KR950010061A - 반도체 장치와 그 제조방법 및 바이폴라 트랜지스터 - Google Patents

반도체 장치와 그 제조방법 및 바이폴라 트랜지스터 Download PDF

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Abstract

불순물의 전기적 활성화를 위한 열처리에 의해 불순물이 확산되는 것을 유효하게 억제할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조방법을 제공한다.
p형의 소스/드레인 영역(6a) 및 (6b)의 접합 깊이와 동등 이상의 깊이를 가지는 질소주입 영역(7a) 및 (7b)를 소스/드레인 영역(6a) 및 (6b)의 접합 영역의 전역에 따라서 형성한다.

Description

반도체 장치와 그 제조방법 및 바이폴라 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 P채널 MOS 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치를 표시한 단면도.
제2도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제1공정을 설명하기 위한 단면도.
제3도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제2공정을 설명하기 위한 단면도.
제4도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제3공정을 설명하기 위한 단면도.
제5도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제4공정을 설명하기 위한 단면도.
제6도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제5공정을 설명하기 위한 단면도.
제7도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제6공정을 설명하기 위한 단면도.
제8도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제7공정을 설명하기 위한 단면도.
제9도는 제1도에 표시한 제1실시예의 반도체 장치의 제조 프로세스의 제8공정을 설명하기 위한 단면도.

Claims (17)

  1. 주표면을 가지는 제1도전형의 반도체 영역과, 상기 반도체 영역의 주표면상에 채널영역을 끼우도록 소정의 간격을 두고 형성된 소정의 접합깊이를 가지는 제2도전형의 한쌍의 소스/드레인 영역과, 상기 소스/드레인 영역의 접합깊이와 동등 이상의 깊이를 가지며, 상기 소스/드레인 영역의 접합영역에 따라서 형성되고 질소, 불소, 알루곤, 산소, 탄소로 된 군에서 선택된 하나를 포함하는 제1의 주입층과, 상기 채널영역 상에 게이트 절연층을 통해서 형성된 게이트 전극과를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1의 주입층은 상기 소스/드레인 영역의 접합깊이 보다도 큰 깊이를 가지는 동시에, 상기 소스/드레인 영역을 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 불순물을 포함하고, 상기 게이트 전극의 상기 게이트 절연층측의 표면 근방에는, 질소, 불소, 알루곤, 산소, 탄소로 된 군에서 선택된 하나를 포함하는 제2의 주입층이 형성되어 있는 것이 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 불순물은 p형의 불순물인 것이 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 소스/드레인 영역은, p형의 도전형을 가지고 있는 것이 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 주표면을 가지는 제1도전형의 반도체 영역과, 상기 반도체 영역의 주표면상에 채널영역을 끼우도록 소정의 간격을 두고 형성된 제2도전형의 한쌍의 소스/드레인 영역과, 상기 채널영역상에 게이트 절연층을 통해서 형성된 게이트 전극과를 구비하고, 상기 게이트 전극은 불순물을 포함하고, 상기 게이트 전극의 상기 게이트 절연층측의 표면근방에는, 질소, 불소, 알루곤, 산소, 탄소로 된 군에서 선택된 하나를 포함하는 주입층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 게이트 전극에 포함되는 불순물은 p형의 불순물인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 주표면을 가지는 제1도전형의 반도체 영역과, 주표면을 가지며 상기 제1의 반도체 영역과 인접하도록 형성된 제2도전형의 제2의 반도체 영역과, 상기 제1의 반도체 영역의 주표면상에 제1의 채널영역을 끼우도록 소정의 간격을 두고 형성된 소정의 접합깊이를 가지는 제2도전형의 한쌍의 제1의 소스/드레인 영역과, 상기 제1의 소스/드레인 영역의 접합깊이와 동등 이상의 깊이를 가지며, 상기 제1의 소스/드레인 영역의 접합영역의 전역에 따라서 형성되고 질소, 불소, 알루곤, 산소, 탄소로 된 군에서 선택된 하나를 포함하는 제1의 주입층과, 상기 제1의 채널영역 상에 제1의 게이트 절연층을 통해서 형성된 제1의 게이트 전극과, 상기 제2의 반도체 영역의 주표면상에 제2의 채널영역을 끼우도록 소정의 간격을 두고 형성된 제1도전형의 한쌍의 제2의 소스/드레인 영역과, 상기 제2의 채널영역상에 제2의 게이트 절연층을 통해서 형성된 제2의 게이트 전극과를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 게이트 전극은 공히 제2도전형의 불순물을 포함하고, 상기 제1 및 제2의 게이트 전극의 상기 제1 및 제2의 게이트 절연층측에 표면근방에는 공히 질소, 불소, 알루곤, 산소, 탄소로 된 군에서 선택된 하나를 포함하는 제2의 주입층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1의 주입층은 상기 제1의 소스/드레인 영역의 접합깊이 보다도 큰 깊이를 가지는 동시에 상기 제1의 소스/드레인 영역을 덮도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제1도전형의 반도체 영역의 주표면상의 소정영역에 게이트 절연층을 통해서 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로서 상기 반도체 영역에 질소, 불소, 알루곤, 산소, 탄소로 된 군에서 선택된 하나를 제1의 투영비정으로 이온주입하므로서 주입층을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로서 상기 반도체 영역에 제2도전형의 불순물을 상기 제1의 투영비정 보다도 작은 제2의 투영비정으로 이온주입하므로서 제2도전형의 한쌍의 불순물 영역을 형성하는 공정과, 그후, 열처리를 실시하는 공정과를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 질소의 이온주입은 30KeV의 주입 에너지로, 1E15~1E16개/㎠의 불순물 농도로 행하고, 상기 불순물의 이온주입은 보론올 10KeV의 주입 에너지로, 5E15개/㎠의 불순물 농도로 행하여, 상기 열처리는 800℃~900℃ 온도 조건하에서 질소 분위기 중에서 30분간 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  13. 제1도전형의 반도체 영역의 주표면상의 소정영역에 게이트 절연층을 통해서 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극에 불순물을 도입하므로서 상기 게이트 전극내에 상기 게이트 전극의 상부 표면으로 부터 소정의 깊이를 가지는 불순물 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극에 질소, 불소, 알루곤, 산소, 탄소로 된 군에서 선택된 하나를 이온주입하므로서 상기 불순물 영역과 동등 이상의 깊이를 가지는 주입층을 형성하는 공정과, 그후, 열처리를 실시하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 불순물의 도입은, 상기 게이트 전극에 상기 불순물을 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 불순물의 도입은 상기 게이트 전극의 퇴적시에 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  16. 제11항 또는 제13항에 있어서, 상기 이온주입되는 질소는 질소의 단일 이온(N+) 및 질소의 분자이온(N2 +)로 된 군에서 선택된 것 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  17. 보론과 질소와를 포함하는 p형 에피택셜 성장층을 구비하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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