JPH01302771A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH01302771A JPH01302771A JP13308788A JP13308788A JPH01302771A JP H01302771 A JPH01302771 A JP H01302771A JP 13308788 A JP13308788 A JP 13308788A JP 13308788 A JP13308788 A JP 13308788A JP H01302771 A JPH01302771 A JP H01302771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- field effect
- effect transistor
- gate
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はゲート容量が小さくゲート耐圧が高い電界効
果トランジスタに関するものである。
果トランジスタに関するものである。
従来の電界効果トランジスタを第2図で説明する。第2
図は従来の選択成長GaAS電界効果トランジスタの構
造を示す断面図で、図において、1は半絶縁性基板、2
は一導電性の動作層で、イオン注入あるいはエピタキシ
ャル成長により形成される。3はゲート電極で、例えば
Wまたはnなどの高融点金属からなる。5は動作層1と
同一導電性で10”/1以上の高いキャリア濃度を有す
る高濃度層で、ゲート電極8をマスクにした選択エピタ
キシャル成長により形成される。6および7はそれぞれ
ソースおよびドレイン電極である。
図は従来の選択成長GaAS電界効果トランジスタの構
造を示す断面図で、図において、1は半絶縁性基板、2
は一導電性の動作層で、イオン注入あるいはエピタキシ
ャル成長により形成される。3はゲート電極で、例えば
Wまたはnなどの高融点金属からなる。5は動作層1と
同一導電性で10”/1以上の高いキャリア濃度を有す
る高濃度層で、ゲート電極8をマスクにした選択エピタ
キシャル成長により形成される。6および7はそれぞれ
ソースおよびドレイン電極である。
このような従来の選択成長Q&A!9電界効果トランジ
スタの構造では、高濃度層とゲート電極との間隔が近す
ぎるために、ゲート耐圧が低下しかつ、ゲート容量が増
大する問題点があった。
スタの構造では、高濃度層とゲート電極との間隔が近す
ぎるために、ゲート耐圧が低下しかつ、ゲート容量が増
大する問題点があった。
この発明はかかる問題点を解消しようとするもので、高
濃度層ではなく動作層と同程度の10/d程度のキャリ
ア濃度を有する導電層を選択成長させ、かつソース、ド
レイン電極のオーミック抵抗を低減するために、高濃度
層をゲート電極から離して導電層内にイオン注入などの
方法により形成することにより、ゲート耐圧が高く、ゲ
ート容量の小さい電界効果トランジスタを得ることを目
的とするものである。
濃度層ではなく動作層と同程度の10/d程度のキャリ
ア濃度を有する導電層を選択成長させ、かつソース、ド
レイン電極のオーミック抵抗を低減するために、高濃度
層をゲート電極から離して導電層内にイオン注入などの
方法により形成することにより、ゲート耐圧が高く、ゲ
ート容量の小さい電界効果トランジスタを得ることを目
的とするものである。
この発明の電界効果トランジスタは高濃度層ではなく、
動作層と同程度の10/−程度のキャリア濃度を有する
導電層を選択成長させ、かつソース、ドレイン電極のオ
ーミック抵抗を低減するために、高濃度層をゲート電極
から離して導電層内にイオン注入などの方法により形成
するものである。
動作層と同程度の10/−程度のキャリア濃度を有する
導電層を選択成長させ、かつソース、ドレイン電極のオ
ーミック抵抗を低減するために、高濃度層をゲート電極
から離して導電層内にイオン注入などの方法により形成
するものである。
この発明の電界効果トランジスタは高濃度層とゲート電
極との間に選択成長による導電層を設けたので、ゲート
耐圧が高くゲート容量の小さい電界効果トランジスタを
得ることができる。
極との間に選択成長による導電層を設けたので、ゲート
耐圧が高くゲート容量の小さい電界効果トランジスタを
得ることができる。
第1図はこの発明の一実施例であるCIaAs電界効果
トランジスタの断面図である。図において、1は半絶縁
性基板、2はn型の動作層で、イオン注入あるいはエピ
タキシャル成長により形成される。
トランジスタの断面図である。図において、1は半絶縁
性基板、2はn型の動作層で、イオン注入あるいはエピ
タキシャル成長により形成される。
3はゲート電極で、例えばWまたは1”aなどの高融点
金属からなる。4はn型の導電層で、動作層2と同程度
のキャリア濃度10’/cdから高々101′/、ff
l程度のキャリア濃度を有し、ゲート電極3をマスクに
した選択エピタキシャル成長により形成される。
金属からなる。4はn型の導電層で、動作層2と同程度
のキャリア濃度10’/cdから高々101′/、ff
l程度のキャリア濃度を有し、ゲート電極3をマスクに
した選択エピタキシャル成長により形成される。
5は高いキャリア濃度を有するn型の高濃度層で、イオ
ン注入により形成される。6および7はそれぞれソース
およびドレイン電極である。
ン注入により形成される。6および7はそれぞれソース
およびドレイン電極である。
この発明の電界効果トランジスタでは高濃度層5がゲー
ト電極3から十分能れているので、ゲート耐圧は十分高
くゲート容量も小さい。また、導電層4がゲート近傍ま
で選択成長により自己整合的に形成されるので、表面空
乏層によるソース寄生抵抗は十分小さい。
ト電極3から十分能れているので、ゲート耐圧は十分高
くゲート容量も小さい。また、導電層4がゲート近傍ま
で選択成長により自己整合的に形成されるので、表面空
乏層によるソース寄生抵抗は十分小さい。
なお、上記実施例ではGaAs電界効果トランジス宴
夕の場合について説明したが、この他、InP &の半
導体材料を用いた電界効果トランジスタにも適用できる
ことは言うまでもない。
導体材料を用いた電界効果トランジスタにも適用できる
ことは言うまでもない。
以上説明したようにこの発明によれば、高濃度層とゲー
ト電極との間に選択成長による導電層を設けたので、高
濃度層がゲート電極に隣接することによるゲート耐圧の
低下およびゲート容量の増大を著しく向上する上で極め
て有効である。
ト電極との間に選択成長による導電層を設けたので、高
濃度層がゲート電極に隣接することによるゲート耐圧の
低下およびゲート容量の増大を著しく向上する上で極め
て有効である。
第1図はこの発明の一実施例であるGaAs電界効果ト
ランジスタの断面図、第2図は従来の選択成長GaAs
電界効果トランジスタの断面図である。 図中、1は半絶縁性基板、2は動作I潅、3はゲート電
極、4は導電層、5は高濃度層、6はソース電極、7は
ドレイン電極である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ランジスタの断面図、第2図は従来の選択成長GaAs
電界効果トランジスタの断面図である。 図中、1は半絶縁性基板、2は動作I潅、3はゲート電
極、4は導電層、5は高濃度層、6はソース電極、7は
ドレイン電極である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半絶縁基板の表面に、一導電性の動作層が形成され、
この動作層上にゲート電極が形成され、このゲート電極
の両側に導電性で前記動作層と同程度のキャリア濃度あ
るいはやや高いキャリア濃度を有する導電層をゲート電
極をマスクに選択的に成長することにより形成され、こ
の導電層あるいはこの導電層とこの導電層の下の動作層
に、前記導電層の表面から高いキャリア濃度を有する高
濃度層が形成され、さらに、前記高濃度層の表面上にソ
ースおよびドレイン電極を具備したことを特徴とする電
界効果トランジスタ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13308788A JPH01302771A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13308788A JPH01302771A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01302771A true JPH01302771A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15096550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13308788A Pending JPH01302771A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01302771A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5504352A (en) * | 1993-12-28 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Semiconductor MESFET device with edge portion |
JPH08115925A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13308788A patent/JPH01302771A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5504352A (en) * | 1993-12-28 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Semiconductor MESFET device with edge portion |
JPH08115925A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4908325A (en) | Method of making heterojunction transistors with wide band-gap stop etch layer | |
KR20010032538A (ko) | 전계효과 트랜지스터 | |
JPH0624208B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH01302771A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JPS61147577A (ja) | 相補型半導体装置 | |
JPS63161677A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP3256643B2 (ja) | 半導体装置 | |
GB2151078A (en) | Semiconductor devices | |
JP2616032B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPS6390865A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH04101436A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
KR940003096A (ko) | 고전자 이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법 | |
JPS61270873A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61206263A (ja) | ヘテロ・パイポ−ラ型半導体装置 | |
JPS6399579A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH01107576A (ja) | 電界効果トランジスタとその製造方法 | |
JPS63186479A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JPH04207040A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61102069A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JPS58162070A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JPS59197176A (ja) | 接合ゲ−ト電界効果トランジスタの製造方法 | |
JPH01199475A (ja) | ヘテロ接合電界効果トランジスタ | |
JPS60176275A (ja) | 集積型半導体装置 | |
KR930011305A (ko) | 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
JPH0697430A (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |