KR940017024A - 전류 주입층과 거울층을 분리시킨 수직 공진형 표면방출 레이저 다이오드 소자의 제조방법 - Google Patents

전류 주입층과 거울층을 분리시킨 수직 공진형 표면방출 레이저 다이오드 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

반도체 기판상에 n형 하부 DBR 거울층, n형 스페이서, 활성층, p형 스페이서, p형 접촉층 및 상부 DBR 거울층을 차례로 적층하는 공정과, 소정 패턴의 포토레지스트를 상부 DBR 거울층상에 형성한 다음 포토레제스트를 마스크로 사용하여 이외의 노출된 부분을 순차적으로 p형 접촉층의 표면까지 식각하는 공정과, 포토레지스트를 마스크로 사용하여 이온주입으로 포토레지스트의 하부 이외의 영역에만 이온이 주입되게 하는 공정과, p형 접촉층의 표면과 포토지제스트가 형성된 상부 DBR 거울층의 측면에 p형 전극을 형성하고 아울러 기판의 배면에 n형 전극을 형성한 것이다.

Description

전류 주입층과 거울층을 분리시킨 수직 공진형 표면방출 레이저 다이오드 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따라 제조된 전류 주입을 위한 층과 DBR 거울층을 분리시킨 수직 공진형 표면 방출 레이저 다이오드의 단면도, 제3도는 본 발명에 따라 전류 주입을 위한 층과 DBR 거울층을 분리한 수직 공진형 표면 방출 레이저 다이오드의 제작 공정을 보인 도면.

Claims (3)

  1. 반도체 기판(2)상에 n형 하부 DBR 거울층(3), n형 스페이서(4), 활성층(5), p형 스페이스(6), p형 접촉층(10) 및 상부 DBR 거울층(12)을 차례로 적층하는 공정과, 소정 패턴의 포토레지스트(11)를 상기 상부 DBR 거울층(12)상에 형성한 다음 상기 포토레지스트(11)을 마스크로 사용하여 이외의 노출된 부분을 순차적으로 상기 p형 접촉층(10)의 표면까지 식각하는 공정과, 상기 포토레지스트(11)를 마스크로 사용하여 이온주입으로 상기 포토레지스트(11)의 하부 이외의 영역에만 이온이 주입되게 하는 공정과, 상기 p형 접촉층(10)의 표면과 상기 포토레지스트(11)가 형성된 상부 DBR 거울층(12)의 측면에 p형 전극(9)을 형성하고 아울러 상기 기판(2)의 배면에 n형 전극(1)을 형성하는 공정을 포함하는 수직 공진형 표면 방출 레이저 다이오드 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판(2)은 GaAs 기판인 것을 특징으로 하는 수직 공지형 표면 방출 레이저 다이오드 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상부 DBR 거울층(12)은 불순물을 도핑하지 않은 것을 특징으로 하는 수직 공진형 표면 방출 레이저 다이오드 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR102171925B1 (ko) * 2019-05-15 2020-10-30 주식회사 옵토웰 수직 캐비티 표면 방출 레이저의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 수직 캐비티 표면 방출 레이저

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