KR930020588A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기판내에 형성된 배선층에 대해 간단하게 전위를 공급할 수 있고, 또한 용이하게 형성할 수 있는 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
P형 실리콘 기판(10)내에 형성된 N형 영역(18)과, 기판(10)내에 형성된 트렌치군(12₁~12₄)과, 트렌치군(12₁~12₄)을 이루는 각 트렌치의 최소한 바닥에서 기판(10)내에 형성되어 서로 접촉해서 배선층(16)을 이루고, N형영역에(18)에도 접촉하는 N형 영역군(14₁~14₄)과, N형 영역(18)에 전기적으로 접속되어 N형 영역(18)을 통해 N형 영역군(14₁~14₄)과, N형 영역(18)에 전기적으로 접속되어 N형 영역(18)을 통해 N형 영역군(14₁~14₄)에 소정의 전위를 부여하는 전극(20)을 구비하는 것을 주요 특징으로 하고 있다. 이와같은 장치이면 기판(10)내에 형성된 배선층(16)에 대한 정위의 공급이 N형 영역(18)을 통해 행해지므로, 터미널 ·트렌치 형성 등, 특수한 궁리를 필요로 하지 않는다.
따라서 용이하게 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예에 의한 반도체 장치의 단면도.
제2도는 본 발명의 제2의 실시예에 의한 반도체 장치의 단면도.
제3도는 본 발명의 제3의 실시예에 의한 반도체 장치의 단면도.
Claims (5)
- 제1도전형의 반도체 기체(10)와, 상기 기체내에 형성된 제2도전형의 제1의 반도체 영역(18)과, 상기 기체내에 형성된 트렌치군(~20₄)과,상기 트렌치군을 이루는 각 트렌치의 최소한 바닥에서 각기 상기 기체내에 형성되며, 서로 접촉해서 배선층(16)을 이루고, 상기 제1의 반도체 영역에서 접촉하는 제2도전형의 제2의 반도체 영역군(~14₄)과, 상기 제1의 반도체 영역에 전기적으로 접속된 상기 제1의 반도체 영역을 통해 상기 제2의 반도체 영역군에 소정의 전위를 부여하는 전극(20)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치군의 일부()가 상기 제1의 반도체 영역내에 형성되어 있는 것을 특징으로하는 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1의 반도체 영역은 웰로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 트렌치군을 이루는 각 트렌치내에는 상기 제2의 반도체 영역군에 전기적으로 접속되는 소자의 1전극으로서 기능하는 도전층(~38₃)이 형성되어 있는 것을 특징으로 반도체 장치.
- 제1도전형의 반도체 기체내에 제2도전형의 제1의 반도체 영역을 형성하는 공정과, 상기 기체내에 트렌치군을 형성하는 공정과, 상기 트렌치군을 이루는 각 트렌치의 최소한 바닥에서 상기 기체내에 제2도전형의 불순물을 도입하고, 상기 기체내에 제2도전형의 제2의 반도체 영역군을 형성하는 공정과, 상기 불순물을 확산시켜 상기 제2의 반도체 영역군을 서로 접촉시키는 동시에 상기 제1의 반도체 영역에도 접촉시키는 공정과, 상기 제1의 반도체 영역에 전기적으로 접속되어 상기 제1의 반도체 영역을 통해 상기 제2의 반도체 영역군에 소정의 전위를 부여하는 전극을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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