CN112186027A - 一种带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet - Google Patents
一种带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet Download PDFInfo
- Publication number
- CN112186027A CN112186027A CN202010882108.3A CN202010882108A CN112186027A CN 112186027 A CN112186027 A CN 112186027A CN 202010882108 A CN202010882108 A CN 202010882108A CN 112186027 A CN112186027 A CN 112186027A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon carbide
- injection region
- region
- metal electrode
- epitaxial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 75
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 56
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 27
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 21
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7827—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底；碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层；所述碳化硅衬底背面覆盖的漏极金属电极；所述碳化硅外延层上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层，氧化层上设有的栅极金属电极；在碳化硅外延层上设有的源极注入区；所述源极注入区上覆盖有的源极金属电极；在碳化硅外延层上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区，保护注入区和改善注入区，所述阻断注入区的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区与源极注入区相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区设置在栅极金属电极下方。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET。
背景技术
基于碳化硅(SiC)的宽带隙半导体因其低导通损耗，优异的耐高温性和高导热特性，越来越受市场的欢迎。另外，碳化硅还拥有高临界场，高体迁移率，高饱和速度等独特的电学性能，特别是高临界场特性，使碳化硅功率器件与相同电压下的常规硅器件相比，能有更高的掺杂浓度和更薄的漂移层厚度，从而实现更低的导通电阻。碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)有较低的开关损耗和较高的工作频率，非常贴合电力电子应用需求。然而，由于SiO2(栅氧化物)/SiC界面处的界面态密度高，碳化硅MOS器件存在沟道迁移率低的问题。
现有技术中多使用平面栅碳化硅MOSFET，但平面栅碳化硅MOSFET结构单元间距较大，相对使用成本较高；平面栅碳化硅MOSFET结构的SiO2(栅氧化物)/SiC界面处的界面的沟道迁移率较低，相应的导通电阻较大。
发明内容
鉴于以上存在的技术问题，本发明用于提供一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，使得导通电阻显著降低。
为解决上述技术问题，本发明采用如下的技术方案：
一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，包括：
碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的掺杂类型为第一导电类型；
碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层掺杂类型为第一导电类型；
所述碳化硅衬底背面覆盖的漏极金属电极；
所述碳化硅外延层上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层，氧化层上设有的栅极金属电极；
在碳化硅外延层上设有的源极注入区，所述源极注入区的掺杂类型为第一导电类型；
所述源极注入区上覆盖有的源极金属电极；在碳化硅外延层上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区，保护注入区和改善注入区，所述阻断注入区的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区与源极注入区相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区设置在栅极金属电极下方。
优选地，进一步包括一个或多个改善电场分布注入区，改善电场分布注入区为重掺杂的第二导电类型。
优选地，若改善电场分布注入区设置有多个时，改善电场分布注入区之间的距离根据需要调节设置。
优选地，所述改善注入区与栅极金属电极在俯视截面上呈平行设置。
优选地，所述改善电场分布注入区与栅极金属电极在俯视截面上呈平行设置。
优选地，所述改善注入区与栅极金属电极在俯视截面上呈垂直设置。
优选地，所述改善电场分布注入区与栅极金属电极在俯视截面上呈垂直设置。
采用本发明具有如下的有益效果：
(1)增加了沟道迁移率，碳化硅沟槽栅MOSFET的表面沟道迁移率通常比平面栅MOSFET结构中的沟道迁移率大2-3倍；
(2)与平面栅MOSFET结构相比，沟槽栅MOSFET设计可实现更小的单元间距；
(3)结合减小间距和增加沟道迁移率的优势，沟槽栅MOSFET设计与传统的平面栅设计相比，导通电阻显著降低。
(4)改善注入区能改善阻断注入区和保护区所形成的JFET区的电场分布，扩大电子沟道，减少导通电阻。
附图说明
图1为本发明第一实施例的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET的结构示意图；
图2为本发明第二实施例的实施例的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET的结构示意图；
图3为图2中C-C'截面的结构示意图；
图4为本发明第三实施例的实施例的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET中参照第二实施例中C-C'截面的结构示意图；
图5为图4中A-A'截面的结构示意图；
图6为图4中B-B'截面的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
参照图1，所示为本发明一实施例的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET的结构示意图，以第一导电类型为N，第二导电类型为P举例，其包括碳化硅衬底101，碳化硅衬底101的掺杂类型为N+；碳化硅衬底101上生长的碳化硅外延层102，碳化硅外延层102掺杂类型为N-；碳化硅衬底101背面覆盖的漏极金属电极110；碳化硅外延层102上刻蚀的沟槽，在沟槽表面生长有的氧化层107，氧化层107上设有的栅极金属电极108；在碳化硅外延层102上设有的源极注入区104，源极注入区104的掺杂类型为N+；源极注入区104上覆盖有的源极金属电极109；在碳化硅外延层102上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区103，保护注入区106和改善注入区105。阻断注入区103的掺杂类型为P，用于保持MOSFET为常闭型器件，同时与碳化硅衬底101与碳化硅外延层102形成PiN结构增加反向耐压。改善注入区105的掺杂类型为N。保护注入区106为重掺杂的P+，保护注入区106为栅极保护区，避免栅压过高时发生器件穿通。因为保护注入区106的导电类型与器件开通时导通载流子的导电类型不一致，保护注入区106与碳化硅外延层102形成的耗尽区会使沟道宽度相对变小，而通过设置改善注入区105，可使其与保护注入区106形成耗尽区，将沟道的宽度扩大。阻断注入区103与源极注入区104相邻且设置在栅极和漏极之间，保护注入区106设置在栅极金属电极108下方。本实施例为常闭型MOSFET，具体实施时，在栅极金属电极108上施加正压即可实现器件的开启。
其他应用实施例中，也可替换设置第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。
实施例2
本发明的第二实施例如图2和3所示，继续以第一导电类型为N举例，第二导电类型为P举例。与第一实施例相似地，带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET包括N+掺杂的碳化硅衬底101，N-掺杂的碳化硅外延层102。在碳化硅衬底101背面覆盖有漏极金属电极110，形成MOSFET的漏极区。同样地，碳化硅外延层102上刻蚀有沟槽，生长有氧化层107，与栅极金属电极108形成栅极区。碳化硅外延层102上设有N+掺杂的源极注入区104，与源极金属电极109形成源极区。与第一实施类功能类似地，碳化硅外延层102上还设有P掺杂的阻断注入区103，N掺杂的改善注入区105，以及P+掺杂的保护注入区106。特别地设有P+掺杂的一个或多个改善电场分布注入区111，有增加MOSFET器件反向耐压的作用，可通过调整注入区的数量来达到相应的耐压需求。另外地，该改善电场分布注入区111可有效调节电场分布，防止器件某一位置的电场过分集中。通过控制一个或多个改善电场分布注入区111的与其他结构以及自身之间的间距，有效减弱栅极区域的电场，进一步避免栅级穿通现象。
如图3所示，改善注入区105与栅极金属电极108在俯视截面上呈平行设置。改善电场分布注入区111与栅极金属电极108在俯视截面上呈平行设置。
本领域技术人员可以理解的是，改善注入区105与栅极金属电极108在俯视截面上也可以呈垂直设置。改善电场分布注入区111与栅极金属电极108在俯视截面上呈垂直设置。
实例3
本发明的第三实施例如图4、5和6所示，与第二实施例相似，栅极区有栅极金属电极108，源极区有源极注入区104，漏极区在背面。图4为参照第二实施例中C-C'截面的结构示意图，图5为本实施例的图4中A-A'截面的示意图，图6为本实施例的图4中B-B'截面的结构示意图。以第一导电类型为N，第二导电类型为P举例，本实施例结构包括N+掺杂的碳化硅衬底101，N-掺杂的碳化硅外延层102。在碳化硅衬底101背面覆盖有漏极金属电极110，在碳化硅外延层102设有氧化层107，栅极金属电极108，N+掺杂的源极注入区104，以及源极金属电极109。同样地，碳化硅外延层102上还设有P掺杂的阻断注入区103，P+掺杂的保护注入区106。图5中的N掺杂改善注入区105，器件开通时在此区域形成沟道，同时与保护注入区106形成耗尽区，将沟道的宽度扩大。图6中的P+掺杂的改善电场分布注入区111，可增加MOSFET器件的反向耐压。与第二实施例类似，本实施例也可通过调整保护注入区106和改善电场分布111的数量以及面积，来调节反向耐压能力以及电场分布，有效减弱栅极区域的电场。如图4所示，此实施例中改善注入区105与栅极金属电极108在俯视截面上也可以呈垂直设置。改善电场分布注入区111与栅极金属电极108在俯视截面上呈垂直设置。
本领域技术人员可以理解的是，改善注入区105与栅极金属电极108在俯视截面上也可以呈平行设置。改善电场分布注入区111与栅极金属电极108在俯视截面上也可以呈平行设置。
应当理解，本文所述的示例性实施例是说明性的而非限制性的。尽管结合附图描述了本发明的一个或多个实施例，本领域普通技术人员应当理解，在不脱离通过所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种形式和细节的改变。
Claims (7)
1.一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：
碳化硅衬底(101)，所述碳化硅衬底(101)的掺杂类型为第一导电类型；
碳化硅衬底(101)上生长的碳化硅外延层(102)，所述碳化硅外延层(102)掺杂类型为第一导电类型；
所述碳化硅衬底(101)背面覆盖的漏极金属电极(110)；
所述碳化硅外延层(102)上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层(107)，氧化层(107)上设有的栅极金属电极(108)；
在碳化硅外延层(102)上设有的源极注入区(104)，所述源极注入区(104)的掺杂类型为第一导电类型；
所述源极注入区(104)上覆盖有的源极金属电极(109)；在碳化硅外延层(102)上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区(103)，保护注入区(106)和改善注入区(105)，所述阻断注入区(103)的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区(105)的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区(106)为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区(103)与源极注入区(104)相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区(106)设置在栅极金属电极(108)下方。
2.如权利要求1所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，进一步包括一个或多个改善电场分布注入区(111)，改善电场分布注入区(111)为重掺杂的第二导电类型。
3.如权利要求2所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，若改善电场分布注入区(111)设置有多个时，改善电场分布注入区(111)之间的距离根据需要调节设置。
4.如权利要求1至3任一所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善注入区(105)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈平行设置。
5.如权利要求1至3任一所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善电场分布注入区(111)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈平行设置。
6.如权利要求1至3任一所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善注入区(105)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈垂直设置。
7.如权利要求1至3任一所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善电场分布注入区(111)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈垂直设置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010882108.3A CN112186027A (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 一种带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010882108.3A CN112186027A (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 一种带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112186027A true CN112186027A (zh) | 2021-01-05 |
Family
ID=73924474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010882108.3A Pending CN112186027A (zh) | 2020-08-28 | 2020-08-28 | 一种带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112186027A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113690321A (zh) * | 2021-10-25 | 2021-11-23 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种碳化硅沟槽栅mosfet及其制造方法 |
| CN114242779A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-03-25 | 成都功成半导体有限公司 | 一种带有沟槽的碳化硅积累态mosfet |
| CN115295614A (zh) * | 2022-10-08 | 2022-11-04 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅jfet结构及其制备方法 |
| CN116344587A (zh) * | 2023-04-26 | 2023-06-27 | 无锡新洁能股份有限公司 | 一种沟槽型碳化硅mosfet器件及其制备工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194065A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| US20090261350A1 (en) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device including deep layer |
| US20140159053A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Industrial Technology Research Institute | Sic trench gate transistor with segmented field shielding region and method of fabricating the same |
| JP2015128184A (ja) * | 2011-03-10 | 2015-07-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN110366782A (zh) * | 2017-03-06 | 2019-10-22 | 三菱电机株式会社 | 碳化硅半导体装置、电力变换装置、碳化硅半导体装置的制造方法以及电力变换装置的制造方法 |
-
2020
- 2020-08-28 CN CN202010882108.3A patent/CN112186027A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009194065A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
| US20090261350A1 (en) * | 2008-04-17 | 2009-10-22 | Denso Corporation | Silicon carbide semiconductor device including deep layer |
| JP2015128184A (ja) * | 2011-03-10 | 2015-07-09 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US20140159053A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Industrial Technology Research Institute | Sic trench gate transistor with segmented field shielding region and method of fabricating the same |
| CN110366782A (zh) * | 2017-03-06 | 2019-10-22 | 三菱电机株式会社 | 碳化硅半导体装置、电力变换装置、碳化硅半导体装置的制造方法以及电力变换装置的制造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113690321A (zh) * | 2021-10-25 | 2021-11-23 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种碳化硅沟槽栅mosfet及其制造方法 |
| CN114242779A (zh) * | 2022-02-24 | 2022-03-25 | 成都功成半导体有限公司 | 一种带有沟槽的碳化硅积累态mosfet |
| CN114242779B (zh) * | 2022-02-24 | 2022-05-10 | 成都功成半导体有限公司 | 一种带有沟槽的碳化硅积累态mosfet |
| CN115295614A (zh) * | 2022-10-08 | 2022-11-04 | 成都功成半导体有限公司 | 一种碳化硅jfet结构及其制备方法 |
| CN116344587A (zh) * | 2023-04-26 | 2023-06-27 | 无锡新洁能股份有限公司 | 一种沟槽型碳化硅mosfet器件及其制备工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7132207B2 (ja) | トレンチ下部にオフセットを有するＳｉＣ半導体デバイス | |
| US10388737B2 (en) | Electric field shielding in silicon carbide metal-oxide-semiconductor (MOS) devices having an optimization layer | |
| US8283720B2 (en) | Power semiconductor device | |
| JP6621749B2 (ja) | 高電圧ｍｏｓｆｅｔデバイスおよび該デバイスを製造する方法 | |
| US8110869B2 (en) | Planar SRFET using no additional masks and layout method | |
| JP4564510B2 (ja) | 電力用半導体素子 | |
| JP5586887B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| CN109920854B (zh) | Mosfet器件 | |
| CN112186027A (zh) | 一种带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet | |
| US10475896B2 (en) | Silicon carbide MOSFET device and method for manufacturing the same | |
| JP2009535849A (ja) | 集積化ｍｏｓｆｅｔ−ショットキーデバイスのレイアウトに影響を与えずにショットキーブレークダウン電圧（ｂｖ）を高める | |
| CN113690321B (zh) | 一种碳化硅沟槽栅mosfet及其制造方法 | |
| US20090273031A1 (en) | Semiconductor device | |
| CN112234095A (zh) | 含有增强元胞设计的功率mosfet器件 | |
| CN109904220A (zh) | 槽栅型碳化硅mosfet器件及制备方法 | |
| US20140097447A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| CN114023810B (zh) | 一种L型基区SiC MOSFET元胞结构、器件及制造方法 | |
| CN213366599U (zh) | 带有栅极沟槽结构的碳化硅mosfet | |
| EP1703566A1 (en) | MOS device having at least two channel regions | |
| CN115148826A (zh) | 一种深沟槽碳化硅jfet结构的制作方法 | |
| CN113972261A (zh) | 碳化硅半导体器件及制备方法 | |
| CN106876441B (zh) | 具有固定界面电荷场限环的功率器件 | |
| CN111477680A (zh) | 双通道均匀电场调制横向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及制作方法 | |
| CN216871981U (zh) | 一种耐高压碳化硅器件 | |
| KR20150052390A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210105 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |