KR910001985A - 반도체 메모리소자 - Google Patents

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KR910001985A
KR910001985A KR1019900009059A KR900009059A KR910001985A KR 910001985 A KR910001985 A KR 910001985A KR 1019900009059 A KR1019900009059 A KR 1019900009059A KR 900009059 A KR900009059 A KR 900009059A KR 910001985 A KR910001985 A KR 910001985A
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가미모도 세이조
신무라 나오유끼
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쓰지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제실시예에 따른 반도체 메모리소자의 요부를 표시하는 사시도.
제2도(A-1),(B-1),(C-1),(D-1),(E-1) 그리고 (F-1)는 각각 다른 처리 스템에서의 제조공정을 표시하는 반도체 메모리소장의 평면도.

Claims (4)

  1. 반도체 기판의 표면상에 형성되고 그리고 하나의 단자를 가지는 트랜지스터와, 그리고 반도체 기판상에 형성되고 그리고 제1과 제2전극을 가지는 콘덴서와, 트랜지스터의 1단자와 접속되는 상기 제1전극과, 일반적으로 각주상 또는 컵상의 주부로 구성되는 콘데서의 상기 제1전극과 이 주부측벽의 외주 근방을 이간하여 둘러싸는 외주부와 상기 주부의 단부와 외주부의 단부를 1체로 연결하는 저부와, 그리고 제1전극의 주부, 외주부 및 저부에 각각 대향하는 부분으로 구성되는 콘덴서의 제2전극으로 구성하는 복수의 메모리셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자.
  2. 제1항에 있어서 상기 제1전극의 외주부 및 저부는 각각 복수인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자.
  3. 반도체 기판의 표면상에 트랜지스터를 형성한후 상기 콘덴서의 제1전극 재료로서 상기 기판상에 도전성 후판을 형성하고, 상기 콘덴서의 주부를 형성해야할 영역을 제외하는 영역의 상기 도전성 후박고라 선택적으로 에칭 가능한 재료로 되고, 상기 주부측벽의 외주를 밀착하여 둘러싸는 외주측벽을 형성하고, 상기 외주측벽의 재료에 대한 부식제에 의해 부식을 받지 않은 도전성 재료로되고, 상기 외주측벽을 밀착하여 둘러싸는 동시에 단부가 상기 박막에 연결하는 외주부를 형성하고, 상기 외주부보다도 외측의 영역의 상기 박막을 제거하여 저부를 형성하고 상기 외주측벽을 부식제에 의해 제거하고, 제1전극상에 절연막 및 제2전극을 순차 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소장의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서 제3과 제4공정이 되풀이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900009059A 1989-06-20 1990-06-20 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 KR930009577B1 (ko)

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