KR940016841A - 정적 램 셀 및 메모리 소자 - Google Patents

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Abstract

부동 노드 커패시터(201, 202)를 포함한 정적 램 셀이 설명되었다. 한 실시예에서 저장 노드(17, 18)는 부동 노드 커패시터(201, 202)를 위한 제 1 극판으로 작용하고, 전도성 부재(91)는 부동 노드 커패시터(201, 202)를 위한 제 2 극판으로 작용한다. 전도성 부재(91)는 또한 제 2 극판과 함께 전기적으로 연결되어 있지만 메모리 셀의 다른 부분에는 전기적으로 연걸되어 있지 않다. 다른 실시예에서, 메모리 소자는 다수의 메모리 셀(121,122,123)을 위한 제 2 극판으로 작용하는 전도성 부재(131)를 포함한다. 또한 전도성 부재(91)는 제 2 극판과 함께 전기적으로 연결되어 있지만 메모리 셀의 다른 부분에는 전기적으로 연결되어 있지 않다. 또한 메모리 셀을 형성하기 위한 방법도 설명되었다.

Description

정적 램 셀 및 메모리 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 부동 노드 커패시터를 포함하는 4개의 트랜지스터 정적 램 셀의 회로도, 제 2 도는 다수의 층을 형성한 후의 기판의 일부 단면도, 제 3 도는 래치 게이트 전극과 워드선을 형성한 후의 제 2 도의 기판 평면도, 제 4 도는 기판내에 측벽 스페이서와 도핑 영역을 형성한 후의 제 3 도의 기판 단면도, 제 5 도는 제 2 전도성 부재가 형성된 후의 제 4 도의 기판 평면도, 제 6 도는 기판내에 도핑 영역과 접촉되는 각각 제 2 전도성 부재를 도시한 제 5 도의 기판 단면도.

Claims (2)

  1. 제 1 커패시터 부분(86)을 갖는 제 1 저장 노드(17)와, 제 2 커패시터 부분(86)을 갖는 제 2 저장 노드(18)와, 제 1 극판과 제 2극판을 갖는 제 1 커패시터(201)와, 제 1 극판과 제 2 극판을 갖는 제 2 커패시터(202)를 포함하는 정적 램 셀(10)에 있어서, 상기 정적 램 셀(10)은 제 1 저장 노드(17)의 제 1 커패시터 부분(86)이 제 1 커패시터의 제 1 극판으로 작용하고, 제 2 저장 노드(18)의 제 2 커패시터 부분(86)이 제 2 커패시터의 제 1 극판으로 작용하고, 제1 및 제 2 커패시터의 제 2 극판(92)이 서로 전기적으로 연결되며 전기 부동 상태인 부동 노드를 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 정적 램 셀.
  2. 전도성 부재(131)와, 제 1 커패시터 부분(86)을 갖는 제 1 저장 노드(1211, 1221, 1231)와 제 2 커패시터부분(86)을 갖는 제 2 저장 노드(1212, 1222, 1232)와, 제 1 극판과 제 2 극판을 갖는 제 1 커패시터(1213, 1223, 1233)와, 제 1극판과 제 2 극판을 갖는 제 2 커패시터(1214, 1224, 1234)를 구비하는 다수의 정적 램 셀(121,122,123)을 포함하는 메모리 소자에 있어서, 상기 메모리 소자는 각각 제 1 저장 노드(1211, 1221, 1231)의 제 1 커패시터 부분(86)이 제 1 커패시터 중의 하나의 제 1 극판으로 작용하고, 각각 제 2 저장 노드(1212, 1222, 1232)의 제 2 커패시터 부분(86)이 제 2 커패시터 중의 하나인 제 1 극판으로 작용하고, 전도성 부재(131)가 다수의 메모리 셀(121, 122, 123)의 제1 및 제 2 커패시터의 제 2 극판으로 작용하며 제 2 극판이 서로 전기적으로 연결되며 전기적으로 부동 상태인 부동 노드로 작용하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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