KR950015836A - 반도체 광 다이오드 디바이스 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 광 다이오드 디바이스 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

광-캐리어 접속효율이 개전된 증가된 pn접합 크기를 갖는 절연 분리 광 다이오드, 상기 광 다이오드는 분리영역의 바닥부 및 벽부상에 형성된 반도체 물질의 제1층과; 제1층상에 형성된 반도체 물질의 제2층을 포함한다. 제2층은 제1층과 제1 p-n 접합을 형성하며 제1층의 것과 반대되는 도전형을 가진다. 광 다이오드는 또한 제2층상에 형성되어 제1층에 전기적으로 접속된 반도체 물질의 제3층을 가진다. 동작시, 제1 p-n 접합은 분리 영역 바닥부 및 벽부에 연장하는 광 생성 캐리어를 접속시키는 작용을 하므로써 분리 영역 면적당능동 접속p-n 집합 면적을 증가시켜서 광 다이오드의 효율을 향상시킨다.

Description

반도체 광 다이오드 디바이스 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1 실시예로 접속된 광 다이오드를 도시한 도면,
제3도는 본 발명의 제2 실시예로 접속된 광 다이코드를 도시한 도면,
제4도는 본 발명의 개선된 광 다이오드 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터를 갖는 광학적으로 결합된 고체 상태 릴레이를 도시한 도면.

Claims (14)

  1. 바닥부 및 벽부를 갖는 기판의 분리 영역내의 광다이오드에 있어서, 상기 분리 영역의 바닥부 및 벽부상에 형성되어 제1도전형을 갖는 반도체 물질의 제1층과; 상기 제1층상에 형성되어 상기 제1도전형과 반대되는 제2도 전형을 가지며 상기 제1층과 제1 p-n 접합을 형성하는 반도체 물질의 제2층과; 상기 제2층상에 형성되어 상기 제1층에 전기 적으로 연결되어 있고 상기 제1 도전형을 가지며 상기 제2층과 제2 p-n 접합을 형성하는 반도체 물질의 제3층을 포함하며 : 작동시, 상기 제1 p-n 접합은 상기 분리 영역의 바닥부 및 벽부에 연장하는 광 생성 캐리어를 접속하는 작용을 함으로써 분리 영역 면적당 집속 p-n 접합 면적을 준가시켜서 광 다이오드의 효율을 향상시키는 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 P 이고 제2도전형은 N인 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 N 이고 상기 제2 도전형은 P인 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판은 폴리실리콘이고 상기 분리 영역은 비수직벽을 갖는 절연분리를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판은 절연체이며 상기 분리영역은 수직 분리 트렌치 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판은 단결정 반도체인 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  7. 바닥부 및 벽부를 갖는 기판의 분리 영역내의 광 다이오드에 있어서, 상기 분리 영역의 바닥부 및 벽부상에 형성되어 제1 도전형 및 제1 도펀트 농도 레벨을 갖는 반도체 물질의 제1 층과: 상기 제1 층상에 형성되어 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전층을 가지며 상기 제1 층과 제1 p-n 접합을 형성하는 반도체 물질의 제2 층과: 상기 제2층상에 형성되어 상기 제1 층에 전기적으로 연결되어 있고 상기 제1 도전정과 상기 제1 도펀트 농도 레벨보다 높은 제2 도펀트 농도 레벨을 가지며 상기 제2 층과 제2 p-n 접합을 형성하는 반도체 물질의 제3층을 포함하며 ; 작동시. 상기 제1 층은 정공 쌍들을 상기 분리 영역으로부터 벗어나게 하는 내부 전계를 제공하므로써 상기 제2 p-n 접합의 정공쌍 집속 효율을 증가시키는 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 도전형은 P이고 상기 제2도전형은 N인 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제1 도전형은 N이고 상기 제2도전형은 P인 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  10. 제7항에 있어서, 상기 기판은 폴리실리콘이고 상기 분리영역은 비수직벽을 갖는 절연분리를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  11. 제7항에 있어서, 상기 기판은 절연체이며 상기 분리 영역은 수직 분리 트렌치 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  12. 제7항에 있어서, 상기 기판은 단결정 반도체인 것을 특징으로 하는 광 다이오드.
  13. 광 다이오드 제조방법에 있어서, 기판을 형성하는 단계와: 상기 기판내에 바닥부와 벽부를 갖는 분리 영역을 형성하는 단계와: 상기 분리 영역의 바닥부 및 벽부상에 제 1도전형을 갖는 반도체 물질의 제1층을 형성하는 단계와: 상기 제1도전형과 반대되는 제2도전형을 갖는 반도체 물질의 제2층을 상기 제1층상에 형성하여 상기 제1 층과 함께 제1 p-n 접합을 형성하는 단계와; 상기 제1 도전형을 갖는 반도체 물질의 제3 층을 상기 제2 층상에 형성하여 상기 제2층과 함께 제2 p-n 접합을 형성하는 단계와; 상기 제3 층을 상기 제1 층에 전기적으로 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 제조방법.
  14. 광 다이오드 제조 방법에 있어서, 기판을 형성하는 단계와; 상기 기판내에 바닥부와 볍부를 갖는 분리 영역을 형성하는 단계와; 상기 분리 영역의 바닥부 및 벽부상에 제1 도전형 및 제1도펀트 농도 레벨을 갖는 반도체 물질의 제1층을 형성하는 단계와: 상기 제1도전형과 반대되는 제2도전형을 갖는 반도체 물질의 제2층을 상기 제1 층상에 형성하여 상기 제1 층과 함께 베1 p-n 접합을 형성하는 단계와; 상기 제1 도전형 및 상기 제1 도펀트 농도 레벨보다 높은 제2 도펀트 농도 레벨을 갖는 반도체 물질의 제3층을 상기 제2 층상에 형성하여 상기 제2층과 함께 제2 p-n 접합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 다이오드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940029386A 1993-11-17 1994-11-10 반도체 광 다이오드 디바이스 및 그 제조방법 KR950015836A (ko)

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Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6228750B1 (en) 1994-12-30 2001-05-08 Lucent Technologies Method of doping a semiconductor surface
US5796153A (en) * 1995-05-08 1998-08-18 Analogic Corporation Variable-response x-ray detection assemblies and methods of using same
US5587611A (en) * 1995-05-08 1996-12-24 Analogic Corporation Coplanar X-ray photodiode assemblies
DE19528573A1 (de) * 1995-08-03 1997-02-06 Siemens Ag Photodiode und Verfahren zu deren Herstellung
US5726440A (en) * 1995-11-06 1998-03-10 Spire Corporation Wavelength selective photodetector
US5671914A (en) * 1995-11-06 1997-09-30 Spire Corporation Multi-band spectroscopic photodetector array
US5780913A (en) * 1995-11-14 1998-07-14 Hamamatsu Photonics K.K. Photoelectric tube using electron beam irradiation diode as anode
JP2751910B2 (ja) * 1996-02-28 1998-05-18 日本電気株式会社 半導体受光素子及びその製造方法
JP3170463B2 (ja) * 1996-09-30 2001-05-28 シャープ株式会社 回路内蔵受光素子
US5783854A (en) * 1996-10-15 1998-07-21 Honeywell Inc. Thermally isolated integrated circuit
US5728607A (en) * 1996-11-20 1998-03-17 Lucent Technologies Inc. Method of making a P-channel bipolar transistor
US6180967B1 (en) 1997-04-29 2001-01-30 Commissariat A L'energie Atomique Bicolor infrared detector with spatial/temporal coherence
JP3413078B2 (ja) * 1997-10-06 2003-06-03 キヤノン株式会社 光電変換装置と密着型イメージセンサ
US6303967B1 (en) 1998-02-05 2001-10-16 Integration Associates, Inc. Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode
US6548878B1 (en) 1998-02-05 2003-04-15 Integration Associates, Inc. Method for producing a thin distributed photodiode structure
US6027956A (en) * 1998-02-05 2000-02-22 Integration Associates, Inc. Process for producing planar dielectrically isolated high speed pin photodiode
US6458619B1 (en) 1998-02-05 2002-10-01 Integration Associates, Inc. Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode with improved capacitance
US6753586B1 (en) 1998-03-09 2004-06-22 Integration Associates Inc. Distributed photodiode structure having majority dopant gradient and method for making same
US6259145B1 (en) * 1998-06-17 2001-07-10 Intel Corporation Reduced leakage trench isolation
US6218691B1 (en) * 1998-06-30 2001-04-17 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Image sensor with improved dynamic range by applying negative voltage to unit pixel
US6269199B1 (en) 1998-12-30 2001-07-31 Intel Corporation Through silicon modulator and method using polarized light
US6323985B1 (en) * 1998-12-30 2001-11-27 Intel Corporation Mosfet through silicon modulator and method
US6853044B1 (en) * 1999-06-29 2005-02-08 Hynix Semiconductor Inc. Image sensor with improved dynamic range by applying negative voltage to unit pixel
US6690078B1 (en) 1999-08-05 2004-02-10 Integration Associates, Inc. Shielded planar dielectrically isolated high speed pin photodiode and method for producing same
IT1317199B1 (it) * 2000-04-10 2003-05-27 Milano Politecnico Dispositivo fotorivelatore ultrasensibile con diaframma micrometricointegrato per microscopi confocali
US6580109B1 (en) * 2002-02-01 2003-06-17 Stmicroelectronics, Inc. Integrated circuit device including two types of photodiodes
US6861341B2 (en) * 2002-02-22 2005-03-01 Xerox Corporation Systems and methods for integration of heterogeneous circuit devices
US7288825B2 (en) 2002-12-18 2007-10-30 Noble Peak Vision Corp. Low-noise semiconductor photodetectors
JP5011681B2 (ja) 2004-12-02 2012-08-29 日産自動車株式会社 半導体装置
DE102004060365B4 (de) * 2004-12-15 2009-03-19 Austriamicrosystems Ag Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung
US7329556B2 (en) * 2004-12-30 2008-02-12 Korean Electronics Technology Institute High-sensitivity image sensor and fabrication method thereof
JP4369885B2 (ja) * 2005-03-15 2009-11-25 セイコーインスツル株式会社 イメージセンサ
KR100723457B1 (ko) * 2006-09-20 2007-05-31 (주)한비젼 반도체 소자
US20090146179A1 (en) * 2007-12-11 2009-06-11 Young-Kai Chen Planar arrays of photodiodes
ITTO20080045A1 (it) 2008-01-18 2009-07-19 St Microelectronics Srl Schiera di fotodiodi operanti in modalita' geiger reciprocamente isolati e relativo procedimento di fabbricazione
ITTO20080046A1 (it) 2008-01-18 2009-07-19 St Microelectronics Srl Schiera di fotodiodi operanti in modalita' geiger reciprocamente isolati e relativo procedimento di fabbricazione
US8410568B2 (en) * 2008-08-29 2013-04-02 Tau-Metrix, Inc. Integrated photodiode for semiconductor substrates
US9289132B2 (en) 2008-10-07 2016-03-22 Mc10, Inc. Catheter balloon having stretchable integrated circuitry and sensor array
US8886334B2 (en) 2008-10-07 2014-11-11 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices using stretchable or flexible electronics for medical applications
US8389862B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Mc10, Inc. Extremely stretchable electronics
US9545216B2 (en) 2011-08-05 2017-01-17 Mc10, Inc. Catheter balloon methods and apparatus employing sensing elements
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
IT1392366B1 (it) * 2008-12-17 2012-02-28 St Microelectronics Rousset Fotodiodo operante in modalita' geiger con resistore di soppressione integrato e controllabile, schiera di fotodiodi e relativo procedimento di fabbricazione
IT1393781B1 (it) * 2009-04-23 2012-05-08 St Microelectronics Rousset Fotodiodo operante in modalita' geiger con resistore di soppressione integrato e controllabile ad effetto jfet, schiera di fotodiodi e relativo procedimento di fabbricazione
WO2011041727A1 (en) 2009-10-01 2011-04-07 Mc10, Inc. Protective cases with integrated electronics
CN101714591B (zh) * 2009-11-10 2012-03-14 大连理工大学 一种硅光电二极管的制作方法
IT1399690B1 (it) 2010-03-30 2013-04-26 St Microelectronics Srl Fotodiodo a valanga operante in modalita' geiger ad elevato rapporto segnale rumore e relativo procedimento di fabbricazione
US8697986B2 (en) * 2011-03-01 2014-04-15 Au Optronics Corporation Photovoltaic device with double-junction
WO2012166686A2 (en) 2011-05-27 2012-12-06 Mc10, Inc. Electronic, optical and/or mechanical apparatus and systems and methods for fabricating same
US9757050B2 (en) 2011-08-05 2017-09-12 Mc10, Inc. Catheter balloon employing force sensing elements
EP2764335A4 (en) * 2011-09-28 2015-04-29 Mc10 Inc ELECTRONICS FOR DETECTING A PROPERTY OF A SURFACE
US9226402B2 (en) 2012-06-11 2015-12-29 Mc10, Inc. Strain isolation structures for stretchable electronics
US9295842B2 (en) 2012-07-05 2016-03-29 Mc10, Inc. Catheter or guidewire device including flow sensing and use thereof
EP2866645A4 (en) 2012-07-05 2016-03-30 Mc10 Inc CATHETER DEVICE WITH FLOW MEASUREMENT
CN105008949A (zh) 2012-10-09 2015-10-28 Mc10股份有限公司 与服装整合的保形电子装置
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9305907B2 (en) 2013-03-22 2016-04-05 Stmicroelectronics S.R.L. Optoelectronic integrated device including a photodetector and a MOSFET transistor, and manufacturing process thereof
US9706647B2 (en) 2013-05-14 2017-07-11 Mc10, Inc. Conformal electronics including nested serpentine interconnects
US9372123B2 (en) 2013-08-05 2016-06-21 Mc10, Inc. Flexible temperature sensor including conformable electronics
CA2925387A1 (en) 2013-10-07 2015-04-16 Mc10, Inc. Conformal sensor systems for sensing and analysis
JP6711750B2 (ja) 2013-11-22 2020-06-17 エムシー１０ インコーポレイテッドＭｃ１０，Ｉｎｃ． 心臓活動の検知および分析のためのコンフォーマルセンサシステム
JP6549150B2 (ja) 2014-01-06 2019-07-24 エムシー１０ インコーポレイテッドＭｃ１０，Ｉｎｃ． コンフォーマル電子デバイスの封入方法
JP6253439B2 (ja) * 2014-02-17 2017-12-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6637896B2 (ja) 2014-03-04 2020-01-29 エムシー１０ インコーポレイテッドＭｃ１０，Ｉｎｃ． 電子デバイス用の可撓性を有するマルチパート封止ハウジングを備えるコンフォーマルなｉｃデバイス
US9899330B2 (en) 2014-10-03 2018-02-20 Mc10, Inc. Flexible electronic circuits with embedded integrated circuit die
US10297572B2 (en) 2014-10-06 2019-05-21 Mc10, Inc. Discrete flexible interconnects for modules of integrated circuits
USD781270S1 (en) 2014-10-15 2017-03-14 Mc10, Inc. Electronic device having antenna
FR3029686A1 (fr) * 2014-12-08 2016-06-10 St Microelectronics Tours Sas Dispositif radiofrequence protege contre des surtensions
WO2016134306A1 (en) 2015-02-20 2016-08-25 Mc10, Inc. Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation
US10398343B2 (en) 2015-03-02 2019-09-03 Mc10, Inc. Perspiration sensor
US10653332B2 (en) 2015-07-17 2020-05-19 Mc10, Inc. Conductive stiffener, method of making a conductive stiffener, and conductive adhesive and encapsulation layers
US10709384B2 (en) 2015-08-19 2020-07-14 Mc10, Inc. Wearable heat flux devices and methods of use
WO2017059215A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Mc10, Inc. Method and system for interacting with a virtual environment
CN108289630A (zh) 2015-10-05 2018-07-17 Mc10股份有限公司 用于神经调节和刺激的方法和系统
EP3420733A4 (en) 2016-02-22 2019-06-26 Mc10, Inc. SYSTEM, DEVICE AND METHOD FOR ACQUIRING ON THE BODY OF SENSOR AND CONCENTRATOR NODE COUPLED WITH SENSOR INFORMATION
EP3829187A1 (en) 2016-02-22 2021-06-02 Medidata Solutions, Inc. System, devices, and method for on-body data and power transmission
US11154235B2 (en) 2016-04-19 2021-10-26 Medidata Solutions, Inc. Method and system for measuring perspiration
US10447347B2 (en) 2016-08-12 2019-10-15 Mc10, Inc. Wireless charger and high speed data off-loader
CN116154022B (zh) * 2023-03-14 2024-03-22 江南大学 一种双层SiO2隔离的光电二极管结构、阵列及制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57100761A (en) * 1980-12-16 1982-06-23 Fujitsu Ltd Semiconductor light sensitive device
JPS59198756A (ja) * 1983-04-27 1984-11-10 Hitachi Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
US4961097A (en) * 1985-03-11 1990-10-02 Motorola Inc. High frequency photo detector and method for the manufacture thereof
JPS62123783A (ja) * 1985-11-22 1987-06-05 Nec Corp フオトダイオ−ド
JPS6446969A (en) * 1987-08-15 1989-02-21 Matsushita Electric Works Ltd Photodetector
JPH0242768A (ja) * 1988-08-01 1990-02-13 Sharp Corp 回路内蔵受光素子
JPH0242767A (ja) * 1988-08-01 1990-02-13 Sharp Corp 回路内蔵受光素子
JP2717839B2 (ja) * 1989-03-20 1998-02-25 松下電子工業株式会社 光半導体装置
US5239193A (en) * 1990-04-02 1993-08-24 At&T Bell Laboratories Silicon photodiode for monolithic integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07183566A (ja) 1995-07-21
US5360987A (en) 1994-11-01

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