JPH01302771A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
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- JPH01302771A JPH01302771A JP13308788A JP13308788A JPH01302771A JP H01302771 A JPH01302771 A JP H01302771A JP 13308788 A JP13308788 A JP 13308788A JP 13308788 A JP13308788 A JP 13308788A JP H01302771 A JPH01302771 A JP H01302771A
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- Japan
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- effect transistor
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- gate electrode
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はゲート容量が小さくゲート耐圧が高い電界効
果トランジスタに関するものである。
果トランジスタに関するものである。
従来の電界効果トランジスタを第２図で説明する。第２
図は従来の選択成長ＧａＡＳ電界効果トランジスタの構
造を示す断面図で、図において、１は半絶縁性基板、２
は一導電性の動作層で、イオン注入あるいはエピタキシ
ャル成長により形成される。３はゲート電極で、例えば
Ｗまたはｎなどの高融点金属からなる。５は動作層１と
同一導電性で１０”／１以上の高いキャリア濃度を有す
る高濃度層で、ゲート電極８をマスクにした選択エピタ
キシャル成長により形成される。６および７はそれぞれ
ソースおよびドレイン電極である。
図は従来の選択成長ＧａＡＳ電界効果トランジスタの構
造を示す断面図で、図において、１は半絶縁性基板、２
は一導電性の動作層で、イオン注入あるいはエピタキシ
ャル成長により形成される。３はゲート電極で、例えば
Ｗまたはｎなどの高融点金属からなる。５は動作層１と
同一導電性で１０”／１以上の高いキャリア濃度を有す
る高濃度層で、ゲート電極８をマスクにした選択エピタ
キシャル成長により形成される。６および７はそれぞれ
ソースおよびドレイン電極である。
このような従来の選択成長Ｑ＆Ａ！９電界効果トランジ
スタの構造では、高濃度層とゲート電極との間隔が近す
ぎるために、ゲート耐圧が低下しかつ、ゲート容量が増
大する問題点があった。
スタの構造では、高濃度層とゲート電極との間隔が近す
ぎるために、ゲート耐圧が低下しかつ、ゲート容量が増
大する問題点があった。
この発明はかかる問題点を解消しようとするもので、高
濃度層ではなく動作層と同程度の１０／ｄ程度のキャリ
ア濃度を有する導電層を選択成長させ、かつソース、ド
レイン電極のオーミック抵抗を低減するために、高濃度
層をゲート電極から離して導電層内にイオン注入などの
方法により形成することにより、ゲート耐圧が高く、ゲ
ート容量の小さい電界効果トランジスタを得ることを目
的とするものである。
濃度層ではなく動作層と同程度の１０／ｄ程度のキャリ
ア濃度を有する導電層を選択成長させ、かつソース、ド
レイン電極のオーミック抵抗を低減するために、高濃度
層をゲート電極から離して導電層内にイオン注入などの
方法により形成することにより、ゲート耐圧が高く、ゲ
ート容量の小さい電界効果トランジスタを得ることを目
的とするものである。
この発明の電界効果トランジスタは高濃度層ではなく、
動作層と同程度の１０／−程度のキャリア濃度を有する
導電層を選択成長させ、かつソース、ドレイン電極のオ
ーミック抵抗を低減するために、高濃度層をゲート電極
から離して導電層内にイオン注入などの方法により形成
するものである。
動作層と同程度の１０／−程度のキャリア濃度を有する
導電層を選択成長させ、かつソース、ドレイン電極のオ
ーミック抵抗を低減するために、高濃度層をゲート電極
から離して導電層内にイオン注入などの方法により形成
するものである。
この発明の電界効果トランジスタは高濃度層とゲート電
極との間に選択成長による導電層を設けたので、ゲート
耐圧が高くゲート容量の小さい電界効果トランジスタを
得ることができる。
極との間に選択成長による導電層を設けたので、ゲート
耐圧が高くゲート容量の小さい電界効果トランジスタを
得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例であるＣＩａＡｓ電界効果
トランジスタの断面図である。図において、１は半絶縁
性基板、２はｎ型の動作層で、イオン注入あるいはエピ
タキシャル成長により形成される。
トランジスタの断面図である。図において、１は半絶縁
性基板、２はｎ型の動作層で、イオン注入あるいはエピ
タキシャル成長により形成される。
３はゲート電極で、例えばＷまたは１”ａなどの高融点
金属からなる。４はｎ型の導電層で、動作層２と同程度
のキャリア濃度１０’／ｃｄから高々１０１′／、ｆｆ
ｌ程度のキャリア濃度を有し、ゲート電極３をマスクに
した選択エピタキシャル成長により形成される。
金属からなる。４はｎ型の導電層で、動作層２と同程度
のキャリア濃度１０’／ｃｄから高々１０１′／、ｆｆ
ｌ程度のキャリア濃度を有し、ゲート電極３をマスクに
した選択エピタキシャル成長により形成される。
５は高いキャリア濃度を有するｎ型の高濃度層で、イオ
ン注入により形成される。６および７はそれぞれソース
およびドレイン電極である。
ン注入により形成される。６および７はそれぞれソース
およびドレイン電極である。
この発明の電界効果トランジスタでは高濃度層５がゲー
ト電極３から十分能れているので、ゲート耐圧は十分高
くゲート容量も小さい。また、導電層４がゲート近傍ま
で選択成長により自己整合的に形成されるので、表面空
乏層によるソース寄生抵抗は十分小さい。
ト電極３から十分能れているので、ゲート耐圧は十分高
くゲート容量も小さい。また、導電層４がゲート近傍ま
で選択成長により自己整合的に形成されるので、表面空
乏層によるソース寄生抵抗は十分小さい。
なお、上記実施例ではＧａＡｓ電界効果トランジス宴
夕の場合について説明したが、この他、ＩｎＰ ＆の半
導体材料を用いた電界効果トランジスタにも適用できる
ことは言うまでもない。
導体材料を用いた電界効果トランジスタにも適用できる
ことは言うまでもない。
以上説明したようにこの発明によれば、高濃度層とゲー
ト電極との間に選択成長による導電層を設けたので、高
濃度層がゲート電極に隣接することによるゲート耐圧の
低下およびゲート容量の増大を著しく向上する上で極め
て有効である。
ト電極との間に選択成長による導電層を設けたので、高
濃度層がゲート電極に隣接することによるゲート耐圧の
低下およびゲート容量の増大を著しく向上する上で極め
て有効である。
第１図はこの発明の一実施例であるＧａＡｓ電界効果ト
ランジスタの断面図、第２図は従来の選択成長ＧａＡｓ
電界効果トランジスタの断面図である。 図中、１は半絶縁性基板、２は動作Ｉ潅、３はゲート電
極、４は導電層、５は高濃度層、６はソース電極、７は
ドレイン電極である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ランジスタの断面図、第２図は従来の選択成長ＧａＡｓ
電界効果トランジスタの断面図である。 図中、１は半絶縁性基板、２は動作Ｉ潅、３はゲート電
極、４は導電層、５は高濃度層、６はソース電極、７は
ドレイン電極である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半絶縁基板の表面に、一導電性の動作層が形成され、
この動作層上にゲート電極が形成され、このゲート電極
の両側に導電性で前記動作層と同程度のキャリア濃度あ
るいはやや高いキャリア濃度を有する導電層をゲート電
極をマスクに選択的に成長することにより形成され、こ
の導電層あるいはこの導電層とこの導電層の下の動作層
に、前記導電層の表面から高いキャリア濃度を有する高
濃度層が形成され、さらに、前記高濃度層の表面上にソ
ースおよびドレイン電極を具備したことを特徴とする電
界効果トランジスタ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13308788A JPH01302771A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13308788A JPH01302771A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302771A true JPH01302771A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=15096550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13308788A Pending JPH01302771A (ja) | 1988-05-30 | 1988-05-30 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01302771A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5504352A (en) * | 1993-12-28 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Semiconductor MESFET device with edge portion |
| JPH08115925A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-30 JP JP13308788A patent/JPH01302771A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5504352A (en) * | 1993-12-28 | 1996-04-02 | Nec Corporation | Semiconductor MESFET device with edge portion |
| JPH08115925A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
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