KR900015346A - 규소화물이 도우핑된 에미터 브리지 트랜지스터 - Google Patents

규소화물이 도우핑된 에미터 브리지 트랜지스터 Download PDF

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KR900015346A
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비. 보라 마드후카르
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존 지. 웨브
내쇼날 세미컨덕터 코포레이션
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Abstract

내용 없음.

Description

규소화물이 도우핑된 에미터 브리지 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 공지된 기술을 사용하여 제조될 수 있는 집적 회로구조의 단면도,
제2도는 에미터 접점으로 사용된 재료를 데포지트한 다음에 에미터를 형성하는 순차적인 단면도,
제3도는 에미터 접점을 한정한 다음에 절연층을 형성하는 순차적인 단면도.

Claims (14)

  1. 상부 표면을 지니는 제1도전율형 부분을 적어도 지닌 기판, 상기 상부표면에 인접한 기판내에 배치된 정반대 도전율형의 제1영역, 상기 상부표면부분상에 배치된 전기 도전성의 제1전극, 상기 상부표면 부분에 인접한 기판 내에 있는 제1도전 율형의 제2영역, 상기 제1전극상에 배치된 절연층, 상기 절연층상에 배치되어 상기 제2영역에 의해 분리되는 제1영역중 적어도 두부분과 접촉해 있는 제2전극, 상기 제1영역에 배치되며 상기 제2전극과 정렬되고 상기 제1영역보다 높은 정반대 도전율의 농도를 지니는 정반대 도전율형의 제3및 제4영역, 을 포함하는 반도체 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 제1스트립을 포함하여, 상기 제2전극은 상기 제1스트립과 수직으로 확장하는 제2스트립을 포함하는 반도체 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판은 트랜지스터의 콜렉터를 포함하여, 상기 제1영역은 베이스를 포함하고, 상기 제2영역은 에미터를 포함하는 반도체 구조.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1전극은 에미터 접점을 포함하며 상기 제2전극은 베이스 접점을 포함하는 반도체 구조.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 다결정질 실리콘의 하부층 및 제1금속 규소화물의 상부층을 포함하는 반도체 구조.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2전극은 제2금속 규소화물을 포함하는 반도체 구조.
  7. 제6항에 있어서, 상기 절연층은 이산화 실리콘을 포함하는 반도체 구조.
  8. (a) 상부표면을 지니는 제1도전율형 부분을 적어도 지닌 기판을 제공하는 단계, (b) 상기 상부표면에 인접하게 위치한 제2도전율형의 제2영역을 형성하는 단계, (c) 적어도 한 노출부분을 지니는 제1영역에 인접한 제1도전율형의 제2영역을 형성하는 단계, (d) 상기 제2영역상에 제1도전성 전극을 형성하는 단계, (e) 상기 제1도전성 전극상에 절연영역을 형성하는 단계, (f) 상기 절연층상에 배치되며 상기 노출부분과 접촉해 있는 제2도전성 전극을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 구조를 제조하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 부분은 N-형 불순물로 도우핑된 에피텍셜 실리콘을 대포지드함으로써 형성되는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1영역 주변에 산화 절연영역을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제2영역상에 제1도전성 전극을 제공하는 단계는 (a) 상기 제2영역상에 금속층을 데포지트하는 단계, (b) 금속 규소화물을 형성하도록 상기 제2영역과 상기 금속을 반응시키는 단계를 포함하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 절연 영역을 형성하는 단계는 (a) 적어도 상기 제1도전성 전극 및 상기 제2영역상에 이산화 실리콘층을 데포지트하는 단계, (b) 상기 이산화 실리콘을 이방성으로 에칭하는 단계를 포함하는 방법.
  13. 제8항에 있어서, 제2전극을 형성하는 단계는 (a) 제2도전을 형으로 도우핑된 금속 규소화물을 데포지트하는 단계, (b) 상기 규소화물을 마스킹하는 단계, (c) 상기 규소화물의 필요치않은 부분을 제거하는 단계, (d) 상기 제2도전율형이 상기 노출부분으로 확산하는 단계를 포함하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 노출부분은 상기 제2영역중 제1측상에 있는 제1노출부분 및 상기 제2영역중 제2측상에 있는 제2노출부분을 포함하는 방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900004081A 1989-03-28 1990-03-27 규소화물이 도우핑된 에미터 브리지 트랜지스터 KR900015346A (ko)

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