KR970054048A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 커패시터 ㅈ조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상에 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 내에 플러그를 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 장벽금속층을 형성하는 단계; 상기 장벽금속층이 형성된 반도체기판을 질소처리하여 상기 장벽 금속층 상에 질소화된 금속막을 형성하는 단계; 상기 질소화된 금속막 상에 하부 전극막을 형성하는 단계; 및 상기 하부 전극막, 상기 질소화된 금속막, 및 상기 장벽금속층을 차례ㅗ 패터닝하여 상기 플러그를 덮는 장벽금속층패턴, 질소화된 금속막 패턴, 및 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법을 제공한다. 본발명에 의하면, 고유전막 형성시 장벽금속층이 산화되는 것을 크게 억제시킬 수 있어 하부전극의 리프팅 현상을 개선시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본발명에 의한 커패시터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (5)
- 반도체기판 상에 상기 반도체기판인 소정영역을 노출시키는 콘택홀을 구비하는 전연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 내에 플러그를 형성하는 단계; 상기 결과물 전면에 장벽금속층을 형성하는 단계; 상기 장벽 금속층이 형성된 반도체기판을 질소처리하여 상기 장벽금속층 상에 질소화된 금속막을 형성하는 단계; 상기 질소화된 금속막 상에 하부 전극막을 형성하는 단계; 및 상기 하부 전극막, 상기 질소화된 금속막, 및 상기 장벽금속층을 차례로 패터닝하여 상기 플러그를 장벽금속층 패턴, 질소화된 금속막 패턴, 및 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽금속층은 티이타늄 질화막, 타이나늄텅스텐 질화막, 탄탈리움실리콘 질화막, 텅스텐 질화막, 및 타티나늄실리콘 질화막중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부 전극막은 백금 또는 루씨니움(Ru)으로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고유전막은 BST막 또는 타이타늄 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커래시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소처리는 400℃의 온도, 3mTorr의 압력, 및 암모니아 플라즈마 분위기에서 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057093A KR970054048A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057093A KR970054048A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054048A true KR970054048A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66618958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057093A KR970054048A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054048A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465854B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고유전체캐패시터의하부전극장벽막형성방법 |
| KR100575854B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 제조방법 |
| KR100587047B1 (ko) * | 2000-06-01 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057093A patent/KR970054048A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100465854B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고유전체캐패시터의하부전극장벽막형성방법 |
| KR100575854B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2006-05-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 캐패시터 제조방법 |
| KR100587047B1 (ko) * | 2000-06-01 | 2006-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 캐패시터 제조방법 |
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