KR940016841A - 정적 램 셀 및 메모리 소자 - Google Patents

정적 램 셀 및 메모리 소자 Download PDF

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Abstract

부동 노드 커패시터(201, 202)를 포함한 정적 램 셀이 설명되었다. 한 실시예에서 저장 노드(17, 18)는 부동 노드 커패시터(201, 202)를 위한 제 1 극판으로 작용하고, 전도성 부재(91)는 부동 노드 커패시터(201, 202)를 위한 제 2 극판으로 작용한다. 전도성 부재(91)는 또한 제 2 극판과 함께 전기적으로 연결되어 있지만 메모리 셀의 다른 부분에는 전기적으로 연걸되어 있지 않다. 다른 실시예에서, 메모리 소자는 다수의 메모리 셀(121,122,123)을 위한 제 2 극판으로 작용하는 전도성 부재(131)를 포함한다. 또한 전도성 부재(91)는 제 2 극판과 함께 전기적으로 연결되어 있지만 메모리 셀의 다른 부분에는 전기적으로 연결되어 있지 않다. 또한 메모리 셀을 형성하기 위한 방법도 설명되었다.

Description

정적 램 셀 및 메모리 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 실시예에 따라 형성된 부동 노드 커패시터를 포함하는 4개의 트랜지스터 정적 램 셀의 회로도, 제 2 도는 다수의 층을 형성한 후의 기판의 일부 단면도, 제 3 도는 래치 게이트 전극과 워드선을 형성한 후의 제 2 도의 기판 평면도, 제 4 도는 기판내에 측벽 스페이서와 도핑 영역을 형성한 후의 제 3 도의 기판 단면도, 제 5 도는 제 2 전도성 부재가 형성된 후의 제 4 도의 기판 평면도, 제 6 도는 기판내에 도핑 영역과 접촉되는 각각 제 2 전도성 부재를 도시한 제 5 도의 기판 단면도.

Claims (2)

  1. 제 1 커패시터 부분(86)을 갖는 제 1 저장 노드(17)와, 제 2 커패시터 부분(86)을 갖는 제 2 저장 노드(18)와, 제 1 극판과 제 2극판을 갖는 제 1 커패시터(201)와, 제 1 극판과 제 2 극판을 갖는 제 2 커패시터(202)를 포함하는 정적 램 셀(10)에 있어서, 상기 정적 램 셀(10)은 제 1 저장 노드(17)의 제 1 커패시터 부분(86)이 제 1 커패시터의 제 1 극판으로 작용하고, 제 2 저장 노드(18)의 제 2 커패시터 부분(86)이 제 2 커패시터의 제 1 극판으로 작용하고, 제1 및 제 2 커패시터의 제 2 극판(92)이 서로 전기적으로 연결되며 전기 부동 상태인 부동 노드를 형성하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 정적 램 셀.
  2. 전도성 부재(131)와, 제 1 커패시터 부분(86)을 갖는 제 1 저장 노드(1211, 1221, 1231)와 제 2 커패시터부분(86)을 갖는 제 2 저장 노드(1212, 1222, 1232)와, 제 1 극판과 제 2 극판을 갖는 제 1 커패시터(1213, 1223, 1233)와, 제 1극판과 제 2 극판을 갖는 제 2 커패시터(1214, 1224, 1234)를 구비하는 다수의 정적 램 셀(121,122,123)을 포함하는 메모리 소자에 있어서, 상기 메모리 소자는 각각 제 1 저장 노드(1211, 1221, 1231)의 제 1 커패시터 부분(86)이 제 1 커패시터 중의 하나의 제 1 극판으로 작용하고, 각각 제 2 저장 노드(1212, 1222, 1232)의 제 2 커패시터 부분(86)이 제 2 커패시터 중의 하나인 제 1 극판으로 작용하고, 전도성 부재(131)가 다수의 메모리 셀(121, 122, 123)의 제1 및 제 2 커패시터의 제 2 극판으로 작용하며 제 2 극판이 서로 전기적으로 연결되며 전기적으로 부동 상태인 부동 노드로 작용하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2798001B2 (ja) * 1995-04-20 1998-09-17 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US5567644A (en) * 1995-09-14 1996-10-22 Micron Technology, Inc. Method of making a resistor
JP2950232B2 (ja) * 1996-03-29 1999-09-20 日本電気株式会社 半導体記憶装置の製造方法
JPH1126604A (ja) * 1997-07-03 1999-01-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US6355536B1 (en) 1998-06-08 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Selective method to form roughened silicon
US6972436B2 (en) * 1998-08-28 2005-12-06 Cree, Inc. High voltage, high temperature capacitor and interconnection structures
US6038163A (en) * 1998-11-09 2000-03-14 Lucent Technologies Inc. Capacitor loaded memory cell
FR2793939B1 (fr) * 1999-05-19 2004-01-02 St Microelectronics Sa Cellule memoire a faible consommation
US6300658B1 (en) * 1999-08-03 2001-10-09 Advanced Micro Devices, Inc. Method for reduced gate aspect ration to improve gap-fill after spacer etch
US7067176B2 (en) 2000-10-03 2006-06-27 Cree, Inc. Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment
US6767843B2 (en) * 2000-10-03 2004-07-27 Cree, Inc. Method of N2O growth of an oxide layer on a silicon carbide layer
US6956238B2 (en) * 2000-10-03 2005-10-18 Cree, Inc. Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel
JP4535506B2 (ja) * 2001-01-30 2010-09-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
KR100542525B1 (ko) 2001-01-30 2006-01-11 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법
US6589835B2 (en) * 2001-03-22 2003-07-08 Macronix International Co., Ltd. Method of manufacturing flash memory
JP4336758B2 (ja) * 2001-11-12 2009-09-30 日本電気株式会社 メモリ装置
FR2833783B1 (fr) * 2001-12-13 2004-03-12 St Microelectronics Sa Composant d'un circuit integre, pae exemple une cellule de memorisation, protege contre les aleas logiques, et procede de realisation associe
US7022378B2 (en) * 2002-08-30 2006-04-04 Cree, Inc. Nitrogen passivation of interface states in SiO2/SiC structures
US7221010B2 (en) 2002-12-20 2007-05-22 Cree, Inc. Vertical JFET limited silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors
US7074643B2 (en) * 2003-04-24 2006-07-11 Cree, Inc. Silicon carbide power devices with self-aligned source and well regions and methods of fabricating same
US6979863B2 (en) * 2003-04-24 2005-12-27 Cree, Inc. Silicon carbide MOSFETs with integrated antiparallel junction barrier Schottky free wheeling diodes and methods of fabricating the same
US6876572B2 (en) * 2003-05-21 2005-04-05 Altera Corporation Programmable logic devices with stabilized configuration cells for reduced soft error rates
US7319253B2 (en) * 2004-07-01 2008-01-15 Altera Corporation Integrated circuit structures for increasing resistance to single event upset
US7372720B1 (en) 2005-02-16 2008-05-13 Altera Corporation Methods and apparatus for decreasing soft errors and cell leakage in integrated circuit structures
US7727904B2 (en) * 2005-09-16 2010-06-01 Cree, Inc. Methods of forming SiC MOSFETs with high inversion layer mobility
JP4932341B2 (ja) 2006-06-23 2012-05-16 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の動作方法
US8432012B2 (en) 2006-08-01 2013-04-30 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes having overlapping doped regions and methods of fabricating same
US7728402B2 (en) * 2006-08-01 2010-06-01 Cree, Inc. Semiconductor devices including schottky diodes with controlled breakdown
US8710510B2 (en) * 2006-08-17 2014-04-29 Cree, Inc. High power insulated gate bipolar transistors
US8835987B2 (en) * 2007-02-27 2014-09-16 Cree, Inc. Insulated gate bipolar transistors including current suppressing layers
US8232558B2 (en) 2008-05-21 2012-07-31 Cree, Inc. Junction barrier Schottky diodes with current surge capability
US7974119B2 (en) 2008-07-10 2011-07-05 Seagate Technology Llc Transmission gate-based spin-transfer torque memory unit
US9030867B2 (en) * 2008-10-20 2015-05-12 Seagate Technology Llc Bipolar CMOS select device for resistive sense memory
US7936580B2 (en) * 2008-10-20 2011-05-03 Seagate Technology Llc MRAM diode array and access method
US7936583B2 (en) * 2008-10-30 2011-05-03 Seagate Technology Llc Variable resistive memory punchthrough access method
US7825478B2 (en) 2008-11-07 2010-11-02 Seagate Technology Llc Polarity dependent switch for resistive sense memory
US8178864B2 (en) 2008-11-18 2012-05-15 Seagate Technology Llc Asymmetric barrier diode
US8203869B2 (en) 2008-12-02 2012-06-19 Seagate Technology Llc Bit line charge accumulation sensing for resistive changing memory
US8288220B2 (en) * 2009-03-27 2012-10-16 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices including epitaxial layers and related structures
US8294507B2 (en) 2009-05-08 2012-10-23 Cree, Inc. Wide bandgap bipolar turn-off thyristor having non-negative temperature coefficient and related control circuits
US8629509B2 (en) * 2009-06-02 2014-01-14 Cree, Inc. High voltage insulated gate bipolar transistors with minority carrier diverter
US8193848B2 (en) 2009-06-02 2012-06-05 Cree, Inc. Power switching devices having controllable surge current capabilities
US8159856B2 (en) 2009-07-07 2012-04-17 Seagate Technology Llc Bipolar select device for resistive sense memory
US8158964B2 (en) 2009-07-13 2012-04-17 Seagate Technology Llc Schottky diode switch and memory units containing the same
US7911833B2 (en) * 2009-07-13 2011-03-22 Seagate Technology Llc Anti-parallel diode structure and method of fabrication
US8541787B2 (en) * 2009-07-15 2013-09-24 Cree, Inc. High breakdown voltage wide band-gap MOS-gated bipolar junction transistors with avalanche capability
US8354690B2 (en) 2009-08-31 2013-01-15 Cree, Inc. Solid-state pinch off thyristor circuits
US9117739B2 (en) 2010-03-08 2015-08-25 Cree, Inc. Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same
US8415671B2 (en) 2010-04-16 2013-04-09 Cree, Inc. Wide band-gap MOSFETs having a heterojunction under gate trenches thereof and related methods of forming such devices
US8648426B2 (en) 2010-12-17 2014-02-11 Seagate Technology Llc Tunneling transistors
US9142662B2 (en) 2011-05-06 2015-09-22 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9029945B2 (en) 2011-05-06 2015-05-12 Cree, Inc. Field effect transistor devices with low source resistance
US9984894B2 (en) 2011-08-03 2018-05-29 Cree, Inc. Forming SiC MOSFETs with high channel mobility by treating the oxide interface with cesium ions
US8618582B2 (en) 2011-09-11 2013-12-31 Cree, Inc. Edge termination structure employing recesses for edge termination elements
US9373617B2 (en) 2011-09-11 2016-06-21 Cree, Inc. High current, low switching loss SiC power module
US9640617B2 (en) 2011-09-11 2017-05-02 Cree, Inc. High performance power module
JP2014531752A (ja) 2011-09-11 2014-11-27 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 改善したレイアウトを有するトランジスタを備える高電流密度電力モジュール
US8664665B2 (en) 2011-09-11 2014-03-04 Cree, Inc. Schottky diode employing recesses for elements of junction barrier array
US8680587B2 (en) 2011-09-11 2014-03-25 Cree, Inc. Schottky diode
KR20160020790A (ko) * 2014-08-14 2016-02-24 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
US9680381B1 (en) 2016-01-29 2017-06-13 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit including rectifying elements and a charge storage element and a method of using an electronic device including a circuit having switching elements
US9966846B2 (en) 2016-01-29 2018-05-08 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit including dual power converters and an inductor and a method of using an electronic device including a circuit including dual power converters and an inductor

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3163340D1 (en) * 1980-01-29 1984-06-07 Nec Corp Semiconductor device
US4532609A (en) * 1982-06-15 1985-07-30 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
JPS5916370A (ja) * 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US4679171A (en) * 1985-02-07 1987-07-07 Visic, Inc. MOS/CMOS memory cell
JPS61187362A (ja) * 1985-02-15 1986-08-21 Nec Corp 半導体集積回路装置
JPH0685431B2 (ja) * 1985-06-10 1994-10-26 株式会社日立製作所 半導体装置
US4805148A (en) * 1985-11-22 1989-02-14 Diehl Nagle Sherra E High impendance-coupled CMOS SRAM for improved single event immunity
US5132771A (en) * 1985-12-27 1992-07-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device having flip-flop circuits
US4725981A (en) * 1986-02-03 1988-02-16 Motorola, Inc. Random access memory cell resistant to inadvertant change of state due to charged particles
US4879690A (en) * 1987-09-07 1989-11-07 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Static random access memory with reduced soft error rate
JPH0714009B2 (ja) * 1987-10-15 1995-02-15 日本電気株式会社 Ｍｏｓ型半導体記憶回路装置
US4984200A (en) * 1987-11-30 1991-01-08 Hitachi, Ltd. Semiconductor circuit device having a plurality of SRAM type memory cell arrangement
JPH02199871A (ja) * 1989-01-30 1990-08-08 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US5135882A (en) * 1989-07-31 1992-08-04 Micron Technology, Inc. Technique for forming high-value inter-nodal coupling resistance for rad-hard applications in a double-poly, salicide process using local interconnect
KR100199258B1 (ko) * 1990-02-09 1999-06-15 가나이 쓰도무 반도체집적회로장치
KR920003461A (ko) * 1990-07-30 1992-02-29 김광호 접촉영역 형성방법 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법
JP2599495B2 (ja) * 1990-09-05 1997-04-09 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2666549B2 (ja) * 1990-09-27 1997-10-22 日本電気株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
US5145799A (en) * 1991-01-30 1992-09-08 Texas Instruments Incorporated Stacked capacitor SRAM cell
US5229310A (en) * 1991-05-03 1993-07-20 Motorola, Inc. Method for making a self-aligned vertical thin-film transistor in a semiconductor device
US5218511A (en) * 1992-06-22 1993-06-08 Vlsi Technology, Inc. Inter-silicide capacitor

Also Published As

Publication number Publication date
US5739564A (en) 1998-04-14
JPH06216344A (ja) 1994-08-05
US5536674A (en) 1996-07-16
KR100305123B1 (ko) 2001-11-22

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