KR970003679A - 강유전체 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

강유전체 커패시터 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

강유전체막을 구비하는 커패시터 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 기판 상에 형성된 절연막, 상기 절연막 상에 형성된 커패시터 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성된 강유전체막, 및 상기 강유전체막상에 형성된 커패시터 상부전극을구비하는 커패시터에 있어서, 상기 커패시터의 하부전극이 상기 절연막에 매립되어 형성된다. 따라서, 하부전극 형성시 금속성 폴리머가 하부전극 측벽에 쌓이는 것을 방지할 수 있다.

Description

강유전체 커패시터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제9도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 강유전체 커패시터 제조방법을 설명하기 위한 공정순서도.

Claims (9)

  1. 반도체 기판 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 커패시터 하부전극;상기 하부전극 상에 형성된 강유전체막; 및 상기 유전체막 상에 형성된 커패시터 상부전극을 구비하는 반도체 커패시터에 있어서, 상기 하부전극이 상기 절연막에 매립되어 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 HTO, BPSG, USG의 군에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하부전극은 내열성 도전물질로 형성된 것을 특징으로 하는 커패시터.
  4. 반도체기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 표면에 하부전극 패턴을 구비하도록 상기 절연층을 식각하는 단계; 상기 절연층을 부분적으로 식각하여 상기 절연층 내에 하부전극을 트랜지스터의 소오스와 접속시키는 콘택홀 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 매립하는 도전성 플러그를 형성하는 단계; 도전성 플러그가 형성된 상기 결과물 상에하부전극 형성을 위한 도전층을 형성한 다음, 에치백하여 상기 절연층 표면에 매립되는 하부전극을 형성하는 단계; 하부전극이 형성된 상기 결과물 상에 강유전체막을 형성하는 단계; 및 상기 강유전체막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 도전층은 MOCVD, PECVD, LPCVD 등의 화학기상증착법 중 하나의 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 도전층은 도전물을 기판 상에 증착한 다음 플로우 단계를 거쳐 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 하부전극은 백금(Pt), 탄탈륨(Ta) 등의 내열성 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시티 제조방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 강유전체막은 PZT (PbZrTiO3), BST(BaSrTiO3), SrTiO3, BaTiO3, PbTiO3및 Bi4Ti3O12군에서 선택된 어느 하나를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  9. 제4항에 있어서, 상기 하부전극과 상기 절연층의 식각선택비를 1:1로 유지하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100393965B1 (ko) * 2000-12-21 2003-08-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 및 그의 제조 방법
KR100474989B1 (ko) * 1997-07-15 2005-07-28 삼성전자주식회사 장벽층을이용한반도체장치의커패시터형성방법
KR100618684B1 (ko) * 2000-06-01 2006-09-06 주식회사 하이닉스반도체 티에이오엔 유전체막을 갖는 반도체 소자의 캐패시터 및그 제조방법

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KR100393965B1 (ko) * 2000-12-21 2003-08-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 및 그의 제조 방법

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