KR960019696A - 커패시터 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

커패시터 구조 및 그 제조방법 Download PDF

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KR960019696A
KR960019696A KR1019940030936A KR19940030936A KR960019696A KR 960019696 A KR960019696 A KR 960019696A KR 1019940030936 A KR1019940030936 A KR 1019940030936A KR 19940030936 A KR19940030936 A KR 19940030936A KR 960019696 A KR960019696 A KR 960019696A
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조학주
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

하부전극을 구성하는 물질을 달리한 커패시터 및 그 제조방법에 관하여 기재되어 있다. 이는 유전막과 접하게 되는 표면이 WNx로 형성된 하부전극, 상기 하부전극의 일표면 상에 형성된 유전막 및 상기 유전막상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 고신뢰도와 우수한 전기적 특성을 갖는 커패시터를 얻을 수 있다.

Description

커패시터 구조 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3D도는 하부전극을 구성하는 물질로 텅스텐 나이트라이드(WNx)를 사용한, 본 발명에 의한 커패시터 제조방법을 설명하기 위해 도시된 단면도들이다.

Claims (10)

  1. 유전막과 접하게 되는 표면이 WNx로 형성된 하부전극, 상기 하부전극의 일표면 상에 형성된 유전막 및 상기 유전막상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전막은 BST(BaxSr1-xTiO3)로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 구조.
  3. 제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부전극은 WNx및 Pt/WNx중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 커패시터 구조.
  4. 하부전극, 유전막 및 상부전극으로 구성되는 커패시터에 있어서, 유전막과 접하게 되는 상기 하부전극의 표면을 WNx로 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유전막은 BST(BaxSr1-xTi03)로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  6. 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 WNx는 플라즈마 증강 화학 기상 증착(PECVD) 방식으로, 약 350℃, 약 100mTorr에서 증착된 후, 약 850℃에서 후속 열처리되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 하부전극 하부에 장벽층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 장벽층은 TiN/Ti, TiN/Ta 및 TiN 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 Ti은 약 80-200Å 정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
  10. 제4항에 있어서, 상기 상부전극 WNx및 Pt/WNx중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100419027B1 (ko) * 1996-12-31 2004-05-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의캐패시터제조방법
KR100746192B1 (ko) * 2000-06-08 2007-08-03 마이크론 테크놀로지 인코포레이티드 루테늄 및 텅스텐 함유 층을 포함하는 집적 회로 구조 및그의 형성 방법
KR100797212B1 (ko) * 2002-04-23 2008-01-23 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 고 저항성 지지체 상에 유용층을 구비한 기판의 제조 방법

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