KR970054183A - 에프 램(fram) 셀의 제조방법 - Google Patents
에프 램(fram) 셀의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
강유전 물질을 유전막으로 사용하는 에프 램(FROM) 셀의 제조방법에 대해 기재하고 있다.
반도체기판 상에, 활성영역과 스토리지전극을 접속시키기 위한 콘택홀을 형성하는 단계, 콘택홀에 도전성 플럭을 형성하는 단게, 결과물 상에 하부전극층을 형성하는 단계, 하부전극층 상에 강유전층 형성하는 단계, 하부전극층 및 강유전층을 각 메모리 셀 단위로 한정되도록 패터닝하는 단계, 각 메모리 셀 단위로 한정된 하부전극 및 강유전층의 측벽에 절연층 스페이서를 형성하는 단계 및 결과물 상에 캐패시터의 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 캐패시터의 상부 전극 패터닝시 잔류물을 감소시키고, 사진공정의 마이진을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 에프 램(FRAM)셀의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (5)
- 반도체기판 상에, 활성영역과 스토리지전극을 접속시키기 위한 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀에 도전성 플럭을 형성하는 단계; 결과물 상에 하부전극층을 형성하는 단계; 상기 하부전극층 상에 강유전층을 형성하는 단계; 상기 하부전극층 및 강유전층을 각 메모리 셀 단위로 한정되도록 패너팅 하는 단게; 상기 각 메모리 셀 단위로 한정된 하부전극 및 강유전층의 측벽에 절연층 스페이서를 형성하는 단계; 및 상기 결과물 상에 캐패시터의 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 에프 램(FRAM) 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하부전극층 및 가유전층을 패터닝하는 단계 후에, 결과물 상에 확산방지막을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 에프 램(FRAM) 셀의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 확산 방지막은 산화티타늄(TiO2),산화지르코늄(ZrO2), 산화 마그네슘(MgO), 산화 알루미늄(Al2O3) 및 오산화탄탈륨(Ta2O5) 중의 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 에프 램(FRAM) 셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 커패시터의 하부전극 또는 상부전극은 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 티타늄 나이트라이드(TiN), 실리사이드 및 전도성 산화물 중의 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 에프 램(FRAM)셀의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 강유전층은 PZT, BST, Y1 계열을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 에프램(FRAM) 셀의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019950057236A KR970054183A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 에프 램(fram) 셀의 제조방법 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054183A true KR970054183A (ko) | 1997-07-31 |
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ID=66618307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950057236A KR970054183A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 에프 램(fram) 셀의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR970054183A (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100411306B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-12-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수소확산방지막을 구비하는 반도체소자의 제조 방법 |
| KR100428790B1 (ko) * | 2001-06-26 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 확장된 플레이트 라인을 갖는 강유전체 메모리소자 및 그제조방법 |
| KR100450669B1 (ko) * | 2002-01-30 | 2004-10-01 | 삼성전자주식회사 | 산소 침투 경로 및 캡슐화 장벽막을 구비하는 강유전체메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100436056B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 커패시터의 확산장벽막 형성방법 |
| KR100506513B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2007-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057236A patent/KR970054183A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR100506513B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2007-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 캐패시터 형성 방법 |
| KR100436056B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 커패시터의 확산장벽막 형성방법 |
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| KR100450669B1 (ko) * | 2002-01-30 | 2004-10-01 | 삼성전자주식회사 | 산소 침투 경로 및 캡슐화 장벽막을 구비하는 강유전체메모리 소자 및 그 제조 방법 |
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