KR880001061A - 양극성 트랜지스터 구조 - Google Patents

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KR880001061A
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엘리 와이스
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

양극성 트랜지스터 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1, 2내지 3도는 본 발명에 따라서 덮인 규화물 층을 갖는 초미세 양극성 트랜지스터 구조를 형성하기 위해 사용되는 제작과정에서 연속되는 단계의 도시도.

Claims (6)

  1. 제1전도도를 갖는 단결정 실리콘 본체와, 상기 본체의 상부 주 표면내에 형성된 제2전도도형의 덮힌 콜렉터 영역과, 상기 본체의 상기 상부 주 표면상에 배치된 상기 제2전도도형의 대역 성장층과, 상기 덮힌 콜렉터 영역을 상기 대역 성장층의 상부 주 표면에 접속시키는 상기 대역 성장층내에 형성된 깊은 콜렉터 접촉영역과, 상기 덮인 콜렉터 영역상의 상기 대역 성장층의 상부 주 표면내에 형성되고 상기 깊은 콜렉터 접촉 영역으로부터 분리된 상기 제1전도도형의 베이스 영역과, 상기 베이스 영역내에 형성되며 상기 대역 성장층의 상기 상부 주 표면으로 연장되는 상기 제2전도도형의 에미터 영역을 포함하며, 상기 베이스 영역은 상기 에미터 영역 이하에 위치한 내부 베이스 영역을 포함하며 상기 주 표면으로부터 연장되며 상기 에미터 영역에 인접하여 위치한 외부 베이스 영역을 포함하는 고성능 양극성 트랜지스터 구조에 있어서, 베이스 접촉영역이, 상기 덮힌 콜렉터 영역상에 있고 상기 베이스 영역에 인접한 상기 대역 상장층의 상기 상부 주 표면위에 배치된 절연층(22)을 포함하고, 상기 절연층 위에 배치된 상기 제1전도도형의 많이 도프된 폴리실리콘층(24)을 포함하고, 상기 규화물층의 저항이 상기 폴리실리콘 층의 저항보다 상당히 작은, 상기 많이 도프된 폴리실리콘층 위에 배치된 규화물층(26)을 포함하고, 상기 절연 폴리실리콘 및 규화물층에 인접한 수직 접속영역을 구성하는 도프되지 않은 폴리실리콘 영역(36)을 포함하며, 상기 폴리실리콘 영역은 상기 외부 베이스 영역 및 상기 폴리실리콘 및 규화물층 사이의 수직 접속을 형성하며, 여기서 상기 폴리실리콘 및 규화물층의 결합은 낮은 외부 베이스 저항을 제공하는 것을 특징으로 하는 양극성 트랜지스터 구조.
  2. 제1항에 있어서, 베이스 접촉영역이, 상기 산화물, 폴리실리콘 및 규화물층을 돌출시키기 위해 상기 규화물층상에 배치된 실리콘 질화물층(28)을 포함하여, 상기 폴리실리콘 수직 접속영역이 실리콘 질화물 돌출영역 아래에 포함되는 것을 특징으로 하는 양극성 트랜지스터 구조.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트랜지스터가, 수직 폴리실리콘 영역에 인접한 수직 측면을 형성하기 위해 배치된 산화물 영역(40°)을 포함하며, 상기 산화물 영역은 상기 에미터 영역의 외부 경계를 제한하는 것을 특징으로 하는 양극성 트랜지스터 구조.
  4. 제3항에 있어서, 상기 에미터 영역이, 상기 수직 산화물 영역에 의해 제한된 상기 경계내의 이온 주입을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 양극성 트랜지스터 구조.
  5. 제3항에 있어서, 상기 산화물층이 저온 산화물 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 양극성 트랜지스터 구조.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1전도도는 p형 전도도이고 상기 제2전도도는 n형 전도도인 것을 특징으로 하는 양극성 트랜지스터 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005608A 1986-06-06 1987-06-03 양극성 트랜지스터 구조 KR940010553B1 (ko)

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EP0248606A3 (en) 1988-04-06
JPS62296560A (ja) 1987-12-23
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CA1279410C (en) 1991-01-22

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