KR970702585A - 산소장벽이 마련된 하부전극을 가지는 강유전성의 메모리 소자를 포함하는 반도체 디바이스(semiconductor device comprising a ferroelectric memory element with a lower electrode provided with an oxygen barrier) - Google Patents

산소장벽이 마련된 하부전극을 가지는 강유전성의 메모리 소자를 포함하는 반도체 디바이스(semiconductor device comprising a ferroelectric memory element with a lower electrode provided with an oxygen barrier) Download PDF

Info

Publication number
KR970702585A
KR970702585A KR1019960702917A KR19960702917A KR970702585A KR 970702585 A KR970702585 A KR 970702585A KR 1019960702917 A KR1019960702917 A KR 1019960702917A KR 19960702917 A KR19960702917 A KR 19960702917A KR 970702585 A KR970702585 A KR 970702585A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor device
metal oxide
lower electrode
forming
conductive
Prior art date
Application number
KR1019960702917A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100342296B1 (ko
Inventor
아드리아누스 마리아 월터스 로베르투스
헨리카 헬레나 마리아 켐퍼만 조한나
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프레데릭 얀 스미트, 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. filed Critical 프레데릭 얀 스미트
Publication of KR970702585A publication Critical patent/KR970702585A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100342296B1 publication Critical patent/KR100342296B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 전도성 영역(5)이 마련된 반도체 소자(1)를 가지는 반도체 본체(3)를 포함하는 반도체 디바이스에 관한 것으로, 전도성 영역(5)에는 하부전극(11), 산화성 강유전성의 절연체(12) 및 상부전극(13)이 마련되어 있는 메모리 소자를 형성하는 캐패시터(2)가 마련되어 있고, 하부전극(11)은 전도성 영역(5)과 전기적인 접촉을 하며, 전도성 금속산화물층(112)과 백금층(111)을 포함한다. 전도성 금속산화물층(112)은 제조공정시 산소 장벽으로서 작용한다. 또한, 본 발명은 반도체 디바이스의 제조방법에 관한 것으로, 백금층(111)이 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 15atom% 이상의 금속을 포함하며, 전도성 금속산화물층(112)이 백금층(111)과 강유전성의 필연체(12) 사이에 존재하는 것을 특징으로 한다. 그 결과, 반도체 디바이스의 제조 후, 하부전극(11)과 전도성 영역(5) 사이의 전기적인 접촉이 얻어진다.

Description

산소장벽이 마련된 하부전극을 가지는 강유전성의 메모리 소자를 포함하는 반도체 디바이스(SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT WITH A LOWER ELECTRODE PROVIDED WITH AN OXYGEN BARRIER)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 디바이스의 단면도.

Claims (9)

  1. 전도성 영역이 마련된 반도체 소자를 가지는 반도체 본체를 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 상기 전도성 영역에는 하부전극, 산화성 강유전성의 절연체 및 상부전극이 마련되어 있는 메모리 소자를 형성하는 캐패시터가 마련되어 있고, 상기 하부전극은 상기 전도성 영역과 전기적인 접촉을 하며, 전도성 금속산화물층과 백금층을 포함하며, 상기 백금층이 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 15atom% 이상의 금속을 포함하며, 상기 전도성 금속산화물층이 상기 백금층과 상기 강유전성의 절연체 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 상기 금속이 누테늄은 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 상기 금속층이 상기 백금층과 상기 전도성 영역 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전도성 영역이 텅스텐을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스 간의 전기적인 접속 또는 다른 부분으로의 접속이 상기 백금층으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  6. 전도성 영역이 마련되어 있는 반도체 본체를 포함하는 반도체 디바이스의 제조방법에 있어서, 상기 전도성 영역에는 하부전극, 산화성 강유전성의 절연체 및 상부전극을 가지는 메모리 소자를 형성하는 캐패시터가 마련되어 있고, 차례로, 백금층과 산소장벽층을 가지는 상기 하부전극이 상기 전도성 영역 상에 제공되고, 산화성 강유전성의 절연체가 제공되고, 산소분위기의 고온에서 열처리가 행해진 후 상기 상부전극이 제공되며, 상기 하부전극은 백금과 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 20atom% 이상의 금속을 동시에 침적함으로써 제공되고, 상기 산소분위기의 고온에 상기 열처리가 행해진 후 상기 강유전성의 절연체가 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 누테늄이 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 상기 금속으로서 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 산소분위기의 고온에서 열처리가 행해진 후, 상기 백금과 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 상기 금속을 동시에 침적한 후, 백금층이 상기 동시침적을 통해서 생성된 상기 금속층 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 상기 금속층이 상기 백금과 전도성 금속산화물을 형성할 수 있는 상기 금속을 동시에 침적하기 전에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960702917A 1994-10-04 1995-09-26 산소장벽이마련된하부전극을가지는강유전성의메모리소자를포함하는반도체장치와그의제조방법 KR100342296B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP94202867 1994-10-04
EP94202867.1 1994-10-04
PCT/IB1995/000799 WO1996010845A2 (en) 1994-10-04 1995-09-26 Semiconductor device comprising a ferroelectric memory element with a lower electrode provided with an oxygen barrier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970702585A true KR970702585A (ko) 1997-05-13
KR100342296B1 KR100342296B1 (ko) 2002-11-29

Family

ID=8217255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960702917A KR100342296B1 (ko) 1994-10-04 1995-09-26 산소장벽이마련된하부전극을가지는강유전성의메모리소자를포함하는반도체장치와그의제조방법

Country Status (9)

Country Link
US (2) US5744832A (ko)
EP (1) EP0737364B1 (ko)
JP (1) JP3804972B2 (ko)
KR (1) KR100342296B1 (ko)
CA (1) CA2178091A1 (ko)
DE (1) DE69508737T2 (ko)
MX (1) MX9602406A (ko)
TW (1) TW286401B (ko)
WO (1) WO1996010845A2 (ko)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100200299B1 (ko) * 1995-11-30 1999-06-15 김영환 반도체 소자 캐패시터 형성방법
JP2830845B2 (ja) * 1996-06-26 1998-12-02 日本電気株式会社 半導体記憶装置
DE19640243A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-09 Siemens Ag Kondensator mit einer Sauerstoff-Barriereschicht und einer ersten Elektrode aus einem Nichtedelmetall
US5790366A (en) * 1996-12-06 1998-08-04 Sharp Kabushiki Kaisha High temperature electrode-barriers for ferroelectric and other capacitor structures
JP3385889B2 (ja) * 1996-12-25 2003-03-10 株式会社日立製作所 強誘電体メモリ素子及びその製造方法
JPH10200072A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Sony Corp 半導体メモリセルのキャパシタ構造及びその作製方法
JP3201468B2 (ja) * 1997-05-26 2001-08-20 日本電気株式会社 容量素子及びその製造方法
DE69841302D1 (de) * 1997-07-08 2010-01-07 Nxp Bv Halbleiteranordnung mit einem speicherkondensator und verfahren zur herstellung
US6078072A (en) * 1997-10-01 2000-06-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a capacitor
TW483156B (en) * 1997-11-05 2002-04-11 Ibm Structure of a material/noble metal substrate laminate and semiconductor memory element
US6236101B1 (en) * 1997-11-05 2001-05-22 Texas Instruments Incorporated Metallization outside protective overcoat for improved capacitors and inductors
KR100533991B1 (ko) 1997-12-27 2006-05-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 고유전체 캐패시터 제조방법
US6303952B1 (en) * 1998-01-14 2001-10-16 Texas Instruments Incorporated Contact structure with an oxide silicidation barrier
US6150706A (en) 1998-02-27 2000-11-21 Micron Technology, Inc. Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer
US6682970B1 (en) * 1998-02-27 2004-01-27 Micron Technology, Inc. Capacitor/antifuse structure having a barrier-layer electrode and improved barrier layer
US7034353B2 (en) * 1998-02-27 2006-04-25 Micron Technology, Inc. Methods for enhancing capacitors having roughened features to increase charge-storage capacity
US6271131B1 (en) 1998-08-26 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods for forming rhodium-containing layers such as platinum-rhodium barrier layers
US6239028B1 (en) * 1998-09-03 2001-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for forming iridium-containing films on substrates
US6284655B1 (en) * 1998-09-03 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Method for producing low carbon/oxygen conductive layers
US6323081B1 (en) * 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Diffusion barrier layers and methods of forming same
US6174735B1 (en) * 1998-10-23 2001-01-16 Ramtron International Corporation Method of manufacturing ferroelectric memory device useful for preventing hydrogen line degradation
KR20000044902A (ko) * 1998-12-30 2000-07-15 김영환 강유전체 메모리 소자 제조 방법
DE19901210A1 (de) * 1999-01-14 2000-07-27 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US6075264A (en) 1999-01-25 2000-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Structure of a ferroelectric memory cell and method of fabricating it
JP3211809B2 (ja) * 1999-04-23 2001-09-25 ソニー株式会社 半導体記憶装置およびその製造方法
US6329286B1 (en) 1999-04-27 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming conformal iridium layers on substrates
US6465828B2 (en) 1999-07-30 2002-10-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor container structure with diffusion barrier
US6417537B1 (en) 2000-01-18 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Metal oxynitride capacitor barrier layer
DE10010288C1 (de) * 2000-02-25 2001-09-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Kondensatoranordnung
US6787833B1 (en) * 2000-08-31 2004-09-07 Micron Technology, Inc. Integrated circuit having a barrier structure
US6660631B1 (en) * 2000-08-31 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Devices containing platinum-iridium films and methods of preparing such films and devices
JP3681632B2 (ja) * 2000-11-06 2005-08-10 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE10061580A1 (de) * 2000-12-11 2002-06-27 Infineon Technologies Ag Speichereinrichtung und Verfahren zu deren Betrieb
US7378719B2 (en) * 2000-12-20 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Low leakage MIM capacitor
KR100410716B1 (ko) * 2001-03-07 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 캐패시터의 하부전극을 스토리지노드와 연결할 수 있는강유전체 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR20030025671A (ko) * 2001-09-22 2003-03-29 주식회사 하이닉스반도체 커패시터의 제조방법
KR100431294B1 (ko) * 2001-10-06 2004-05-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자 제조방법
KR100432882B1 (ko) * 2001-10-12 2004-05-22 삼성전자주식회사 강유전성 메모리 장치 형성 방법
EP1324392B1 (en) * 2001-12-28 2009-12-09 STMicroelectronics S.r.l. Capacitor for semiconductor integrated devices
US6583507B1 (en) * 2002-04-26 2003-06-24 Bum Ki Moon Barrier for capacitor over plug structures
JP3894554B2 (ja) * 2002-08-07 2007-03-22 松下電器産業株式会社 容量素子及びその製造方法
KR100474072B1 (ko) * 2002-09-17 2005-03-10 주식회사 하이닉스반도체 귀금속 박막의 형성 방법
DE10303316A1 (de) * 2003-01-28 2004-08-12 Forschungszentrum Jülich GmbH Schneller remanenter Speicher
US7297602B2 (en) * 2003-09-09 2007-11-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Conductive metal oxide gate ferroelectric memory transistor
US7378286B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. Semiconductive metal oxide thin film ferroelectric memory transistor
US7109079B2 (en) * 2005-01-26 2006-09-19 Freescale Semiconductor, Inc. Metal gate transistor CMOS process and method for making
KR100707783B1 (ko) * 2005-10-10 2007-04-17 삼성전기주식회사 컬러 휠 유니트 및 그 제작 방법
US9299643B2 (en) * 2008-09-29 2016-03-29 Cypress Semiconductor Corporation Ruthenium interconnect with high aspect ratio and method of fabrication thereof
US9846664B2 (en) 2010-07-09 2017-12-19 Cypress Semiconductor Corporation RFID interface and interrupt
US8723654B2 (en) 2010-07-09 2014-05-13 Cypress Semiconductor Corporation Interrupt generation and acknowledgment for RFID
US9092582B2 (en) 2010-07-09 2015-07-28 Cypress Semiconductor Corporation Low power, low pin count interface for an RFID transponder
US9548348B2 (en) * 2013-06-27 2017-01-17 Cypress Semiconductor Corporation Methods of fabricating an F-RAM
CN104600073B (zh) * 2013-10-30 2017-06-06 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Otp器件及制造方法
CN104576648B (zh) * 2014-08-19 2017-03-29 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Otp器件及其制造方法
JP6805674B2 (ja) * 2016-09-21 2020-12-23 豊田合成株式会社 発光素子及びその製造方法
KR20190008047A (ko) 2017-07-14 2019-01-23 에스케이하이닉스 주식회사 강유전성 메모리 소자
US10411017B2 (en) * 2017-08-31 2019-09-10 Micron Technology, Inc. Multi-component conductive structures for semiconductor devices

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5003428A (en) * 1989-07-17 1991-03-26 National Semiconductor Corporation Electrodes for ceramic oxide capacitors
JPH03256691A (ja) * 1990-03-08 1991-11-15 Fanuc Ltd 産業用ロボットに於ける旋回軸のケーブル処理構造
EP0478799B1 (en) * 1990-04-24 1996-12-04 Ramtron International Corporation Semiconductor device having ferroelectric material and method of producing the same
JPH0485878A (ja) * 1990-07-26 1992-03-18 Seiko Epson Corp 半導体装置
EP0490288A3 (en) * 1990-12-11 1992-09-02 Ramtron Corporation Process for fabricating pzt capacitors as integrated circuit memory elements and a capacitor storage element
US5142437A (en) * 1991-06-13 1992-08-25 Ramtron Corporation Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method
US5164808A (en) * 1991-08-09 1992-11-17 Radiant Technologies Platinum electrode structure for use in conjunction with ferroelectric materials
JP3207227B2 (ja) * 1991-11-08 2001-09-10 ローム株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5382817A (en) * 1992-02-20 1995-01-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a ferroelectric capacitor with a planarized lower electrode
US5216572A (en) * 1992-03-19 1993-06-01 Ramtron International Corporation Structure and method for increasing the dielectric constant of integrated ferroelectric capacitors
US5191510A (en) * 1992-04-29 1993-03-02 Ramtron International Corporation Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices
US5313089A (en) * 1992-05-26 1994-05-17 Motorola, Inc. Capacitor and a memory cell formed therefrom
JP3212194B2 (ja) * 1992-09-11 2001-09-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
DE69404189T2 (de) * 1993-03-31 1998-01-08 Texas Instruments Inc Leicht donatoren-dotierte Elektroden für Materialien mit hoher dielektrischer Konstante
JPH0793969A (ja) * 1993-09-22 1995-04-07 Olympus Optical Co Ltd 強誘電体容量素子
JPH07312365A (ja) * 1994-05-17 1995-11-28 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US5504041A (en) * 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US5622893A (en) * 1994-08-01 1997-04-22 Texas Instruments Incorporated Method of forming conductive noble-metal-insulator-alloy barrier layer for high-dielectric-constant material electrodes
JPH0864767A (ja) * 1994-08-23 1996-03-08 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置
JP3322031B2 (ja) * 1994-10-11 2002-09-09 三菱電機株式会社 半導体装置
US5555486A (en) * 1994-12-29 1996-09-10 North Carolina State University Hybrid metal/metal oxide electrodes for ferroelectric capacitors

Also Published As

Publication number Publication date
DE69508737D1 (de) 1999-05-06
US5744832A (en) 1998-04-28
KR100342296B1 (ko) 2002-11-29
TW286401B (ko) 1996-09-21
WO1996010845A2 (en) 1996-04-11
CA2178091A1 (en) 1996-04-11
JPH09507342A (ja) 1997-07-22
JP3804972B2 (ja) 2006-08-02
DE69508737T2 (de) 1999-10-07
WO1996010845A3 (en) 1996-06-06
EP0737364A1 (en) 1996-10-16
MX9602406A (es) 1997-03-29
US6140173A (en) 2000-10-31
EP0737364B1 (en) 1999-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970702585A (ko) 산소장벽이 마련된 하부전극을 가지는 강유전성의 메모리 소자를 포함하는 반도체 디바이스(semiconductor device comprising a ferroelectric memory element with a lower electrode provided with an oxygen barrier)
KR870011683A (ko) 프로그램 가능한 저 임피던스 상호 접속회로 소자
KR930022555A (ko) 루테늄산염 전극을 갖는 커패시터
KR980006387A (ko) 아날로그용 반도체 소자의 폴리레지스터 및 그의 제조방법
KR960002883A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR960009178A (ko) 앤티휴즈소자, 앤티휴즈소자를 가지는 반도체 집적회로장치 및 그의 제조방법
KR900019239A (ko) 집적회로용 로칼인터커넥트
KR950704814A (ko) 층진초격자재료를 가지는 집적회로와 집적회로 제조방법(integrated circuit with layered superlattice material and method of fabricating same)
KR970053977A (ko) 반도체 집적회로 장치 및 그 제조방법
KR900005602A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR890012361A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR910007083A (ko) 반도체 장치 제조 방법
KR890001177A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR100408539B1 (ko) 커패시터를구비한반도체장치및그제조방법
KR940001405A (ko) 메모리셀 캐패시터의 유전막 누설전류 개선방법
KR870009475A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR970030333A (ko) 반도체소자의 도전 배선 콘택 제조방법
KR970054048A (ko) 반도체장치의 커패시터 제조방법
KR960026821A (ko) 캐패시터 제조방법
KR950024265A (ko) 반도체 장치의 금속 콘택부 구조 및 형성방법
KR950024340A (ko) 반도체 장치의 캐패시터와 그 제조방법
KR940016791A (ko) 반도체 메모리 장치의 캐패시터 구조 및 제조방법
KR870010611A (ko) 플리실리콘상에 평탄한 경계면을 갖고 있는 직접 회로 및 이의 제조방법
KR970054316A (ko) 평면형 안티(anti)퓨즈 소자의 제조방법
KR980005609A (ko) 반도체 소자의 콘택 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070607

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee