device with wide mesas
US7023069B2 (en) * 2003-12-19 2006-04-04 Third Dimension (3D) Semiconductor, Inc. Method for forming thick dielectric regions using etched trenches
JP4928947B2 (ja) 2003-12-19 2012-05-09 サード ディメンジョン （スリーディ） セミコンダクタ インコーポレイテッド 超接合デバイスの製造方法
WO2005065144A2 (en) * 2003-12-19 2005-07-21 Third Dimension (3D) Semiconductor, Inc. Planarization method of manufacturing a superjunction device
US7118970B2 (en) 2004-06-22 2006-10-10 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide devices with hybrid well regions
ATE536635T1 (de) * 2004-07-08 2011-12-15 Semisouth Lab Inc Monolithischer vertikal- sperrschichtfeldeffekttransistor und aus siliziumcarbid hergestellte schottky- barrierendiode und herstellungsverfahren dafür
TWI401749B (zh) * 2004-12-27 2013-07-11 Third Dimension 3D Sc Inc 用於高電壓超接面終止之方法
US7439583B2 (en) * 2004-12-27 2008-10-21 Third Dimension (3D) Semiconductor, Inc. Tungsten plug drain extension
US20060214268A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. SiC semiconductor device
JP2008538659A (ja) * 2005-04-22 2008-10-30 アイスモス テクノロジー コーポレイション 酸化物で内面が覆われた溝を有する超接合素子と酸化物で内面を覆われた溝を有する超接合素子を製造するための方法
DE102005019157A1 (de) 2005-04-25 2006-10-26 Robert Bosch Gmbh Anordnung von MOSFETs zur Steuerung von demselben
US7391057B2 (en) * 2005-05-18 2008-06-24 Cree, Inc. High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities
US7414268B2 (en) 2005-05-18 2008-08-19 Cree, Inc. High voltage silicon carbide MOS-bipolar devices having bi-directional blocking capabilities
US20060261346A1 (en) * 2005-05-18 2006-11-23 Sei-Hyung Ryu High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities and methods of fabricating the same
US7615801B2 (en) * 2005-05-18 2009-11-10 Cree, Inc. High voltage silicon carbide devices having bi-directional blocking capabilities
US7528040B2 (en) 2005-05-24 2009-05-05 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide devices having smooth channels
US7446018B2 (en) * 2005-08-22 2008-11-04 Icemos Technology Corporation Bonded-wafer superjunction semiconductor device
US7727904B2 (en) * 2005-09-16 2010-06-01 Cree, Inc. Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility
EP2033212B1 (en) 2006-06-29 2013-10-16 Cree, Inc. Method of forming a silicon carbide pmos device
US8432012B2 (en) 2006-08-01 2013-04-30 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same
US7728402B2 (en) * 2006-08-01 2010-06-01 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown
JP5645404B2 (ja) 2006-08-17 2014-12-24 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 高電力絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ
JP2008078604A (ja) * 2006-08-24 2008-04-03 Rohm Co Ltd Ｍｉｓ型電界効果トランジスタおよびその製造方法
US7476932B2 (en) * 2006-09-29 2009-01-13 The Boeing Company U-shape metal-oxide-semiconductor (UMOS) gate structure for high power MOS-based semiconductor devices
US7598567B2 (en) * 2006-11-03 2009-10-06 Cree, Inc. Power switching semiconductor devices including rectifying junction-shunts
US8835987B2 (en) * 2007-02-27 2014-09-16 Cree, Inc. Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers
US7723172B2 (en) * 2007-04-23 2010-05-25 Icemos Technology Ltd. Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material
US8580651B2 (en) * 2007-04-23 2013-11-12 Icemos Technology Ltd. Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material
US20080272429A1 (en) * 2007-05-04 2008-11-06 Icemos Technology Corporation Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices
JP2009044035A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Sanken Electric Co Ltd 電界効果半導体装置
US8012806B2 (en) * 2007-09-28 2011-09-06 Icemos Technology Ltd. Multi-directional trenching of a die in manufacturing superjunction devices
CN101447429B (zh) * 2007-11-27 2012-07-11 上海华虹Nec电子有限公司 双扩散场效应晶体管制造方法
US9048302B2 (en) * 2008-01-11 2015-06-02 The Furukawa Electric Co., Ltd Field effect transistor having semiconductor operating layer formed with an inclined side wall
US7846821B2 (en) * 2008-02-13 2010-12-07 Icemos Technology Ltd. Multi-angle rotation for ion implantation of trenches in superjunction devices
US8030133B2 (en) * 2008-03-28 2011-10-04 Icemos Technology Ltd. Method of fabricating a bonded wafer substrate for use in MEMS structures
US8035112B1 (en) 2008-04-23 2011-10-11 Purdue Research Foundation SIC power DMOSFET with self-aligned source contact
TWI362769B (en) * 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US8232558B2 (en) 2008-05-21 2012-07-31 Cree, Inc. Junction barrier Schottky diodes with current surge capability
US7800196B2 (en) * 2008-09-30 2010-09-21 Northrop Grumman Systems Corporation Semiconductor structure with an electric field stop layer for improved edge termination capability
US8288220B2 (en) * 2009-03-27 2012-10-16 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures
US8294507B2 (en) 2009-05-08 2012-10-23 Cree, Inc. Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits
US8629509B2 (en) * 2009-06-02 2014-01-14 Cree, Inc. High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter
US8193848B2 (en) 2009-06-02 2012-06-05 Cree, Inc. Power switching devices having controllable surge current capabilities
US8541787B2 (en) * 2009-07-15 2013-09-24 Cree, Inc. High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability
US8314462B2 (en) 2009-07-28 2012-11-20 Cree, Inc. Semiconductor devices including electrodes with integrated resistances
US8841682B2 (en) 2009-08-27 2014-09-23 Cree, Inc. Transistors with a gate insulation layer having a channel depleting interfacial charge and related fabrication methods
US20110147764A1 (en) 2009-08-27 2011-06-23 Cree, Inc. Transistors with a dielectric channel depletion layer and related fabrication methods
US8354690B2 (en) 2009-08-31 2013-01-15 Cree, Inc. Solid-state pinch off thyristor circuits
US9117739B2 (en) 2010-03-08 2015-08-25 Cree, Inc. Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same
US8415671B2 (en) 2010-04-16 2013-04-09 Cree, Inc. Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices
JP5611653B2 (ja) 2010-05-06 2014-10-22 株式会社東芝 窒化物半導体素子
US8674439B2 (en) 2010-08-02 2014-03-18 Microsemi Corporation Low loss SiC MOSFET
US8436367B1 (en) 2010-08-02 2013-05-07 Microsemi Corporation SiC power vertical DMOS with increased safe operating area
JP5707770B2 (ja) * 2010-08-03 2015-04-30 住友電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4965754B2 (ja) * 2010-10-29 2012-07-04 パナソニック株式会社 半導体素子
JP5637916B2 (ja) * 2011-03-31 2014-12-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9673283B2 (en) 2011-05-06 2017-06-06 Cree, Inc. Power module for supporting high current densities
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9984894B2 (en) 2011-08-03 2018-05-29 Cree, Inc. Forming SiC MOSFETs with high channel mobility by treating the oxide interface with cesium ions
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US8618582B2 (en) 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements
US8680587B2 (en) 2011-09-11 2014-03-25 Cree, Inc. Schottky diode
US8664665B2 (en) 2011-09-11 2014-03-04 Cree, Inc. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
JP5745997B2 (ja) * 2011-10-31 2015-07-08 トヨタ自動車株式会社 スイッチング素子とその製造方法
JP5852863B2 (ja) * 2011-11-28 2016-02-03 株式会社日立製作所 ４ｈ−ＳｉＣ半導体素子及び半導体装置
US9343383B2 (en) * 2012-03-02 2016-05-17 Cree, Inc. High voltage semiconductor devices including electric arc suppression material and methods of forming the same
US8946814B2 (en) 2012-04-05 2015-02-03 Icemos Technology Ltd. Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates
JP2013243179A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体装置
JP2013243180A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US8901639B2 (en) 2012-07-26 2014-12-02 Cree, Inc. Monolithic bidirectional silicon carbide switching devices
TWI520337B (zh) 2012-12-19 2016-02-01 財團法人工業技術研究院 階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法
TWI469341B (zh) * 2012-12-20 2015-01-11 Ind Tech Res Inst 碳化矽溝槽式蕭基能障元件
US9240476B2 (en) 2013-03-13 2016-01-19 Cree, Inc. Field effect transistor devices with buried well regions and epitaxial layers
US9306061B2 (en) 2013-03-13 2016-04-05 Cree, Inc. Field effect transistor devices with protective regions
WO2014204491A1 (en) 2013-06-21 2014-12-24 Microsemi Corporation Low loss sic mosfet
US9748341B2 (en) * 2013-07-02 2017-08-29 General Electric Company Metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with increased channel periphery
US9893176B2 (en) 2014-12-26 2018-02-13 Fairchild Semiconductor Corporation Silicon-carbide trench gate MOSFETs
JP6631632B2 (ja) * 2015-09-16 2020-01-15 富士電機株式会社 半導体装置
CN116705861A (zh) * 2016-09-09 2023-09-05 美国联合碳化硅公司 具有改进的阈值电压控制的沟槽垂直jfet
WO2018063165A1 (en) * 2016-09-27 2018-04-05 Intel Corporation Non-planar gate thin film transistor
KR101875638B1 (ko) * 2016-10-14 2018-07-06 현대자동차 주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10615292B2 (en) * 2018-03-27 2020-04-07 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. High voltage silicon carbide Schottky diode flip chip array
US11158703B2 (en) * 2019-06-05 2021-10-26 Microchip Technology Inc. Space efficient high-voltage termination and process for fabricating same
CN115349177A (zh) * 2020-04-17 2022-11-15 三菱电机株式会社 电力用半导体装置、电力用半导体装置的制造方法及电力转换装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3844029A (en) * 1972-02-02 1974-10-29 Trw Inc High power double-slug diode package
US4219835A (en) * 1978-02-17 1980-08-26 Siliconix, Inc. VMOS Mesa structure and manufacturing process
US5191396B1 (en) * 1978-10-13 1995-12-26 Int Rectifier Corp High power mosfet with low on-resistance and high breakdown voltage
US4705759B1 (en) * 1978-10-13 1995-02-14 Int Rectifier Corp High power mosfet with low on-resistance and high breakdown voltage
JPS58106870A (ja) * 1981-12-18 1983-06-25 Nissan Motor Co Ltd パワ−ｍｏｓｆｅｔ
US4974059A (en) * 1982-12-21 1990-11-27 International Rectifier Corporation Semiconductor high-power mosfet device
JPS59231862A (ja) * 1983-06-13 1984-12-26 Nissan Motor Co Ltd 縦型ｍｏｓトランジスタ
US4762806A (en) * 1983-12-23 1988-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Process for producing a SiC semiconductor device
EP0159663A3 (en) * 1984-04-26 1987-09-23 General Electric Company High-density v-groove mos-controlled thyristors, insulated-gate transistors, and mosfets, and methods for fabrication
JPS6161441A (ja) * 1984-09-03 1986-03-29 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2615390B2 (ja) * 1985-10-07 1997-05-28 工業技術院長 炭化シリコン電界効果トランジスタの製造方法
US4767722A (en) * 1986-03-24 1988-08-30 Siliconix Incorporated Method for making planar vertical channel DMOS structures
EP0279403A3 (en) * 1987-02-16 1988-12-07 Nec Corporation Vertical mos field effect transistor having a high withstand voltage and a high switching speed
US4977439A (en) * 1987-04-03 1990-12-11 Esquivel Agerico L Buried multilevel interconnect system
US4945394A (en) * 1987-10-26 1990-07-31 North Carolina State University Bipolar junction transistor on silicon carbide
US4865685A (en) * 1987-11-03 1989-09-12 North Carolina State University Dry etching of silicon carbide
US4947218A (en) * 1987-11-03 1990-08-07 North Carolina State University P-N junction diodes in silicon carbide
JP2500807B2 (ja) * 1988-03-04 1996-05-29 日産自動車株式会社 縦型パワ―ｍｏｓトランジスタ
US4967245A (en) * 1988-03-14 1990-10-30 Siliconix Incorporated Trench power MOSFET device
JPH0777262B2 (ja) * 1988-04-19 1995-08-16 日本電気株式会社 縦型電界効果トランジスタ
JPH01290266A (ja) * 1988-05-18 1989-11-22 Fujitsu Ltd 化合物半導体素子
JPH0783119B2 (ja) * 1988-08-25 1995-09-06 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ
US4994871A (en) * 1988-12-02 1991-02-19 General Electric Company Insulated gate bipolar transistor with improved latch-up current level and safe operating area
US5164218A (en) * 1989-05-12 1992-11-17 Nippon Soken, Inc. Semiconductor device and a method for producing the same
JPH0334573A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Sharp Corp 炭化珪素電界効果トランジスタ
US4931408A (en) * 1989-10-13 1990-06-05 Siliconix Incorporated Method of fabricating a short-channel low voltage DMOS transistor
JP2542448B2 (ja) * 1990-05-24 1996-10-09 シャープ株式会社 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2917532B2 (ja) * 1991-01-24 1999-07-12 富士電機株式会社 電界効果トランジスタ
US5168331A (en) * 1991-01-31 1992-12-01 Siliconix Incorporated Power metal-oxide-semiconductor field effect transistor
US5225032A (en) * 1991-08-09 1993-07-06 Allied-Signal Inc. Method of producing stoichiometric, epitaxial, monocrystalline films of silicon carbide at temperatures below 900 degrees centigrade
US5233215A (en) * 1992-06-08 1993-08-03 North Carolina State University At Raleigh Silicon carbide power MOSFET with floating field ring and floating field plate

Also Published As

Publication number Publication date
AU5545894A (en) 1994-06-22
JPH08505492A (ja) 1996-06-11
DE69332358T2 (de) 2003-07-31
DE69332358D1 (de) 2002-11-07
EP0671056B1 (en) 2002-10-02
KR100271106B1 (ko) 2000-11-01
US5506421A (en) 1996-04-09
ATE225568T1 (de) 2002-10-15
EP0671056A1 (en) 1995-09-13
WO1994013017A1 (en) 1994-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950704815A (ko) 실리콘 카바이드로 형성된 파워 mosfet(power mosfet in silicon carbide)
US5804483A (en) Method for producing a channel region layer in a sic-layer for a voltage controlled semiconductor device
US5877515A (en) SiC semiconductor device
US6002143A (en) Hybrid vertical type power semiconductor device
KR100474214B1 (ko) 실리콘 카바이드 수평 채널이 버퍼된 게이트 반도체 소자
US5900648A (en) Semiconductor device having an insulated gate
US5057884A (en) Semiconductor device having a structure which makes parasitic transistor hard to operate
KR20140027338A (ko) 낮은 소스 저항을 갖는 전계 효과 트랜지스터 장치
JPH07183522A (ja) 横型ｓｏｉ装置
KR940004847A (ko) 낮은 드레쉬 홀드 전압을 갖는 에피택셜 이중 확산형 금속 산화 실리콘(dmos) 트랜지스터 구조체 형성방법
KR920704361A (ko) 핫 캐리어가 억압된 미세 misfet 소자
KR20000029577A (ko) 선형전류-전압특성을가지는반도체부품
CN112186027A (zh) 一种带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet
GB1327920A (en) Transistor and method of manufacturing the same
KR100553650B1 (ko) 폭이 넓은 밴드갭 반도체 내의 전력 소자
KR880014686A (ko) 게이트 절연층으로 단결정 실리콘 카바이드를 사용하는 반도체 전계효과 트랜지스터
US6150671A (en) Semiconductor device having high channel mobility and a high breakdown voltage for high power applications
WO1997036316A2 (en) A FIELD CONTROLLED SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
CN213366599U (zh) 带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet
Spitz et al. 2.7 kV epitaxial lateral power DMOSFETs in 4H-SiC
KR860008615A (ko) 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터
EP0890183B1 (en) A FIELD EFFECT TRANSISTOR OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
RU21697U1 (ru) Высоковольтный дмдп-транзистор
KR950012709A (ko) 반도체 디바이스
Melloch et al. SILICON CARBIDE POWER MOSFETs

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130723

Year of fee payment: 14

EXPY Expiration of term