JP2751910B2 - 半導体受光素子及びその製造方法 - Google Patents

半導体受光素子及びその製造方法

Info

Publication number
JP2751910B2
JP2751910B2 JP8041047A JP4104796A JP2751910B2 JP 2751910 B2 JP2751910 B2 JP 2751910B2 JP 8041047 A JP8041047 A JP 8041047A JP 4104796 A JP4104796 A JP 4104796A JP 2751910 B2 JP2751910 B2 JP 2751910B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epitaxial layer
insulating film
layer
forming
impurity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP8041047A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09232618A (ja
Inventor
光弘 杉山
田代　　勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP8041047A priority Critical patent/JP2751910B2/ja
Priority to DE19707029A priority patent/DE19707029A1/de
Priority to US08/805,224 priority patent/US5731622A/en
Publication of JPH09232618A publication Critical patent/JPH09232618A/ja
Priority to US09/020,253 priority patent/US6080600A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2751910B2 publication Critical patent/JP2751910B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等における
光受信機に用いられる半導体受光素子およびその製造方
法に関し、特に、光受光部の一部がエピタキシャル成長
により形成された半導体受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、特願平７−５２７００に述べら
れている選択エピタキシャル層を使ったプレーナ型フォ
トダイオードの従来例を示す断面図である。Ｎ型シリコ
ン基板１中に溝を形成した後、溝側壁部にシリコン酸化
膜２を形成し、この溝内に選択的にＰ- シリコンエピタ
キシャル層６（光吸収層）とＰ+ シリコンエピタキシャ
ル層５を連続して形成している。
【０００３】このＰＮ接合に逆バイアスを印加すること
により、空乏層が光吸収層６に広がるように、この領域
は不純物濃度がＩＥ１５ｃｍ-3以下になっている。この
空乏化した光吸収層６で光エネルギーにより電荷が発生
すると光電流が流れる。ところで、図５において、光吸
収層６とシリコン酸化膜２の界面は、一般に結晶状態が
悪いために界面準位が多く発生している。バイアスを印
加し、この界面に沿って空乏層が広がると、この界面準
位を介したリーク電流が流れ、フォトダイオードの特性
が劣化することが知られている。
【０００４】図６はフォトダイオードにおける前述の問
題点を、フォトダイオードをメサ型にして解決した従来
例である。図６の第２の従来例は、特開平５−２９１６
０５で開示されている化合物半導体のフォトダイオード
によく使われるメサ型の例を示した断面図である。この
例では空乏層の広がる光吸収層はＮ- −ＩｎＧａＡｓ光
吸収層２４となっている。この領域のメサ型エッチング
面に界面準位が多いため、ここに空乏層が広がらないよ
う、Ｐ−ＩｎＰ層２２をメサ型側面に形成し、ここから
の不純物拡散によりＰ型領域２５を形成している。この
場合、ＰＮ接合に逆にバイアスを印加しても、Ｐ型領域
の不純物濃度がＮ- −ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４より２
桁程度高い濃度であれば、Ｐ型領域には空乏層はほとん
ど広がらず空乏層内の界面準位を少なくしてリーク電流
を低減できる。
【０００５】図７の第３の従来例は特開平２−２９１１
８０で開示されているシリコンフォトダイオードでよく
使われる拡散型の例を示した断面図である。この例で
は、空乏層の広がる光吸収層はＮ- シリコン基板３１側
である。図７のように空乏層が広がると比較的界面準位
の多い基板表面に沿って空乏層が広がり、リーク電流が
流れるので表面にＮ+ 拡散層３３を形成しておくことで
表面付近の空乏層の広がりをおさえ、リーク電流を低減
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５の第１の従来例に
おいては、光吸収層６とシリコン酸化膜２の界面にある
界面準位を介してリーク電流が発生しやすいことであ
る。その理由は、光吸収層６の形成が選択的なエピタキ
シャル成長によるためシリコン酸化膜２との界面の結晶
状態が悪いためである。
【０００７】図６の第２の従来例におけるリーク電流低
減法はメサ型でのみ可能な方法であり、図５のような埋
込型に適用することが困難である。またＰＮ接合容量の
増加により受光素子の高速化のさまたげになる。その理
由は、光吸収層を成長した後に、メサ構造側面に、光吸
収層と反対導電型のエピタキシャル成長が必要だからで
ある。
【０００８】図７の第３の従来例におけるリーク電流低
減法は、拡散型でしかも光吸収層を基板側に形成してい
る場合にのみ可能な方法であり、図５のような埋込型に
適用することが困難である。その理由はＰＮ接合周辺の
基板表面にＮ+ 拡散層を形成しているからである。
【０００９】本発明の目的は、光吸収層を選択的に基板
中に埋込んだ比較的光吸収層の浅い半導体受光素子にお
いて、ＰＮ接合容量を増加することなく、リーク電流を
低減し、Ｓ／Ｎ比の良好な半導体受光素子を提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体受光素子
は、第１導電型の半導体基板に、側壁を絶縁膜で被覆さ
れた溝が形成され、この溝内に第１導電型の半導体基板
と接して、第２導電型のエピタキシャル層が形成され、
このエピタキシャル層が絶縁膜と接する一部分に不純物
濃度がエピタキシャル層の他の部分よりも高い不純物層
が形成されていることを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、第１導電型の半導体基板
上に、側壁が絶縁膜で被覆された第２導電型の島状エピ
タキシャル層が形成され、半導体基板と島状エピタキシ
ャル層がＰＮ接合を形成してなる半導体受光素子におい
て、絶縁膜に接する島状エピタキシャル層の側面の少く
とも一部分に、不純物濃度が島状エピタキシャル層の他
の部分よりも高い不純物層が形成されていることを特徴
とする。上記エピタキシャル層は光吸収層である。
【００１２】また、本発明によれば、第１導電型の半導
体基板に溝を形成する工程と、半導体基板上及び溝内に
第２導電型半導体を形成するための不純物を高濃度に含
んだ絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜を異方性エッチン
グ除去して、溝の側壁に絶縁膜を残す工程と、溝内に第
２導電型のエピタキシャル層を選択的に形成する工程
と、熱処理より絶縁膜からエピタキシャル層に不純物を
拡散させることで、絶縁膜と接するエピタキシャル層の
一部に不純物濃度がエピタキシャル層の他の部分よりも
高い不純物層を形成する工程とを含む半導体受光素子の
製造方法が得られる。
【００１３】また、本発明によれば、第１導電型の半導
体基板上に第２導電型のエピタキシャル層を形成する工
程と、このエピタキシャル層の所定部分をエッチング除
去して島状のエピタキシャル層を残す工程と、第２導電
型半導体を形成するための不純物を高濃度に含んだ絶縁
膜を形成する工程と、絶縁膜を異方性エッチング除去し
て、エピタキシャル層の側壁に絶縁膜を残す工程と、熱
処理により絶縁膜からエピタキシャル層に不純物拡散さ
せることで、絶縁膜と接するエピタキシャル層の一部
に、不純物濃度が前記エピタキシャル層の他の部分より
も高い不純物層を形成する工程とを含む半導体受光素子
の製造方法が得られる。
【００１４】この発明においては、光吸収層である第２
導電型のエピタキシャル層が第１導電型の溝側面の絶縁
膜と接する一部に高濃度の不純物層を形成しているから
ＰＮ接合面から光吸収層である第２導電型のエピタキシ
ャル層に広がる空乏層が不純物層に広がりにくくなり、
第２導電型エピタキシャル層と絶縁膜との界面に沿って
空乏層が広がりにくく、空乏層内の界面準位の存在が少
なくなることで、バイアス印加時のリーク電流が低減さ
れる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の断面図
である。この実施の形態では、Ｎ型シリコン基板１中に
溝を形成し、その側面にシリコン酸化膜２とボロンを高
濃度に含有するボロンガラス膜３が形成されており、こ
の内側に光吸収層であるＰ−シリコンエピタキシャル層
６とＰ+ シリコンエピタキシャル層５が形成されてい
る。また、ボロンガラス膜３から不純物拡散することで
形成されるＰ型拡散層７が形成されている。
【００１６】図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施の形態
の製造方法を示す工程順断面図である。まず、図２
（ａ）に示すように、５Ｅ１６ｃｍ-3程度の不純物濃度
を有するＮ型シリコン基板１に深さ約１．０μｍの溝８
をドライエッチング法により選択的に形成する。次に、
シリコン酸化膜２を約１０００オングストローム成長
し、続いてボロンを高濃度に含むボロンガラス膜３を約
１０００オングストローム成長する。次に異方性ドライ
エッチングにより、ボロンガラス膜３とシリコン酸化膜
２をエッチバックし、その後選択エピタキシャル成長法
により、溝内に不純物濃度約ＩＥ１５ｃｍ-3のＰ- シリ
コンエピタキシャル層（光吸収層）６と、不純物濃度約
ＩＥ２０ｃｍ-3のＰ+ シリコンエピタキシャル層を連続
して成長し、図２（ｂ）に示すような構造を得る。次に
約８００℃の熱処理を加えることにより、図２（ｃ）に
示すように、幅約５００オングストローム，不純物濃度
約ＩＥ１８ｃｍ-3のＰ型拡散層７を形成する。以上の工
程により、本発明の第１の実施の形態の半導体受光素子
が完成する。
【００１７】次に本発明の半導体受光素子の動作につい
て図１を参照して説明する。図１のＰＮ接合に逆バイア
スを印加すると、不純物濃度の低いＰ- シリコンエピタ
キシャル層６に空乏層が広がる。このとき、Ｐ型拡散層
７は不純物濃度が２桁高いため、この領域には空乏層は
ほとんど広がらない。特にこの実施の形態のような光吸
収層が１．０μｍ程度の浅いフォトダイオードは、低電
圧で動作させることが特徴であるため、印加電圧はたか
だか５Ｖ程度であり、この程度の電圧では濃度の低い光
吸収層６は容易に空乏化するが、Ｐ型拡散層７は空乏化
しない。したがって、図１に示す界面準位は空乏層内に
入らないため、従来、この界面準位を介して流れていた
リーク電流を低減することができる。
【００１８】なお、この実施の形態において、溝側壁の
一部に不純物を含まないシリコン酸化膜２を使った理由
は、この存在により、図１に示すように、Ｐ型拡散層７
とＮ型シリコン基板１を接触させないためである。もし
接触すると、多少のＰＮ接合容量増加とＰＮ接合耐圧の
低下をまねき、フォトダイオードの高速動作や信頼性を
向上を損ねるからである。
【００１９】図３は本発明の第２の実施の形態の断面図
である。この実施の形態では、Ｎ型シリコン基板１上に
島状のＰ- 型シリコンエピタキシャル層６とＰ+ シリコ
ンエピタキシャル層５を形成し、その側面にボロンガラ
ス膜３が形成されており、ここから不純物拡散すること
で、Ｐ型拡散層７が形成されている。
【００２０】図４（ａ）〜（ｃ）は第２の実施の形態の
製造方法を示す工程順断面図である。なお、各層の不純
物濃度は第１の実施の形態と同じである。まず、Ｎ型シ
リコン基板１上に、Ｐ- シリコンエピタキシャル層６と
Ｐ+ シリコンエピタキシャル層５を連続してエピタキシ
ャル成長した後、所定の部分をドライエッチングして図
４（ａ）に示すような島状エピタキシャル領域を形成す
る。次に図４（ａ）のようにボロンガラス膜３を全面に
約１０００オングストローム成長する。次に異方性ドラ
イエッチングによりボロンガラス膜３をエッチバックし
て、図４（ｂ）にような島状エピタキシャル領域の側面
にボロンガラス膜３を残す。続いて、第１の実施の形態
と同様に約８００℃の熱処理により、Ｐ型拡散層７を形
成する。
【００２１】この実施の形態での動作については第１の
実施の形態と全く同じであり、本発明は、埋込型，メサ
型の両方について適用可能である。なお、本発明の光吸
収層は、Ｐ型シリコンエピタキシャル層にかぎらず、他
の導電タイプのフォトダイオード、他の材質を使ったフ
ォトダイオードにおいても適用可能であることは言うま
でもない。
【００２２】
【発明の効果】以上説明した本発明の効果は、光吸収層
の界面準位のある部分を高濃度化することでリーク電流
を低減することが可能であるということである。その理
由は、界面準位の存在する部分に空乏層が広がらないた
め、界面準位がリーク電流の通路とならないからであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施の形態の
製造方法を示す工程順断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施の形態の
製造方法を示す工程順断面図である。
【図５】第１の従来例の断面図である。
【図６】第２の従来例の断面図である。
【図７】第３の従来例の断面図である。
【符号の説明】
１ Ｎ型シリコン基板 ２，４ シリコン酸化膜 ３ ボロンガラス膜 ５ Ｐ+ シリコンエピタキシャル層 ６ Ｐ- シリコンエピタキシャル層（光吸収層） ７ Ｐ型拡散層 ８ 溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/10 - 31/119

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１導電型の半導体基板に、側壁を絶縁
    膜で被覆された溝が形成され、この溝内に前記第１導電
    型の半導体基板と接して第２導電型のエピタキシャル層
    が形成され、前記半導体基板と前記エピタキシャル層が
    ＰＮ接合を形成してなる半導体受光素子において、前記
    絶縁膜に接する前記エピタキシャル層の側面の少くとも
    一部分に、不純物濃度が前記エピタキシャル層の他の部
    分よりも高い不純物層が形成されていることを特徴とす
    る半導体受光素子。
  2. 【請求項２】 第１導電型の半導体基板上に、側壁が絶
    縁膜で被覆された第２導電型の島状エピタキシャル層が
    形成され、前記半導体基板と前記島状エピタキシャル層
    がＰＮ接合を形成してなる半導体受光素子において、前
    記絶縁膜に接する前記島状エピタキシャル層の側面の少
    くとも一部分に、不純物濃度が前記島状エピタキシャル
    層の他の部分よりも高い不純物層が形成されていること
    を特徴とする半導体受光素子。
  3. 【請求項３】 前記エピタキシャル層が光吸収層である
    ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体受光素
    子。
  4. 【請求項４】 前記絶縁膜の一部は、前記不純物を含ま
    ないことを特徴とする請求項１または２記載の半導体受
    光素子。
  5. 【請求項５】 第１導電型の半導体基板に溝を形成する
    工程と、前記半導体基板上及び前記溝内に第２導電型半
    導体を形成するための不純物を高濃度に含んだ絶縁膜を
    形成する工程と、前記絶縁膜を異方性エッチング除去し
    て、前記溝の側壁に前記絶縁膜を残す工程と、前記溝内
    に第２導電型のエピタキシャル層を選択的に形成する工
    程と、熱処理より前記絶縁膜から前記エピタキシャル層
    に不純物を拡散させることで、前記絶縁膜と接する前記
    エピタキシャル層の一部に不純物濃度が前記エピタキシ
    ャル層の他の部分よりも高い不純物層を形成する工程と
    を含むことを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 第１導電型の半導体基板上に第２導電型
    のエピタキシャル層を形成する工程と、このエピタキシ
    ャル層の所定部分をエッチング除去して島状のエピタキ
    シャル層を残す工程と、第２導電型半導体を形成するた
    めの不純物を高濃度に含んだ絶縁膜を形成する工程と、
    前記絶縁膜を異方性エッチング除去して、前記エピタキ
    シャル層の側壁に前記絶縁膜を残す工程と、熱処理によ
    り前記絶縁膜から前記エピタキシャル層に不純物拡散さ
    せることで、前記絶縁膜と接する前記エピタキシャル層
    の一部に、不純物濃度が前記エピタキシャル層の他の部
    分よりも高い不純物層を形成する工程とを含むことを特
    徴とする半導体受光素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記エピタキシャル層が、光吸収層であ
    ることを特徴とする請求項５または６記載の半導体受光
    素子の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記絶縁膜の一部は、前記不純物を含ま
    ないことを特徴とする請求項５または６記載の半導体受
    光素子の製造方法。
JP8041047A 1996-02-28 1996-02-28 半導体受光素子及びその製造方法 Expired - Fee Related JP2751910B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8041047A JP2751910B2 (ja) 1996-02-28 1996-02-28 半導体受光素子及びその製造方法
DE19707029A DE19707029A1 (de) 1996-02-28 1997-02-21 Halbleiterfotodiode und Verfahren zur Herstellung
US08/805,224 US5731622A (en) 1996-02-28 1997-02-24 Semiconductor photodiode
US09/020,253 US6080600A (en) 1996-02-28 1998-02-06 Semiconductor photodiode and a method for fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8041047A JP2751910B2 (ja) 1996-02-28 1996-02-28 半導体受光素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09232618A JPH09232618A (ja) 1997-09-05
JP2751910B2 true JP2751910B2 (ja) 1998-05-18

Family

ID=12597500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8041047A Expired - Fee Related JP2751910B2 (ja) 1996-02-28 1996-02-28 半導体受光素子及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5731622A (ja)
JP (1) JP2751910B2 (ja)
DE (1) DE19707029A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6749122B1 (en) * 1990-05-25 2004-06-15 Broadcom Corporation Multi-level hierarchial radio-frequency system communication system
JP3016371B2 (ja) * 1997-03-26 2000-03-06 日本電気株式会社 光検出器の製造方法
US20030089929A1 (en) * 2001-02-14 2003-05-15 Rhodes Howard E. Trench photosensor for a CMOS imager
US6232626B1 (en) 1999-02-01 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Trench photosensor for a CMOS imager
US6372537B1 (en) * 2000-03-17 2002-04-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Pinned photodiode structure in a 3T active pixel sensor
US6611037B1 (en) 2000-08-28 2003-08-26 Micron Technology, Inc. Multi-trench region for accumulation of photo-generated charge in a CMOS imager
US6545258B2 (en) 2001-03-30 2003-04-08 Pixim, Inc. Photo-sensor cross-section for increased quantum efficiency
US20060118898A1 (en) * 2004-11-17 2006-06-08 Kyocera Corporation Photoelectric conversion device and method of manufacturing the same
KR100657143B1 (ko) * 2005-07-11 2006-12-13 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US7724808B2 (en) * 2006-12-21 2010-05-25 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Efficient delay profile computation with receive diversity
US20080151969A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Andres Reial Efficient Delay Profile Computation with Receive Diversity
KR101748722B1 (ko) * 2013-07-23 2017-06-19 엘에스산전 주식회사 태양 전지 모듈 온도 조절 장치
US9348035B2 (en) 2013-10-22 2016-05-24 General Electric Company Systems and methods for selectable detector configurations
JP2023045522A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH670173A5 (ja) * 1986-06-03 1989-05-12 Bbc Brown Boveri & Cie
US5034342A (en) * 1989-03-06 1991-07-23 Delco Electronics Corporation Method of forming semiconductor stalk structure by epitaxial growth in trench
JPH02291180A (ja) * 1989-04-28 1990-11-30 Shimadzu Corp フォトダイオード
JP2678400B2 (ja) * 1990-11-14 1997-11-17 シャープ株式会社 回路内蔵受光素子
US5250461A (en) * 1991-05-17 1993-10-05 Delco Electronics Corporation Method for dielectrically isolating integrated circuits using doped oxide sidewalls
JPH05291605A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光素子
US5236863A (en) * 1992-06-01 1993-08-17 National Semiconductor Corporation Isolation process for VLSI
US5360987A (en) * 1993-11-17 1994-11-01 At&T Bell Laboratories Semiconductor photodiode device with isolation region
US5747860A (en) * 1995-03-13 1998-05-05 Nec Corporation Method and apparatus for fabricating semiconductor device with photodiode

Also Published As

Publication number Publication date
US6080600A (en) 2000-06-27
DE19707029A1 (de) 1997-09-04
US5731622A (en) 1998-03-24
JPH09232618A (ja) 1997-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6027956A (en) Process for producing planar dielectrically isolated high speed pin photodiode
US6943409B1 (en) Trench optical device
JP2751910B2 (ja) 半導体受光素子及びその製造方法
JP4220688B2 (ja) アバランシェホトダイオード
US4847210A (en) Integrated pin photo-detector method
US5239193A (en) Silicon photodiode for monolithic integrated circuits
JPH10290023A (ja) 半導体光検出器
JP2800827B2 (ja) 光半導体装置およびその製造方法
US5141878A (en) Silicon photodiode for monolithic integrated circuits and method for making same
US6303967B1 (en) Process for producing an isolated planar high speed pin photodiode
US5488251A (en) Semiconductor device and process for producing the same
US4920395A (en) High sensitivity photodiode
JPS61133659A (ja) 半導体受光素子の製造方法
JP2874570B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4861388B2 (ja) アバランシェホトダイオード
KR100564587B1 (ko) 포토 다이오드 및 이의 제조 방법
KR20020005990A (ko) 반도체 장치
JPS6286756A (ja) 光電変換装置
JP3276836B2 (ja) 半導体導波路型受光器
JPH06151809A (ja) 半導体装置
JPS6244704B2 (ja)
JPS6214478A (ja) フオトセンサ
JPS60123083A (ja) 半導体装置
JPS61252660A (ja) 光電変換装置
JPS63237484A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980127

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees